高效強場高梯度磁選機的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及電磁選礦領(lǐng)域，具體指高效強場高梯度磁選機。
技術(shù)背景:
[0002]目前在用的電磁高梯度磁選機，采用圓柱電磁線圈內(nèi)腔作為高梯度磁選區(qū)，用鋼毛等介質(zhì)產(chǎn)生高梯度磁場，介質(zhì)須橫磁力線方向填充，對礦楽通過形成阻擋，介質(zhì)填充率高了，礦漿阻力大；介質(zhì)填充率低了，磁場強度、梯度均低，造成選礦效率和質(zhì)量降低，致使在用高梯度磁選機十分耗電。同時，激磁線圈散熱困難，制造成本很高。提供一種新的高效強場高梯度磁選機，解決以上問題，對于節(jié)電降低運行成本，均具有很大價值。

【發(fā)明內(nèi)容】

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[0003]本發(fā)明的目的，在于提供一種尚效、節(jié)電的尚效強場尚梯度磁選機，它由鐵芯I，電磁線圈2，高梯度磁選盒3，及供漿料、供水系統(tǒng)組成，如圖1所示。鐵芯1，用純鐵制成，電磁線圈2分為相同兩組，用銅線或紫銅管繞制而成，分別裝置于緊靠有效選礦氣隙L兩邊的鐵芯上；高梯度磁選盒3由磁選盒和波紋磁介質(zhì)組成，裝置于有效選礦氣隙之中，磁選盒做成對通式，兩邊有密封門，使磁介質(zhì)的安裝撿修十分方便，其側(cè)面面積，大于鐵芯斷面積的2倍，波紋磁介質(zhì)與其側(cè)面平行，如圖2所示，礦漿由下向上通過高梯度磁選盒，電磁線圈通電后，磁力線垂直穿過磁選盒側(cè)面，在波紋磁介質(zhì)間產(chǎn)生高梯度磁場，礦漿順磁介質(zhì)表面通過，鐵磁物質(zhì)被磁介質(zhì)吸附，電磁線圈斷電后，用水沖洗掉被磁介質(zhì)吸附的鐵磁物質(zhì)；由于礦漿和沖洗水，均順磁介質(zhì)表面方向流過，阻力大大減小，有利于礦漿通過和沖洗介質(zhì)，大大提高了磁選機的生產(chǎn)率和成漿品質(zhì)。
【附圖說明】
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[0004]圖1:為高效強場高梯度磁選機結(jié)構(gòu)示意圖。
[0005]圖2:為高效強場高梯度磁選機磁選盒結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
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[0006]本發(fā)明的實現(xiàn)方式，是用電磁鐵芯和電磁線圈，組成一個帶有有效選礦氣隙的整體，配合高梯度磁選盒，產(chǎn)生高梯度強力磁場，高梯度磁選盒，由非磁性盒和不銹磁性介質(zhì)制成。磁性介質(zhì)橫磁力線、順礦漿流向填充，使礦漿順利通過，鐵磁質(zhì)被吸附和沖洗，大大提高了磁選機的生產(chǎn)率和成漿品質(zhì)。
【主權(quán)項】
1.高效強場高梯度磁選機，由鐵芯(I)電磁線圈(2)高梯度磁選盒(3)及供料供水系統(tǒng)組成，其特征是:鐵芯用純鐵制成，有有效選礦氣隙，電磁線圈分為相同兩組，分別裝置于緊靠有效選礦氣隙兩邊的鐵芯上，高梯度磁選盒，裝置于有效選礦氣隙中，電磁線圈通電后，高梯度磁選盒產(chǎn)生高梯度磁場，礦楽橫磁力線、順磁介質(zhì)表面通過，鐵磁物質(zhì)被磁介質(zhì)吸附，電磁線圈斷電后，用水沖洗掉被磁介質(zhì)吸附的鐵磁物質(zhì)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效強場高梯度磁選機，其特征是:電磁線圈用紫銅線或紫銅管繞制成相同的兩組線圈，分別裝置于緊靠有效選礦氣隙兩邊的鐵芯上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高效強場高梯度磁選機，其特征是:高梯度磁選盒，由磁選盒和波紋磁介質(zhì)組成，磁選盒做成對通式，兩邊有密封門，磁力線垂直穿過磁選盒相對兩側(cè)面，其面積大于鐵芯斷面積的2倍，波紋磁介質(zhì)與其表面平行，礦漿由下向上通過高梯度磁選合ΙΤΓΤ.0
【專利摘要】本實用新型公開了一種高效強場高梯度磁選機，它由鐵芯，電磁線圈，高梯度磁選盒，及供料供水系統(tǒng)組成，如圖1所示。鐵芯用純鐵制成，有效選礦氣隙，電磁線圈分為兩組，用銅線或紫銅管繞制而成，分別裝置于有效選礦氣隙兩邊的鐵芯上，高梯度磁選盒，由磁選盒和磁介質(zhì)組成，裝置于有效選礦氣隙中。高梯度磁選盒中的磁介質(zhì)，橫磁力線方向填充，電磁線圈通電后，磁介質(zhì)間產(chǎn)生高梯度磁場，礦漿順磁介質(zhì)表面通過，鐵磁物質(zhì)被磁介質(zhì)吸附，電磁線圈斷電后，用水沖洗掉被磁介質(zhì)吸附的鐵磁物質(zhì)。由于礦漿和沖洗水均順磁介質(zhì)表面方向流過，阻力大大減小，有利于礦漿通過和沖洗介質(zhì)，大大提高了磁選機的生產(chǎn)率和成漿品質(zhì)。
【IPC分類】B03C1/025, B03C1/031
【公開號】CN204799408
【申請?zhí)枴緾N201520124771
【發(fā)明人】彭世雄, 彭德正, 彭俊超
【申請人】彭世雄
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年3月4日