專利名稱：有選擇地覆蓋微機(jī)加工表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及mems 3D技術(shù)(mems微機(jī)電系統(tǒng))，或moems 3D技術(shù)(moems光學(xué)微機(jī)電系統(tǒng))，并且更準(zhǔn)確地說，涉及在例如由于有蝕刻或凹陷而具有不規(guī)則表面的模具上均勻敷設(shè)光致抗蝕劑的方法。
背景技術(shù)：
圖1中描述的是作為moems技術(shù)應(yīng)用的非限制性例子集成在模具51上的光電子裝置10的軸測法圖示，該模具作為非限制性例子可以是一般為硅的半導(dǎo)體材料。在模具51的上表面11上形成例如用于安裝光纖所需的蝕刻12。而且在這一上表面11上有焊接了光電子元件53的外焊盤52，以及連接該光電子裝置與圖中未示出的外部電路所需的內(nèi)焊盤54。
又在圖1中，定義了給出模具51的三維基準(zhǔn)的x，y和z軸。
現(xiàn)在將向熟悉本專業(yè)的人士根據(jù)所謂“剝離(lift-off)”技術(shù)描述用于制造光電子裝置的過程，借助于這一過程可直接在非反應(yīng)材料上諸如鈦、鉑、金上產(chǎn)生有不同層的幾何形狀，或使用該過程可以有選擇地沉積炊釬焊料合金(例如金/錫80/20)，或可以有選擇地沉積非金屬材料。僅為理解本發(fā)明所需的步驟，應(yīng)參照圖2的流程圖。
在第一步驟70，獲得在其上制成小方塊51的晶片66(圖3)。
在借助于圖4所示的步驟71，在小方塊51上擴(kuò)散“剝離抗蝕劑(lift off resist)”層61，例如由Micro-Chem提供的LOR系列，厚度例如在0.5和6μm之間，如圖4涉及沒有蝕刻的區(qū)域的截面細(xì)節(jié)所示。剝離抗蝕劑通常以液態(tài)涂敷，例如在所謂“旋轉(zhuǎn)涂敷”的過程中借助于離心分離機(jī)。
在步驟72，在剝離抗蝕劑61上，敷設(shè)傳統(tǒng)型的正性光致抗蝕劑層60，例如厚度在0.5和20μm之間，也如圖4所示。正性光致抗蝕劑通常也以液態(tài)敷設(shè)，例如借助于旋轉(zhuǎn)涂敷。
光致抗蝕劑層60的上表面指定以號碼14，其基本上平行于表面11及x，y軸。
如果在其顯影溶劑中從最初不溶解狀態(tài)開始，由于例如紫外線的輻射效應(yīng)而解聚變?yōu)槿芙猓瑒t光致抗蝕劑定義為“正的”。
使用剝離抗蝕劑層61及傳統(tǒng)正性光致抗蝕劑層60的所述技術(shù)，稱為“雙層”。
在步驟74(圖5)，借助于設(shè)有窗口122的掩模13，對紫外線(UV)輻射進(jìn)行光致抗蝕劑的曝光。光致抗蝕劑由于是正的，在對應(yīng)于窗口122的區(qū)域26中解聚，因而受到輻射UV的轟擊，然而其在掩模的不透明遮蔽區(qū)中的那些區(qū)域中仍保持不可溶解。
在后繼步驟75中，光致抗蝕劑層60根據(jù)已知的技術(shù)顯影，所述技術(shù)借助于溶劑去除只在區(qū)域26中被通過窗口122的紫外線(UV)輻射解聚的光致抗蝕劑這樣形成以邊緣25為邊界的空洞64。
同一溶劑比光致抗蝕劑60更大程度地溶解下面的剝離抗蝕劑61，因而產(chǎn)生子蝕刻22，其深度取決于顯影時間。
圖7所示為第一替代方案，根據(jù)該方案只產(chǎn)生單層抗蝕劑層60。在顯影之后，這種情形下的空洞64’以壁15為邊界。
考慮到UV輻射中的衍射和反射現(xiàn)象，光致抗蝕劑層60的解聚與平面x-y平行出現(xiàn)，到模具表面11附近有較大的程度，并到光致抗蝕劑表面14附近有較小的程度因而壁15不平行于z軸，而是有一倒角β，按圖7中所示符號約定為正。這一技術(shù)稱為“單層”，并且成本低，但比雙層可控制的精度低得多。
還有也是借助于圖7所示的第二單層替代方案，根據(jù)這一方案，只產(chǎn)生光致抗蝕劑層60，然后對其以表面改良劑例如甲苯處理，這使得上表面14對溶劑有更大的抗蝕性這樣在顯影之后，在同一光致抗蝕劑60中，產(chǎn)生有子蝕刻或有明顯的正倒角β的壁15。該第二替代方案的成本及可控制性介于第一單層替代方案與雙層技術(shù)之間。
在步驟76，在其中后者保持完整的表面14及通過步驟75所述的顯影效應(yīng)未被覆蓋的表面11，例如進(jìn)行金屬的真空沉積。例如沉積采取“濺射法”或“電子束”過程的形式，這兩者都是已知的，其結(jié)果是圖8所示的子組件23，包括粘附到面11的第一沉積層(52，54)，其采取空洞64的幾何形狀并有效地構(gòu)成外焊盤52和內(nèi)焊盤54，以及粘附到表面14的第二沉積層16。在子蝕刻22上沒有沉積層。
即使當(dāng)采用單層技術(shù)時，由于有正的倒角β以及由于子蝕刻，在壁15上沒有沉積層。
兩個沉積層之間的這一分離對于后繼的操作是重要的，并且由于實際上不可能產(chǎn)生有負(fù)性光致抗蝕劑的雙層，因而這是選擇正性光致抗蝕劑以產(chǎn)生層60的首要基本原因，然而如果選擇有負(fù)性光致抗蝕劑的單層，則根據(jù)采用的符號約定倒角β將是負(fù)的，且空洞的壁將由沉積所覆蓋。
沉積層52，54和16可以是金屬的，或由非金屬材料制成，諸如氧化物，氮化物，碳化物等。
如果沉積層52，54和16由金屬制成，這些金屬對于外焊盤52或內(nèi)焊盤54可以是非反應(yīng)型的，諸如鈦、金或鉑，或是用于焊接的金/錫80/20合金。這些合金一般根據(jù)已知的技術(shù)被沉積在組件金屬的交替層以適當(dāng)?shù)暮穸戎g的比產(chǎn)生各層，以賦予合金-一般是易溶的-正確的組成，并能夠具有例如最大5μm的總厚度。
在以圖9所示的步驟77，借助于熟悉本專業(yè)的人士所謂“剝離”過程去除正性光致抗蝕劑層60與剝離抗蝕劑層61。子組件23插入例如丙酮溶劑26，該溶劑通過邊緣25及沒有沉積層的子蝕刻22，穿過層60與61，并如箭頭21所示溶解它們，將它們完全去除并使第二沉積層16自由，然后其被拋棄。
通過例如超聲波清洗的機(jī)械動作，有助于該操作，并且該操作只能在正性光致抗蝕劑上進(jìn)行這是為什么對層60選擇正性光致抗蝕劑的第二個基本原因。另一方面，如果要選擇負(fù)性光致抗蝕劑，以現(xiàn)在的技術(shù)將不能進(jìn)行剝離操作。
在選擇單層技術(shù)時，這一步驟77以相同方式執(zhí)行，因為溶劑可穿過也沒有沉積層的壁15。
如圖10所示在步驟77結(jié)束時子組件23完成，其中可看見模具51外焊盤52和內(nèi)焊盤54。
然而這一過程有若干技術(shù)問題，現(xiàn)有將對這些技術(shù)問題進(jìn)行說明。
當(dāng)如圖11截面所示，在模具51表面上制成蝕刻12時，例如為幾十或幾百μm厚度，這是一般在moems應(yīng)用中為安裝光纖所需，由于蝕刻12層60和61分布是不均勻的。
這在曝光和顯影期間產(chǎn)生要被去除的畫面的不完全確定，使得該過程實際上不能使用。
特別是蝕刻12可能達(dá)到幾百μm深度D。此外，如果模具51由硅制成，蝕刻12常常通過根據(jù)硅的結(jié)晶軸進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)獲得，形成兩個壁20，其產(chǎn)生相對于x軸的角度α＝54.7°因而蝕刻的寬度WW＝2D/tanα例如如果蝕刻涉及到晶片厚度625μm大約一半，其達(dá)到深度大約300μm；這種情形下，W＝425μm，這寬度使得上述不均勻性非常嚴(yán)重。
此外，正性光致抗蝕劑的選擇是由已說明的第一和第二個原因規(guī)定的，并且正性光致抗蝕劑層通常是以液態(tài)敷設(shè)的這有利于對蝕刻局部沉積的均勻性。
還存在一個第二技術(shù)問題一些次組件這中，諸如以moems技術(shù)制成的組件，蝕刻12必須在與包含其它薄膜的相同的表面上制成。如果蝕刻在薄膜沉積之后制成，則在硅上化學(xué)反應(yīng)期間必須保護(hù)薄膜，如熟悉本專業(yè)人士所知，由于其使用KOH或TMAH在大約80°溫度下達(dá)數(shù)小時，這是高度挑戰(zhàn)性的。
因而，優(yōu)選地在過程的開始在硅中進(jìn)行蝕刻，例如通過帶有SiO2掩模的已知過程，并在稍后時沉積和確定薄膜，但這樣又產(chǎn)生了所述第一個問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，是根據(jù)預(yù)定的幾何形狀，在有不規(guī)則表面特別由于蝕刻的芯片上有選擇地沉積一層。
另一目的是有選擇地在交替層中沉積炊釬焊料合金成分。
進(jìn)一步的目的是在整個模具制造過程期間保持蝕刻干凈清潔。
又另一目的是在特別是由于蝕刻具有不規(guī)則表面的模具上，以沉積均勻厚度層的正性光致抗蝕劑層。
以上目的是借助于有選擇地覆蓋微切削加工表面的方法實現(xiàn)的，其特征如在主權(quán)利要求中所定義。


從以下作為非限制性例子并參照附圖的優(yōu)選實施例的說明，本發(fā)明的這些和其它目的，特征和優(yōu)點(diǎn)將明顯可見，其中圖1表示光電子裝置的軸側(cè)視圖；圖2示出根據(jù)已知的技術(shù)圖1光電子裝置的制造過程一部分的流程；圖3表示包含尚未分開的芯片的半導(dǎo)體材料的晶片；圖4表示沒有蝕刻的模具截面視圖，帶有一層剝離抗蝕劑是一層正性光致抗蝕劑；圖5表示模具上正性光致抗蝕劑層的曝光；圖6表示光致抗蝕劑同一層的顯影；圖7表示單層技術(shù)中光致抗蝕劑層的顯影；圖8表示光致抗蝕劑層上以及在空洞中的沉積層；圖9表示光致抗蝕劑層的剝離；圖10表示所述過程結(jié)束時的子組件；圖11表示裝有蝕刻的模具的截面視圖，并根據(jù)已知的技術(shù)，其帶有剝離抗蝕劑層與正性光致抗蝕劑層；圖12示出根據(jù)本發(fā)明帶有蝕刻的光電子裝置的制造過程的流程；
圖13表示包含有蝕刻的芯片的半導(dǎo)體材料晶片；圖14表示帶有蝕刻并帶有負(fù)性光致抗蝕劑薄膜的模具的剖視圖；圖15表示負(fù)性光致抗蝕劑薄膜的曝光；圖16表示負(fù)性光致抗蝕劑薄膜的顯影；圖17表示應(yīng)用剝離抗蝕劑與正性光致抗蝕劑層；圖18表示正性光致抗蝕劑層的曝光；圖19表示同一光致抗蝕劑層的顯影；圖20表示按單層技術(shù)光致抗蝕劑層的顯影；圖21表示光致抗蝕劑層上和空洞中的沉積層；圖22表示光致抗蝕劑層的剝離；圖23表示根據(jù)本發(fā)明在所述過程結(jié)束時的子組件。
具體實施例方式
現(xiàn)在參照圖12的流程圖，限于本發(fā)明的制造所需的那些步驟，說明根據(jù)本發(fā)明的光電子裝置的制造過程。
在步驟170獲得晶片66’，其包含有蝕刻12的小方塊55(圖13)，如同一圖13放大部分所示。在說明中假設(shè)，作為非限制性例子，模具55是硅，雖然同一模具還可由其它材料制成，諸如玻璃，水泥，或其它絕緣材料，或GaAs或其它半導(dǎo)體材料，或金屬制成。
在步驟140，負(fù)性光致抗蝕劑薄膜30在模具55上擴(kuò)散，如在圖14截面視圖中所見。膜30的厚度例如在5到30μm之間，并有足夠的硬度以覆蓋蝕刻12而不會在其上下陷。這樣蝕刻12受到保護(hù)，并同時由于不與光致抗蝕劑接觸而保持清潔。膜30的上表面由標(biāo)號35指示。
如果在其顯影溶劑之一中從可溶解狀態(tài)開始，其通過輻射例如紫外線效應(yīng)而聚合變?yōu)椴豢扇芙獾?，則光致抗蝕劑稱為“負(fù)的”。
在步驟141(圖15)，借助于配有一窗口32的第一掩模31進(jìn)行負(fù)性光致抗蝕劑膜30對紫外線(UV)輻射的曝光。窗口32延伸到蝕刻12之上以及圍繞它的邊界之上，例如達(dá)幾十μm寬度。負(fù)的光致抗蝕劑，在對應(yīng)于窗口32的區(qū)域27中聚合，因而被UV輻射轟擊，然而保持在由掩模31的不透明部分遮蔽的區(qū)域中其保持解聚。
在后一步驟142，根據(jù)已知的技術(shù)進(jìn)行負(fù)性光致抗蝕劑膜30的顯影，所述技術(shù)借助于一種溶劑只去除在被解聚的區(qū)域中的膜(圖16)與區(qū)域27對應(yīng)，保留以側(cè)面34為邊界的覆蓋蝕刻12的覆蓋33。由于UV輻射的衍射和反射現(xiàn)象，平行于X-Y平面發(fā)生膜30的聚合，在模具的面11附近達(dá)到較大的程度，并在膜的表面35附近達(dá)到較小的程度因而側(cè)面34不平行于z軸，而是有一錐度γ，根據(jù)圖16中指示的符號約定為負(fù)。
在步驟171，類似于就已知技術(shù)已述的步驟71，在小方塊55上敷設(shè)剝離抗蝕劑層161，例如如圖17截面所示由Micro-Chem提供的LOR系列，其厚度例如在0.5與6μm之間。剝離抗蝕劑例如通常借助于稱為旋轉(zhuǎn)涂敷以液態(tài)敷設(shè)。
覆蓋33的錐角γ促使剝離抗蝕劑更好的敷設(shè)及其更好的平坦。
在步驟172，類似于對于已知技術(shù)已述的步驟72，在剝離抗蝕劑161上敷設(shè)傳統(tǒng)的正性光致抗蝕劑層160，其厚度例如在0.5和20μm之間，如同一圖17所示。正性光致抗蝕劑通常也是例如借助于旋轉(zhuǎn)涂敷以液態(tài)敷設(shè)。
光致抗蝕劑層160的上表面標(biāo)以號碼114，其基本平行于面11及x-y平面。
使用這一方法，由于有覆蓋33，上表面114比已知技術(shù)的表面14更為規(guī)則，因而允許即使在蝕刻附近也可對空洞尺寸進(jìn)行控制。
在步驟174，類似于對于已知技術(shù)已述的步驟74，借助于裝有窗口122的掩模13進(jìn)行正性光致抗蝕劑對紫外線(UV)輻射的曝光(圖18)。作為正的光致抗蝕劑在對應(yīng)于窗口122的區(qū)域26解聚，因而受到UV輻射的轟擊，然而它在由掩模的不透明區(qū)域遮蔽的區(qū)域中保持不溶解。
類似于對于已知技術(shù)已述的步驟75，在后繼步驟175，根據(jù)已知的技術(shù)使光致抗蝕劑層160顯影，所述技術(shù)借助于溶劑只去除在由通過窗口122的紫外線(UV)輻射顯影的區(qū)域26中的光致抗蝕劑，這樣使得形成以邊緣25為邊界的空洞64。
相同的溶劑以比光致抗蝕劑160更大程度轟擊在下面的剝離抗蝕劑161，這樣產(chǎn)生子蝕刻22。
又在這種情形下，存在圖20中所示的第一單層替代方案，根據(jù)該方案只產(chǎn)生單層光致抗蝕劑層160?？斩?4’在這種情形下以壁15為邊界，由于以上所述的UV輻射的衍射和反射現(xiàn)象，其呈現(xiàn)倒角β，根據(jù)圖20指示的符號約定這是正的。
還存在也是以圖20表示的第二單層替代方案，根據(jù)這一方案只產(chǎn)生光致抗蝕劑層160，然后以表面改良劑例如甲苯處理，其使得上表面114對溶劑更有抵抗性這樣在同一光致抗蝕劑160中，產(chǎn)生隨后的顯影，有子蝕刻的壁15或有更明顯的正倒角β的壁。
在借助于圖21解釋并類似于對于已知技術(shù)已述的步驟76的步驟176中，在保持完整的表面114上，并在通過步驟175中所述的顯影效應(yīng)已揭開的表面11上，進(jìn)行例如金屬真空沉積。例如借助于均為已知的濺射法或電子束過程進(jìn)行沉積，其結(jié)果是包括第一沉積層(52，54)的子組件24，其呈現(xiàn)與空洞64相同的幾何形狀，并有效地構(gòu)成外焊盤52和內(nèi)焊盤54，以及附著在表面114的沉積層116。另一方面，在子蝕刻22上沒有層沉積。
即使選擇單層技術(shù)，由于如果有任何正倒角β和子蝕刻，也不會有層沉積在壁15上。
沉積層52，54和116可以是金屬的，或由非金屬材料制成，諸如氧化物，氮化物，碳化物等。
如果沉積層52，54和116由金屬制成，這些金屬可以是非反應(yīng)的，例如鈦，金，或鉑，以產(chǎn)生外焊盤52或內(nèi)焊盤54，或金/錫80/20合金，以產(chǎn)生軟焊。這些合金通常根據(jù)已知的技術(shù)沉積在組件金屬的交替層中各層以厚度之間適當(dāng)?shù)谋壤瞥桑赃^程合金-一般是容易溶解的-正確的組成，并例如能夠呈最大5μm的總厚度。
在步驟177中，其類似于對于已知技術(shù)已述并以圖22說明的步驟77，正性光致抗蝕劑層160和剝離抗蝕劑層161借助于剝離過程而被去除。子組件24插入到溶劑36，例如丙酮，或更好是由Micro-Chem提供的Remover PG，其通過沒有沉積層的邊緣25和子蝕刻22，穿過層160和161，并溶解在由箭頭21指示的方向進(jìn)行的這些組件，完全消除它們，并釋放拋棄進(jìn)一步的沉積層116。該操作通過一種機(jī)械作用例如超聲波清洗促成。
如果選擇單層技術(shù)，以類似的方式執(zhí)行這一步驟177，因為溶劑能夠穿過也是沒有沉積層的壁15。
在步驟143，例如借助于已知類型的等離子操作去除負(fù)性光致抗蝕劑的覆蓋33。
在步驟143結(jié)束時，如圖23所示的組件24完工，其中可以看到模具55，蝕刻12，外焊盤52與內(nèi)焊盤54。
權(quán)利要求
1.一種用于在模具(55)上有選擇地覆蓋微機(jī)加工表面的方法，所述模具包括其中形成至少一個蝕刻(12)的上表面(11)，該方法的特征在于包括以下步驟-(140)在所述上表面(11)上敷設(shè)負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)，所述膜(30)覆蓋所述至少一個蝕刻(12)；-(141)借助于覆蓋所述至少一個蝕刻(12)的區(qū)域(27)上的第一掩模(31)，使所述負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)對紫外線輻射(UV)曝光，使得所述膜(30)與所述區(qū)域(27)對應(yīng)地聚合；-(142)去除所述負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)的非聚合部分，使得覆蓋(33)與所述區(qū)域(27)對應(yīng)地保持在所述至少一個蝕刻(12)上；-(171)在所述模具(55)的所述上表面(11)及所述覆蓋(33)上擴(kuò)散一層剝離抗蝕劑(161)；-(172)在所述剝離抗蝕劑層(161)上擴(kuò)散一層正性光致抗蝕劑(160)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于還包括以下步驟-(174)借助于包含至少一個窗口(122)的掩模(13)使所述正性光致抗蝕劑層(160)對紫外線(UV)曝光，使得所述層(160)對應(yīng)于所述窗口(122)解聚；-(175)去除所述正性光致抗蝕劑層(160)的解聚部分，使得獲得至少一個空洞(64)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，所述至少一個空洞(64)包括邊緣(24)及子蝕刻(22)，所述正性光致抗蝕劑層(160)包括上表面(114)，所述方法還包括以下步驟-(176)在所述上表面(11)上敷設(shè)第一沉積層(52，54)，并在所述上表面(114)上進(jìn)一步敷設(shè)沉積層(116)；-(177)借助于通過所述邊緣(24)和所述子蝕刻(22)起作用的溶劑去除所述正性光致抗蝕劑層(160)及所述剝離抗蝕劑層(161)，并把所述進(jìn)一步拋棄沉積層(116)；-(143)去除所述負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)與所述進(jìn)一步的沉積層(116)是金屬的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)和所述進(jìn)一步的沉積層(116)包括至少一層金或鈦或鉑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)和所述進(jìn)一步的沉積層(116)包括至少一層金/錫合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于，所述沉積層(52，54)和所述進(jìn)一步的沉積層(116)包括非金屬材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其特征在于，所述非金屬材料包括氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其特征在于，所述非金屬材料包括碳化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其特征在于，所述非金屬材料包括氮化物。
11.一種用于在模具(55)上有選擇地覆蓋微機(jī)加工表面的方法，所述模具包括其中形成至少一個蝕刻(12)的上表面(11)，該方法的特征在于包括以下步驟-(140)在所述上表面(11)上敷設(shè)一個負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)，所述膜(30)覆蓋所述至少一個蝕刻(12)；-(141)借助于覆蓋所述至少一個蝕刻(12)的區(qū)域(27)上的第一掩模(31)，使所述負(fù)性光致抗蝕劑薄膜(30)對紫外線輻射(UV)曝光，使得所述膜(30)與所述區(qū)域(27)對應(yīng)地聚合；-(142)去除所述負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)的非聚合部分，使得覆蓋(33)與所述區(qū)域(27)對應(yīng)地保持在所述至少一個蝕刻(12)上；-(172)在所述模具(55)的所述上表面(11)上及所述覆蓋(33)上擴(kuò)散正性光致抗蝕劑層(160)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于，還包括以下步驟-(174)借助于包含至少一個窗口(122)的掩模(13)使所述正性光致抗蝕劑層(160)對紫外線(UV)曝光，使得所述層(160)對應(yīng)于所述窗口(122)解聚；-(175)去除所述正性光致抗蝕劑層(160)的解聚部分，使得獲得至少一個空洞(64’)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，所述至少一個空洞(64’)包括壁(15)，所述正性光致抗蝕劑層(160)包括上表面(114)，所述方法還包括以下步驟-(176)在所述上表面(11)上敷設(shè)第一沉積層(53，54)，并在所述上表面(114)上進(jìn)一步敷設(shè)沉積層(116)；-(177)借助于通過所述壁(15)起作用的溶劑去除所述正性光致抗蝕劑層(160)，并拋棄所述進(jìn)一步的沉積層(116)；-(143)去除所述負(fù)性光致抗蝕劑膜(30)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)與所述進(jìn)一步的沉積層(116)是金屬的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)與所述進(jìn)一步的沉積層(116)包括至少一層金或鈦或鉑。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)和所述進(jìn)一步的沉積層(116)包括至少一層金/錫合金。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，所述第一沉積層(52，54)和所述進(jìn)一步的沉積層(116)由非金屬材料制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其特征在于，所述非金屬材料包括氧化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其特征在于，所述非金屬材料包括碳化物。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其特征在于，所述非金屬材料包括氮化物。
全文摘要
本發(fā)明涉及有選擇地覆蓋微機(jī)加工表面的方法。在表面有蝕刻的模具上，首先敷設(shè)一層負(fù)性光致抗蝕劑，借助于曝光和隨后的顯影，其只在蝕刻上留下；然后，在負(fù)性光致抗蝕劑上，敷設(shè)一層正性光致抗蝕劑，其受到曝光和顯影以產(chǎn)生在薄膜上沉積的功能性幾何形狀；隨后在“剝離”操作中去除正性光致抗蝕劑，并在等離子操作中去除負(fù)性光致抗蝕劑，由此展現(xiàn)蝕刻。
文檔編號B81B3/00GK1688504SQ03824005
公開日2005年10月26日 申請日期2003年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月12日
發(fā)明者雷納多·康塔, 艾爾瑪·迪賽格納 申請人:好利獲得I-Jet股份公司