專利名稱：電子控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于控制設(shè)備的電子控制裝置，更具體地說，涉及能夠覆寫控制數(shù)據(jù)的電子控制裝置。
背景技術(shù)：
諸如用于控制設(shè)備的控制程序和控制參數(shù)等的控制數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器(ROM)中，使得即使在電池沒有連接的時(shí)候，控制數(shù)據(jù)也能夠不被擦除，并且有時(shí)候被提供給用戶。例如，電子控制裝置用于控制引擎、變速器和其它汽車部件，并且所得的控制數(shù)據(jù)存儲在電子控制裝置的ROM中。
在電子控制裝置被安裝在汽車中時(shí)，汽車制造商或經(jīng)銷商可能希望根據(jù)受控設(shè)備的特性來校準(zhǔn)控制數(shù)據(jù)，該設(shè)備例如為實(shí)際引擎或變速器。因此，控制數(shù)據(jù)通常存儲在可重寫的非易失性存儲器中，例如存儲在EEPROM(電可擦除可編程ROM)或閃存存儲器(閃存EEPROM)中，使得控制數(shù)據(jù)能夠被覆寫。閃存EEPROM的特征在于其相對簡單的內(nèi)部電路和低成本。
閃存EEPROM的存儲區(qū)被分為多個(gè)存儲塊，使得在覆寫期間對于每個(gè)塊進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦除和/或?qū)懭?。例如，對于具有兩個(gè)存儲容量為32千字節(jié)(KB)的存儲塊的64KB閃存EEPROM，每32kB進(jìn)行一次數(shù)據(jù)覆寫處理。但是，對于閃存EEPROM，在進(jìn)行數(shù)據(jù)覆寫處理時(shí)，該存儲塊中的數(shù)據(jù)不能被讀出。
此外，與RAM(隨機(jī)存取存儲器)中的覆寫所需的時(shí)間相比，閃存EEPROM中的數(shù)據(jù)覆寫處理所需的時(shí)間很長。因此，如果根據(jù)受控設(shè)備(例如引擎)的特性來進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，待寫入閃存EEPROM中的數(shù)據(jù)通常暫存在外部存儲設(shè)備(例如調(diào)試器)中。然后，在引擎停止后，存儲在外部存儲設(shè)備中的數(shù)據(jù)被用來對閃存EEPROM進(jìn)行覆寫處理。因此，如果要對單個(gè)閃存EEPROM進(jìn)行多個(gè)校準(zhǔn)時(shí)，則需要對每個(gè)校準(zhǔn)進(jìn)行上述的處理，這是很耗費(fèi)時(shí)間的。
本發(fā)明是考慮到上述問題而提出的，本發(fā)明的目的是提供一種電子控制裝置，其甚至在控制操作期間也能夠?qū)Ψ且资源鎯ζ鬟M(jìn)行數(shù)據(jù)覆寫處理。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)明提供了一種電子控制裝置，具有存儲用于控制設(shè)備的控制數(shù)據(jù)的非易失性存儲器和易失性存儲器。電子控制裝置包括控制器，該控制器使用存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)來進(jìn)行控制數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)并在校準(zhǔn)結(jié)束時(shí)將存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲器中。
根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)明提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子控制裝置，其中，當(dāng)校準(zhǔn)開始時(shí)，控制器將待校準(zhǔn)的非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)存儲到易失性存儲器中；并且控制器使用存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)來執(zhí)行控制數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)。
根據(jù)權(quán)利要求3的發(fā)明提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子控制裝置，其中，當(dāng)校準(zhǔn)開始時(shí)，控制器進(jìn)一步識別待校準(zhǔn)的非易失性存儲器的地址，并且控制器將與非易失性存儲器相同的地址分配給易失性存儲器以及優(yōu)先在校準(zhǔn)期間對易失性存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)明提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的電子控制裝置，進(jìn)一步包括用于控制非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的控制寄存器，其中，在校準(zhǔn)結(jié)束后，控制器將非易失性存儲器的地址和已校準(zhǔn)的控制數(shù)據(jù)寫入控制寄存器中，并且控制器使用寫入控制寄存器中的地址和已校準(zhǔn)的控制數(shù)據(jù)來執(zhí)行到非易失性存儲器中的寫入。
根據(jù)權(quán)利要求5的發(fā)明提供了一種根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子控制裝置，進(jìn)一步包括用于控制對允許使用控制寄存器的授權(quán)的授權(quán)寄存器，其中，當(dāng)?shù)椒且资源鎯ζ髦械膶懭氡粓?zhí)行時(shí)，控制裝置將授權(quán)寄存器置位，并且在寫入操作結(jié)束時(shí)，控制裝置將授權(quán)寄存器清零。
根據(jù)權(quán)利要求6的發(fā)明提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的電子控制裝置，其中，所述設(shè)備具有多個(gè)單元；控制數(shù)據(jù)對應(yīng)于每個(gè)單元而存儲在非易失性存儲器中；易失性存儲器具有的存儲容量能夠存儲待校準(zhǔn)的對應(yīng)于所述單元的控制數(shù)據(jù)。
根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)明提供了一種根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一項(xiàng)所述的電子控制裝置，其中，非易失性存儲器具有至少兩個(gè)或更多個(gè)存儲塊；所述的寫入是對每個(gè)存儲塊執(zhí)行的；當(dāng)?shù)酱鎯K中的寫入被執(zhí)行時(shí)，另一存儲塊被用來控制所述的設(shè)備。
根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)明，存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)被用來執(zhí)行控制數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)。當(dāng)校準(zhǔn)結(jié)束時(shí)，將存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器中。因此，安裝在電子控制裝置中的易失性存儲器能夠被用來校準(zhǔn)存儲了用于控制所述設(shè)備的控制數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。在這種情況中，執(zhí)行校準(zhǔn)時(shí)可以無需使用諸如調(diào)試器的外部存儲設(shè)備。通過執(zhí)行這種寫入處理，可以在受控設(shè)備正被操作的時(shí)候進(jìn)行校準(zhǔn)。
根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)明，當(dāng)校準(zhǔn)開始時(shí)，待校準(zhǔn)的非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)被存儲到易失性存儲器中，并且存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)被用來執(zhí)行控制數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)。因此，校準(zhǔn)可以通過將預(yù)調(diào)整控制數(shù)據(jù)作為起始點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)。通過將標(biāo)準(zhǔn)控制數(shù)據(jù)存儲到非易失性存儲器中，根據(jù)受控設(shè)備的特性，可以只進(jìn)行微調(diào)，從而實(shí)現(xiàn)有效的校準(zhǔn)。
根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)明，當(dāng)校準(zhǔn)開始時(shí)，待校準(zhǔn)的非易失性存儲器的地址被識別出。然后，與非易失性存儲器相同的地址被分配給易失性存儲器，且用于易失性存儲器的數(shù)據(jù)處理優(yōu)先在校準(zhǔn)期間執(zhí)行。即，在存儲器映射圖中，易失性存儲器的存儲區(qū)被設(shè)置成與待校準(zhǔn)的存儲器重疊。因此，電子控制裝置能夠通過照?；蛘呱踔猎谛?zhǔn)期間使用地址來控制所述的設(shè)備。
根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)明，當(dāng)校準(zhǔn)結(jié)束時(shí)，易失性存儲器的地址和已校準(zhǔn)的控制數(shù)據(jù)被寫入控制寄存器中。然后，存儲在控制寄存器中的地址和已校準(zhǔn)的控制數(shù)據(jù)被用來執(zhí)行到非易失性存儲器中的寫入。易失性存儲器中的數(shù)據(jù)能夠通過控制寄存器可靠地寫入非易失性存儲器中。
根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)明，電子控制裝置具有用于控制對允許使用控制寄存器的授權(quán)的授權(quán)寄存器。當(dāng)執(zhí)行到非易失性存儲器中的寫入時(shí)，授權(quán)寄存器被置位；在寫入結(jié)束時(shí)，授權(quán)寄存器被清零。因此，可以只在執(zhí)行寫入時(shí)對控制寄存器進(jìn)行存儲管理。
根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)明，易失性存儲器具有的存儲容量能夠存儲待校準(zhǔn)的對應(yīng)于所述單元的控制數(shù)據(jù)。因此，易失性存儲器的存儲容量能夠被限制為校準(zhǔn)所需的存儲容量，從而能夠降低電子控制裝置的大小和成本。
根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)明，非易失性存儲器包括至少兩個(gè)或更多個(gè)存儲塊，且寫入是對每個(gè)存儲塊執(zhí)行的。當(dāng)執(zhí)行到存儲塊中的寫入時(shí)，另一存儲塊被用來控制所述的設(shè)備。因此，在所述的設(shè)備正被控制時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)對非易失性存儲器中的控制數(shù)據(jù)的覆寫。因此，能夠有效地實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)，而無需重啟受控設(shè)備或電子控制裝置。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的ECU(電子控制裝置)的整體結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是用于解釋說明用于閃存EEPROM的覆寫處理的一個(gè)流程圖。
圖3是用于解釋說明用于閃存EEPROM的覆寫處理的另一流程圖。
圖4是用于存儲器映射圖的一個(gè)解釋性視圖。
圖5是用于存儲器映射圖的另一解釋性視圖。
圖6是用于存儲器映射圖的又一解釋性視圖。
圖7是用于存儲器映射圖的又一解釋性視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考圖1-7對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。在本實(shí)施例中，如圖1所示，假定受控對象11(例如汽車引擎)通過使用電子控制單元(ECU)10進(jìn)行控制。即，在ECU 10被安裝在汽車中之后，執(zhí)行對作為控制數(shù)據(jù)的控制參數(shù)的校準(zhǔn)，以便控制構(gòu)成所述汽車的每個(gè)單元。
ECU 10包括CPU 10、作為非易失性存儲器的閃存EEPROM 101和作為易失性存儲器的校準(zhǔn)RAM 102。ECU 10還包括時(shí)鐘模塊、A/D轉(zhuǎn)換器等其它未示出的裝置。CPU 10被配置成執(zhí)行存儲在閃存EEPROM 101、校準(zhǔn)RAM 102等中的各種程序。
閃存EEPROM 101包括與ECU所使用的用于控制的控制命令和控制參數(shù)相關(guān)的數(shù)據(jù)。本實(shí)施例中使用的閃存EEPROM 101具有的存儲容量總體上為64千字節(jié)(KB)。存儲區(qū)由32kB存儲塊構(gòu)成(存儲器映射圖的“塊0”和“塊1”)。對于覆寫，逐塊地進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除和寫入?！皦K0”包括關(guān)于控制命令的數(shù)據(jù)，而“塊1”包括與用于每個(gè)受控單元的控制參數(shù)相關(guān)的數(shù)據(jù)。在本實(shí)施例中，假定在對受控對象11進(jìn)行控制的期間，“塊0”中的控制命令致使對“塊1”中的控制參數(shù)的覆寫。
校準(zhǔn)RAM 102是用于在校準(zhǔn)期間暫存預(yù)定數(shù)據(jù)的存儲器。對于校準(zhǔn)RAM 102，應(yīng)當(dāng)使用其存儲容量能夠存儲控制參數(shù)的存儲器，所述控制參數(shù)與每個(gè)受控單元對應(yīng)。本實(shí)施例中的校準(zhǔn)RAM 102具有2kB的存儲容量。
ECU 10進(jìn)一步包括輸入/輸出接口部分120。ECU 10的每個(gè)部分通過輸入/輸出接口部分120連接至用戶接口部分12和受控對象11。用戶接口部分12由用戶用來指定受控對象11和確認(rèn)參數(shù)。
受控對象11是諸如引擎或變速器的設(shè)備或其它待受控的設(shè)備。ECU 10通過輸入/輸出接口部分120接收來自安裝在受控對象11內(nèi)的各種傳感器的數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)輸出至致動器等。
CPU 100通過地址總線連接至地址解碼器110。地址解碼器110根據(jù)來自CPU 100的地址信號而輸出信號至其對應(yīng)的輸出終端。在本實(shí)施例中，CPU 100和地址解碼器110作為控制裝置。
地址解碼器110包括初始寄存器111。初始寄存器111包括用于存儲與進(jìn)行校準(zhǔn)的區(qū)域的地址相關(guān)的數(shù)據(jù)的區(qū)域和用于存儲與校準(zhǔn)RAM 102的激活相關(guān)的數(shù)據(jù)的區(qū)域(激活位)。在本實(shí)施例中，當(dāng)校準(zhǔn)RAM 102被激活時(shí)，“1”被輸入給激活位。
進(jìn)而，ECU 10包括作為授權(quán)寄存器的超級用戶模式寄存器112，用于控制允許對覆寫閃存EEPROM 101的授權(quán)的模式(在下文中成為超級用戶模式)。當(dāng)超級用戶模式被置位時(shí)，“1”被輸入給超級用戶模式寄存器112中的授權(quán)位。
ECU 10進(jìn)一步包括作為控制寄存器的閃存控制寄存器113，用于控制非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)。閃存控制寄存器113在超級用戶模式下使用。閃存控制寄存器113保留待寫入閃存EEPROM 101中的地址和已校準(zhǔn)的控制參數(shù)。
此外，CPU 100、校準(zhǔn)RAM 102、閃存控制寄存器113和輸入/輸出接口部分120分別連接至數(shù)據(jù)總線，使得數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)總線進(jìn)行發(fā)送和接收。
接下來，參考圖2-7對ECU 10所進(jìn)行的處理之中的、用于將存儲在閃存EEPROM 101中的數(shù)據(jù)重寫為適合于受控對象11的數(shù)據(jù)的處理進(jìn)行描述。
在ECU 10根據(jù)存儲在閃存EEPROM 101中的數(shù)據(jù)而正對受控對象11進(jìn)行控制時(shí)，用戶使用用戶接口部分12來發(fā)出用于受控對象11的校準(zhǔn)指令。這個(gè)指令通過輸入/輸出接口部分120和數(shù)據(jù)總線傳送至CPU 100。
然后，ECU 10進(jìn)入校準(zhǔn)模式，開始如圖2所示的處理。首先，CPU100確定閃存EEPROM 101上的校準(zhǔn)區(qū)(S1-1)。在這種情況中，CPU 100將“1”輸入初始寄存器111的激活位，以激活校準(zhǔn)RAM 102。進(jìn)而，執(zhí)行校準(zhǔn)的區(qū)域的地址被存儲在初始寄存器111中。
接下來，閃存EEPROM的校準(zhǔn)區(qū)中的數(shù)據(jù)被復(fù)制到校準(zhǔn)RAM 102中(S1-2)。這步操作參考如圖4所示的存儲器映射圖500進(jìn)行描述。在存儲器映射圖500中設(shè)置對應(yīng)于校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501；對應(yīng)于閃存EEPROM 101的“塊0”的存儲區(qū)502；以及對應(yīng)于閃存EEPROM101的“塊1”的存儲區(qū)503。在本實(shí)施例中，存儲區(qū)503中的位置6000～67FF假定為校準(zhǔn)區(qū)504。然后，在步驟(S1-2)中，校準(zhǔn)區(qū)504中的數(shù)據(jù)被復(fù)制到對應(yīng)于校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501中。
接下來，校準(zhǔn)RAM 102與校準(zhǔn)區(qū)重疊(S1-3)。這步操作參考如圖5所示的存儲器映射圖510進(jìn)行描述。這里，在存儲器映射圖510中所設(shè)置的校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501與為校準(zhǔn)區(qū)504而設(shè)置的地址相匹配。這表示給存儲區(qū)501和校準(zhǔn)區(qū)504分配相同的地址。
接下來，根據(jù)受控對象11的特性來進(jìn)行校準(zhǔn)處理(S1-4)。這個(gè)處理參考如圖3所示的流程圖進(jìn)行描述。用戶使用用戶接口部分12來發(fā)出對參數(shù)數(shù)據(jù)的修改指令等(S2-1)，該指令控制受控對象11。在這種情況中，CPU 100執(zhí)行各種處理，例如讀出或覆寫存儲器映射圖510上的數(shù)據(jù)。
對于與校準(zhǔn)RAM 102重疊的存儲區(qū)的處理(在步驟(S2-2)為“是”的情況)，該處理是根據(jù)校準(zhǔn)RAM 102中的數(shù)據(jù)來進(jìn)行的(S2-3)。即，如果初始寄存器111的激活位被設(shè)置為“1”，則對校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501執(zhí)行存儲區(qū)的每個(gè)處理，其中在該存儲區(qū)中，閃存EEPROM 101和校準(zhǔn)RAM 102分配了相同的地址(在本實(shí)施例中為位置6000～67FF)。
另一方面，對于未與校準(zhǔn)RAM 102重疊的存儲區(qū)的處理(在步驟(S2-2)為“否”的情況)，該處理是按照一般情況對存儲器映射圖510上的閃存EEPROM 101中的數(shù)據(jù)進(jìn)行的(S2-4)。
然后，如果有任何新的對于數(shù)據(jù)處理的指令(在步驟(S2-5)為“否”的情況)，則重復(fù)步驟(S2-1)～(S2-4)，以執(zhí)行校準(zhǔn)。另一方面，如果為受控對象11找到適當(dāng)?shù)膮?shù)值，則用戶使用用戶接口部分12來發(fā)出結(jié)束校準(zhǔn)的指令。如果結(jié)束校準(zhǔn)的指令被發(fā)出(在步驟(S2-5)為“是”的情況)，則該程序返回至如圖2所示的流程。
接下來，超級用戶模式被置位(S1-5)。具體地說，將“1”輸入給超級用戶模式寄存器112的授權(quán)位。在這種情況中，將存儲在校準(zhǔn)RAM 102中的控制參數(shù)寫入到閃存EEPROM 101中(S1-6)。即，在如圖6所示的存儲器映射圖520上，設(shè)置在存儲器映射圖520上的校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501中的數(shù)據(jù)被寫入到校準(zhǔn)區(qū)504中。具體地說，在超級用戶模式中，可以訪問存儲器映射圖上的閃存控制寄存器113。然后，存儲在校準(zhǔn)RAM 102中的地址和數(shù)據(jù)被寫入閃存控制寄存器113中。進(jìn)而，根據(jù)存儲在閃存控制寄存器113中的地址，存儲在閃存控制寄存器113中的數(shù)據(jù)被寫入閃存EEPROM 101上的地址。同時(shí)，ECU 10根據(jù)存儲在存儲區(qū)502的數(shù)據(jù)來繼續(xù)控制受控對象11。
當(dāng)所述的程序結(jié)束時(shí)，超級用戶模式寄存器112的授權(quán)位被清零，且超級用戶模式退回正常模式。進(jìn)而，改變初始寄存器111的設(shè)置(S1-7)。在此，初始寄存器111的激活位被清零。這導(dǎo)致了如圖7所示的存儲器映射圖530。即，校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501被刪除，且在存儲器映射圖530上生成了已寫入校準(zhǔn)RAM 102的數(shù)據(jù)的已校準(zhǔn)區(qū)531。然后，ECU 10使用閃存EEPROM 101中的被覆寫的數(shù)據(jù)來控制受控對象11。然后，閃存EEPROM 101的覆寫結(jié)束。
根據(jù)上述實(shí)施例，可以獲得下述的特征。在上述的實(shí)施例中，ECU10包括閃存控制寄存器113并在校準(zhǔn)結(jié)束時(shí)進(jìn)入超級用戶模式。在這種模式下，可以訪問存儲器映射圖上的閃存控制寄存器113。然后，存儲在校準(zhǔn)RAM 102中的數(shù)據(jù)被通過使用閃存控制寄存器113編程入閃存EEPROM 101中。因此，即使在ECU 10正被操作的時(shí)候，閃存EEPROM 101的某一區(qū)域中的數(shù)據(jù)也可以被擦除或覆寫。傳統(tǒng)上，在覆寫閃存EEPROM 101之前，必須停止受控對象11和中斷ECU 10的控制。因此，當(dāng)執(zhí)行另一校準(zhǔn)時(shí)，必需重啟ECU 10和受控對象11。在這種情況中，受控對象11等在啟動后進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)需要時(shí)間。通過如本實(shí)施例中所述的在受控對象11仍被操作時(shí)執(zhí)行校準(zhǔn)，可以更快地完成校準(zhǔn)任務(wù)。
在上述實(shí)施例中，可以使用超級用戶模式來在ECU 10的操作期間執(zhí)行校準(zhǔn)。因此，甚至在校準(zhǔn)RAM 102相對較小(例如2kB)的時(shí)候，也能夠有效地實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)。通過使用這種小容量的校準(zhǔn)RAM 102，能夠降低ECU 10的大小。此外，由于RAM相當(dāng)昂貴，所以使用小校準(zhǔn)RAM 102可以降低ECU 10的成本。
在上述的實(shí)施例中，安裝在ECU 10中的校準(zhǔn)RAM 102被用來覆寫閃存EEPROM 101中的數(shù)據(jù)。即，ECU 10自身具有用于覆寫閃存EEPROM 101中的數(shù)據(jù)的機(jī)制。這使得無需將已校準(zhǔn)的數(shù)據(jù)存儲在諸如調(diào)試器的外部存儲設(shè)備中。因此，能夠有效地完成對閃存EEPROM101中的數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)。
在上述實(shí)施例中，當(dāng)校準(zhǔn)開始時(shí)，執(zhí)行校準(zhǔn)的區(qū)域的地址被存儲在初始寄存器111中。這個(gè)地址可以被用來將閃存EEPROM 101中的數(shù)據(jù)復(fù)制到校準(zhǔn)RAM 102中并將校準(zhǔn)RAM 102的存儲區(qū)501設(shè)置在閃存EEPROM 101的校準(zhǔn)區(qū)504中。這表示用于校準(zhǔn)RAM 102的設(shè)置區(qū)能夠根據(jù)校準(zhǔn)區(qū)而設(shè)置。
應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例可以進(jìn)行如下的修改。在上述實(shí)施例中，當(dāng)程序結(jié)束時(shí)，超級用戶模式寄存器112的授權(quán)位被清零，且超級用戶模式退回至正常模式。同時(shí)，初始寄存器111的激活位被清零。相反地，如果連續(xù)地執(zhí)行另一受控對象11的校準(zhǔn)，則執(zhí)行新校準(zhǔn)的區(qū)域的地址可以被設(shè)置在初始寄存器111中，同時(shí)保持初始寄存器111的激活位的“1”。這使得可以連續(xù)地執(zhí)行校準(zhǔn)。
在上述實(shí)施例中，使用了存儲容量為2kB的校準(zhǔn)RAM 102，但是不限于此。校準(zhǔn)RAM 102可以具有覆蓋單個(gè)校準(zhǔn)所需的存儲區(qū)的容量。此外，可以使用具有較大存儲容量的校準(zhǔn)RAM 102來一次執(zhí)行對更多個(gè)受控對象11的校準(zhǔn)。
在上述實(shí)施例中，在受控對象11的控制操作期間，用于閃存EEPROM 101的“塊0”的控制命令被用來覆寫用于“塊1”的控制參數(shù)，但是不限于此。可以在電子控制裝置中包括需要覆寫的閃存EEPROM 101。
在上述實(shí)施例中，在步驟(S1-2)，閃存EEPROM 101的校準(zhǔn)區(qū)中的數(shù)據(jù)被復(fù)制到校準(zhǔn)RAM 102。另一種情況是在校準(zhǔn)區(qū)中沒有控制數(shù)據(jù)時(shí)，可以跳過此步驟。
在上述實(shí)施例中，諸如汽車引擎的受控裝置11通使用電子控制裝置(ECU 10)來控制，但是不限于此。重要的是可以包括閃存EEPROM101且可以實(shí)現(xiàn)在對其數(shù)據(jù)執(zhí)行覆寫的電子控制裝置中。
如上面所詳細(xì)描述，根據(jù)本發(fā)明，甚至可以在控制操作期間實(shí)現(xiàn)對非易失性存儲器的數(shù)據(jù)的覆寫。
權(quán)利要求
1.一種電子控制裝置，具有存儲用于控制設(shè)備的控制數(shù)據(jù)的非易失性存儲器和易失性存儲器，所述電子控制裝置包括控制器，其使用存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)來進(jìn)行控制數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)并在校準(zhǔn)結(jié)束時(shí)將存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲器中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子控制裝置，其中，當(dāng)校準(zhǔn)開始時(shí)，控制器將待校準(zhǔn)的非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)存儲到易失性存儲器中，并且控制器使用存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)來執(zhí)行控制數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子控制裝置，其中，控制器進(jìn)一步在校準(zhǔn)開始時(shí)識別待校準(zhǔn)的非易失性存儲器的地址；將與非易失性存儲器相同的地址分配給易失性存儲器；以及優(yōu)先在校準(zhǔn)期間對易失性存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項(xiàng)所述的電子控制裝置，進(jìn)一步包括控制寄存器，用于控制非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)；以及其中，在所述校準(zhǔn)結(jié)束后，控制器將非易失性存儲器的地址和已校準(zhǔn)的控制數(shù)據(jù)寫入控制寄存器中；以及控制器使用寫入到控制寄存器中的地址和已校準(zhǔn)的控制數(shù)據(jù)來執(zhí)行到非易失性存儲器中的寫入。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子控制裝置，進(jìn)一步包括授權(quán)寄存器，用于控制對允許使用控制寄存器的授權(quán)；其中，控制器在到非易失性存儲器中的寫入被執(zhí)行時(shí)，將授權(quán)寄存器置位；以及在所述的寫入結(jié)束時(shí)，將授權(quán)寄存器清零。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的電子控制裝置，其中所述設(shè)備具有多個(gè)單元；控制數(shù)據(jù)對應(yīng)于每個(gè)單元而存儲在非易失性存儲器中；以及易失性存儲器具有的存儲容量能夠存儲待校準(zhǔn)的對應(yīng)于所述單元的控制數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一項(xiàng)所述的電子控制裝置，其中非易失性存儲器具有至少兩個(gè)或更多個(gè)存儲塊；所述的寫入是對每個(gè)存儲塊執(zhí)行的；以及當(dāng)?shù)酱鎯K之一中的寫入被執(zhí)行時(shí)，另一存儲塊被用來控制所述的設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種即使在控制操作期間也能夠覆寫非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的電子控制裝置。ECU(10)包括CPU(100)、閃存EEPROM(101)和校準(zhǔn)RAM(102)。當(dāng)執(zhí)行校準(zhǔn)時(shí)，閃存EEPROM(101)的校準(zhǔn)區(qū)中的數(shù)據(jù)被存儲入校準(zhǔn)RAM(102)中。校準(zhǔn)RAM(102)的存儲區(qū)與校準(zhǔn)區(qū)重疊，以執(zhí)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)區(qū)中的數(shù)據(jù)被寫入校準(zhǔn)RAM(102)中。當(dāng)校準(zhǔn)結(jié)束時(shí)，進(jìn)入超級用戶模式，其中存儲在校準(zhǔn)RAM(102)中的數(shù)據(jù)通過使用控制寄存器(113)被寫入閃存EEPROM(101)中。
文檔編號F02D45/00GK1659662SQ03812824
公開日2005年8月24日 申請日期2003年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月3日
發(fā)明者佐藤純桂, 佐佐木章浩 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司