本申請涉及氣體混合，尤其涉及一種用于還原爐前的氣體混合裝置。

背景技術：

1、多晶硅生產(chǎn)的還原反應過程為，三氯氫硅氣體與氫氣在靜態(tài)混合器中混合均勻后進入還原爐內(nèi)發(fā)生還原反應，在混合過程中三氯氫硅氣體與氫氣混合越均勻反應轉(zhuǎn)化率越高，可減少還原反應的電力消耗。

2、相關技術中分別將氫氣和三氯硅氣體通入混合器，混合器內(nèi)設置有填料，氫氣和三氯硅氣體穿過填料，以使得氫氣和三氯硅氣體混合。

3、但是，使用填料對氫氣和三氯硅氣體進行混合存在混合效率低的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N用于還原爐前的氣體混合裝置，用以解決使用填料對氫氣和三氯硅氣體進行混合存在混合效率低的問題。

2、本申請?zhí)峁┮环N用于還原爐前的氣體混合裝置，用于混合器內(nèi)氫氣和三氯氫硅氣體的混合，混合器包括：

3、本體，本體形成有輸出部，輸出部用于外接還原爐；

4、第一輸送件，第一輸送件的一端與本體連通設置，第一輸送件的另一端外接第一氣體氣源；

5、第二輸送件，第二輸送件的一端與本體連通設置，第二輸送件的另一端外接第二氣體氣源；

6、用于還原爐前的氣體混合裝置包括：

7、混合件，混合件設置在本體的內(nèi)部，混合件用于容納第一氣體和第二氣體；

8、至少一個加速通道，加速通道設置在本體的內(nèi)部，加速通道用于加速第一氣體和第二氣體的流通；

9、和/或，至少一個減速通道，減速通道設置在本體的內(nèi)部，減速通道用于減緩第一氣體和第二氣體的流通；

10、其中，加速通道的一端與混合件和減速通道中的一者連通設置，加速通道的另一端與減速通道和輸出部中的一者連通設置；減速通道的一端與混合件和加速通道中的一者連通設置，減速通道的另一端與加速通道和輸出部中的一者連通設置。

11、在一種可行的實施方式中，在加速通道的一端與混合件連通的情況下，加速通道的最大截面尺寸小于等于混合件的最小截面尺寸；

12、在加速通道的一端與減速通道連通的情況下，加速通道的最大截面尺寸小于等于減速通道的最小截面尺寸；

13、在加速通道的另一端與減速通道連通的情況下，加速通道的最大截面尺寸小于等于減速通道的最小截面尺寸；

14、在加速通道的另一端與輸出部連通的情況下，加速通道至少部分與輸出部連通設置。

15、在一種可行的實施方式中，在減速通道的一端與混合件連通的情況下，減速通道的最小截面尺寸大于等于混合件的最大截面尺寸；

16、在減速通道的一端與加速通道連通的情況下，減速通道的最小截面尺寸大于等于加速通道的最大截面尺寸；

17、在減速通道的另一端與加速通道連通的情況下，減速通道的最小截面尺寸大于等于加速通道的最大截面尺寸；

18、在減速通道的另一端與輸出部連通的情況下，減速通道至少部分與輸出部連通設置。

19、在一種可行的實施方式中，加速通道設置有多個，相鄰的兩個加速通道間隔設置；

20、在本體的高度方向上，位于上層的加速通道與位于下層的加速通道連通布置，且位于上層的加速通道的最小截面尺寸大于等于位于下層的加速通道的最大截面尺寸；

21、和/或，在垂直本體的高度方向上，相鄰的兩個加速通道平行布置。

22、在一種可行的實施方式中，減速通道設置有多個，相鄰的兩個減速通道間隔設置；

23、在本體的高度方向上，位于上層的減速通道與位于下層的減速通道連通布置，且位于上層的減速通道的最大截面尺寸大于等于位于下層的減速通道的最小截面尺寸；

24、和/或，在垂直本體的高度方向上，相鄰的兩個減速通道平行設置。

25、在一種可行的實施方式中，加速通道形成有第一進口部和第一出口部，在第一進口部至輸出部方向上，第一進口部的截面尺寸大于第一出口部的截面尺寸。

26、在一種可行的實施方式中，減速通道形成有第二進口部和第二出口部，在第二進口部至輸出部方向上，第二進口部的截面尺寸小于第二出口部的截面尺寸。

27、在一種可行的實施方式中，還包括：

28、旋轉(zhuǎn)件，可轉(zhuǎn)動地設置在混合件和減速通道中的至少一者上，旋轉(zhuǎn)件形成有旋轉(zhuǎn)部，旋轉(zhuǎn)件能夠在第一外力的驅(qū)動下以旋轉(zhuǎn)部為旋轉(zhuǎn)中心進行轉(zhuǎn)動，并帶動第一氣體和第二氣體旋轉(zhuǎn)。

29、在一種可行的實施方式中，還包括：

30、填料，填料設置在本體的內(nèi)部，填料用于導引第一氣體和第二氣體的流通。

31、本申請?zhí)峁┑挠糜谶€原爐前的氣體混合裝置，加速通道能夠提高第一氣體和第二氣體的流動速度，從而提高第一氣體和第二氣體的混合效率；減速通道能夠減緩第一氣體和第二氣體的流動速度，從而增加第一氣體和第二氣體的混合時間，從而使得第一氣體和第二氣體的混合更加均勻。

32、由此，本申請的實施例提供的用于還原爐前的氣體混合裝置能夠解決使用填料對氫氣和三氯硅氣體進行混合存在混合效率低的問題。

技術特征：

1.一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，用于混合器內(nèi)氫氣和三氯氫硅氣體的混合，所述混合器包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，在所述加速通道的一端與所述混合件連通的情況下，所述加速通道的最大截面尺寸小于等于所述混合件的最小截面尺寸；

3.根據(jù)權利要求1所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，在所述減速通道的一端與所述混合件連通的情況下，所述減速通道的最小截面尺寸大于等于所述混合件的最大截面尺寸；

4.根據(jù)權利要求1所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，所述加速通道設置有多個，相鄰的兩個加速通道間隔設置；

5.根據(jù)權利要求1所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，所述減速通道設置有多個，相鄰的兩個所述減速通道間隔設置；

6.根據(jù)權利要求1所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，所述加速通道形成有第一進口部和第一出口部，在第一進口部至輸出部方向上，所述第一進口部的截面尺寸大于所述第一出口部的截面尺寸。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，所述減速通道形成有第二進口部和第二出口部，在第二進口部至輸出部方向上，所述第二進口部的截面尺寸小于所述第二出口部的截面尺寸。

8.根據(jù)權利要求1-7中任一項所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，還包括：

9.根據(jù)權利要求1-7中任一項所述的一種用于還原爐前的氣體混合裝置，其特征在于，還包括：

技術總結
本申請?zhí)峁┮环N用于還原爐前的氣體混合裝置。該用于還原爐前的氣體混合裝置包括：混合件、至少一個加速通道和/或至少一個減速通道。其中，混合件設置在本體的內(nèi)部，混合件用于容納第一氣體和第二氣體；加速通道設置在本體1的內(nèi)部，加速通道用于加速第一氣體和第二氣體的流通；減速通道設置在本體的內(nèi)部，減速通道用于減速第一氣體和第二氣體的流通；加速通道能夠提高第一氣體和第二氣體的流動速度，從而提高第一氣體和第二氣體的混合效率；減速通道能夠減緩第一氣體和第二氣體的流動速度，從而增加第一氣體和第二氣體的混合時間，從而使得第一氣體和第二氣體的混合更加均勻；以解決使用填料對氫氣和三氯硅氣體進行混合存在混合效率低的問題。

技術研發(fā)人員：馬迎杰,趙國強,段毓達,薛皓中,葛蒙,柯曾鵬,陳維平,駱彩萍,陳斌,韋崗鎖
受保護的技術使用者：華陸工程科技有限責任公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/10