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      一種制備陶瓷膜負(fù)載TiO<sub>2</sub>材料的方法

      文檔序號(hào):10602204閱讀:599來源:國知局
      一種制備陶瓷膜負(fù)載TiO<sub>2</sub>材料的方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種氧化鈦材料,屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。所述材料以陶瓷膜為載體,采用兩步水熱法制得陶瓷膜負(fù)載的形貌可控的氧化鈦材料,其關(guān)鍵在于在水熱過程中添加不同的陰離子得到不同形貌的二氧化鈦。此發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于通過添加不同的陰離子控制二氧化鈦的形貌,從而能調(diào)控其性能;將氧化鈦材料負(fù)載于陶瓷膜表面,可提高其利用效率,如避免其與產(chǎn)品后續(xù)難分離的問題。
      【專利說明】
      一種制備陶瓷膜負(fù)載T i O2材料的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明涉及一種負(fù)載型材料的制備方法,尤其涉及用于Ti O 2材料制備方法,屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。
      【背景技術(shù)】
      [0002]T12作為一種性能優(yōu)異的材料,具有無毒、高的化學(xué)穩(wěn)定性、高的抗氧化性能、較好的光電轉(zhuǎn)化能力及光催化性能等優(yōu)點(diǎn),而且制備簡單、價(jià)格低廉,在光電轉(zhuǎn)化、光催化領(lǐng)域越來越引起重視。光催化劑應(yīng)用有懸浮體系光催化法和負(fù)載型兩種方式。雖然懸浮體系光催化法反應(yīng)速率高、反應(yīng)器設(shè)計(jì)相對(duì)容易、工藝操作方便等優(yōu)點(diǎn),但因納米半導(dǎo)體粒徑小,固液分離回收困難,造成處理成本升高,在實(shí)際應(yīng)用中受限。因此負(fù)載型光催化法由于將納米半導(dǎo)體固載化,可解決納米粉體分離回收的難題。
      [0003]負(fù)載型光催化劑通常是通過溶膠-凝膠法、沉積法、水熱法等將活性組分負(fù)載到載體的表面,載體通常有Si02、Al203、IT0、天然黏土等。專利(申請(qǐng)?zhí)朇N 1199725C)報(bào)道了一種以多孔硅膠為載體制備負(fù)載T12光催化劑的方法,制得的光催化材料中T12粒徑尺寸很小,分布均勻。專利(CN 105514210 A)報(bào)道了一種以η型硅基底為載體制備負(fù)載T12納米棒陣列的高性能紫外光探測(cè)器,該T12納米棒陣列/硅異質(zhì)結(jié)紫外光探測(cè)器具有工藝簡單,成本低廉,無需加熱器,能在室溫下工作,且具有能耗低,靈敏度高,響應(yīng)、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn),對(duì)紫外光具有良好的檢測(cè)性能。
      [0004]與上述載體相比,以膜為載體制備T12材料,構(gòu)筑膜催化劑,具有易于再生與重復(fù)使用等優(yōu)點(diǎn)(膜催化劑可以直接從反應(yīng)溶液中取出),避免了催化劑顆粒與反應(yīng)溶液的分離。目前關(guān)于膜負(fù)載T12材料少有報(bào)道。本發(fā)明將T12負(fù)載到陶瓷膜上,并對(duì)T12的形貌有效地控制,提尚其潛在應(yīng)用性能。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明的目的是采用兩步法將T12負(fù)載到陶瓷膜上,通過在第二步水熱過程中中添加不同陰離子來控制T12的形貌。
      [0006]本發(fā)明的技術(shù)方案為:
      一種制備陶瓷膜負(fù)載T i O2材料的方法,采用兩步水熱法將T i O2材料負(fù)載到陶瓷膜表面,在第二步水熱反應(yīng)中,通過添加不同的陰離子控制T12的形貌;其具體步驟如下:
      步驟一:用去離子水、異丙醇、丙酮混合溶液超聲清洗膜,其體積比1:1: I,結(jié)束后用去離子水沖洗干凈,烘干備用;
      步驟二:配置鈦酸四丁酯、去離子水、鹽酸組成的水熱生長液,然后將陶瓷膜與生長液一起放入水熱反應(yīng)釜中,控制水熱反應(yīng)溫度與時(shí)間,在膜表面生長一層T12晶種;
      步驟三:配置鈦酸四丁酯、去離子水、鹽酸、Na+鹽溶液組成的生長液,將覆蓋T12晶種的陶瓷膜與生長液一起放入水熱反應(yīng)釜中,控制水熱反應(yīng)溫度與時(shí)間;
      步驟四:在一定溫度下煅燒步驟三中制備的材料,得到陶瓷膜負(fù)載T12材料。
      [0007]本發(fā)明中,陶瓷膜優(yōu)先選擇氧化鋁膜、氧化鋯膜、氧化鈦膜或氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦三者組成的復(fù)合膜,陶瓷膜構(gòu)型為平板膜、管式膜或中空纖維膜,陶瓷膜的孔徑為5?5000納米。
      [0008]步驟一中陶瓷膜清洗時(shí)間為0.5?10ho
      [0009]步驟二中鈦酸四丁酯濃度為0.03?0.1 mol/L,去離子水與鹽酸的體積比為0.5:1?2:1,水熱反應(yīng)溫度90?180 °c,時(shí)間為I?5 ho
      步驟三中鈦酸四丁酯濃度為0.03?0.1 mol/L,去離子水與鹽酸的體積比為0.5:1?2:1,Na+鹽溶液為氯化鈉、硫酸鈉或磷酸鈉,Na+鹽溶液濃度為飽和溶液,鹽溶液與去離子水的體積比為0.04:1?0.18:1,水熱反應(yīng)溫度為90?180 °C,時(shí)間為5?24 h。
      [0010]步驟四中煅燒溫度為300?600 °C,時(shí)間為30?120 min。
      [0011]本發(fā)明的有益效果:
      1.本發(fā)明通過控制第二步水熱生長液中陰離子及水熱條件,有效控制T12形貌。
      [0012]2.本發(fā)明將T12負(fù)載到陶瓷膜上,獲得的材料可應(yīng)用于光催化降解反應(yīng)中,避免催化劑與產(chǎn)品分離的問題。
      [0013]
      【附圖說明】
      [0014]圖1為陶瓷膜載體、添加飽和NaCl制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的X射線衍射(XRD)圖,(a)陶瓷膜,(b)添加飽和NaCl制備的陶瓷膜負(fù)載Ti02材料。
      [0015]圖2為陶瓷膜載體、添加飽和NaCl制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的掃描電鏡(FESEM)圖,(a)陶瓷膜,(b)添加飽和NaCl制備的陶瓷膜負(fù)載Ti02材料。
      [0016]圖3為陶瓷膜載體、添加飽和Na2SO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的XRD圖,(a)陶瓷膜,(b)添加飽和Na2SO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料。
      [0017]圖4為陶瓷膜載體、添加飽和Na2SO4制備的陶瓷膜負(fù)載1102材料的FESEM圖,(a)陶瓷膜,(b)添加飽和Na2SO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料。
      [0018]圖5為陶瓷膜載體、添加飽和Na3PO4制備的陶瓷膜負(fù)載1^02材料的XRD圖,(a)陶瓷膜,(b)添加飽和Na3PO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料。
      [0019]圖6為陶瓷膜載體、添加飽和Na3PO4制備的陶瓷膜負(fù)載1102材料的FESEM圖,(a)陶瓷膜,(b)添加飽和Na3PO4制備的陶瓷膜負(fù)載1102材料。
      [0020]
      【具體實(shí)施方式】
      [0021]下面通過實(shí)施例具體說明本發(fā)明方法和添加不同陰離子鈉鹽溶液的使用效果,下列實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明,但并不用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。
      [0022]實(shí)施例1 T12納米棒/ Al2O3陶瓷膜的制備
      用去離子水、異丙醇、丙酮(體積比1:1:1)超聲清洗平板膜(直徑:3.2 cm,材料:Al2O3,膜孔徑:3000納米)0.5 h,結(jié)束后用去離子水沖洗干凈,烘干備用。量取20 mL去離子水加入到20 mL鹽酸中,攪拌5 11^11,然后量取0.955 mL鈦酸四丁酯加入到鹽酸溶液中,攪拌15 11^11,制得濃度為0.07 mol/L晶種生長液。將平板膜與生長液一起放入50 mL水熱反應(yīng)釜中,水熱溫度為150 °C,水熱時(shí)間為5 h,結(jié)束后取出,用去離子水沖洗,烘干備用。
      [0023]量取17 mL去離子水,3 mL飽和NaCl溶液加入到20 mL鹽酸中,攪拌5min,然后量取
      0.955 mL鈦酸四丁酯加入到鹽酸溶液中,攪拌15 11^11,制得濃度為0.07 mol/L水熱生長液,將覆蓋T12晶種的陶瓷膜與生長液一起放入到水熱反應(yīng)釜中,水熱溫度為150 °C,水熱時(shí)間為20 h,結(jié)束后用去離子水沖洗晾干,然后在馬弗爐中400 °0煅燒I h。
      [0024]圖1為陶瓷膜載體和添加飽和NaCl制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的XRD圖譜。與陶瓷膜相比,對(duì)于制備的陶瓷膜負(fù)載打02材料,在2Θ=27.4°、36.2°、41.2°、54.3°出現(xiàn)了四方金紅石相T12的特征衍射峰,分別對(duì)應(yīng)T12 (110)、(101)、( 111)、( 211)晶面。當(dāng)添加飽和NaCl溶液時(shí),(110)面衍射峰強(qiáng)度強(qiáng)于(101)、( 111)、( 211)晶面衍射峰強(qiáng)度,這表明T12是以c軸生長方向生長的,也就說明T12是以棒狀的形式負(fù)載到陶瓷膜表面。圖2為陶瓷膜載體和添加飽和NaCl制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的FESEM圖。當(dāng)添加飽和NaCl溶液時(shí),可以明顯的看出通過本合成方法可以在陶瓷膜表面負(fù)載Ti02納米棒陣列,納米棒直徑在200-400 nm,長度在4 μπι左右。
      [0025]實(shí)施例2 T12納米球/ Al2O3陶瓷膜的制備
      用去離子水、異丙醇、丙酮(體積比1:1:1)超聲清洗平板膜(直徑:3.2 Cm,材料:Al2O3,膜孔徑:3000納米)5 h,結(jié)束后用去離子水沖洗干凈,烘干備用。量取13 mL去離子水加入到27 mL鹽酸中,攪拌5min,然后量取0.408 mL鈦酸四丁酯加入到鹽酸溶液中,攪拌15 11^11,制得濃度為0.03 mol/L晶種生長液。將平板膜與生長液一起放入50 mL水熱反應(yīng)釜中,水熱溫度為90 °C,水熱時(shí)間為I h,結(jié)束后取出,用去離子水沖洗,烘干備用。
      [0026]量取13 mL去離子水,I mL飽和Na2SO4溶液加入到26 mL鹽酸中,攪拌5 min,然后量取0.408 mL鈦酸四丁酯加入到鹽酸溶液中,攪拌15 11^11,制得濃度為0.03 mol/L水熱生長液,將覆蓋T12晶種的陶瓷膜與生長液一起放入到水熱反應(yīng)釜中,水熱溫度為180 °C,水熱時(shí)間為5 h,結(jié)束后用去離子水沖洗晾干,然后在馬弗爐中300 &煅燒0.5 ho
      [0027]圖3為陶瓷膜載體和添加飽和Na2SO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的XRD圖譜。與陶瓷膜相比,對(duì)于制備的陶瓷膜負(fù)載打02材料,在2Θ=27.4°、36.2°、41.2°、54.3°出現(xiàn)了四方金紅石相氧化鈦的特征衍射峰,分別對(duì)應(yīng)T12(IlO)、(101)、(111)、(211)晶面。當(dāng)添加飽和Na2SO4溶液時(shí),T12 (110)、(101)、( 111)、(211)晶面衍射峰強(qiáng)度相似,都比較弱,這表明T12是按各相同向生長的。圖4為陶瓷膜載體和添加飽和Na2SO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的FESEM圖。當(dāng)添加飽和Na2SO4溶液時(shí),在陶瓷膜表面形成了T12納米球。
      [0028]實(shí)施例3 T12納米片/ Al2O3陶瓷膜的制備
      用去離子水、異丙醇、丙酮(體積比1:1:1)超聲清洗平板膜(直徑:3.2 Cm,材料:Al203,膜孔徑:3000納米)10 h,結(jié)束后用去離子水沖洗干凈,烘干備用。量取27 mL去離子水加入到13 mL鹽酸中,攪拌5min,然后量取1.36 mL鈦酸四丁酯加入到鹽酸溶液中,攪拌15min,制得濃度為0.1 mol/L晶種生長液。將平板膜與生長液一起放入50 mL水熱反應(yīng)釜中,水熱溫度為180 °C,水熱時(shí)間為3 h,結(jié)束后取出,用去離子水沖洗,烘干備用。
      [0029]量取26 mL去離子水,ImL飽和Na3PO4溶液加入到13 mL鹽酸中,攪拌5 min,然后量取1.36 mL鈦酸四丁酯加入到鹽酸溶液中,攪拌15 min,制得濃度為0.1 mol/L水熱生長液,將覆蓋T12晶種的陶瓷膜與生長液一起放入到水熱反應(yīng)釜中,水熱溫度為90 °C,水熱時(shí)間為24 h,結(jié)束后用去離子水沖洗晾干,然后在馬弗爐中600 &煅燒2 ho
      [0030]圖5為陶瓷膜載體和添加飽和Na3PO4制備的陶瓷膜負(fù)載T12材料的XRD圖譜。當(dāng)添加飽和Na3PO4溶液時(shí),Ti02( 101)晶面衍射峰強(qiáng)度比較弱,而且?guī)缀鯖]有(101)、( 111)、(211)晶面衍射峰強(qiáng)度,這表明T12是按各相異向生長的。圖6為陶瓷膜載體和添加飽和Na3PO4制備的陶瓷膜負(fù)載T1j^ifFESEM圖。當(dāng)添加飽和Na3PO4溶液時(shí),在陶瓷膜表面形成了T12納米片。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,采用兩步水熱法將T12材料負(fù)載到陶瓷膜表面,在第二步水熱反應(yīng)中,通過添加不同的陰離子控制T12的形貌;其具體步驟如下: 步驟一:用去離子水、異丙醇、丙酮混合溶液超聲清洗膜,其體積比1:1: I,結(jié)束后用去離子水沖洗干凈,烘干備用; 步驟二:配置鈦酸四丁酯、去離子水、鹽酸組成的水熱生長液,然后將陶瓷膜與生長液一起放入水熱反應(yīng)釜中,控制水熱反應(yīng)溫度與時(shí)間,在膜表面生長一層T12晶種; 步驟三:配置鈦酸四丁酯、去離子水、鹽酸、Na+鹽溶液組成的生長液,將覆蓋T12晶種的陶瓷膜與生長液一起放入水熱反應(yīng)釜中,控制水熱反應(yīng)溫度與時(shí)間; 步驟四:在一定溫度下煅燒步驟三中制備的材料,得到陶瓷膜負(fù)載T12材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,陶瓷膜選擇氧化鋁膜、氧化鋯膜、氧化鈦膜或氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦三者組成的復(fù)合膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,陶瓷膜為平板膜、管式膜或中空纖維膜。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,陶瓷膜的孔徑為5?5000納米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,步驟一中陶瓷膜清洗時(shí)間為0.5?10 ho6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,步驟二中鈦酸四丁酯濃度為0.03?0.1 mo I/L,去離子水與鹽酸的體積比為0.5:1?2:1,水熱反應(yīng)溫度為90?180 °e,時(shí)間為I?5 ho7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載Ti O2材料的方法,其特征在于,步驟三中Na+鹽溶液為氯化鈉、硫酸鈉或磷酸鈉,Na+鹽溶液濃度為飽和溶液。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,步驟三中鈦酸四丁酯濃度為0.03?0.1 mo I /L,去離子水與鹽酸的體積比為0.5:1?2:1,Na+鹽溶液與去離子水的體積比為0.04:1?0.18:1,水熱反應(yīng)溫度為90?180 °C,時(shí)間為5?24 h。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備陶瓷膜負(fù)載T12材料的方法,其特征在于,步驟四中煅燒溫度為300?600 °C,時(shí)間為30?120 min。
      【文檔編號(hào)】B01J21/06GK105964234SQ201610390021
      【公開日】2016年9月28日
      【申請(qǐng)日】2016年6月6日
      【發(fā)明人】杜艷, 張帥, 陳日志, 唐文麒, 姜紅, 劉業(yè)飛, 張紅艷, 邢衛(wèi)紅
      【申請(qǐng)人】南京工業(yè)大學(xué), 南京工大膜工程設(shè)計(jì)研究院有限公司
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