專利名稱：電子裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年，使用MEMS(Micro Electro Mechanical System)技術(shù)，制造超小型、超高性能的電子零件(MEMS元件)的研究和開發(fā)盛行。使用MEMS技術(shù)的電子零件跨多個(gè)領(lǐng)域，但是作為其中一種，知道構(gòu)成噴墨打印機(jī)的噴墨頭等?？墒牵谟蒑EMS技術(shù)制造的電子零件(電子裝置)、以及由MEMS以外的技術(shù)制造的電子零件中，由于構(gòu)成電子零件的基板的面積上的限制和其他理由，有時(shí)無法將形成在基板上的基板配線、基板上安裝的半導(dǎo)體芯片等零件的端子部，在基板面上直接連接形成。
例如當(dāng)在基板上安裝在側(cè)面露出連接端子的端部的半導(dǎo)體芯片時(shí)，不易使連接端子和該基板的配線直接接觸。
于是，有一種技術(shù)，在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上，通過將與所述連接端子連接的配線繞到半導(dǎo)體芯片的上表面，將該配線與設(shè)置在基板上的基板配線連接，借助于配線將半導(dǎo)體芯片的連接端子和基板的基板配線進(jìn)行導(dǎo)通(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
美國專利第6646289號(hào)說明書可是，在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面露出的連接端子和形成在該側(cè)面上的配線的連接配線成為線狀，因此，所述連接端子和所述配線變?yōu)榫€接觸的狀態(tài)。因此，在作用外部應(yīng)力和彎曲力時(shí)，在所述連接端子和基板配線的連接部容易產(chǎn)生斷線，在連接可靠性上存在問題。
可是，在基板上不直接安裝半導(dǎo)體芯片時(shí)，考慮在基板上設(shè)置基于底座等的階差，在該階差上設(shè)置半導(dǎo)體芯片的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述事實(shí)而提出的，其目的在于提供一種電子裝置及其制造方法在形成基板上形成的配線、借助于階差要與該基板連接的配線時(shí)，防止這些配線的連接部分的斷線，提高其連接可靠性，并且簡(jiǎn)化了配線間的連接工序。
為了解決所述課題，在本發(fā)明的電子裝置中，其特征在于在已形成第一配線的基板上設(shè)置底座，在所述底座上形成第二配線，所述第二配線在所述基板面上與所述第一配線連接著。
根據(jù)這樣的電子裝置，形成在底座上的第二配線和形成在基板上的第一配線，在基板上連接著，所述第一配線和所述第二配線的連接部在基板面上通過面接觸而連接，所以能可靠地使第一配線和第二配線導(dǎo)通。另外，第一配線和第二配線的連接部以面連接，所以能增加連接部的強(qiáng)度，例如由于彎曲或落下等，從外部對(duì)接合部作用力時(shí)，能防止接合部的斷線，提高第一配線和第二配線的連接可靠性，能提高具有該接合部的電子裝置的可靠性。
另外，優(yōu)選所述底座的端面的至少一部分對(duì)于所述基板的上表面成為傾斜面。
據(jù)此，通過將第二配線繞到所述傾斜面上，能防止第二配線尖銳彎曲引起的斷線，能提高電子裝置的可靠性。
另外，優(yōu)選所述傾斜面變?yōu)樾纬射J角的傾斜面。
據(jù)此，底座的端面和基板的上表面的梯度緩和，能更可靠地防止第二配線尖銳彎曲引起的斷線。
另外，在所述底座上設(shè)置其他零件，該其他零件連接在所述第二配線上。
據(jù)此，設(shè)置在底座上的其他零件與第二配線連接，所以介由第二配線與基板上的第一配線導(dǎo)通。因此，例如，當(dāng)由于基板的制約，有必要在基板上設(shè)置階差的位置配置其他零件時(shí)，如果采用本發(fā)明，就能將基板上的第一配線介由底座上的第二配線與其它零件和基板導(dǎo)通。
另外，所述第二配線也可以連接在所述其他零件的上表面上。
據(jù)此，在底座之上設(shè)置其他零件后，在形成第二配線的同時(shí)，能進(jìn)行其他零件和第二配線的接合，所以能簡(jiǎn)化電子裝置的制造工序。
另外，優(yōu)選所述其他零件是IC芯片。
據(jù)此，即使存在基板的制約時(shí)，能在基板和IC芯片之間設(shè)置階差并安裝IC芯片，所以能以高密度安裝IC芯片，能使電子裝置小型化。
另外，在所述電子裝置中，優(yōu)選所述底座由多個(gè)底座層疊而成。
據(jù)此，底座成為多級(jí)的構(gòu)造，所以能使電子裝置自身為多級(jí)構(gòu)造。
在本發(fā)明的電子裝置中，其特征在于在形成了第一配線的基板上設(shè)置其他零件，在該其他零件的上表面上形成第二配線，該第二配線與所述第一配線在所述基板面上連接著。
根據(jù)本發(fā)明的電子裝置，形成在其他零件上的第二配線和形成在基板上的第一配線，在基板上連接著，所述第一配線和所述第二配線的連接部在基板面上通過面接觸連接著，所以能可靠地使第一配線和第二配線導(dǎo)通。因此，所述第一配線和所述第二配線的連接部以面連接，所以能增加連接部的強(qiáng)度，通過設(shè)置連接可靠性高的接合部，能提高電子裝置的可靠性。
另外，例如所述其他零件是半導(dǎo)體裝置時(shí)，通過形成所述第二配線，在同一工序中進(jìn)行與半導(dǎo)體裝置的端子面(上表面)的配線連接、以及與所述第一配線的連接，所以能簡(jiǎn)化與半導(dǎo)體裝置連接的配線形成工序。
在所述電子裝置中，優(yōu)選所述其他零件是IC芯片。
據(jù)此，即使存在基板的制約時(shí)，也能在基板和IC芯片之間設(shè)置階差并安裝IC芯片，所以能以高密度安裝IC芯片，能使電子裝置小型化。
在本發(fā)明的電子裝置的制造方法中，其特征在于包括在基板上形成第一配線和底座的工序；在所述基板上，在該基板面上與所述第一配線連接，并且繞到所述底座上的狀態(tài)下，形成第二配線的工序。
根據(jù)這樣的電子裝置的制造方法，在基板上形成第一配線后，在第一配線上形成第二配線，第一配線和第二配線可靠地導(dǎo)通。另外，由于所述第一配線和第二配線的接合部在基板上以面連接，所以能增加連接部的強(qiáng)度。
因此，例如，由于彎曲和落下而引起從外部對(duì)接合部作用力時(shí)，通過防止在接合部的斷線，能取得提高連接可靠性的電子裝置。
另外，所述底座的端面的至少一部分對(duì)于所述基板的上表面成為傾斜面。
據(jù)此，通過將第二配線繞到所述傾斜面上，能減小在底座和基板之間產(chǎn)生的階差，能防止第二配線尖銳彎曲引起的斷線，能提高電子裝置的可靠性。
另外，例如通過濺射涂敷導(dǎo)電材料，將光致抗蝕劑曝光，形成第二配線時(shí)，所述底座上的端面成為傾斜面，能使曝光的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)變得容易。因此，能形成可靠地連接基板上和底座的上表面的第二配線。
另外，優(yōu)選所述傾斜面成為形成銳角的傾斜面。
據(jù)此，由于底座和基板的上表面之間的梯度變得緩和，所以能可靠地防止第二配線尖銳彎曲引起的短線，能提高電子裝置的可靠性。
另外，在所述底座上設(shè)置有其他零件，該其他零件連接在所述第二配線上。
據(jù)此，設(shè)置在底座上的其他零件與第二配線連接著，所以能通過第二配線可靠地與基板上的第一配線連接。因此，當(dāng)在基板和其他零件之間設(shè)置階差而導(dǎo)通時(shí)，如果采用本發(fā)明，就能通過第二配線使基板上的第一配線與其他零件導(dǎo)通。
另外，優(yōu)選在基板上形成第一配線和底座，在所述底座上形成其他零件，在所述基板上形成在該基板上與所述第一配線連接，并且與所述其他零件的上表面連接的第二配線。
據(jù)此，能成為在底座上設(shè)置其他零件后，形成與其他零件的上表面連接的第二配線。因此，能同時(shí)進(jìn)行第二配線的形成、與其他零件的接合，能簡(jiǎn)化電子裝置的制造工序。
另外，優(yōu)選所述其他零件是IC芯片。
據(jù)此，即使存在基板的制約時(shí)，在基板和IC芯片之間設(shè)置階差，能安裝IC芯片，所以能以高密度安裝IC芯片，能使電子裝置小型化。
另外，在所述IC芯片的側(cè)面的至少一部分上設(shè)置有絕緣部，該絕緣部的端面對(duì)于底座的上表面成為傾斜面。
據(jù)此，由于在IC芯片的側(cè)面形成絕緣部，所以第二配線在IC芯片的端子部分以外成為絕緣的狀態(tài)，能防止IC芯片的側(cè)面部的短路。
另外，所述絕緣部備有傾斜面，所以通過在所述傾斜面上配置第二配線，能防止第二配線尖銳彎曲引起的短線。因此，通過第二配線可靠地連接基板上的第一配線和IC芯片，能提高電子裝置的可靠性。
另外，如上所述，當(dāng)通過濺射將光致抗蝕劑曝光，形成第二配線時(shí)，在傾斜面上曝光的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)變得容易，能容易形成第二配線。
另外，優(yōu)選所述傾斜面成為形成銳角的傾斜面。
據(jù)此，傾斜面的梯度變緩和，能更可靠地防止第二配線的斷線。


下面簡(jiǎn)要說明附圖。
圖1是實(shí)施例1的電子裝置的側(cè)剖視圖。
圖2是實(shí)施例1的電子裝置的平面圖。
圖3是實(shí)施例1的電子裝置的制造工序說明圖。
圖4是實(shí)施例2的電子裝置的側(cè)剖視圖。
圖5是實(shí)施例2的電子裝置的平面圖。
圖6是實(shí)施例2的電子裝置的制造工序說明圖。
圖7是實(shí)施例3的電子裝置的側(cè)剖視圖。
圖8是基于絕緣部的其他形狀的側(cè)剖視圖。
圖9是基于絕緣部的其他形狀的側(cè)剖視圖。
圖10是基于絕緣部的其他形狀的側(cè)剖視圖。
圖11是基于絕緣部的其他形狀的側(cè)剖視圖。
圖中1—電子裝置；2—電子裝置；5—基板；10—底座；10a—傾斜面；17—其他底座(底座)；20—第一配線；25—第二配線；30—IC芯片(其他零件)；40—絕緣部；40a—傾斜面。
具體實(shí)施例方式
下面，詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖1是說明使用本發(fā)明的電子裝置制造方法制造的電子裝置的圖，是基于圖2的A-A線向視的側(cè)剖視圖。圖1中符號(hào)1是本發(fā)明的電子裝置。
圖2是用于說明本發(fā)明的電子裝置的局部(后面描述的樹脂35)透視平面圖。
如圖1所示，電子裝置1，例如備有由Si構(gòu)成的基板5、形成在該基板上的底座10。所述底座10例如是由Si、陶瓷等材料構(gòu)成的板狀的。另外，所述底座10可以是由有機(jī)基板、電子零件構(gòu)成的其他零件。
在本實(shí)施例中，所述底座10優(yōu)選是由與基板5相同的材料Si形成的。這是因?yàn)楫?dāng)在所述基板5和底座10中使用不同的材料時(shí)，由于熱膨脹系數(shù)的不同，應(yīng)力的影響減少。另外，作為底座10的高度，使用400μm的。而且，所述底座10通過由粘合劑等構(gòu)成的粘合層12粘貼在基板5上。而且，作為在基板5上粘貼底座10的方法，可以不使用由粘合劑構(gòu)成的粘合層12，能通過常溫接合或原子間接合粘貼。另外，假定在基板5上設(shè)置其他零件時(shí)，在基板5和其他零件之間需要高度差時(shí)，使用本發(fā)明的電子裝置1。
在所述基板5上，連接在周邊電路(未圖示)上，形成有構(gòu)成例如由電鍍等構(gòu)成的配線圖案的第一配線20。在所述底座10上形成著電連接在所述第一配線20上的第二配線25，在所述基板5上，第一配線20和第二配線25電連接。所述第二配線25是由電鍍處理、濺射法、濺射掩模法、CVD法或噴墨法等形成的。
底座10的端面對(duì)于基板5的上表面成為傾斜面10a，所述傾斜面10a對(duì)于所述基板5的上表面，成為銳角(大于0度，小于90度的角度)。
具體而言，使用面方位為(110)的Si，通過各向異性蝕刻處理形成了底座10時(shí)，底座10的傾斜面10a對(duì)于基板5的上表面為54.3度。
而且，在本發(fā)明中，當(dāng)在底座10的外周面和底座10上形成有開口部時(shí)，底座10的端面也包含所述開口部的內(nèi)側(cè)的面。
而且，連接于基板5上的第一配線20上的第二配線25，形成得通過所述傾斜面10a，繞到底座10的上表面一側(cè)。在粘合層12之下也可以形成第一配線圖案20。另外，優(yōu)選所述傾斜面10a的傾斜角度小。而且，由于也可以在所述傾斜面10a上形成配線，所以根據(jù)濺射條件或光刻條件，傾斜面10a的傾斜角度可以接近垂直，底座10如果薄，可以為垂直(90度)也無妨。進(jìn)而，通過CVD法形成第二配線25時(shí)，對(duì)于基板5的上表面，能以鈍角(大于90度，小于180度的角度)形成底座10的傾斜面10a。
在所述底座10上設(shè)置有IC芯片30(其他零件)。
而且，形成在底座10上的其他零件如本實(shí)施例那樣為IC芯片30時(shí)，能將電子裝置1稱半導(dǎo)體裝置。
在所述IC芯片30的第一面32上，如圖2所示，形成有多個(gè)電極34。第一面32可以是四邊形(例如矩形)。多個(gè)電極34可以形成在第一面32的周圍部(端部)。例如多個(gè)電極34可以沿著第一面32的四邊排列，也可以沿著二邊排列。至少一個(gè)電極34配置在第一面32的中央部。
如圖1所示，在第一面32上形成有至少由1層構(gòu)成的電絕緣膜即鈍化膜16。鈍化膜16可以只由非樹脂的材料(例如SiO2或SiN)形成，在其上還可以包含由樹脂(例如聚酰亞胺樹脂)構(gòu)成的膜，也可以由樹脂層單獨(dú)形成。在鈍化膜16上形成有使電極34的至少一部分(例如中央部)露出的開口。即避開電極34的至少中央部(與第二配線25連接的部分)，形成有鈍化膜16。另外，鈍化膜16可以騎在電極34的端部，鈍化膜16也可以覆蓋著第一面32的全面。
如圖2所示，所述電極34和所述第二配線25通過接觸而成為電連接的。另外，所述第一配線20和所述第二配線25的連接部成為以面連接的狀態(tài)。
如圖1所示，在第一配線20和第二配線25的連接部、以及IC芯片30上，通過由環(huán)氧樹脂、硅樹脂等構(gòu)成的樹脂35覆蓋住，從外部的沖擊或濕氣得到保護(hù)。
另外，在本實(shí)施例中，在底座10和基板5具有絕緣性的前提下記載的，但是當(dāng)它們的表面絕緣性不足時(shí)，或沒有絕緣性時(shí)，希望在底座10上以及基板5上，在配線形成面上預(yù)先形成著絕緣層。具體而言，可以用適當(dāng)?shù)姆椒?例如濺射、旋轉(zhuǎn)涂敷等)形成氧化膜、氮化膜、樹脂等。
而且，在圖1和圖2中，表示將IC芯片30的電極34一側(cè)向下方(向下)安裝在底座10上的所謂的倒裝方式的情形，但是也可以采用將電極34一側(cè)向著上方，通過Au、Al等的引線連接該電極34和第二配線25的引線接合方式。
(電子裝置的制造方法)
下面參照?qǐng)D3(a)～(d)說明本發(fā)明的電子裝置1的制造方法。
如圖3(a)所示，如上所述，在由Si構(gòu)成的底座10上，形成用于使后面描述的第二配線25的形成變得容易的V溝槽11。作為所述V溝槽11的形成方法，使用各向異性蝕刻，或機(jī)械地使用切片的傾斜形狀(斜邊切割)刀而形成。將所述基底10用V溝槽分離成2個(gè)后，利用具備一方的傾斜面10a的底座10，而且，也可以利用通過樹脂等收縮而形成的錐面。按照必要，也可以實(shí)施所述的絕緣膜形成處理。另外，底座10的端部不是垂直或銳角的傾斜面10a，可以是銳角的傾斜面10a。
接著，如圖3(b)所示，在所述基板5上，使用Cu、Ni-p或Au等材料，通過電鍍處理、濺射法、濺射掩模法、CVD法或噴墨法，形成第一配線20。而且，所述第一配線20可以預(yù)先形成在基板5上。另外，也可以通過濺射或?qū)⒒?上粘貼的金屬箔蝕刻，形成所述第一配線20。根據(jù)需要，也可以在基板上形成配線之前預(yù)先實(shí)施上述的絕緣膜形成處理。
在基板5上將所述底座10對(duì)位，通過粘合層12粘貼。另外，代替粘合層12，可以使用預(yù)先粘貼在底座10上的薄板狀粘合劑，也可以使用基于合金等的金屬擴(kuò)散接合、熔化、焊接等粘合以外的固定方法。
接著如圖3(c)所示，在基板5上形成與所述第一配線20連接，并且繞到底座10上的第二配線25。
首先通過濺射，覆蓋第一配線20和底座10，形成成為第二配線的材料的金屬膜。作為金屬膜，能使用導(dǎo)電性優(yōu)異的各種材料。例如對(duì)金屬膜使用2層的情況下，第一層能使用密接強(qiáng)度優(yōu)異的Ti、W、Ti-W、Ni、Cr等，第二層使用電阻率低的Cu、Al、Au。另外可以通過使用Al，形成單層的金屬膜。當(dāng)對(duì)基板5或底座10使用硅時(shí)，與所述的金屬種類的匹配優(yōu)異。
而且，在進(jìn)行濺射前，通過進(jìn)行等離子體處理，增加金屬膜的密接性。
接著在金屬膜上全面涂敷光致抗蝕劑。在涂敷光致抗蝕劑時(shí)，在基板5和底座10的連接部上也有必要涂敷光致抗蝕劑，凹凸增大。因此，通過在本發(fā)明中，希望使用噴鍍法，涂敷光致抗蝕劑。當(dāng)然也可以是公開的其他方法。
然后，通過熱處理使光致抗蝕劑固化，進(jìn)而通過進(jìn)行曝光處理和顯影處理，形成所需的圖案的第二配線25。這時(shí)，形成得使所述第二配線25與基板5上的第一配線20在基板5上重疊，所以所述第一配線20和所述第二配線25成為以面接觸的形態(tài)。另外，在底座10的端面上如果形成著傾斜面10a，所述傾斜面10a向著濺射靶方向，濺射的附著性提高，所以膜厚度穩(wěn)定，涂敷的光致抗蝕劑全面曝光，所以能穩(wěn)定地曝光。
因此，第二配線25通過所述傾斜面10a能穩(wěn)定地連接基板5上和底座10上之間。
這樣就形成與所述第一配線20連接，并且到達(dá)底座10上的第二配線25。
接著，如圖3(d)所示，在第二配線25上安裝IC芯片30。為了將在所述IC芯片30上形成著的電極34連接到第二配線25上，將所述電極34一側(cè)向著下方(倒裝)，安裝IC芯片30，通過粘合劑連接電極34和第二配線25。雖然未圖示，但是優(yōu)選在IC芯片30和底座10之間填充用于提高連接可靠性的樹脂。進(jìn)而，作為倒裝安裝方式，除了粘合劑以外，提出使用金凸臺(tái)(bump)的各種金屬接合方式和樹脂壓接方式，所以當(dāng)然可以使用它們。
另外，可以使用在向上的狀態(tài)(所述電極34一側(cè)向著上方的狀態(tài))下，將IC芯片30安裝在第二配線25上，通過Au、Al等的引線連接的引線接合。
在安裝IC芯片30后，通過由所述的環(huán)氧樹脂、硅樹脂等構(gòu)成的樹脂35澆鑄，以便保護(hù)第一配線20和第二配線25的連接部、IC芯片30和第二配線25的連接部。
這時(shí)，優(yōu)選樹脂35使用低應(yīng)力樹脂，以便不易產(chǎn)生澆鑄在配線連接部的樹脂35引起的殘留應(yīng)力。通過這樣，從基板到配線接合部分、配線部分、IC芯片安裝部分由樹脂覆蓋，所以尤其能提高耐濕度、可靠性。
通過以上的工序，制造本發(fā)明的電子裝置1。
根據(jù)這樣的電子裝置1，能取得在基板5上連接基板5上形成的第一配線20、底座10上形成的第二配線25的構(gòu)造。這里，第一配線20和第二配線25的連接部如圖2所示，在基板5面上，不是線，而已具有面積的面連接，所以與線接觸時(shí)相比，能通過增加連接部的強(qiáng)度，以防止斷線，能可靠地使第一配線20和第二配線25導(dǎo)通。因此，能提高第一配線20和第二配線25的連接部的可靠性，能提高耐溫度周期、彎曲和落下等可靠性試驗(yàn)中的連接可靠。
另外，通過在基板5上設(shè)置底座10，通過使第二配線25繞到底座10上，對(duì)于基板5，能取得高位置的導(dǎo)通。
另外，如果所述底座10的端面對(duì)于所述基板5的上表面，成為傾斜面10a，就防止在基板5上的連接部分，第二配線25尖銳彎曲，防止第二配線25斷線。另外，由于所述傾斜面10a對(duì)于所述基板5的上表面，成為形成銳角的傾斜面，所以傾斜面10a的梯度變緩，第二配線25的斷線不易發(fā)生，能可靠地防止第二配線25的斷線，能提高電子裝置1的可靠性。而且，例如當(dāng)通過CVD法形成第二配線25時(shí)，對(duì)于基板5的上表面，能以鈍角形成底座10的傾斜面10a。
另外，在所述底座10上設(shè)置著IC芯片30，該IC芯片30連接在所述第二配線25上。
因此，設(shè)置在底座10上的IC芯片30的電極34與第二配線25連接著，所以通過第二配線25能與基板5上的第一配線20導(dǎo)通。因此，當(dāng)在基板5上設(shè)置IC芯片30時(shí)，例如由于基板5的制約，在比基板5高的位置設(shè)置IC芯片30時(shí)，如果應(yīng)用本發(fā)明，就能通過底座10上的第二配線25，使基板5的第一配線20和IC芯片30導(dǎo)通。
根據(jù)這樣的電子裝置1的制造方法，在第一配線20上重疊形成第二配線25，所以能可靠地使第一配線20和第二配線25導(dǎo)同，所述第一配線20和第二配線25的接合部在基板5上以面接觸，能增加連接部的強(qiáng)度。
因此，尤其是能提高耐溫度周期、彎曲或落下等可靠性試驗(yàn)中的連接可靠性。另外，通過防止接合部的短線，能提高連接可靠性。另外，第二配線25的形成和與第一配線20的連接能同時(shí)進(jìn)行，所以能減少電子裝置1的制造工序。
另外，所述底座10的端面如上所述，成為傾斜面10a，第二配線25在所述傾斜面10a上盤繞，防止第二配線25尖銳彎曲。另外，所述傾斜面10a成為銳角，從而第二配線25的斷線不易發(fā)生，能更可靠地防止第二配線25的斷線，能提高電子裝置1的可靠性。
另外，在所述底座10上設(shè)置著IC芯片30，該IC芯片30連接在所述第二配線25上。
因此，設(shè)置在底座10上的IC芯片30與第二配線25連接著，所以當(dāng)在比基板5高的位置設(shè)置IC芯片30時(shí)，能通過第二配線25與基板5上的第一配線20導(dǎo)通。據(jù)此，即使想積極地從基板5的表面向上方遠(yuǎn)離配置時(shí)，也能配置IC芯片30。另外，由于基板5的設(shè)計(jì)上的制約等，無法在基板5上直接安裝IC芯片30時(shí)，如果采用本發(fā)明，就能在基板5和IC芯片30之間設(shè)置底座10，安裝IC芯片30，所以能在基板5上以高密度安裝IC芯片30，能使電子裝置1小型化。
下面說明本發(fā)明的電子裝置的實(shí)施例2。
圖4、圖5是說明實(shí)施例2的電子裝置的圖，是基于圖5的A-A線向視的側(cè)剖視圖。圖4中的符號(hào)2是電子裝置。圖5是用于說明本發(fā)明的電子裝置2的局部(后面描述的樹脂35)透視平面圖。
而且，將本實(shí)施例的電子裝置2連接為所述實(shí)施例的電子裝置1的第二配線25覆蓋IC芯片30的第一面(上表面)32上形成的電極34，在IC芯片30的外周部形成后面描述的絕緣部。而且，為了防止電極34的氧化，優(yōu)選通過Ni等的電鍍覆蓋電極34的全面。還希望在電極34上形成由A1、Ni-Cr、Cu、Ni、Au或Ag等金屬材料構(gòu)成的突起(凸臺(tái))，實(shí)現(xiàn)第二配線25和電極34的導(dǎo)通。上述的電鍍和突起通過無電解電鍍處理形成。其他電子裝置1的構(gòu)成與所述實(shí)施例1的電子裝置1的構(gòu)成相同。
如圖4所示，電子裝置2備有基板5、形成在該基板之上的底座10。所述底座10通過粘合層12粘貼在基板5上。另外，在基板5上，通過電鍍、濺射、濺射掩模法、CVD法或噴墨法形成有第一配線20。
所述底座10的端面，對(duì)于基板5的上表面，備有傾斜面10a。而且，該傾斜面10a對(duì)于基板5的上表面，優(yōu)選為銳角。另外，在所述底座10上設(shè)置有IC芯片30。所述IC芯片30通過粘合層39粘貼在底座10上。另外，在所述IC芯片30的側(cè)面覆蓋IC芯片30的側(cè)面部，設(shè)置有絕緣部40。所述絕緣部40具備向著底座的面，逐漸向外側(cè)傾斜的傾斜面40a。因此，形成斜面，從而絕緣部40的最厚的部分與IC芯片30接觸，最薄的部分從IC芯片30最遠(yuǎn)離。
所述絕緣部40由具有電絕緣性的材料(例如樹脂)形成的。而且，所述絕緣部40可以由與粘合層39不同的材料形成，也可以由相同的材料形成。另外，如本實(shí)施方式那樣，也可以絕緣部40與IC芯片30的側(cè)面接觸。即在絕緣部40和IC芯片30之間可以不形成間隙。在圖4所示的例子中，設(shè)置絕緣部40，以使不超過IC芯片30的高度。
因此，絕緣部40的上端成為IC芯片30的上表面(鈍化膜16的表面)相同的高度。這時(shí)，通過使絕緣部40和IC芯片30的階差消失，在第二配線25和絕緣部40的連接部，圓滑地連接。也可以IC芯片30中只有由半導(dǎo)體或?qū)w構(gòu)成的部分由絕緣部40覆蓋住。這時(shí)，絕緣部40的上端優(yōu)選是與鈍化膜16上表面相同的高度。另外，可以只在形成第二配線25的部分設(shè)置絕緣部40。也可以跨在鈍化膜16的上表面上形成絕緣部的一部分。
在電子裝置2中，與所述電子裝置1同樣，通過濺射或光刻法形成的第二配線25，如圖5所示，在基板5上與第一配線20連接，通過在圖4所示的所述傾斜面10a上盤繞，形成在底座10上，再在所述絕緣部40的傾斜面40a上盤繞，與IC芯片30的上表面(第一面32)一側(cè)形成的電極34連接。
因此，所述第一配線20和所述第二配線25的連接部、電極34和第二配線25的連接部成為以面連接的狀態(tài)。
以覆蓋所述第一配線20和所述第二配線25的連接部、所述IC芯片30上的方式，由樹脂35澆鑄并保護(hù)著。據(jù)此，從基板到配線接合部分、配線部分、IC芯片安裝部分由樹脂覆蓋，所以尤其能提高耐濕度、可靠性。
下面，參照?qǐng)D6(a)～(f)，說明本實(shí)施例的電子裝置2的制造方法。而且，在本實(shí)施例中，圖6(a)所示的底座10的制造工序、圖6(b)所示的所述底座10和基板5的粘貼工序相同，省略說明。
在基板5上粘貼底座10后，如圖6(c)所示，使用粘合層39在所述底座10上粘貼IC芯片30。而且，在圖6(c)中，模式地表示IC芯片30。接著如圖6(d)所示，在IC芯片30的側(cè)面形成絕緣部40。這時(shí)，絕緣部40形成為具有向著底座10的底面，向外側(cè)傾斜的傾斜面40a。
另外，所述絕緣部40可以由聚酰亞胺樹脂、硅變性聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅變性環(huán)氧樹脂、苯環(huán)丁烯(BCBbenzocyclobutene)、聚苯并唑(PBOpolybenzoxazole)等樹脂形成。另外，所述絕緣部40可以通過澆鑄封裝(potting)液狀樹脂而形成，也可以通過固定干薄膜而形成。而且，可以在形成粘合層39的粘合劑之外，設(shè)置材料，形成所述絕緣部40，也可以使用相同的材料。
另外，優(yōu)選在IC芯片30的電極34上的全面覆蓋Ni等的電鍍。據(jù)此，能防止在電極34上形成氧化膜。進(jìn)而，在電極34上形成由Al、Ni-Cr、Cu、Ni、Au或Ag等金屬材料構(gòu)成的突起(凸臺(tái))，謀求第二配線25和電極34的導(dǎo)通。
接著如圖6(e)所示，在基板5上形成與所述第一配線連接，并且與設(shè)置在IC芯片30的上表面一側(cè)即第一面32一側(cè)的電極34連接的第二配線25。
作為所述第二配線25的形成方法，與所述實(shí)施例同樣，通過濺射和光刻法，涂敷金屬膜，以覆蓋第一配線20和底座10。作為金屬膜，能使用導(dǎo)電性優(yōu)異的各種材料。另外，也可以在進(jìn)行濺射前，通過進(jìn)行等離子體處理，增加金屬膜的密接性。而且，所述第二配線25可以由電鍍處理、濺射法、濺射掩模法、CVD法、或噴墨法形成。
而且，通過噴鍍等涂敷光致抗蝕劑，通過熱處理使光致抗蝕劑固化，通過實(shí)施曝光處理和顯影處理，形成所需圖案的第二配線25。
這時(shí)，如圖5所示，所述第二配線25在基板5上與第一配線20連接著，第二配線25和第一配線20在面接觸的狀態(tài)下連接著。另外，所述第二配線25與IC芯片30的電極34也成為面接觸的狀態(tài)。而且，優(yōu)選設(shè)置凸臺(tái)，或設(shè)置阻擋層金屬(barrier metal)，使IC芯片30的電極34的表面不易氧化。
然后，如圖6(f)所示，由樹脂35澆鑄，以覆蓋所述第一配線20和第二配線25的連接部、以及所述IC芯片30上。
通過以上的工序制造本發(fā)明的電子裝置2。
根據(jù)這樣的電子裝置2，與所述實(shí)施例中的電子裝置1同樣，在第一配線20上重疊形成第二配線25，能可靠地使第一配線20和第二配線25導(dǎo)通，所述第一配線20和第二配線25的接合部在基板5面上成為面接觸的狀態(tài)。因此，能增加第一配線20和第二配線25的連接部的強(qiáng)度，尤其能提高耐溫度周期、彎曲和落下等可靠性試驗(yàn)中的連接可靠性，并增加接合部的強(qiáng)度而防止斷線。
另外，如果使所述底座10的端面的至少一部分對(duì)于所述基板5的上表面，形成銳角的傾斜面10a，就能防止在底座10和基板5的接合部，第二配線25尖銳彎曲引起的斷線，能提高電子裝置2的可靠性。另外，當(dāng)不使用底座10，直接將具有傾斜面的IC芯片30安裝在基板5上時(shí)，與底座10同樣，也能防止第二配線25的短線，能提高電子裝置的可靠性。
另外，在所述底座10上設(shè)置著IC芯片30，該IC芯片30連接在所述第二配線25上，所以設(shè)置在底座10上的IC芯片30與第二配線25連接，通過第二配線25與基板5上的第一配線20導(dǎo)通。
另外，所述第二配線25與形成在所述IC芯片30的上表面一側(cè)的電極34連接著，所以在底座10上設(shè)置IC芯片30后，形成第二配線25。因此，能同時(shí)進(jìn)行第二配線25的形成、與IC芯片30的連接，能謀求電子裝置2的制造工序的大幅度簡(jiǎn)化。另外，通過光刻處理，能與第二配線25對(duì)應(yīng)，對(duì)光致抗蝕劑圖案形成，所以能以微細(xì)的間隔形成第二配線25。
根據(jù)這樣的電子裝置2的制造方法，所述第一配線20和第二配線25的接合部在基板5上，不是以線，而是以面連接，所以能增加連接部的強(qiáng)度。
因此，防止例如彎曲或落下等引起的從外部對(duì)接合部作用力時(shí)的接合部的短線，能提高連接可靠性。另外，能同時(shí)進(jìn)行第二配線25的形成和與第一配線20的連接，所以能減少制造工序。這一點(diǎn)表示，尤其連接數(shù)越多的構(gòu)造，就越對(duì)工序負(fù)載的削減有利。
另外，通過將第二配線25繞到所述底座10的端面的傾斜面10a上，能防止在底座10和基板5的接合部，第二配線25尖銳彎曲引起的斷線。
另外，在所述底座10上設(shè)置IC芯片30后，形成第二配線25，以使與所述IC芯片30的上表面一側(cè)形成的電極34連接，所以能同時(shí)進(jìn)行第二配線25的制造、IC芯片30和第二配線25的接合，能簡(jiǎn)化電子裝置2的制造工序。
另外，由于在該IC芯片30的側(cè)部設(shè)置有絕緣部40，所以第二配線25在形成在IC芯片30的上表面的電極34部分以外絕緣。因此，能防止形成在絕緣部40上的第二配線25和IC芯片30的端面的短路。另外，IC芯片30的表面由鈍化膜16覆蓋著，所以能防止IC芯片30和第二配線25的短路。
另外，所述絕緣部40備有傾斜面40a，所以將第二配線25繞到IC芯片30的電極34一側(cè)時(shí)，通過利用所述傾斜面40a使第二配線尖銳彎曲引起的斷線不易發(fā)生。另外，所述傾斜面40a對(duì)于所述底座10的上表面呈銳角，所以第二配線25對(duì)于底座10的梯度變緩，能防止第二配線25端線。
另外，與底座10的端部的傾斜部10a同樣，通過濺射等在所述傾斜部40a上形成第二配線25時(shí)，所述絕緣部40上的端面成為傾斜面40a，使所述傾斜面40a向著濺射靶方向，濺射的附著性提高，所以膜厚穩(wěn)定，涂敷的光致抗蝕劑全面曝光，所以能穩(wěn)定地曝光，能使第二配線25的形成變得容易。因此，能形成在所述絕緣部40和底座10之間可靠連接的第二配線25。同樣，通過濺射法、濺射掩模法、CVD法或噴墨法形成第二配線25時(shí)，在絕緣部40和底座10之間能可靠地連接。
下面說明本發(fā)明的電子裝置的實(shí)施例4。
圖7是模式地表示實(shí)施例4的電子裝置的側(cè)剖視圖。而且，對(duì)于與所述實(shí)施例1共同的構(gòu)成要素付與相同的符號(hào)，省略詳細(xì)的說明。
如圖7所示，在本實(shí)施例中，在配置在基板5上的底座10上再配置著其他底座17。即在基板5上以2級(jí)構(gòu)造配置著底座10、17。而且，基板5上配置的底座并不局限于2級(jí)，能以多級(jí)配置。
另外，作為在底座10上粘貼其他底座17的方法，能通過由粘合劑構(gòu)成的粘合層12粘貼，也可以不使用粘合材料，例如通過常溫接合或原子間接合粘貼。底座17的端面與所述實(shí)施例同樣，具有對(duì)于基板5成為銳角的傾斜面。
所述第二配線25如所述實(shí)施例1和實(shí)施例2中說明的那樣，由濺射和光刻法形成。另外，第二配線25如圖7所示，從第一配線20上沿著底座10的傾斜面、底座17的傾斜面和絕緣部40的傾斜面40a，到達(dá)IC芯片30的上表面(第一面32)盤繞，與IC芯片30的上表面(第一面32)的電極34連接。據(jù)此，第一配線20和IC芯片30的電極34，通過第二配線25電連接。而且，也能通過濺射法、濺射掩模法、CVD法或噴墨法形成第二配線25。
根據(jù)本實(shí)施例的電子裝置，能實(shí)現(xiàn)與所述實(shí)施例同樣的作用效果。即在基板5上層疊多級(jí)底座10、17時(shí)，也通過電鍍處理形成第二配線25，所以使第一配線20和第二配線25可靠地面接合并電連接。因此，能使電子裝置為多級(jí)構(gòu)造。
在所述實(shí)施例中，說明了在IC芯片30周圍形成的絕緣部40具備傾斜面40a，但是所述絕緣部40的形狀也可以如下。
例如，如圖8所示，絕緣部40形成為其一部分跨在IC芯片30的第一面32(具體而言，鈍化膜16)上。絕緣部40的一部分跨在比IC芯片30的電極34更周緣一側(cè)的部分。
另外，為了防止電極34由絕緣部40覆蓋，絕緣部40可以停止到從電極34遠(yuǎn)離的位置(比電極更周緣一側(cè)的位置)。或者也可以使絕緣部40形成為與電極34的從鈍化膜16的露出部相鄰。這時(shí)，第二配線25不跨在與它密接性低的鈍化膜16上。絕緣部40具有與IC芯片30相鄰，從第一面32隆起的部分。其他的構(gòu)成相當(dāng)于與圖1所示的IC芯片30相同的內(nèi)容。
另外，如圖9所示，絕緣部40形成為其一部分不跨在IC芯片30的第一面32上。絕緣部40具有與IC芯片30相鄰，從第一面32隆起的部分。絕緣部40在與IC芯片30相反一側(cè)具有階梯狀的部分。其他的構(gòu)成相當(dāng)于與圖1所示的IC芯片30相同的內(nèi)容。
另外，如圖10所示，絕緣部40和粘合層可以一體化形成。粘合層52由與絕緣部40相同的材料形成。這時(shí)，在底座10和IC芯片30之間設(shè)置絕緣性的粘合劑，通過在底座10和IC芯片30之間作用按壓力，將所述粘合劑向IC芯片30的相鄰壓出，從該粘合劑形成絕緣部40和粘合層52。
所述絕緣部40的傾斜面54是凹面(例如在與第一面32垂直的截面中，描繪曲線的凹面)。其他的構(gòu)成相當(dāng)于與圖1所示的IC芯片30相同的內(nèi)容。
另外，如圖11所示，絕緣部40和粘合層62可以一體化形成。粘合層62由與絕緣部40相同的材料形成。在底座10和IC芯片30之間設(shè)置絕緣性的粘合劑，在底座10和IC芯片30之間作用按壓力，將粘合劑向IC芯片30的相鄰壓出，從該粘合劑形成絕緣部40和粘合層62。絕緣部40的傾斜面64是凸面(例如在與第一面32垂直的截面中，描繪曲線的凸面)。其他的構(gòu)成相當(dāng)于與圖1所示的IC芯片30相同的內(nèi)容。
本發(fā)明并不局限于所述實(shí)施例，各種變更成為可能。例如第二配線25形成在底座10的外周面上，但是形成在底座10上設(shè)置的開口部時(shí)，通過在該開口部的內(nèi)側(cè)面(端面)上盤繞，可以與開口部中形成的配線連接并導(dǎo)通。另外，在本實(shí)施例中，說明了底座10上形成的其他零件為IC芯片30，但是代替IC芯片30，也可以是被動(dòng)零件(電阻器、電容器、電感)等。也可以配置不同種類、多個(gè)。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，其特征在于在形成了第一配線的基板上設(shè)置底座，在所述底座上形成第二配線，所述第二配線在所述基板面上與所述第一配線連接著。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于所述底座的端面的至少一部分對(duì)于所述基板的上表面成為傾斜面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于所述傾斜面成為形成銳角的傾斜面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于在所述底座上設(shè)置有其他零件，該其他零件連接在所述第二配線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其特征在于所述第二配線連接在所述其他零件的上表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電子裝置，其特征在于所述其他零件是IC芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意一項(xiàng)所述的電子裝置，其特征在于所述底座由多個(gè)底座層疊而成。
8.一種電子裝置，其特征在于在形成了第一配線的基板上設(shè)置其他零件，在該其他零件的上表面上形成第二配線，該第二配線在所述基板面上與所述第一配線連接著的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于所述其他零件是IC芯片。
10.一種電子裝置的制造方法，其特征在于，包括在基板上形成第一配線和底座的工序；在所述基板上，在該基板面上與所述第一配線連接，并且繞到所述底座上的狀態(tài)下，形成第二配線的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子裝置的制造方法，其特征在于所述底座的端面的至少一部分對(duì)于所述基板的上表面成為傾斜面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子裝置的制造方法，其特征在于所述傾斜面成為形成銳角的傾斜面。
13.根據(jù)權(quán)利要求10～12中的任意一項(xiàng)所述的電子裝置的制造方法，其特征在于在所述底座上設(shè)置有其他零件，該其他零件連接在所述第二配線上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子裝置的制造方法，其特征在于還具有在所述底座上形成其他零件的工序；在形成所述第二配線的工序中，在所述其他零件的上表面上形成所述第二配線。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的電子裝置的制造方法，其特征在于所述其他零件是IC芯片。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子裝置的制造方法，其特征在于在所述IC芯片的側(cè)面的至少一部分上設(shè)置有絕緣部，該絕緣部的端面對(duì)于底座的上表面成為傾斜面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子裝置的制造方法，其特征在于所述傾斜面成為呈銳角的傾斜面。
全文摘要
在形成了第一配線(20)的基板(5)上設(shè)置底座(10)，在底座(10)上形成第二配線(25)，第二配線(25)在基板(5)上與第一配線(20)連接著。而且，底座(10)的端面的至少一部分成為對(duì)于所述基板(5)的上表面，形成銳角的傾斜面(10a)。另外，在底座(10)上設(shè)置其他零件(30)，其他零件(30)與第二配線(25)連接著。提供形成在基板上形成的配線、通過階差與該基板連接的配線時(shí)，防止這些配線的連接部分的斷線，提高連接可靠性的電子裝置及其制造方法。
文檔編號(hào)B81C3/00GK1747165SQ200510092159
公開日2006年3月15日 申請(qǐng)日期2005年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月9日
發(fā)明者橋元伸晃 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社