Ag₂CrO₄負(fù)載的g-C₃N₄復(fù)合光催化劑及其制備方法和應(yīng)用
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種Ag2CrO4負(fù)載的g?C3N4復(fù)合光催化劑，屬于功能復(fù)合光催化劑技術(shù)領(lǐng)域，上述復(fù)合光催化劑以g?C3N4納米片為載體，g?C3N4納米片載體上修飾有Ag2CrO4納米顆粒。該復(fù)合光催化劑的制備方法，包括以下步驟：將g?C3N4納米片加入到水中超聲分散，形成g?C3N4納米片懸浮液，再加入硝酸銀，得到Ag+?g?C3N4的混合液；將鉻酸鉀加入到上述得到的Ag+?g?C3N4混合液中，攪拌，即可得到。本發(fā)明的Ag2CrO4負(fù)載的g?C3N4復(fù)合光催化劑，光催化活性高、穩(wěn)定性好；制備方法簡單，成本低，耗能少；能夠用于光催化降解染料廢水，應(yīng)用方法簡單，去除率高。
【專利說明】
Ag2Cr〇4負(fù)載的g-C3N4復(fù)合光催化劑及其制備方法和應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
[00〇1 ]本發(fā)明屬于功能復(fù)合光催化劑技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Ag2Cr〇4負(fù)載的g-C3N4復(fù)合光催化劑及其制備方法和應(yīng)用?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著納米材料技術(shù)的發(fā)展，以半導(dǎo)體光催化技術(shù)處理環(huán)境中的有機(jī)或無機(jī)污染物成為一種很有前景的環(huán)境修復(fù)技術(shù)。尤其是可見光響應(yīng)的半導(dǎo)體光催化材料的發(fā)展，更進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體光催化技術(shù)在環(huán)境修復(fù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
[0003]銀類光催化材料由于其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)、寬泛的可見光響應(yīng)區(qū)域和優(yōu)異的光催化性能而被廣泛應(yīng)用于可見光催化降解去除環(huán)境污染物。目前研究較多的銀類光催化材料主要有Ag2C03，Ag3P〇4，AgV03，鹵化銀(AgCl、AgBr和Agl)和Ag2Cr〇4等，但是銀類光催化材料有一個無法避免的缺點(diǎn)就是光腐蝕現(xiàn)象的產(chǎn)生，使得其光催化性能受到很大的限制，因此尋找一種能夠有效減少銀類光催化材料的光腐蝕現(xiàn)象，進(jìn)一步提高銀類光催化材料的光催化性能成為當(dāng)前的一個研究熱點(diǎn)。
[0004]目前石墨相的非金屬半導(dǎo)體g_C3N4由于其優(yōu)越的可見光響應(yīng)性能而引起人們的廣泛關(guān)注。g_C3N4的禁帶寬度約為2.7 eV，主要由一些廉價易得的前驅(qū)物(如尿素，三聚氰胺等)通過簡單的熱縮聚反應(yīng)制得。由于具有類似石墨的性質(zhì)，使得g_C3N4可以作為一個優(yōu)良的載體，便于與其他材料復(fù)合形成性能更為優(yōu)異的復(fù)合材料。然而純的g_C3N4由于其量子產(chǎn)率不高而表現(xiàn)出較低的光催化活性;并且常規(guī)條件制備的g_C3N4塊體較大，無法形成薄片狀，不利于其他材料的負(fù)載和分散。
[0005]因此，將銀類光催化材料負(fù)載到g_C3N4納米片上復(fù)合形成性能更優(yōu)異的復(fù)合材料， 具有重要的研究意義。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種光催化活性高、穩(wěn)定性好的Ag2Cr04負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑及其制備方法和在染料降解中的應(yīng)用。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑，所述Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑以g_ C3N4納米片為載體，所述g_C3N4納米片載體上修飾有Ag2Cr〇4納米顆粒。[〇〇〇8]上述Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑，優(yōu)選的，所述Ag2Cr〇4納米顆粒通過共沉淀的方法聚合在所述的g-C3N4納米片載體的表面，所述Ag2Cr〇4和g_C3N4的質(zhì)量比為1:1? 5〇
[0009]作為一個總的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種Ag2Cr〇4負(fù)載的g-C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法，包括以下步驟:S1、將g-C3N4納米片加入到水中超聲分散，形成g-C3N4納米片懸浮液，再加入硝酸銀，得至ljAg+-g-C3N4的混合液；S2、將鉻酸鉀加入到所述S1步驟得到的Ag+-g-C3N4混合液中，攪拌，得到Ag2Cr04負(fù)載的 g-C3N4復(fù)合光催化劑。
[0010]上述的制備方法中，優(yōu)選的，所述g-C3N4納米片的制備方法為:a、 將三聚氰胺在500 °C?520 °C溫度下焙燒2 h?4 h后，繼續(xù)升溫至520 °C?550 °C 焙燒2 h?4 h，得到g-C3N4;b、將所述a步驟中得到的g-C3N4進(jìn)行熱處理，所述熱處理的溫度為500 °C?520 °C，熱處理時間為4 h?6 h，待冷卻之后得到g-C3N4納米片。
[0011]上述的制備方法中，優(yōu)選的，所述步驟&中，三聚氰胺的加入量為5 g?10 g;所述b 步驟中，g_C3N4的加入量為1 g?3 g。
[0012]上述的制備方法中，優(yōu)選的，所述S1步驟中g(shù)-C3N4納米片懸浮液的濃度為1 g/L?2 g/L;所述Ag+-g-C3N4混合液中g(shù)_C3N4與硝酸銀的質(zhì)量比為2:1?1.2;所述超聲分散的時間為 4 h?8 h〇
[0013]上述的制備方法中，優(yōu)選的，所述S2步驟的鉻酸鉀與步驟S1中的硝酸銀的摩爾比為1:1.5?2;所述S2步驟中攪拌時間為2 h?6 h。[〇〇14]作為一個總的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種上述的Ag2Cr04負(fù)載的g-C3N4復(fù)合光催化劑或上述制備方法得到的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑在染料廢水處理中的應(yīng)用。[0〇15]上述的應(yīng)用，優(yōu)選的，所述應(yīng)用方法為:將Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑和染料廢水在避光環(huán)境下混合得到混合液，將所述混合液在可見光下進(jìn)行光催化反應(yīng)，完成對染料廢水的處理。
[0016]上述的應(yīng)用，優(yōu)選的，所述染料廢水中染料為甲基橙染料;所述Ag2Cr〇4負(fù)載的g_ C3N4復(fù)合光催化劑的添加量為0.2 g/L?0.5 g/L;所述染料廢水中甲基橙的濃度為10 mg/L ?20 mg/L;所述可見光的光源為氙燈光源。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:1、本發(fā)明的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化齊U，以g_C3N4納米片為載體，Ag2Cr〇4納米顆粒負(fù)載在『C3N4納米片上，由于Ag2Cr〇4和g_C3N4的緊密結(jié)合形成異質(zhì)結(jié)，有利于光生電子和空穴的分離，減少光生電子和空穴的復(fù)合，從而提高材料的光催化性能和光催化穩(wěn)定性。 并且，g-C3N4表面的3T-3T共輒鍵的存在能夠抑制Ag2Cr〇4的光腐蝕現(xiàn)象，從而提高材料的光催化效果。Ag2Cr〇4的能帶相對于其他的銀類材料來說要更窄一些，并且能夠增強(qiáng)復(fù)合材料在可見光區(qū)域的光響應(yīng)程度，負(fù)載于g_C3N4納米片上之后光催化效果會更加的突出。[0〇18]2、本發(fā)明的g_C3N4納米片的制備方法，米用兩次熱處理，使得g-C3N4的比表面積大大增加，并且表面有孔狀結(jié)構(gòu)的存在，這些特點(diǎn)有利于Ag2Cr〇4和g_C3N4的緊密結(jié)合，能夠很好的分散Ag2Cr04顆粒，并且有利于減少Ag2Cr04顆粒在形成過程中的過度團(tuán)聚，使得顆粒更小，比表面積更大，參與反應(yīng)的活性位點(diǎn)也更多。
[0019]3、本發(fā)明g-C3N4納米片的制備方法，只是通過馬弗爐的兩次加熱燒結(jié)的方法，不需要添加任何的有機(jī)溶劑，相比于常規(guī)的通過長時間的超聲或者添加有機(jī)溶劑比如甲醇，四氫呋喃，DMF等進(jìn)行水熱分離制備，方法更簡單。
[0020]4、本發(fā)明的Ag2Cr〇4負(fù)載的g-C3N4復(fù)合光催化劑制備方法簡單，不需要添加任何的有機(jī)溶劑，操作簡便，成本低，耗能少。
[0021]5、本發(fā)明的Ag2Cr〇4負(fù)載的g-C3N4復(fù)合光催化劑，能夠用于光催化降解染料廢水，應(yīng)用方法簡單，去除率高?！靖綀D說明】[〇〇22]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。[〇〇23]圖1為本發(fā)明中Ag2Cr〇4和Ag2Cr〇4/g_C3N4復(fù)合光催化劑的掃描電鏡圖。[〇〇24]圖2為本發(fā)明中g(shù)-C3N4，Ag2Cr〇4和Ag2Cr〇4/g_C3N4復(fù)合光催化劑的XRD圖。[〇〇25]圖3為本發(fā)明中Ag2Cr04/g-C3N4復(fù)合光催化劑的氮?dú)馕?脫附等溫線圖和孔徑分布圖。[0〇26]圖4為本發(fā)明Ag2Cr〇4/g-C3N4復(fù)合光催化劑紫夕卜可見(UV-vi S)漫反射圖。[〇〇27]圖5為本發(fā)明g-C3N4，Ag2Cr〇4和Ag2Cr〇4/g_C3N4復(fù)合光催化劑光催化降解過程中甲基橙的濃度隨光催化時間變化的關(guān)系示意圖。[〇〇28]圖6為本發(fā)明g-C3N4，Ag2Cr〇4和Ag2Cr〇4/g_C3N4復(fù)合光催化劑的降解速率圖。[〇〇29]圖7為本發(fā)明Ag2Cr04/g-C3N4復(fù)合光催化劑循環(huán)處理廢水時甲基橙的去除率效果圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0030]以下結(jié)合說明書附圖和具體優(yōu)選的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述，但并不因此而限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0031]以下實(shí)施例中所采用的原料和儀器均為市售；其中光源系統(tǒng)為PLS-SXE 300C氙燈，購于北京泊菲萊科技有限公司。[〇〇32] 實(shí)施例1一種本發(fā)明的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化齊U，Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑以g-C3N4納米片為載體，g-C3N4納米片載體上修飾有Ag2Cr〇4納米顆粒。
[0033]其中，Ag2Cr〇4納米顆粒通過共沉淀的方法聚合在g_C3N4納米片載體的表面， Ag2Cr〇4和g_C3N4的質(zhì)量比為1:2。[0〇34]上述Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法，包括以下步驟:(1)將5.0 g三聚氰胺放在陶瓷坩堝中，蓋上蓋子，放置于馬弗爐中焙燒，以2 °C/min的升溫速率從室溫升至500 °C，保持2 h;然后以同樣的升溫速率升溫至520 °C，保持2 h，待冷卻至室溫，研磨得到g-C3N4粉體材料。[〇〇35](2)稱取1.0 g步驟(1)得到的g_C3N4粉體材料置于不加蓋的陶瓷坩堝中，放置于馬弗爐中，以2 °C/min的升溫速率從室溫升至520 °C，保持4 h，待冷卻至室溫，即得到所需的 g-C3N4納米片材料。
[0036](3)取100 mg步驟(2)得到的g-C3N4納米片于100 mL超純水中，超聲6 h，形成g-C3N4懸浮液;然后向上述懸浮液中加入50.9 mg AgN〇3,在避光的條件下持續(xù)攪拌2 h，得到 Ag+-g-C3N4的混合液。[〇〇37](4)向步驟(3)得到的混合液中加入29.1 mg K2Cr〇4,繼續(xù)避光攪拌4 h;然后用大量的超純水清洗，抽濾后將材料置于60 °C的真空干燥箱中干燥12 h，即得到Ag2Cr04負(fù)載的g-C3N4 復(fù)合光催化劑(Ag2Cr〇4/g-C3N4)。[〇〇38] 上述的制備方法中，室溫是指20 °C?30 °C。
[0039]對比例純Ag2Cr〇4納米顆粒的制備方法，包括以下步驟:稱取50.9 mg AgN〇3溶于100 mL超純水中，磁力攪拌，再加入29.1 mg K2Cr〇4,室溫下避光攪拌4 h，然后用去離子水清洗，抽濾，最后于60 °C的真空干燥箱中干燥12 h，即得到純的Ag2Cr〇4納米顆粒。
[0040] 上述的制備方法中，室溫是指20 °C?30 °C。[0041 ] 將對比例中的純Ag2Cr〇4納米顆粒和實(shí)施例1中制備的Ag2Cr〇4納米顆粒修飾的g_ C3N4納米片復(fù)合光催化劑分別進(jìn)行SEM分析。圖1為純Ag2Cr〇4(a)和Ag2Cr〇4/g_C3N4(b)復(fù)合光催化劑的掃描電鏡圖。由圖1可知，純的Ag2Cr〇4顆粒較大，并且表面光滑，Ag2Cr〇4/g_C3N4復(fù)合光催化劑中Ag2Cr〇4的顆粒較小，并且表面以及周圍包裹著g_C3N4納米片。由此看出g_C3N4 的存在能夠減少Ag2Cr〇4在制備過程中的團(tuán)聚現(xiàn)象，同時說明兩種材料較好的復(fù)合結(jié)果。 [〇〇42] 將實(shí)施例1和對比例中的純g-C3N4,純Ag2Cr〇4和Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4納米復(fù)合光催化劑(Ag2Cr〇4/g_C3N4)進(jìn)行 XRD分析。圖 2為g-C3N4，Ag2Cr〇4 和Ag2Cr〇4/g_C3N4 復(fù)合催化劑的 XRD圖。由圖2可知，g-C3N4和Ag2Cr〇4都只是表現(xiàn)出各自的特征峰，而Ag2Cr〇4/g_C3N4則包含了 g-C3N4和Ag2Cr〇4兩種物質(zhì)的特征峰，表明該種復(fù)合材料的成功制備。
[0043]將實(shí)施例1中的Ag2Cr〇4納米顆粒負(fù)載的g_C3N4納米片復(fù)合光催化劑(Ag2Cr〇4/g_ C3N4)進(jìn)行氮?dú)馕摳胶涂讖椒治?。圖3為本發(fā)明中Ag2Cr04/g-C3N4復(fù)合光催化劑的氮?dú)馕?脫附等溫線圖和孔徑分布圖。由圖3可知，Ag2Cr04/g-C3N4表現(xiàn)出介孔結(jié)構(gòu)，并且表面具有多孔結(jié)構(gòu)，這種多孔結(jié)構(gòu)有利于增大催化劑與污染物接觸面積，增加反應(yīng)位點(diǎn)。
[0044]圖4為對實(shí)施例1和對比例中制得催化劑進(jìn)行紫外-漫光譜反射分析的結(jié)果， Ag2Cr〇4納米顆粒修飾的g_C3N4納米復(fù)合光催化劑可見光吸收邊發(fā)生明顯紅移，由此可知 Ag2Cr〇4的引入能夠提尚該種復(fù)合材料的光響應(yīng)范圍，提尚材料的光催化性能和光能利用率。
[0045] 實(shí)施例2一種實(shí)施例1的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑在甲基橙染料廢水處理中的應(yīng)用， 包括以下步驟:(1)稱取20 mg實(shí)施例1制得的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑，在避光環(huán)境下添加到100 mL初始濃度為10 mg/L的甲基橙染料廢水中得到混合液，吸附2 h后置于光催化反應(yīng)裝置中。[〇〇46](2)采用300W氙燈進(jìn)行光催化反應(yīng)。測定t時刻反應(yīng)溶液在464 nm波長處的吸光度值，結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)曲線得知t時刻甲基橙的濃度C，根據(jù)公式D=(Co — C)/C〇X100%計(jì)算甲基橙的去除率D，其中Co為甲基橙的初始濃度。[〇〇47] 分別稱取20 mg實(shí)施例1中制備的g-C3N4和對比例中制備的Ag2Cr〇4,重復(fù)上述甲基橙染料廢水處理的步驟，可分別得到上述兩種光催化劑在不同時刻對廢水中甲基橙的去除率。[〇〇48]圖5為g-C3N4，Ag2Cr〇4和Ag2Cr〇4/g_C3N4復(fù)合催化劑光催化降解過程中甲基橙的濃度隨光催化時間變化的關(guān)系示意圖。由圖5可知，Ag2Cr〇4納米顆粒修飾的g_C3N4納米復(fù)合光催化劑比單一的g-C3N4和純的Ag2Cr〇4有更高的光催化活性，在21 min內(nèi)對甲基橙去除率可達(dá) 90%。
[0049]另外，為了更為直觀的比較各種材料的光催化反應(yīng)速率，將光催化數(shù)據(jù)進(jìn)行速率換算，得到圖6。由圖6可知，Ag2Cr〇4納米顆粒修飾的g_C3N4納米片復(fù)合光催化劑的催化速率為0.0964 min—S而g-C3N4和Ag2Cr〇4的反應(yīng)速率分別為0.0089 min—1 和0.0163 min—、由此可知，Ag2Cr〇4納米顆粒修飾的g_C3N4納米片復(fù)合光催化劑的催化速率是g_C3N4的10.8倍，是 Ag2Cr〇4的5.9倍，復(fù)合材料的光催化性能得到了極大的提高。
[0050]實(shí)施例3將實(shí)施例2中反應(yīng)之后的Ag2Cr〇4/g-C3N4復(fù)合催化劑材料進(jìn)行離心收集，然后用水和乙醇大量清洗，并于60 °C的烘箱中干燥12 h，然后重復(fù)實(shí)施例2中的光催化過程，重復(fù)試驗(yàn)共進(jìn)行5次，檢測循環(huán)5次光催化實(shí)驗(yàn)后，Ag2Cr04/g-C3N4復(fù)合催化劑材料對染料的去除率，循環(huán)實(shí)驗(yàn)結(jié)果參見圖7。由圖7可知，在第5次的光催化實(shí)驗(yàn)中，光催化去除率仍然可以達(dá)到 80%，說明本材料具有很好的光催化穩(wěn)定性。
[0051]以上實(shí)施例僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例。凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)該指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下的改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑，其特征在于，所述Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合 光催化劑以g-C3N4納米片為載體，所述g-C3N4納米片載體上修飾有Ag2Cr〇4納米顆粒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑，其特征在于，所述Ag2Cr〇4 納米顆粒通過共沉淀的方法聚合在所述的『C3N4納米片載體的表面，所述Ag2Cr〇4和g_C3N4 的質(zhì)量比為1:1?5。3.—種如權(quán)利要求1或2所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法，其特征 在于，包括以下步驟:51、將g-C3N4納米片加入到水中超聲分散，形成g-C3N4納米片懸浮液，再加入硝酸銀，得 至ljAg+-g-C3N4的混合液；52、將鉻酸鉀加入到所述S1步驟得到的Ag+-g-C3N4混合液中，攪拌，得到Ag2Cr04負(fù)載的 g-C3N4復(fù)合光催化劑。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法，其特征在于， 所述g-C3N4納米片的制備方法為:a、將三聚氰胺在500°C?520°C溫度下焙燒2 h?4 h后，繼續(xù)升溫至520°C?550°C焙燒 2 h?4 h，得到g-C3N4;b、將所述a步驟中得到的g-C3N4進(jìn)行熱處理，所述熱處理的溫度為500°C?520°C，熱處 理時間為4 h?6 h，待冷卻之后得到g-C3N4納米片。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法，其特征在于， 所述a步驟中，三聚氰胺的加入量為5 g?10 g;所述b步驟中，g-C3N4的加入量為1 g?3 g。6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法， 其特征在于，所述S1步驟中g(shù)-C3N4納米片懸浮液的濃度為1 g/L?2 g/L;所述Ag+-g-C3N4混 合液中g(shù)_C3N4與硝酸銀的質(zhì)量比為2:1?1.2;所述超聲分散的時間為4 h?8 h。7.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的制備方法， 其特征在于，所述S2步驟的鉻酸鉀與步驟S1中的硝酸銀的摩爾比為1:1.5?2;所述S2步驟 中攪拌時間為2 h?6 h。8.—種如權(quán)利要求1或2所述的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑或權(quán)利要求3?7中任 一項(xiàng)所述制備方法制得的Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑在染料廢水處理中的應(yīng)用。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于，所述應(yīng)用方法為:將Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù) 合光催化劑和染料廢水在避光環(huán)境下混合得到混合液，將所述混合液在可見光下進(jìn)行光催 化反應(yīng)，完成對染料廢水的處理。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用，其特征在于，所述染料廢水中染料為甲基橙染料;所述 Ag2Cr〇4負(fù)載的g_C3N4復(fù)合光催化劑的添加量為0.2 g/L?0.5 g/L;所述染料廢水中甲基橙 的濃度為10 mg/L?20 mg/L;所述可見光的光源為氙燈光源。
【文檔編號】C02F1/30GK105944747SQ201610333345
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月19日
【發(fā)明人】湯琳, 鄧垚成, 曾光明, 王佳佳, 彭博, 劉雅妮, 朱菁菁
【申請人】湖南大學(xué)