專利名稱：一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)介電材料及其制備技術(shù)，具體是指一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)介 電薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
高介電常數(shù)材料是電子器件產(chǎn)品的核心材料之一。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，電子 器件一直向著高儲(chǔ)能、小型化、低能耗的方向發(fā)展，如今微電子器件的加工工藝不再可以 通過簡(jiǎn)單地縮小尺寸來達(dá)到器件小型化的目的，器件的尺寸已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)極限，制約著 微電子器件微型化的進(jìn)程。在電容介質(zhì)厚度固定時(shí)，保證同樣的電容大小并減少電容面積 的唯一方法即是提高電容填充介質(zhì)的介電常數(shù)。
目前高介電材料一般為無機(jī)材料，如鈦酸鹽、鈮酸鹽及其混合物等陶瓷材料。雖然這 些材料可以達(dá)到很高的介電常數(shù)，但是材料的韌性差、膜易開裂、工藝復(fù)雜、設(shè)備昂貴。 又由于陶瓷介電材料制備均在高溫下進(jìn)行焙燒，而一般的電子基板的有機(jī)聚合物不能承受 如此高的成型溫度，大大限制了無機(jī)高介電材料的推廣及應(yīng)用。相對(duì)于無機(jī)材料，聚合物 介電材料由于其具有陶瓷材料不具備的一系列優(yōu)點(diǎn)，如柔韌性好、重量輕、低成本及易加 工性，因而在各種電子電力設(shè)備領(lǐng)域中得到更多的關(guān)注。但傳統(tǒng)的有機(jī)薄膜電容器如聚乙 烯、聚碳酸脂、聚苯乙烯等電容的介電常數(shù)較小， 一般介電常數(shù)均僅在2 5之間，這不 能滿足未來電子工業(yè)快速發(fā)展的需要。因此，在下一代的電子工業(yè)中，提高有機(jī)介電薄膜 材料的介電常數(shù)有著舉足輕重的作用。
中國(guó)專利03136112.9公開了一種在環(huán)氧樹脂中添加改性劑并混入陶瓷粉末的物理方 法，制備具有高介電常數(shù)的有機(jī)薄膜，該方法不僅制備困難而且不易于將粉體均勻化使得 有機(jī)薄膜無法達(dá)到較高的介電常數(shù)；中國(guó)專利200610021494.7公開了一種采用液相法利 用納米級(jí)鐵電體及橡膠制備出納米核/殼結(jié)構(gòu)復(fù)合顆粒，再通過高速分散機(jī)把復(fù)合顆粒分 散于絕緣樹脂內(nèi)，得到高介電常數(shù)在20以上的絕緣樹脂，從粉體分散均勻的角度來提高 薄膜性能，雖然工藝操作簡(jiǎn)單，但不能很大幅度的改善有機(jī)絕緣體材料介電常數(shù)低的狀況； 中國(guó)專利200510061242.2公開了一種制備聚酰亞胺與氧化鎳、鋯鈦酸鋇等高介電無機(jī)陶 瓷材料混合的復(fù)合薄膜的方法，獲得了介電常數(shù)在10-700的范圍內(nèi)復(fù)合薄膜，用這個(gè)制
備方法可以得到性能較好的高介電常數(shù)的復(fù)合薄膜，但是該方法中制備時(shí)間較長(zhǎng)且反應(yīng)工 序步驟較多。
綜上所述表明制備高介電常數(shù)有機(jī)薄膜具有極大的發(fā)展前景，但是現(xiàn)有技術(shù)還存在著 以下問題傳統(tǒng)的有機(jī)薄膜介電材料如聚乙烯、聚碳酸脂、聚苯乙烯等電容的介電常數(shù)較 小；通過物理方法將陶瓷粉末加入有機(jī)聚合物基體中來提高有機(jī)薄膜的介電常數(shù)，又存在 陶瓷粉和聚合物基體相容性差和分散結(jié)構(gòu)均勻性不穩(wěn)定的缺點(diǎn)；制備較高的介電常數(shù)的有 機(jī)薄膜的工序步驟較多，制備時(shí)間較長(zhǎng)。為解決現(xiàn)有技術(shù)制備高介電常數(shù)有機(jī)薄膜方法中 存在的問題，發(fā)明人通過研究探討尋找一種通過電化學(xué)方法制備高介電有機(jī)薄膜。
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有制備高介電薄膜方法中的不足之處，提供一種簡(jiǎn)便、快速、 低成本的能夠適用于工業(yè)化生產(chǎn)的高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法。 本發(fā)明的目的是通過以下方法實(shí)現(xiàn)的。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下-
(1) 選擇一金屬襯底，所述的金屬襯底材料為鋁、銅、鎳其中的一種；
(2) 選擇一種含有0.5 10mmo1/ 1的三嗪類有機(jī)化合物鹽和一種0.05 3mo1/ 1的 堿性支持電解質(zhì)的混合溶液為電解質(zhì)溶液；
(3) 選擇鍍膜方式，所述鍍膜方式為恒電流或恒電位法，采用恒電流法時(shí)，有機(jī)鍍 膜參數(shù)為
鍍液PH值為8 13, 電流密度為0.05 2 mA/cm2， 鍍膜時(shí)間為1 50min; 采用恒電位法時(shí)，有機(jī)鍍膜參數(shù)為-鍍液PH值為8 13， 電壓0.3~1.2 Vvs SCE， 鍍膜時(shí)間為1 50min。 所述三嗪類有機(jī)化合物鹽為單體結(jié)構(gòu)如下

發(fā)明內(nèi)容
、<formula>formula see original document page 5</formula>
結(jié)構(gòu)中的Ri為下列功能基團(tuán)之一
烷基類:CH3-，C2H5-, C4H9-， C6H11 —，C6H13-， C10H21-， C12H25-，C4H9(C2H5) CHCH-， n-C8H17-， n—Cl8H37-， iso—C18H37-；
烯基類CH2=CHCH2—， CH2=CH(CH2)8—， CH2=CH(CH2)9—， C8H17CH=CHC8H16-;芳基類C6H5—， C6H5CH2 — ，C6H5CH2CH2—;其他H—, C2H4(CF2)7CF3 —， CF3(CF2)7CH2CH2CH2CHCH2—, (CF2)7CH2CH2—。
結(jié)構(gòu)中的R2為下列功能基團(tuán)之一
烷基類CH3—， C2H5—， C4H9—， C6H13—， C10H21 —， C12H25—， iso—C8H17—, iso —C18H37_， n—C8H17—， n—C18H37—;
烯基類CH2=CHCH2—， CH2=CH(CH2)8—， CH2=CH(CH2)9—, C8H17CH=CHC8H16 一，C6HU —;
芳基類C6H5—， C6H5CH2 — ，C6H5CH2CH2—;其它H—， C2H4(CF2)7CF3 — ， CF3(CF2)7CH2CH2CH2CHCH2—， (CF2)7CH2CH2—; 結(jié)構(gòu)中的M, 、 M2分別為鈉原子或氫原子。
所述堿性支持電解質(zhì)優(yōu)選碳酸鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈉、亞硝酸鈉、亞 硼酸鈉、硼酸鈉中的其中一種。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)
1、 本發(fā)明通過對(duì)電化學(xué)方法研究探討，得到一種簡(jiǎn)便、快速、低成本制備高介電納 米有機(jī)薄膜的方法，制備的三嗪類納米有機(jī)薄膜介電常數(shù)達(dá)15~300，不僅具備大大高于 一般的有機(jī)介電材料的介電常數(shù)，而且具有無機(jī)介電薄膜材料不具備的一系列優(yōu)點(diǎn)，如柔 韌性好、重量輕、低成本及易加工性。又金屬表面的有機(jī)單體之間發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，因而可 以獲得與金屬基結(jié)合牢固、均勻致密的納米有機(jī)介電薄膜，可為未來電子工業(yè)提供高介電 常有機(jī)材料。
2、 本發(fā)明適合在多種金屬表面制備三嗪類納米有機(jī)薄膜，通過改變有機(jī)鍍膜工藝能 在不同導(dǎo)電金屬表面獲取不同介電常數(shù)的納米有機(jī)薄膜，有助于擴(kuò)大納米有機(jī)薄膜的應(yīng)用 范圍。
3、 本發(fā)明由于采用的是簡(jiǎn)單、方便、快捷的電化學(xué)方法，能夠高效、快速的大面積 制備納米有機(jī)介電薄膜，有助于其工業(yè)化生產(chǎn)及應(yīng)用。
4、 本發(fā)明涉及的鍍液不含有對(duì)環(huán)境和人類身體健康有毒有害成分，屬于無毒無害無 環(huán)境污染的環(huán)保型配方。
具體實(shí)施例方式
下面通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。 實(shí)施例一
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下
1、 選擇尺寸為30x50x0.5(mm)的純鋁(純度99.00%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜的 基板金屬，并在溫度為25'C的條件下將純鋁試樣放入丙酮溶液中超聲波除油20 min，干 燥后備用-.
2、 有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成
0.5mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，2mol/L硼酸鈉，其余為蒸餾 水，溶液PH為8.8;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純鋁片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE)，鍍膜方式為恒電流法，電流密度為0.05 mA/cm2，鍍膜 時(shí)間為10 mm;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 0112的金并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為2.3 ^F/cm2，薄膜厚度為75.3nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 195.6。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下-
1、 選擇尺寸為30x50x0.5(mm)的純銅(純度99.9%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜的 基板金屬，對(duì)純銅試樣進(jìn)行拋光處理后，在溫度為25'C的條件下將純銅試樣放入丙酮溶 液中超聲波除油30min，干燥后備用；
2、 有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成
CH2=CHCH2—N——CH3
實(shí)施例二<formula>formula see original document page 8</formula>
2mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，0.05 mol/L碳酸鈉，其余為蒸餾 水，溶液PH為9,2;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純銅片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE)，鍍膜方式為恒電流法，電流密度為1 mA/cm2，鍍膜時(shí) 間為5 min;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 0112的銀并在沉積電極
表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為3.7 nF/cm2，薄膜厚度為65.1 nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 272.1。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下
1、 選擇尺寸為30x50x0.4(mm)的純鋁(純度99.00%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜的 基板金屬，并在溫度為25'C的條件下將純鋁試樣放入丙酮溶液中超聲波除油15 min，干 燥后備用；
2、 有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成分子式為 C3H3S2HNa-N(CH2CH-CH2)C2H4(CF2)7CF3 (以下簡(jiǎn)稱為AF17N)有機(jī)物單體和NaN02作 為支持電解質(zhì)；<formula>formula see original document page 8</formula>
5mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，0.1 mol/L亞硝酸鈉，其余為蒸 鎦水，溶液PH值為10.4;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純鋁片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE),鍍膜方式為恒電流法，電流密度為0.15 mA/cm2，鍍膜
時(shí)間為1 min;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 ci^的銅并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為1.3pF/cm2，薄膜厚度為31.3nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 45.9。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍
膜，具體步驟及其工藝條件如下
1、 選擇尺寸為30x50x0.127 (mm)的純鎳(純度99.99%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜 的基板金屬，并在溫度為25'C的條件下將純鎳試樣放入丙酮溶液中超聲波除油10 min， 干燥后備用；
2、 有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成<formula>formula see original document page 9</formula>2.5 mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，1.5 mol/L氫氧化鈉，其余為 蒸餾水，溶液PH為13;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純鎳片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE)，鍍膜方式為恒電流法，電流密度為2mA/cm2，鍍膜時(shí)間 為20 min;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 0112的鋁并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為3.7 ^F/cm2，薄膜厚度為45.8nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 191.4。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下-
1、選擇尺寸為30x50x0.5(mm)的純銅(純度99.9%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜的 基板金屬，對(duì)純銅試樣進(jìn)行拋光處理后，在溫度為25'C的條件下將純銅試樣放入丙酮溶
實(shí)施例四
C6H5(CH2)2——N
實(shí)施例五
液中超聲波除油30min，干燥后備用；
2、有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成
<formula>formula see original document page 10</formula>8mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，2.5 mol/L氫氧化鉀，其余為蒸 餾水，溶液PH為11.5;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純銅片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE)，鍍膜方式為恒電位法，電壓為0.3 V vs SCE，鍍膜時(shí)間 為40 min;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 0112的金并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為1.7 nF/cm2，薄膜厚度為38.7 nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 74.3。
實(shí)施例六
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下-
1、 選擇尺寸為30x50x0.5(mm)的純銅(純度99.99%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜的 基板金屬，對(duì)純銅試樣進(jìn)行拋光處理后，在溫度為25X:的條件下將純銅試樣放入丙酮溶 液中超聲波除油30min,干燥后備用；
2、 有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成
<formula>formula see original document page 10</formula>3mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，3mol/L亞硼酸鈉，其余為蒸餾 水，溶液PH值為11.6;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純銅片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE)，鍍膜方式為恒電位法，電壓為0.6VvsSCE，鍍膜時(shí)間
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 112的銀并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為1.9 pF/cm2，薄膜厚度為59.1 nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 126.7。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下
1、 選擇尺寸為30x50x0.5(mm)的純銅(純度99.9%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜的 基板金屬，對(duì)純銅試樣進(jìn)行拋光處理后，在溫度為25'C的條件下將純銅試樣放入丙酮溶 液中超聲波除油30min，干燥后備用；
2、 有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成<formula>formula see original document page 11</formula>
1Ommol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，0.5mol/L硼酸鈉，其余為蒸餾 水，溶液PH為8.3;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純銅片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE)，鍍膜方式為恒電位法，電壓為0.8VvsSCE,鍍膜時(shí)間 為20 min;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 cn^的銅并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為208.1 nF/cm2，薄膜厚度為76.3 nm，計(jì)算出介電常數(shù) 為17.9。
一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍 膜，具體步驟及其工藝條件如下-
1、選擇尺寸為30"0x0.127 (mm)的純鎳(純度99.99%)為金屬襯底，用于有機(jī)鍍膜 的基板金屬，并在溫度為25t:的條件下將純鎳試樣放入丙酮溶液中超聲波除油10 min，
實(shí)施例七
實(shí)施例八 干燥后備用；
2、有機(jī)鍍膜中使用的電解質(zhì)溶液由以下物質(zhì)組成
CH2CH(CH2)9——N— C10H21
NasZ 、H
0.4 mmol/L含有上述功能基團(tuán)的三嗪類有機(jī)化合物鹽，1.5 mol/L的碳酸鈉，其余為 蒸餾水，溶液PH值為12.2;
3、有機(jī)鍍膜采用三電極工作方式，工作電極為純鎳片，輔助電極為不銹鋼薄片，參 比電極為飽和甘汞電極(SCE),鍍膜方式為恒電位法，電壓為1.2VvsSCE，鍍膜時(shí)間 為50min;
采用真空鍍電極的方法，在有機(jī)鍍膜后的金屬襯底表面沉積1 cn^的鋁并在沉積電極 表面通過導(dǎo)電銀膠引出導(dǎo)線為薄膜電容器的一個(gè)電極，金屬襯底為薄膜電容器的另一個(gè)電 極，測(cè)量電容器的性能，電容值為3.7 nF/cm2，薄膜厚度為45.8nm，計(jì)算出介電常數(shù)為 191.4。
權(quán)利要求
1、一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍膜，其特征在于，該方法的具體步驟及其工藝條件如下(1)選擇一金屬襯底，所述的金屬襯底材料為鋁、銅、鎳其中的一種；(2)選擇一種含有0.5～10mmol/l的三嗪類有機(jī)化合物鹽和一種0.05～3mol/l的堿性支持電解質(zhì)的混合溶液為電解質(zhì)溶液；(3)選擇鍍膜方式，所述鍍膜方式為恒電流或恒電位法，采用恒電流法時(shí)，有機(jī)鍍膜參數(shù)為鍍液PH值為8～13，電流密度為0.05～2mA/cm2，鍍膜時(shí)間為1～50min；采用恒電位法時(shí)，有機(jī)鍍膜參數(shù)為鍍液PH值為8～13，電壓0.3～1.2V vs SCE，鍍膜時(shí)間為1～50min。
2、 根據(jù)權(quán)利要1所述的一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，其特征在于所述三嗪類有機(jī)化合物鹽為單體結(jié)構(gòu)如下-結(jié)構(gòu)中的Ri為下列功能基團(tuán)之一-垸基類CH3—， C2H5—， C4H9—， C6H —，C6H13—， C10H21 — ， C12H25—， C4H9 (C2H5) CHCH—， n-C8H17—， n—C18H37—, iso—C18H37—;烯基類CH2=CHCH2—， CH2=CH(CH2)8—， CH2=CH(CH2)9—， C8H17CH=CHC8H16 —;芳基類C6H5—， C6H5CH2 —,C6H5CH2CH2—;其他H—， C2H4(CF2)7CF3 — ， CF3(CF2)7CH2CH2CH2CHCH2—， (CF2)7CH2CH2—。結(jié)構(gòu)中的R2為下列功能基團(tuán)之一烷基類CH廣，C2H5—， C4H9—， C6H13 —， C10H21 —， C12H25—, iso—C8H17—， isoR，——N—R2 —CigH37—， n—CgHi7—， n—C函7—;烯基類CH2=CHCH2—， CH2=CH(CH2)8—， CH2=CH(CH2)9 — ， C8H17CH=CHC8H16 —，QHf;芳基類C6H5—, C6H5CH2_，C6H5CH2CH2—;其它H—， C2H4(CF2)7CF3 — ， CF3(CF2)7CH2CH2CH2CHCH2—， (CF2)7CH2CH2 —; 結(jié)構(gòu)中的M, 、 M2分別為鈉原子或氫原子。
3、根據(jù)權(quán)利要1所述的一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)薄膜的制備方法，其特征在于所述堿性支持電解質(zhì)為碳酸鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈉、亞硝酸鈉、亞硼酸鈉、硼酸鈉中的其中一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)介電材料及其制備技術(shù)，具體是指一種高介電常數(shù)三嗪類納米有機(jī)介電薄膜的制備方法。該制備方法采用三電極工作方式進(jìn)行有機(jī)鍍膜，具體步驟及其工藝條件如下(1)選擇鋁、銅、鎳其中的一種為金屬襯底；(2)選擇一種含有0.5～10mmol/l的三嗪類有機(jī)化合物鹽和一種0.05～3mol/l的堿性支持電解質(zhì)的混合溶液為電解質(zhì)溶液；(3)選擇鍍膜方式為恒電流或恒電位法。本發(fā)明制備的三嗪類納米有機(jī)薄膜介電常數(shù)達(dá)15～300，并與金屬基結(jié)合牢固、均勻致密，可為未來電子工業(yè)提供高介電常有機(jī)材料。制備方法簡(jiǎn)便、快速、成本低，能夠高效的大面積制備納米有機(jī)介電薄膜，有助于其工業(yè)化生產(chǎn)，應(yīng)用范圍廣。
文檔編號(hào)C25D13/04GK101358373SQ20081019840
公開日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2008年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月8日
發(fā)明者康志新, 李元元, 靜 桑 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)