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      通道標(biāo)記以及相關(guān)方法

      文檔序號:5142821閱讀:144來源:國知局
      通道標(biāo)記以及相關(guān)方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及并公開一種通道標(biāo)記以及相關(guān)方法、部件以及用于形成和冷卻部件的方法。一些實施例中公開了一種部件,所述部件包括:主體;微通道,所述微通道延伸穿過所述主體的一部分;熱障涂層(TBC),所述熱障涂層覆蓋所述微通道的一部分;以及標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道延伸穿過所述TBC或從所述微通道的端部延伸,所述標(biāo)記構(gòu)件指示所述微通道在所述主體中的位置。
      【專利說明】通道標(biāo)記以及相關(guān)方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及冷卻部件。更具體地說,本發(fā)明的各方面包括用于冷卻部件的裝置和方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在部件如用于在高溫下運行的渦輪機、電動機或任何其他機器的部件形成期間,通常將通道制造在所述部件內(nèi),以便能夠冷卻這些部件。在部件使用期間,這些通道可以用作冷卻流體的導(dǎo)管,所述冷卻流體如冷卻氣體或液體。然而,后續(xù)傳統(tǒng)制造過程可能阻礙這些通道,從而使得這些通道難以在使用期間適當(dāng)冷卻部件。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的各項實施例包括一種部件、形成部件的方法以及冷卻部件的方法。在一些實施例中,公開一種部件,所述部件包括:主體;微通道,所述微通道延伸穿過所述主體的一部分;熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道的一部分;以及標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道延伸穿過所述TBC或從所述微通道的端部延伸,所述標(biāo)記構(gòu)件指示所述微通道在所述主體中的位置。
      [0004]本發(fā)明的第一方面包括一種部件,所述部件具有:主體;微通道,所述微通道延伸穿過所述主體的一部分;熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道的一部分;以及標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道延伸穿過所述TBC或在所述微通道的端部延附近,所述標(biāo)記構(gòu)件指示所述微通道在所述主體中的位置。
      [0005]本發(fā)明的第二方面包括一種方法,所述方法包括:在部件中形成微通道;在所述微通道中提供標(biāo)記構(gòu)件;以及在所述微通道以及所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分上形成熱障涂層,以便充分密封所述微通道,其中所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分在所述TBC形成之后延伸超過所述TBC的外表面。
      [0006]本發(fā)明的第三方面包括一種方法,所述方法包括:提供一種部件,所述部件具有:微通道或薄膜孔之一,所述微通道或所述薄膜孔至少部分延伸穿過所述部件;熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道或所述薄膜孔之一的一部分;以及標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道延伸穿過所述TBC或在所述微通道或所述薄膜孔之一的端部附近;以及加工所述標(biāo)記構(gòu)件,以使所述微通道或所述薄膜孔之一穿過所述TBC暴露出來。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0007]結(jié)合描繪本發(fā)明的各項實施例的附圖,本發(fā)明的這些和其他特征將在以下對本發(fā)明各方面的詳細(xì)描述得到體現(xiàn),在附圖中:
      [0008]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的部件的俯視圖。
      [0009]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的部件的端視圖。
      [0010]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的部件的側(cè)視圖。[0011]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的各項替代實施例的部件的側(cè)視圖。
      [0012]圖5示出渦輪機的示意圖,所述渦輪機包括根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的部件。
      [0013]圖6示出說明根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的過程的流程圖。
      [0014]圖7示出根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的部件的替代實施例的側(cè)視圖,所述部件具有至少一個薄膜孔以及關(guān)聯(lián)標(biāo)記。
      [0015]圖8示出說明根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的過程的流程圖。
      [0016]應(yīng)注意,本發(fā)明的附圖不必按比例繪制。附圖意圖僅描繪本發(fā)明的典型方面,而且不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍。在附圖中,附圖之間類似編號表示類似元件。
      【具體實施方式】
      [0017]如在本說明書中指出,所公開的本發(fā)明涉及冷卻部件。更具體地說,本發(fā)明的各方面包括一個部件,所述部件具有標(biāo)記,所述標(biāo)記標(biāo)識從中延伸穿過的冷卻導(dǎo)管,其中所述標(biāo)記延伸穿過所述部件上的涂層。
      [0018]傳統(tǒng)上,例如,當(dāng)在部件中形成一個或多個通道(例如,微通道或薄膜孔)用以冷卻所述部件時,這些通道隨后使用熱障涂層(TBC)密封或遮蓋。然而,在形成TBC之后,可能難以定位和接觸埋在這個涂層下方的微通道或薄膜孔。接觸微通道(或薄膜孔)可以幫助形成排出路徑,以供冷卻劑流過所述通道。
      [0019]本發(fā)明的各項實施例幫助補救上述關(guān)于傳統(tǒng)微通道/薄膜孔形成過程的缺點,方法是針對穿過后續(xù)形成的TBC而可接觸的所述微通道(或薄膜孔)形成標(biāo)記或其他指示符。
      [0020]本發(fā)明的各項實施例包括一種部件,所述部件具有:主體;微通道,所述微通道延伸穿過所述主體的一部分;熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道的一部分(例如,上方部分);以及標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道延伸穿過所述TBC或在所述微通道的端部延附近(例如,接觸或幾乎接觸),所述標(biāo)記構(gòu)件指示所述微通道在所述主體中的位置。該標(biāo)記可以隨后用來確定用于鉆挖排出孔的位置。標(biāo)記本身可以通過各種方法鉆出,從而幫助形成這個排出孔。
      [0021]各項實施例包括一種形成部件的方法,所述方法包括:在部件中形成微通道;將標(biāo)記插入所述微通道中;以及在所述微通道以及所述標(biāo)記的一部分上形成熱障涂層,以便大致密封所述微通道,其中所述標(biāo)記的一部分在所述TBC形成之后延伸超過所述TBC的外表面。
      [0022]各項實施例包括一種冷卻部件的方法,所述方法包括:提供一種部件,所述部件具有:微通道,所述微通道至少部分延伸穿過所述部件;熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道的一部分;以及標(biāo)記,所述標(biāo)記從所述通道延伸穿過所述TBC或在所述微通道的端部附近(例如,接觸或幾乎接觸);以及加工所述標(biāo)記,以使所述微通道穿過所述TBC暴露出來。該方法可以包括將冷卻流體提供到微通道的入口,以便冷卻部件。該入口可以由經(jīng)過加工的微通道形成。
      [0023]轉(zhuǎn)而參照圖1和2,其中根據(jù)本發(fā)明的各項實施例,分別示出部件2的一部分的平面圖和端視圖。如在本說明書中描述,在一些情況下,部件2包括渦輪機部件,如燃?xì)鉁u輪機部分(或蒸汽渦輪機部件)。在一些特定情況下,部件2包括渦輪機輪葉或噴嘴、渦輪機防護罩、平臺、端壁等,這些部件均可能在渦輪機運行期間受到高溫條件影響。[0024]在任何情況下,部件2可以包括主體4,所述主體可以例如由金屬形成,所述金屬如鋼或另一合適合金。同樣示出,部件2可以包括微通道6,所述微通道延伸穿過主體4的一部分。在一些情況下,微通道6的寬度大小可以在約0.01英寸至約0.1英寸范圍內(nèi),并且所述微通道具有類似深度尺寸(0.01英寸至0.1英寸)。在各種情況下,微通道6具有大致矩形的截面,但在其他情況下,所述微通道6具有大致圓形、滾圓形或橢圓形的截面。在一些情況下,微通道6可以在其整個長度(L)上具有大致恒定的截面,但在其他情況下,可以具有不一致的截面。在各項實施例中,微通道6可以包括強化傳熱特征,如湍流器。
      [0025]微通道6在圖2中更為詳細(xì)地示出。具體地說,微通道6可以包括溝槽8以及在所述溝槽8的邊緣處的肩狀物10。微通道6可以使用任何傳統(tǒng)的金屬加工技術(shù)如激光成型或類似技術(shù)形成。也示出,熱障涂層12覆蓋微通道6的一部分(例如,朝上表面部分)。在各項實施例中,可以在涂覆TBC12之前覆蓋微通道6。在一些情況下,微通道6可以通過以下過程中至少之一進行覆蓋:在所述通道上架設(shè)粘接涂層;填充所述通道,隨后噴涂粘接涂層,并且隨后溶濾填充物;使用箔或線纜覆蓋所述通道,并且隨后將所述箔或線纜焊接或釬焊到表面上;或者用于覆蓋微通道的任何其他傳統(tǒng)的方法。在特定實施例中,微通道6可以使用標(biāo)記構(gòu)件14覆蓋,如在本說明書中進一步描述。
      [0026]TBC12可以經(jīng)由傳統(tǒng)技術(shù)在微通道6上形成,所述傳統(tǒng)技術(shù)如噴涂、沉積等。正如其名指出,TBC12意圖用作熱障以使主體4抵御部件2經(jīng)受的環(huán)境條件。TBC12可以充分覆蓋主體4的整個表面,并且在一些情況下,TBC12涂布在所述主體4的多個側(cè)上。
      [0027]同樣示出,部件2可以包括標(biāo)記構(gòu)件14,所述標(biāo)記構(gòu)件指示微通道6在主體4中的位置。標(biāo)記構(gòu)件14可以由線纜形成,在一些實施例中,所述線纜如金屬線纜。然而,在其他實施例中,標(biāo)記構(gòu)件14可以由焊接堆或釬焊堆如焊接或釬焊材料(例如,金屬)的累積物形成,或者由箔形成。此外,標(biāo)記構(gòu)件14可以由非金屬標(biāo)記如陶瓷樁形成,所述非金屬標(biāo)記可以粘接在微通道6上,或者在所述微通道附近。如本說明書中描述,標(biāo)記構(gòu)件14可以根據(jù)TBC12外部的位置如在TBC12上方的位置或在微通道6的端部附近的位置來指示微通道6的位置。在一些情況下,如圖1和2所示,一些標(biāo)記構(gòu)件14從微通道6垂直(從頁面向外)延伸,并且可以在微通道6的內(nèi)部部分18處(圖3)延伸穿過TBC12,所述內(nèi)部部分18在所述微通道6的端部16內(nèi)部或者在所述微通道6的端部16附近(接觸或幾乎接觸)。該內(nèi)部部分18可以包括在TBC12下方延伸的微通道6的任何區(qū)域。在其他實施例中,標(biāo)記構(gòu)件14可以通過充分平行的方式延伸超過微通道6,例如,從所述微通道6的端部16延伸出。
      [0028]也就是說,在本發(fā)明的各項實施例中,標(biāo)記構(gòu)件14可以延伸穿過TBC12到達(dá)在所述TBC12的外表面22上方的位置20。因此,在主體4上形成TBC12之后,從位置20可接觸標(biāo)記構(gòu)件14。如在本說明書中指出,標(biāo)記構(gòu)件14可以由金屬如金屬線纜形成,或者由焊接堆或釬焊堆形成。如所屬領(lǐng)域中已知,TBC12由電氣絕緣材料(非導(dǎo)體)形成。在標(biāo)記構(gòu)件14延伸超過TBC12的情況下,基于電氣的制造技術(shù)如電火花加工可以用來加工(例如,移除)所述標(biāo)記構(gòu)件14,以便接觸微通道6。
      [0029]應(yīng)理解,不論用來形成標(biāo)記構(gòu)件14的材料如何,均可以對所述標(biāo)記構(gòu)件14進行加工,例如鉆通,以供接觸微通道6的一部分。如在本說明書中描述,加工標(biāo)記構(gòu)件14以接觸微通道6可以執(zhí)行用以在所述微通道中6提供用于冷卻劑的排出路徑。
      [0030]轉(zhuǎn)而參照圖4,其中根據(jù)本發(fā)明的各項實施例示出部件42的替代實施例。在該實施例中,部件42包括在微通道6上形成的標(biāo)記構(gòu)件14,所述標(biāo)記構(gòu)件至少部分向上穿過TBC12延伸超過TBC的上表面22 (到達(dá)在所述上表面22上方的位置20),及/或從所述微通道6的端部16延伸。
      [0031]轉(zhuǎn)而參照圖5,其中根據(jù)本發(fā)明的各項實施例示出渦輪機50的一部分的示意圖。如圖所示,渦輪機50的所選部件的該局部圖可以包括定子52,所述定子充分環(huán)繞轉(zhuǎn)子54。定子52可以包括輪葉56,用以在從轉(zhuǎn)子54的主體60延伸的槳葉58的表面上引導(dǎo)工作流體(例如,蒸汽)流。如圖所示,輪葉56和/或槳葉58可以包括在本說明書中描述的若干部件(例如,部件2、42)。也就是說,在本說明書中描述的部件2、42可以包括輪葉56、槳葉58、防護罩62的一部分或在渦輪機50中的其他部件。
      [0032]各種方法也根據(jù)本發(fā)明的實施例進行公開。轉(zhuǎn)而參照圖6,流程圖示出根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的說明性過程。
      [0033]根據(jù)實施例,第一過程Pl可以是初步(可選)過程,在所述第一過程Pl中,微通道在部件中形成。在該情況下,部件如渦輪機部件經(jīng)過加工,從而形成一個或多個微通道(例如,微通道6)。在一些情況下,微通道6通過噴水加工、電火花加工銑削、激光切割或其他合適的方法形成。微通道6可以形成有溝槽8和肩狀物10,其中肩狀物10可以在后續(xù)處理中用作標(biāo)記構(gòu)件14的底座。
      [0034]在微通道形成之后,過程P2可以包括在所述微通道6中提供標(biāo)記構(gòu)件(例如,標(biāo)記構(gòu)件14)。在一些情況下,如果標(biāo)記構(gòu)件14包括線纜,那么所述標(biāo)記構(gòu)件14放置在微通道6中或鄰近所述微通道6的端部16。在其他情況下,提供標(biāo)記構(gòu)件14的方式為:使所述標(biāo)記構(gòu)件14在微通道6中形成為焊接堆或釬焊堆。在一些其他情況下,微通道6可以使用箔或線纜進行覆蓋,所述箔或線纜隨后可以釬焊或焊接在所述微通道6上。在這些實施例中,標(biāo)記構(gòu)件14可以由微通道6端部16附近的該箔或線纜形成,方式為:使得所述箔或線纜延伸超過所述微通道6,及/或朝著(并且超過)TBC12的外表面22向上轉(zhuǎn)動所述箔或線纜,從而使得所述標(biāo)記構(gòu)件14延伸超過所述TBC12的所述外表面22或在所述TBC12上的額外涂層25(如圖2中虛像所示)。如本說明書中描述,在一些情況下,標(biāo)記構(gòu)件14可以包括非金屬材料,如陶瓷樁。
      [0035]在過程P2之后,過程P3可以包括在微通道6以及標(biāo)記構(gòu)件14的一部分上形成TBC0如在說明書中指出,可以通過任何傳統(tǒng)方式在微通道6上噴涂、沉積或以其它方式形成TBC12。TBC12可以大致覆蓋微通道6,具體地說,沿著所述微通道6的長度進行覆蓋。TBC12可以進一步充分覆蓋部件2的整個主體4,從而防止在使用(例如,在燃?xì)鉁u輪機內(nèi)使用)期間對所述部件2造成熱損壞。然而,如本說明書中指出,在主體4 (包括微通道6)上形成TBC12之后,仍然可從所述TBC12的表面上方的位置接觸標(biāo)記構(gòu)件14。
      [0036]圖7示出替代實施例的側(cè)視圖,在所述替代實施例中,標(biāo)記構(gòu)件14用來標(biāo)記薄膜孔76在部件72如翼型部件中的位置。在一些特定情況下,部件72包括渦輪機翼型部件,如燃?xì)鉁u輪機翼型。如所屬領(lǐng)域應(yīng)理解,薄膜孔76可以完全延伸穿過部件72的節(jié)段,并且在一些實施例中,薄膜孔76能夠以一定角度(例如,角度α )延伸穿過所述部件72的所述節(jié)段。薄膜孔76可以從部件72的正面78延伸到所述部件72的后面80,并且可以允許冷卻流體通道穿過所述部件72的主體82。如圖所示,部件72可以包括薄膜孔76 (示出若干)、TBC12(例如,類似于在本說明書中描述的一個或多個TBC),所述TBC覆蓋所述薄膜孔76的一部分。同樣示出標(biāo)記構(gòu)件14 (類似于在本說明書中示出并描述的一個或多個標(biāo)記構(gòu)件),所述標(biāo)記構(gòu)件從薄膜孔76延伸穿過TBC12。在各項實施例中,薄膜孔76可以具有非均勻?qū)挾?,這樣,所述薄膜孔對著正面78的開口具有不同于其在后面80上的開口的直徑。應(yīng)理解,在各項實施例中,標(biāo)記構(gòu)件14也可以略微偏移或位于薄膜孔76的開口的邊緣,而非直接位于薄膜孔76的、在正面78或后面80 —者或兩者上的開口上。
      [0037]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的各項實施例的有關(guān)在主體4上形成TBC12之后接觸微通道6的過程的流程圖。過程可以包括:在過程P21中,提供部件(例如,部件2),所述部件具有:微通道6或薄膜孔76之一,所述微通道或所述薄膜孔至少部分延伸穿過所述部件;TBC12,所述TBC覆蓋所述微通道6或所述薄膜孔76的一部分;以及標(biāo)記構(gòu)件14,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道6或所述薄膜孔76延伸穿過所述TBC12。在一些實施例中,部件可以充分類似于在本說明書中示出并描述的部件2或部件72,在所述部件中形成標(biāo)記構(gòu)件14,所述標(biāo)記構(gòu)件包括線纜或者釬焊堆或焊接堆。
      [0038]過程P22可以包括加工標(biāo)記構(gòu)件14,以使微通道6穿過TBC12暴露出來。如在本說明書中指出,標(biāo)記構(gòu)件14可以從TBC12的外表面22外部的位置進行加工,以便暴露微通道6。在一些特定情況下,所述加工可以包括執(zhí)行電火花加工,以便移除標(biāo)記構(gòu)件14的一部分。在其他情況下,可以通過任何加工過程鉆通標(biāo)記。在加工標(biāo)記構(gòu)件14的、從外表面22外部的位置通到微通道6的所需部分之后,即可接觸所述微通道6,例如,從而使得流體從中穿過,用以冷卻部件2。
      [0039]應(yīng)理解,盡管在本說明書中描述的部件和方法涉及“微通道”,但本發(fā)明的原則可以類似地應(yīng)用到薄膜孔隙,所述薄膜孔隙也稱作薄膜孔。也就是說,本發(fā)明的各項實施例可以包括具有薄膜孔的部件,所述薄膜孔可以使用在本說明書中示出并描述的一個或多個標(biāo)記構(gòu)件(例如,標(biāo)記構(gòu)件14)進行標(biāo)記。
      [0040]在本說明書中所用術(shù)語僅是為了描述特定實施例,并不意圖限制本發(fā)明。在本說明書中所用單數(shù)形式“一”、“一個”和“所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式,除非上下文以其他方式明確指出。應(yīng)進一步理解,在本說明書中所用術(shù)語“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”用于說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件,但并不排除存在或添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或上述項組合。應(yīng)進一步理解,術(shù)語“前”和“后”并非意圖進行限制,并且預(yù)期在適當(dāng)時進行互換。
      [0041]本說明書使用各個實例來公開本發(fā)明,其中包括最佳模式,并且還使得所屬領(lǐng)域的任何技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明,其中包括制造并使用任何裝置或系統(tǒng),并且執(zhí)行任何所涵蓋的方法。本發(fā)明的專利保護范圍由權(quán)利要求書界定,并且可以包括所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員想出的其他實例。如果這些其他實例具有的結(jié)構(gòu)元素與權(quán)利要求書的字面意義相同,或如果這些其他實例包括的等效結(jié)構(gòu)元素與權(quán)利要求書的字面意義并無實質(zhì)差別,那么這些其他實例預(yù)期也在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種部件,包括: 主體; 微通道;所述微通道延伸穿過所述主體的一部分; 熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道的一部分;以及 標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道延伸穿過所述TBC或在所述微通道的端部附近,所述標(biāo)記構(gòu)件指示所述微通道在所述主體中的位置。
      2.如權(quán)利要求1所述的部件,其中所述主體包括金屬。
      3.如權(quán)利要求1所述的部件,其中當(dāng)所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道的所述端部延伸時,所述標(biāo)記構(gòu)件并不延伸穿過所述TBC。
      4.如權(quán)利要求1所述的部件,其中所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道的內(nèi)部部分延伸。
      5.如權(quán)利要求1所述的部件,其中所述標(biāo)記構(gòu)件包括線纜。
      6.如權(quán)利要求5所述的部件,其中所述線纜包括金屬。
      7.如權(quán)利要求1所述的部件,其中所述標(biāo)記構(gòu)件包括堆焊或陶瓷構(gòu)件中至少之一。
      8.如權(quán)利要求1所述的部件,其中所述主體包括渦輪機翼型主體。
      9.一種方法,包括: 在部件中形成微通道; 在所述微通道中提供標(biāo)記構(gòu)件;以及 在所述微通道上以及所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分上形成熱障涂層,以便密封所述微通道,其中所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分在所述TBC形成之后延伸超過所述TBC的外表面。
      10.如權(quán)利要求9所述的方法,其進一步包括從所述外表面外部的位置加工所述標(biāo)記構(gòu)件,以便暴露所述微通道。
      11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述加工包括執(zhí)行電火花加工,以便移除所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分。
      12.如權(quán)利要求9所述的方法,其中所述提供包括在所述TBC形成之前,沿著所述微通道的至少一個表面焊接線纜或箔中至少之一。
      13.如權(quán)利要求9所述的方法,其中所述提供包括在所述TBC形成之前,沿著所述微通道的至少一個表面釬焊線纜或箔中至少之一。
      14.如權(quán)利要求9所述的方法,其中形成所述微通道包括: 在所述部件中形成溝槽;以及 在所述溝槽的邊緣形成肩狀物。
      15.一種方法,包括: 提供一種部件,所述部件具有: 微通道或薄膜孔之一,所述微通道或所述薄膜孔至少部分延伸穿過所述部件; 熱障涂層,所述熱障涂層覆蓋所述微通道或所述薄膜孔之一的一部分;以及標(biāo)記構(gòu)件,所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道或所述薄膜孔之一延伸穿過所述TBC或在所述微通道或所述薄膜孔之一的端部附近;以及 加工所述標(biāo)記構(gòu)件,以使所述微通道或所述薄膜孔之一穿過所述TBC暴露出來。
      16.如權(quán)利要求15所述的方法,其進一步包括將冷卻流體提供到所述微通道或所述薄膜孔之一的入口,以便冷卻所述部件。
      17.如權(quán)利要求15所述的方法,其中,當(dāng)所述標(biāo)記構(gòu)件從所述微通道或所述薄膜孔之一延伸穿過所述TBC時,加工所述標(biāo)記構(gòu)件包括從所述TBC外部的位置加工所述標(biāo)記構(gòu)件。
      18.如權(quán)利要求15所述的方法,其中所述標(biāo)記構(gòu)件包括金屬。
      19.如權(quán)利要求18所述的方法,其中所述加工包括執(zhí)行電火花加工(EDM),以便移除所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分。
      20.如權(quán)利要求15所述的方法,其中所述提供包括: 在部件中形成所述微通道或所述薄膜孔之一; 在所述微通道或所述薄膜孔之一中,釬焊或焊接所述標(biāo)記構(gòu)件;以及在所述微通道或所述薄膜孔之一上以及所述標(biāo)記構(gòu)件的一部分上形成所述TBC,以便密封所述微通道或所述薄膜 孔之一。
      【文檔編號】F01P9/00GK103511058SQ201310236460
      【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月15日
      【發(fā)明者】B.P.萊西, S.C.科蒂林加姆, D.E.施克, B.L.托利森 申請人:通用電氣公司
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