內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于蒸餾技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)降膜式分子蒸餾器工作時，料液由進(jìn)料管進(jìn)入，經(jīng)分布器分布后在重力的作用下沿蒸發(fā)表面形成連續(xù)更新的液膜，并在幾秒鐘內(nèi)被加熱。輕組分由液態(tài)表面逸出并飛向冷凝面，在冷凝面冷凝成液體后由輕組分出口流出，殘余的液體由重組分出口流出。此類分子蒸餾器的分離效率遠(yuǎn)高于靜止式分子蒸餾器，缺點(diǎn)是蒸發(fā)面上的物料易受流量和黏度的影響而難以形成均勻的液膜，且液體在下降過程中易產(chǎn)生溝流，甚至?xí)l(fā)生翻滾現(xiàn)象，所產(chǎn)生的霧沫夾帶有時會濺到冷凝面上，導(dǎo)致分離效果下降。此外，依靠重力向下流動的液膜一般處于層流狀態(tài)，傳質(zhì)和傳熱效率均不高，導(dǎo)致蒸餾效率下降。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器，以解決上述方案中存在的不足。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器，主要由分散元件、真空室、液體分布器、蒸發(fā)面、循環(huán)管、器體、冷凝面和軸流泵組成，所述的分散元件下設(shè)有真空室、真空室設(shè)置在液體分布器上，液體分布器下設(shè)有蒸發(fā)面，冷凝面設(shè)置在器體右側(cè)上方，循環(huán)管設(shè)置在器體中間，循環(huán)管下方設(shè)有軸流泵。
[0006]所述的器體正下方中間位置設(shè)有殘液出口。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:運(yùn)行成本低，提高混合液的蒸發(fā)速率高，蒸餾效率高。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]1-分散元件；2_真空室；3_液體分布器；4_蒸發(fā)面；5_循環(huán)管；6_器體；7_冷凝面；8_軸流泵。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地說明。
[0011]如圖1所示，一種內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器，主要由分散元件1、真空室2、液體分布器3、蒸發(fā)面4、循環(huán)管5、器體6、冷凝面7和軸流泵8組成，所述的分散元件I下設(shè)有真空室2、真空室2設(shè)置在液體分布器3上，液體分布器3下設(shè)有蒸發(fā)面4，冷凝面7設(shè)置在器體6右側(cè)上方，循環(huán)管5設(shè)置在器體6中間，循環(huán)管5下方設(shè)有軸流泵8 ;所述的器體6正下方中間位置設(shè)有殘液出口。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器，主要由分散元件、真空室、液體分布器、蒸發(fā)面、循環(huán)管、器體、冷凝面和軸流泵組成，其特征在于:所述的分散元件下設(shè)有真空室、真空室設(shè)置在液體分布器上，液體分布器下設(shè)有蒸發(fā)面，冷凝面設(shè)置在器體右側(cè)上方，循環(huán)管設(shè)置在器體中間，循環(huán)管下方設(shè)有軸流泵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器，其特征在于:所述的器體正下方中間位置設(shè)有殘液出口。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種內(nèi)循環(huán)式薄膜分子蒸餾器，主要由分散元件、真空室、液體分布器、蒸發(fā)面、循環(huán)管、器體、冷凝面和軸流泵組成，所述的分散元件下設(shè)有真空室、真空室設(shè)置在液體分布器上，液體分布器下設(shè)有蒸發(fā)面，冷凝面設(shè)置在器體右側(cè)上方，循環(huán)管設(shè)置在器體中間，循環(huán)管下方設(shè)有軸流泵。本實(shí)用新型的有益效果是：運(yùn)行成本低，提高混合液的蒸發(fā)速率高，蒸餾效率高。
【IPC分類】B01D3-12
【公開號】CN204502444
【申請?zhí)枴緾N201420800587
【發(fā)明人】付成湘, 侍彬, 王成亮, 李文強(qiáng)
【申請人】濱?？到芑瘜W(xué)有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2014年12月18日