專利名稱：不良晶粒挑選機(jī)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種不良晶粒挑選機(jī)及其方法，特別涉及一種利用接觸式或非 接觸式排除裝置的不良晶粒挑選機(jī)及其方法。
背景技術(shù)：
晶粒(die)為電子產(chǎn)業(yè)中基本的電子零件，其通過(guò)半導(dǎo)體制程步驟進(jìn)行磊晶 及后續(xù)制程，成為市面上常見(jiàn)的產(chǎn)品。在晶粒制程中，需將晶圓切割成晶粒， 以利后續(xù)的封裝等處理，但在切割過(guò)程中，極可能對(duì)晶粒造成毀損，故需要將 不良晶粒挑選并搜集，以進(jìn)行后續(xù)廢棄等處理。傳統(tǒng)的不良晶粒挑選方法采用人工挑選，通過(guò)對(duì)晶圓上各晶粒進(jìn)行對(duì)比， 將不良晶粒挑選出并廢棄。然而，隨著半導(dǎo)體制程的微小化，晶粒的尺寸越來(lái) 越小，使得人工挑選的難度增加，而且針對(duì)一片晶圓作不良晶粒挑選的工時(shí)極 長(zhǎng)。針對(duì)上述問(wèn)題，公知技術(shù)提出一種晶粒挑選機(jī)，通過(guò)挑選機(jī)先挑選出不良 晶粒后，通過(guò)一吸嘴吸附不良晶粒，并經(jīng)過(guò)一吸收裝置，例如通過(guò)真空吸收方 式，將不良晶粒吸收。例如，中國(guó)臺(tái)灣專利號(hào)M253466提出的晶粒挑選機(jī)的快 速晶粒挑撿結(jié)構(gòu)改良。然而，半導(dǎo)體制程的微小化，使晶粒重量變輕，以晶粒 為例，其晶圓在切割成晶粒后，放置在一膠膜上，在吸嘴吸附不良晶粒的同時(shí)， 晶粒殘留的黏膠將同時(shí)被吸嘴吸附，故晶粒極易被膠膜殘留的黏膠所黏附至吸 嘴上，而增加不良晶粒排除的難度，而吸收裝置只有吸收的功能，并沒(méi)有將不 良晶粒從吸嘴上排除的功能。因此，現(xiàn)今仍需一能解決上述問(wèn)題的不良晶粒排 除機(jī)制，以提高排除效率。發(fā)明內(nèi)容一方面，本發(fā)明提供一種能夠提升不良晶粒排除效率的不良晶粒挑選機(jī)。 為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供的一種不良晶粒挑選機(jī)，包含操作基座，用以置放晶粒；揀選 裝置，包含吸嘴，其連接至真空源，用以吸附置于操作基座上的晶粒中的不良 晶粒；以及非接觸式排除裝置，包含噴管連接至流體源，通過(guò)流體噴除吸嘴上 的不良晶粒。上述非接觸式排除裝置包含靜電去除裝置。其中，靜電去除裝置 包含靜電槍或靜電風(fēng)扇。本發(fā)明提供的另一種不良晶粒挑選機(jī)，包含操作基座，用以置放晶粒；揀 選裝置，包含吸嘴，其連接至真空源，用以吸附置于操作基座上的晶粒中的不 良晶粒；以及接觸式排除裝置，包含直接接觸器，通過(guò)直接接觸器與吸嘴相互 接觸，以排除吸嘴上的不良晶粒。上述接觸式排除裝置包含靜電去除裝置。其 中，靜電去除裝置包含靜電槍或靜電風(fēng)扇。另一方面，本發(fā)明提供一種能夠提升不良晶粒排除效率的不良晶粒挑選方法。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供的一種不良晶粒挑選方法，包含備置操作基座，用以置放晶粒； 通過(guò)揀選裝置吸附操作基座上的晶粒中的不良晶粒；以及通過(guò)流體噴除揀選裝 置上的不良晶粒。此外，本不良晶粒挑選方法更包含去除揀選裝置的靜電。本發(fā)明提供的另一種不良晶粒挑選方法，包含備置操作基座，用以置放晶 粒；通過(guò)揀選裝置吸附操作基座上的晶粒中的不良晶粒；以及通過(guò)直接接觸器 與揀選裝置的吸嘴相互接觸，以排除吸嘴上的不良晶粒。此外，本不良晶粒挑 選方法更包含去除直接接觸器的靜電。


本發(fā)明可通過(guò)說(shuō)明書(shū)中若干較佳實(shí)施例及詳細(xì)敘述以及附圖得以了解。然 而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解所有本發(fā)明的較佳實(shí)施例用以說(shuō)明而非用以限 制本發(fā)明的權(quán)利要求，其中圖1為本發(fā)明不良晶粒挑選機(jī)的操作示意圖；圖2為圖1所示本發(fā)明不良晶粒挑選機(jī)的揀選裝置的側(cè)視圖；圖3為圖1所示本發(fā)明不良晶粒挑選機(jī)的非接觸式排除裝置的側(cè)視圖；圖4為本發(fā)明不良晶粒挑選機(jī)的接觸式排除裝置的一實(shí)施例的剖面圖；圖5為本發(fā)明不良晶粒挑選機(jī)的接觸式排除裝置的另一實(shí)施例的剖面圖；圖6為本發(fā)明不良晶粒挑選機(jī)的接觸式排除裝置的又一實(shí)施例的剖面圖；圖7為圖6所示不良晶粒挑選機(jī)的接觸式排除裝置的上視圖；圖8為本發(fā)明不良晶粒挑選方法的步驟示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，并使本發(fā)明的上 述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn) 一步詳細(xì)的說(shuō)明。如圖1所示，本發(fā)明提供的不良晶粒挑選機(jī)的較佳實(shí)施例中，包含操作基座101、揀選裝置102以及排除裝置，其中，排除裝置為非接觸式排除裝置103、 接觸式排除裝置104或包含兩者；操作基座101的作用在于置放晶粒106，揀選裝 置102包含吸嘴1021，通過(guò)吸嘴1021連接至真空源111，以吸附在操作基座101上 的不良晶粒；而排除裝置主要通過(guò)非接觸式排除裝置103使用流體排除方式或通 過(guò)接觸式排除裝置104使用直接接觸器與吸嘴1021相互接觸方式排除吸嘴1021 上的不良晶粒。如圖1所示，操作基座101用以置放晶粒， 一般而言，用于置放承載晶粒106 的膠膜107;操作基座101通過(guò)管線108連接至真空源109，通過(guò)真空吸附膠膜107 方式，固定膠膜107在操作基座101上；本發(fā)明所提及的固定膠膜107的方式，也 可以機(jī)械固定方式或其它方式完成。機(jī)械固定方式通過(guò)固定膠膜外圍的擴(kuò)張環(huán) 在操作基座101上，即通過(guò)一環(huán)具環(huán)繞在擴(kuò)張環(huán)外圍，以由一組卡緊件縮減環(huán)具 的環(huán)繞空間，以便固定膠膜107在環(huán)具內(nèi)。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2，揀選裝置102包含吸嘴1021，通過(guò)管線110連接至真空源lll，吸嘴1021至真空源111之間形成一真空路徑，使吸嘴1021通過(guò)真空方 式吸附捧作基座101上的晶粒106;通過(guò)一判斷裝置，以確認(rèn)各晶粒106完整或是 不良品后，揀選裝置102將配合頂針器105將不良晶粒106a吸附，移開(kāi)操作基座 IOI至一排除區(qū)；其中，排除區(qū)指排除及收取不良晶粒106a的區(qū)域，而排除裝置 即設(shè)置在排除區(qū)，在此，判斷裝置以視覺(jué)顯示器，如電子顯微鏡、數(shù)字相機(jī)、 數(shù)字顯微相機(jī)、工業(yè)顯微設(shè)備等，觀察晶粒106的圖案，配合微處理器分析以決 定不良晶粒及其位置；而頂針器105緊貼膠膜107，在不良晶粒106a的位置處， 通過(guò)頂針戳破膠膜107將不良晶粒106a移開(kāi)膠膜107，頂針器105結(jié)構(gòu)為現(xiàn)有技術(shù) 在此省略頂針器105的相關(guān)詳細(xì)敘述。膠膜107具有一定的黏性，故在頂針器105 將不良晶粒106a移開(kāi)膠膜107時(shí)，揀選裝置102需同時(shí)通過(guò)吸嘴1021吸附不良晶 粒106a，才能將不良晶粒106a準(zhǔn)確地吸附于吸嘴1021。揀選裝置102還包含機(jī)械 手臂1022以及移動(dòng)裝置1023。在一實(shí)施例中，機(jī)械手臂1022由二關(guān)節(jié)以及三骨 架所構(gòu)成，用以將吸嘴1021移動(dòng)，然其結(jié)構(gòu)并非限于以上所述。移動(dòng)裝置1023 用以控制機(jī)械手臂1022的垂直位置及水平位置，以利于三度空間動(dòng)作。在一實(shí) 施例中，移動(dòng)裝置1023包含二馬達(dá)或其它驅(qū)動(dòng)組件，馬達(dá)如步進(jìn)馬達(dá)、伺服馬 達(dá)、音圈馬達(dá)(voice coil motor)及直馬區(qū)式馬達(dá)(direct drive motor)等，其 中一馬達(dá)用以控制機(jī)械手臂1022的垂直位置，以于定點(diǎn)上升或下降，進(jìn)而實(shí)行 吸取或排除不良晶粒的動(dòng)作。另一馬達(dá)用以控制機(jī)械手臂1022的水平位置，在 制程步驟中的若干裝置例如排除裝置及操作基座101之間移動(dòng)，以利于連續(xù)進(jìn)行 連續(xù)的步驟。在吸嘴1021吸附不良晶粒106a之后，揀選裝置102利用機(jī)械手臂 1022將吸嘴1021及不良晶粒106a移動(dòng)至排除區(qū)的排除裝置。在操作基座101通過(guò) 真空方式吸附膠膜107時(shí)，其通過(guò)管線108連接的真空源109，與真空源lll為同 一真空源，當(dāng)然，在另一實(shí)施例中，真空源109與真空源111可為不同真空源。請(qǐng)參照?qǐng)Dl，在吸嘴1021吸附不良晶粒106a時(shí)，不良晶粒106a常會(huì)攜帶膠膜 上的殘余黏膠，因此在吸嘴1021上容易附著殘余黏膠，導(dǎo)致不良晶粒106a黏滯 在吸嘴i021無(wú)法排除，故而需要通過(guò)排除裝置將吸嘴1021上的不良晶粒106a甚 至于殘余黏膠加以排除。如前文所述，排除裝置包含非接觸式排除裝置103(如圖l的左上角部分所示)，接觸式排除裝置104(如圖1的右上角部分所示)，或以 上兩者，以下將分別敘述非接觸式排除裝置103及接觸式排除裝置104的結(jié)構(gòu)。 在接觸式或非接觸式排除裝置104或103將不良晶粒106a排除后，揀選裝置102返 回至操作基座101的位置，以重復(fù)上述相同步驟。圖3為圖1的非接觸式排除裝置的側(cè)視圖；請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖3，非接觸式 排除裝置103包含噴管1031，噴管1031通過(guò)管線112連接至流體源113;當(dāng)揀選裝 置102通過(guò)吸嘴1021吸附不良晶粒106a并移動(dòng)至非接觸式排除裝置103時(shí)，流體 源113提供噴管1031使用一流體，以排除吸嘴1021上的不良晶粒；流體源113為 一氣體源、 一液體源或以上兩者之一，通過(guò)流體源113所供給的氣體或液體傳送 至噴管1031，通過(guò)噴管1031的出口噴出，進(jìn)而將不良晶粒106a排除，以利于后 續(xù)處理。在一實(shí)施例中，氣體可為一般的空氣、惰性氣體或其它氣體。在一實(shí) 施例中，液體可為水或其它液體。在另一實(shí)施例中，排除裝置可為接觸式排除裝置104，如圖l右上角部分所 示；接觸式排除裝置104利用直接接觸方式，例如以直接接觸器與不良晶粒106a 相互接觸，使不良晶粒106a從吸嘴1021脫落；其中，直接接觸器為毛刷10401、 彈性軟板或其它的彈性材料，以在與吸嘴1021接觸時(shí)，避免破壞揀選裝置102的 結(jié)構(gòu)。彈性軟板為一橡膠軟板、PU軟板或其它同等材料的軟板。圖4到圖6分別為接觸式排除裝置的三種實(shí)施示意圖，在此，為了敘述方便，直接接觸器以毛 刷10401作為范例；請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖4，接觸式排除裝置104包含毛刷10401、基部 10406及置放機(jī)構(gòu)10408;基部10406具有兩端，毛刷10401位于基部10406的一端 上，而基部10406的另一端放置于置放機(jī)構(gòu)10408的通孔上，以螺絲鎖固、黏膠 固定等方式固定，此外，基部10406與置放機(jī)構(gòu)10408也可為一體成型制作；在 吸嘴1021移動(dòng)至排除區(qū)時(shí)，通過(guò)將置放機(jī)構(gòu)10408放置在吸嘴1021移動(dòng)軌跡上， 使毛刷10401與吸嘴1021直接接觸，以排除吸嘴1021上的不良晶粒106a。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖5，接觸式排除裝置104包含毛刷10401、基部10406、滑軌 10409及動(dòng)子10410;基部10406具有兩端，毛刷10401位于基部10406的一端上， 而基部10406的另一端連接于動(dòng)子10410的通孔10411上，以螺絲鎖固、黏膠固定等方式，連接于動(dòng)子10410上，此外，基部10406與動(dòng)子10410也可為一體成型制 作；動(dòng)子10410套在滑軌10409外，限制動(dòng)子10410在滑軌10409的水平方向(圖5 的箭頭方向)移動(dòng)，通過(guò)氣壓缸、電磁閥或其它水平移動(dòng)的裝置，使動(dòng)子10410 進(jìn)行水平方向移動(dòng)；在吸嘴1021移動(dòng)至排除區(qū)時(shí)，通過(guò)動(dòng)子10410在滑軌10409 進(jìn)行水平移動(dòng)，帶動(dòng)毛刷10401至吸嘴1021的移動(dòng)軌跡上，使毛刷10401與吸嘴 1021直接接觸，排除吸嘴1021上的不良晶粒106a。除了氣壓缸、電磁閥外，依 照機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)的多樣性，也可以螺桿、皮帶等連動(dòng)裝置，連接在一馬達(dá)及動(dòng)子10410 乏間，其中馬達(dá)為步進(jìn)馬達(dá)、伺服馬達(dá)，通過(guò)步進(jìn)馬達(dá)或伺服馬達(dá)帶動(dòng)連動(dòng)裝 置，進(jìn)而帶動(dòng)毛刷10401作水平移動(dòng)。
圖7為圖6中接觸式排除裝置的上視圖，請(qǐng)參照?qǐng)Dl、圖6及圖7，接觸式排除 裝置104包含毛刷10401、基部10406、外框10402、橫桿10403、 二連動(dòng)螺絲10405 及馬達(dá)(未圖示)?；?0406具有兩端，毛刷10401位于基部10406的一端上，而 基部10406的另一端連接在橫桿10403的一通孔10404上，基部10406通過(guò)放置在 通孔10404中，以螺絲鎖固、黏膠固定等方式，連接于驅(qū)動(dòng)裝置橫桿10403上， 此外，基部10406與橫桿10403也可為一體成型制作；外框10402具有兩相對(duì)設(shè)置 的支撐板，在支撐板上各具有一穿洞，將二連動(dòng)螺絲10405穿設(shè)于兩支撐板的穿 洞，并鎖固橫桿10403的兩端，以固定橫桿10403于兩支撐板之間。為了降低外 框10402制作的復(fù)雜度，如圖7所示，將外框10402設(shè)計(jì)成中空方形或矩形機(jī)構(gòu)， 以有效控制兩支撐板的距離，將橫桿10403置于外框10402內(nèi)部。馬達(dá)為步進(jìn)馬 達(dá)、伺服馬達(dá)，其連接至連動(dòng)螺絲10405，通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)連動(dòng)螺絲10405呈順時(shí) 鐘或逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)。在吸嘴1021移動(dòng)至排除區(qū)時(shí)，通過(guò)馬達(dá)動(dòng)作，連動(dòng)螺絲10405 呈順時(shí)鐘或逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)，連帶使毛刷10401在外框10402內(nèi)呈順時(shí)鐘或逆時(shí)鐘旋 轉(zhuǎn)，至吸嘴1021的移動(dòng)軌跡上，使毛刷10401與吸嘴1021直接接觸，以排除吸嘴 1021上的不良晶粒106a。本實(shí)施例中，毛刷10401可為多個(gè)，通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)多個(gè) 毛刷10401進(jìn)行順時(shí)鐘或逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)，以排除吸嘴1021上的不良晶粒106a。多個(gè) 毛刷10401分別置于多個(gè)基部10406—端上，通過(guò)將多個(gè)基部10406的另一端連接 在橫桿10403的通孔10404上，將毛刷10401及基部10406固定于橫桿10403上。請(qǐng)參照?qǐng)Dl，不良晶粒挑選機(jī)還包含一收取裝置，收取裝置作為不良晶粒收
取之用，故在非接觸式排除裝置103與接觸式排除裝置104的功能均相同。以下 僅以非接觸式排除裝置103為例說(shuō)明，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖3，收取裝置114具有 本體1141以及凹部1142，并放置在臨近噴管1031處；凹部1142形成在本體1141 的上表面，在噴管1031噴出流體排除吸嘴1021上的不良晶粒106a后，不良晶粒 106a將掉落在凹部1142中。非接觸式排除裝置103及收取裝置114可以分開(kāi)，也 可以設(shè)計(jì)成一體成型，如圖3即是非接觸式排除裝置103及收取裝置114一體成型 的側(cè)視圖，噴管1031設(shè)置在凹部1142的側(cè)壁上且位于凹部1142之中。
請(qǐng)參照?qǐng)Dl，在吸嘴1021吸附不良晶粒106a，使其從膠膜107移除時(shí)，會(huì)使 吸嘴1021及不良晶粒106a感應(yīng)產(chǎn)生靜電，此類靜電極易造成不良晶粒106a更加 難以從吸嘴1021排除，因此，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，排除裝置上可附加靜電 去除裝置。
請(qǐng)參照?qǐng)Dl，以非接觸式排除裝置103為例，噴管1031所連接的流體源113， 在使用氣體源時(shí)，可設(shè)置一離子產(chǎn)生裝置，以產(chǎn)生一離子氣體作為流體源113所 供應(yīng)的流體，而離子氣體除了排除吸嘴1021上不良晶粒106a以外，同時(shí)具有將 吸嘴1021上的靜電排除的功能。其中，離子產(chǎn)生裝置為一具有帶電荷的物體， 例如離子針，通過(guò)靜電槍或靜電風(fēng)扇等靜電去除裝置的原理，即當(dāng)離子產(chǎn)生裝 S通過(guò)外接電源，使離子產(chǎn)生裝置電暈放電，以使通過(guò)的氣流電離為大量正負(fù) 離子，使離子風(fēng)快速吹向需除靜電區(qū)域?qū)㈧o電中和。當(dāng)然，在使用流體源113的 同時(shí)，流體源113并非離子氣體的狀態(tài)下，不良晶粒挑選機(jī)也可使用靜電槍或靜 電風(fēng)扇等靜電去除裝置，對(duì)吸嘴1021進(jìn)行靜電排除。靜電去除裝置并沒(méi)有特定 的位置，只要吸嘴1021能接觸靜電去除裝置所產(chǎn)生的離子氣體即可。
請(qǐng)參照?qǐng)D4至圖6，接觸式排除裝置104可附加接地線10407，將靜電導(dǎo)離， 接地線10407連接于不良晶粒挑選機(jī)的機(jī)臺(tái)表面或電源插座的接地點(diǎn)，與接觸式 排除裝置104之間。此外，不良晶粒挑選機(jī)可使用靜電槍或靜電風(fēng)扇等靜電去除 裝置，對(duì)吸嘴1021進(jìn)行靜電排除。靜電去除裝置并沒(méi)有特定的位置，只要吸嘴 1021接觸靜電去除裝置所產(chǎn)生的離子氣體即可。在另一實(shí)施例中，如圖8所示，本發(fā)明提供的一種不良晶粒挑選方法；在本 發(fā)明的不良晶粒挑選方法中，首先在步驟201備置操作基座，用以置放多個(gè)晶粒 在其上；之后，在步驟202通過(guò)揀選裝置，吸附上述操作基座上晶粒中的不良晶 粒；請(qǐng)參照?qǐng)Dl，在此步驟中，不良晶粒需通過(guò)頂針器105戳破膠膜107以將不良 晶粒106a頂起并同時(shí)配合揀選裝置102吸附不良晶粒106a，才能將不良晶粒106a 吸附至揀選裝置102上；然后，可以進(jìn)行步驟203或步驟204，在步驟203通過(guò)流 體噴除揀選裝置上的不良晶粒，而在步驟204通過(guò)直接接觸器與揀選裝置的吸嘴 相互接觸，以排除吸嘴上的不良晶粒，步驟203所述即是使用非接觸式排除裝置 103，通過(guò)流體噴除揀選裝置102上的不良晶粒106a，步驟204所述則是使用接觸 式排除裝置104，通過(guò)直接接觸器與揀選裝置102的吸嘴1021相互接觸，以排除 揀選裝置102上的不良晶粒106a。在步驟204中，直接接觸器根據(jù)圖4至圖6，可 有三種的實(shí)施方法， 一是將直接接觸器放置在一置放機(jī)構(gòu)上，使直接接觸器固 定在置放機(jī)構(gòu)上，并放置在吸嘴移動(dòng)軌跡上，使直接接觸器與吸嘴直接接觸； 第二種方法是將直接接觸器連接在一動(dòng)子上，通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)動(dòng)子于滑軌上 進(jìn)行水平移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)直接接觸器水平動(dòng)作，以與吸嘴相互接觸；第三種方 法為將直接接觸器連接于一橫桿上，并在外框的二相對(duì)支撐板上形成二相對(duì)穿 洞，再將二連動(dòng)螺絲穿設(shè)穿洞并鎖固橫桿的兩端，通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)連動(dòng)螺絲 轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)直接接觸器轉(zhuǎn)動(dòng)，以與吸嘴相互接觸。
本發(fā)明提供的不良晶粒挑選機(jī)，在揀選不良晶粒的同時(shí)，通過(guò)接觸式或非 接觸式的排除裝置，克服因吸嘴上附著殘余黏膠，導(dǎo)致不良晶粒黏滯在吸嘴上 而無(wú)法排除的問(wèn)題。而且，通過(guò)排除裝置上所附加的靜電去除裝置將吸嘴上的 靜電去除，.可提升不良晶粒的排除效率。此外，本發(fā)明的不良晶粒挑選機(jī)的接 觸式排除裝置，通過(guò)直接接觸器與吸嘴直接的相互接觸，實(shí)際的排除能力較非 接觸式排除裝置佳，可以提升排除效率。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局 限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易 想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍的內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，包含一操作基座，用以置放晶粒；一揀選裝置，包含一吸嘴，該吸嘴連接至一真空源，用以吸附置于該操作基座上的該晶粒中的不良晶粒；以及一非接觸式排除裝置，包含一噴管連接至一流體源，通過(guò)該流體源提供的流體噴除吸嘴上的不良晶粒。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述流體源為一 氣體源、或一液體源。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述氣體源為一 離子氣體源。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，還包含一收取裝 置，在通過(guò)所述流體噴除吸嘴上的不良晶粒后，收取被噴除的不良晶粒。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述收取裝置及 該非接觸式排除裝置為一體成型。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，還包含一靜電去 除裝置，去除該吸嘴所附帶的靜電。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述靜電去除裝 置包含一靜電槍、或一靜電風(fēng)扇。
8、 '一種不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，包含 一操作基座，用以置放晶粒；一揀選裝置，包含一吸嘴，該吸嘴連接至一真空源，用以吸附置于該操作 基座上的該晶粒中的不良晶粒；以及一接觸式排除裝置，包含一直接接觸器，通過(guò)該直接接觸器與該吸嘴相互 接觸，以排除吸嘴上的不良晶粒。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述直接接觸器 為一毛刷、或一彈性軟板。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述彈性軟板 為一橡膠軟板、或一PU軟板。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述接觸式排 除裝置包含一置放機(jī)構(gòu)，直接接觸器放置于置放機(jī)構(gòu)上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述接觸式排 除裝置包含一動(dòng)子、 一滑軌及一驅(qū)動(dòng)裝置，該直接接觸器連接于該動(dòng)子上，通 過(guò)該驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)該動(dòng)子于該滑軌上進(jìn)行水平移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)該直接接觸器水 平動(dòng)作，與該吸嘴相互接觸。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置 包含一步進(jìn)馬達(dá)、或一伺服馬達(dá)、或一氣壓缸、或一電磁閥。
14、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述接觸式排 除裝置包含一橫桿、 一外框、二連動(dòng)螺絲及一驅(qū)動(dòng)裝置，該直接接觸器連接于 該橫桿上，該外框包含二相對(duì)支撐板，其具有二相對(duì)穿洞形成于其中，該連動(dòng) 螺絲穿設(shè)該穿洞并鎖固該橫桿的兩端，通過(guò)該驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)該連動(dòng)螺絲轉(zhuǎn)動(dòng)， 進(jìn)而帶動(dòng)該直接接觸器轉(zhuǎn)動(dòng)，與該吸嘴相互接觸。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)裝置 包含一步進(jìn)馬達(dá)、或一伺服馬達(dá)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，還包含一靜電 去除裝置，.去除該吸嘴所附帶的靜電。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述靜電去除 裝置包含一靜電槍、或一靜電風(fēng)扇。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的不良晶粒挑選機(jī)，其特征在于，所述靜電去除裝置包含一導(dǎo)體及一接地線，該導(dǎo)體電性連接該接地線，通過(guò)該直接接觸器與 該導(dǎo)體相互接觸，以去除直接接觸器所附帶的靜電。
19、 一種不良晶粒挑選方法，其特征在于，包含 備置一操作基座，用以置放晶粒；通過(guò)一揀選裝置吸附該操作基座上的該晶粒中的不良晶粒；以及 通過(guò)一流體噴除揀選裝置上的不良晶粒。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的不良晶粒挑選方法，其特征在于，還包含去除 該揀選裝置的靜電。
21、 一種不良晶粒挑選方法，其特征在于，包含 備置一操作基座，用以置放晶粒；通過(guò)一揀選裝置吸附該操作基座上晶粒中的不良晶粒；以及 通過(guò)一直接接觸器與該揀選裝置的吸嘴相互接觸，以排除吸嘴上的不良晶粒。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的不良晶粒挑選方法，其特征在于，還包含去除 所述直接接觸器的靜電。
23、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的不良晶粒挑選方法，其特征在于，所述直接接 觸器與揀選裝置的吸嘴相互接觸的步驟，包含以一毛刷、或一彈性軟板與揀選 裝置的吸嘴相互接觸。
24、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的不良晶粒挑選方法，其特征在于，所述直接接 觸器與揀選裝置的吸嘴相互接觸的步驟，包含將直接接觸器放置在一置放機(jī)構(gòu) 上。
25、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的不良晶粒挑選方法，其特征在于，所述直接接 觸器與揀選裝置的吸嘴相互接觸的步驟，包含將該直接接觸器連接于一動(dòng)子 上，通過(guò)一驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)該動(dòng)子在一滑軌上進(jìn)行水平移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)直接接觸 器水平動(dòng)作，與吸嘴相互接觸。
26、根據(jù)權(quán)利要求21所述的不良晶粒挑選方法，其特征在于，所述直接接 觸器與揀選裝置的吸嘴相互接觸的步驟，包含將該直接接觸器連接于一橫桿 上，并在一外框的二相對(duì)支撐板上形成二相對(duì)穿洞，再將二連動(dòng)螺絲穿設(shè)該穿 洞并鎖固該橫桿的兩端，通過(guò)一驅(qū)動(dòng)裝置帶動(dòng)該連動(dòng)螺絲轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)直接 接觸器轉(zhuǎn)動(dòng)，與吸嘴相互接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種不良晶粒挑選機(jī)及其方法。不良晶粒挑選機(jī)包含操作基座、揀選裝置及排除裝置。揀選裝置包含吸嘴，以真空吸附方式將置于操作基座上的不良晶粒吸附，再通過(guò)排除裝置移除不良晶粒。排除裝置為非接觸式，通過(guò)流體噴除方式排除，或?yàn)榻佑|式，通過(guò)直接接觸器與吸嘴相互接觸方式排除不良晶粒。
文檔編號(hào)B07C5/34GK101579856SQ20081009783
公開(kāi)日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日
發(fā)明者劉景男, 張介舟 申請(qǐng)人:旺硅科技股份有限公司