本發(fā)明涉及制砂機(jī)，具體為一種智能高純度石英砂制砂機(jī)。

背景技術(shù)：

1、石英石由振動給料機(jī)輸送到顎式破碎機(jī)進(jìn)行初次破碎，得到的物料再進(jìn)入到反擊式破碎機(jī)進(jìn)行下一步驟的破碎，得到較小的物料顆粒，經(jīng)過圓振動篩把符合要求的篩分處理，進(jìn)入到制砂機(jī)細(xì)碎，這就是石英砂的制砂過程。

2、在制砂機(jī)細(xì)碎時，最為常見的極其為對輥式制砂機(jī)，通過兩個輥體之間的間隙來對物料進(jìn)行擠壓破碎，通過調(diào)節(jié)間隙即可得到特定目數(shù)的細(xì)料，但是這類的制砂機(jī)都存在一個問題，即擠壓的方式產(chǎn)生的細(xì)料粒型差，其顆粒破碎時具有隨機(jī)性，導(dǎo)致產(chǎn)生的細(xì)料為多棱邊體，在一定條件下，甚至產(chǎn)生條狀的顆粒。為此，我們提出一種智能高純度石英砂制砂機(jī)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，包括外殼體，所述外殼體的內(nèi)部設(shè)置有筒狀內(nèi)殼體，所述內(nèi)殼體的頂部設(shè)置有下磨臺，位于下磨臺正上方設(shè)有轉(zhuǎn)動安裝于外殼體內(nèi)的上磨臺，上磨臺通過電機(jī)驅(qū)動轉(zhuǎn)動，下磨臺的上表面呈錐形，上磨臺的軸心處開設(shè)有進(jìn)料口，外殼體與內(nèi)殼體之間的安裝有傾斜設(shè)置的承載板，所述外殼體上開設(shè)有位于承載板最低點(diǎn)的出料口。

3、優(yōu)選的，所述下磨臺滑動設(shè)置于內(nèi)殼體上表面，且內(nèi)殼體上沿豎直方向轉(zhuǎn)動連接有至少三組安裝軸，所述下磨臺的下表面固定連接有與安裝軸轉(zhuǎn)動連接的連接軸，所述連接軸與安裝軸的軸線錯位平行，連接軸圓周陣列分布于下磨臺，任意一個安裝軸通過電機(jī)驅(qū)動使下磨臺平面回旋運(yùn)動。

4、優(yōu)選的，所述下磨臺的上表面固定安裝有至少兩組撞擊板，撞擊板整體呈弧形，撞擊板呈圓周陣列分布于下磨臺，所述內(nèi)殼體上轉(zhuǎn)動安裝有通過電機(jī)驅(qū)動的驅(qū)動軸，驅(qū)動軸的頂部安裝有撞擊刀塊，撞擊刀塊在轉(zhuǎn)動時將下落的物料擊飛，相鄰兩組撞擊板之間具有間隙，下落的物料在下落的任意位置下被撞擊刀塊擊飛時均撞擊到撞擊板上。

5、優(yōu)選的，所述撞擊板的撞擊面開設(shè)有呈螺旋設(shè)置的截面為半環(huán)形的內(nèi)凹槽，內(nèi)凹槽面磨砂處理，內(nèi)凹槽的表面沿其螺旋方向上整體繞其軸線螺旋。

6、優(yōu)選的，所述下磨臺的上表面設(shè)有環(huán)狀凸起，下磨臺的上表面位于環(huán)狀凸起范圍內(nèi)為滾落區(qū)，所述下磨臺上開設(shè)有若干沿環(huán)狀凸起外邊側(cè)分布的落料孔，所述下磨臺的上表面外徑邊緣區(qū)域?yàn)檠心^(qū)。

7、優(yōu)選的，所述內(nèi)凹槽的螺旋方向與驅(qū)動軸的轉(zhuǎn)動方向一致。

8、優(yōu)選的，所述下磨臺與內(nèi)殼體的上表面之間通過滾珠滾動連接。

9、優(yōu)選的，所述下磨臺的平面回旋方向與上磨臺的平面轉(zhuǎn)動方向一致。

10、優(yōu)選的，單個所述撞擊板上的內(nèi)凹槽的表面的最低點(diǎn)到下磨臺的上表面的垂直距離大于由進(jìn)料口進(jìn)入的物料顆粒直徑。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

12、本發(fā)明通過設(shè)置撞擊板以及撞擊刀塊來是物料進(jìn)行撞擊修整，實(shí)現(xiàn)對物料表面的棱邊?或者棱角進(jìn)行修整，使其更加的接近圓整；

13、本發(fā)明通過設(shè)置上下磨臺，且兩者不同的運(yùn)動方式，是物料實(shí)現(xiàn)搓揉的方式的修整，并在修整后排出，使其更加的圓整；

14、本發(fā)明中下磨臺的回轉(zhuǎn)運(yùn)動，配合環(huán)狀凸臺，能夠?qū)⑽锪现械姆勰┡c大小合適的顆粒進(jìn)行分離，從而便于更好的收集合格的物料顆粒。

技術(shù)特征：

1.一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，包括外殼體（1），其特征在于：所述外殼體（1）的內(nèi)部設(shè)置有筒狀內(nèi)殼體（2），所述內(nèi)殼體（2）的頂部設(shè)置有下磨臺（3），位于下磨臺（3）正上方設(shè)有轉(zhuǎn)動安裝于外殼體（1）內(nèi)的上磨臺（4），上磨臺（4）通過電機(jī)驅(qū)動轉(zhuǎn)動，下磨臺（3）的上表面呈錐形，上磨臺（4）的軸心處開設(shè)有進(jìn)料口（401），外殼體（1）與內(nèi)殼體（2）之間的安裝有傾斜設(shè)置的承載板（5），所述外殼體（1）上開設(shè)有位于承載板（5）最低點(diǎn)的出料口（101）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述下磨臺（3）滑動設(shè)置于內(nèi)殼體（2）上表面，且內(nèi)殼體（2）上沿豎直方向轉(zhuǎn)動連接有至少三組安裝軸（201），所述下磨臺（3）的下表面固定連接有與安裝軸（201）轉(zhuǎn)動連接的連接軸（301），所述連接軸（301）與安裝軸（201）的軸線錯位平行，連接軸（301）圓周陣列分布于下磨臺（3），任意一個安裝軸（201）通過電機(jī)驅(qū)動使下磨臺（3）平面回旋運(yùn)動。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述下磨臺（3）的上表面固定安裝有至少兩組撞擊板（302），撞擊板（302）整體呈弧形，撞擊板（302）呈圓周陣列分布于下磨臺（3），所述內(nèi)殼體（2）上轉(zhuǎn)動安裝有通過電機(jī)驅(qū)動的驅(qū)動軸（202），驅(qū)動軸（202）的頂部安裝有撞擊刀塊（2021），撞擊刀塊（2021）在轉(zhuǎn)動時將下落的物料擊飛，相鄰兩組撞擊板（302）之間具有間隙，下落的物料在下落的任意位置下被撞擊刀塊（2021）擊飛時均撞擊到撞擊板（302）上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述撞擊板（302）的撞擊面開設(shè)有呈螺旋設(shè)置的截面為半環(huán)形的內(nèi)凹槽（3021），內(nèi)凹槽（3021）面磨砂處理，內(nèi)凹槽（3021）的表面沿其螺旋方向上整體繞其軸線螺旋。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述下磨臺（3）的上表面設(shè)有環(huán)狀凸起（303），下磨臺（3）的上表面位于環(huán)狀凸起（303）范圍內(nèi)為滾落區(qū)（3a），所述下磨臺（3）上開設(shè)有若干沿環(huán)狀凸起（303）外邊側(cè)分布的落料孔（304），所述下磨臺（3）的上表面外徑邊緣區(qū)域?yàn)檠心^(qū)（3b）。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述內(nèi)凹槽（3021）的螺旋方向與驅(qū)動軸（202）的轉(zhuǎn)動方向一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述下磨臺（3）與內(nèi)殼體（2）的上表面之間通過滾珠滾動連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：所述下磨臺（3）的平面回旋方向與上磨臺（4）的平面轉(zhuǎn)動方向一致。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，其特征在于：單個所述撞擊板（302）上的內(nèi)凹槽（3021）的表面的最低點(diǎn)到下磨臺（3）的上表面的垂直距離大于由進(jìn)料口（401）進(jìn)入的物料顆粒直徑。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種智能高純度石英砂制砂機(jī)，涉及制砂機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，包括外殼體，所述外殼體的內(nèi)部設(shè)置有筒狀內(nèi)殼體，所述內(nèi)殼體的頂部設(shè)置有下磨臺，位于下磨臺正上方設(shè)有轉(zhuǎn)動安裝于外殼體內(nèi)的上磨臺，上磨臺通過電機(jī)驅(qū)動轉(zhuǎn)動，下磨臺的上表面呈錐形，上磨臺的軸心處開設(shè)有進(jìn)料口，外殼體與內(nèi)殼體之間的安裝有傾斜設(shè)置的承載板，所述外殼體上開設(shè)有位于承載板最低點(diǎn)的出料口，此智能高純度石英砂制砂機(jī)，通過設(shè)置撞擊板以及撞擊刀塊來是物料進(jìn)行撞擊修整，實(shí)現(xiàn)對物料表面的棱邊或者棱角進(jìn)行修整，使其更加的接近圓整，通過設(shè)置上下磨臺，且兩者不同的運(yùn)動方式，是物料實(shí)現(xiàn)搓揉的方式的修整，并在修整后排出，使其更加的圓整。

技術(shù)研發(fā)人員：毛道順,毛志方,操乾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇泓順硅基半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/26