專(zhuān)利名稱(chēng)：微電子部件的封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子部件的封裝，其包括載體元件，該載體元件具有導(dǎo)線；微電子部件，其被安裝在載體元件上并且經(jīng)由鍵合線連接到導(dǎo)線；以及密封材料，其用于密封鍵合線并暴露微電子部件的上表面的中心區(qū)。
背景技術(shù)：
微電子部件的這種封裝是公知的。下面描述現(xiàn)有技術(shù)中已知的這類(lèi)封裝的兩種常見(jiàn)設(shè)計(jì)，以給出本發(fā)明的介紹。在圖1和2中示出了這些設(shè)計(jì)，其中相同的標(biāo)號(hào)表示相同或相似的部分。圖1示出微電子部件的封裝的示意截面圖。封裝IO包括載體元件12,其具有包括 導(dǎo)線14的第一側(cè)16。微電子部件20通過(guò)粘合劑22安裝在襯底的裸 片焊盤(pán)18上，粘合劑22通常是導(dǎo)電和/或?qū)嵴澈蟿?。以這種方式， 裸片焊盤(pán)(優(yōu)選地包括金頂層)可以充當(dāng)散熱以及接地區(qū)域。典型地， 微電子部件和裸片焊盤(pán)為四邊形或甚至正方形的形狀。微電子部件 20具有第一表面24以及與第一表面24朝向相反的第二表面23。微 電子部件通過(guò)它的第二表面23連接到載體元件12的第一側(cè)16。微 電子部件20包括在圖中示意性示出的接觸端子26或鍵合焊盤(pán)。接觸 端子26經(jīng)由各個(gè)鍵合線(例如細(xì)金線)28被連接到各根導(dǎo)線14， 一 個(gè)末端附著于導(dǎo)線14而另一末端附著于微電子部件20。導(dǎo)線為作為 微電子裝置的完整封裝提供輸入和/或輸出端子用以接收輸入信號(hào)或 提供輸出信號(hào)。由于進(jìn)行這種鍵合的方法是公知的，所以在此不必詳 細(xì)說(shuō)明。外層32,諸如阻焊層，覆蓋了載體元件12的導(dǎo)線14中的一部 分，層32確定了在第一側(cè)16的連接區(qū)域34。連接區(qū)域34被用來(lái)把 微電子裝置連接到外部。例如區(qū)域34能被焊接或連接到其它電子裝置或部件的連接器或端子。通常也已知這種連接，在這里不需要進(jìn)一 步說(shuō)明。密封材料30部分地密封載體元件12、微電子部件20和鍵合線28的組件。這種密封材料典型地包括一種聚合材料，通過(guò)某種注入裝置把所述聚合材料注入到各個(gè)區(qū)域上。通常使用環(huán)氧基材料，其在 注入后固化，在微電子部件周?chē)纬森h(huán)氧材料的閉環(huán)。注入裝置被分 別恰好定位在第一側(cè)上和在第一表面上，并且在分配環(huán)氧材料時(shí)按照 期望的圖形移動(dòng)，硬化后環(huán)氧材料形成上述閉環(huán)。在現(xiàn)有技術(shù)中，密封材料30有時(shí)指的是圓頂封裝材料或圓頂封裝環(huán)。固化后，密封材 料30分別確定處在第一側(cè)16上的外邊緣36和處在第一表面24上的 內(nèi)邊緣38。內(nèi)邊緣38確定了微電子部件的暴露的中心區(qū)40。很多不同類(lèi)型 的微電子裝置需要在密封塑性封裝中開(kāi)口，以暴露一個(gè)對(duì)周?chē)h(huán)境敏 感或活性(active)的區(qū)域。第一例子是微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，諸 如安全氣囊加速記和陀螺裝置，這些裝置包含獨(dú)立式的結(jié)構(gòu)，這些結(jié) 構(gòu)必須能移動(dòng)、旋轉(zhuǎn)等。同樣地，具有化學(xué)敏感、壓力敏感、或溫度 敏感區(qū)域的微傳感器也必須通過(guò)傳感器表面上的沒(méi)有遮擋地暴露的 區(qū)域暴露于環(huán)境。最后，光學(xué)活性微電子裝置需要通過(guò)塑性封裝中的 開(kāi)口或暴露區(qū)域進(jìn)行光訪問(wèn)。光學(xué)活性裝置的例子是電荷耦合器件 (CCD)、光電池、光電二極管、和垂直空腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL'S)。這些裝置中某些發(fā)射光而某些接收光；它們都被認(rèn)為 是"光學(xué)活性"的。所有裝置的共同點(diǎn)是它們?cè)谝粋€(gè)表面上包含傳感 元件，這個(gè)傳感元件必須沒(méi)有遮擋地暴露于環(huán)境中以接收或提供來(lái)自 外部環(huán)境的各個(gè)輸入或輸出信號(hào)。實(shí)際上已知這些類(lèi)型的微電子裝置 的功能，因此在這里就不詳細(xì)討論。如圖1所示的這種微電子裝置的一個(gè)問(wèn)題是中心區(qū)40的總表面 積難以控制。當(dāng)密封材料被注入時(shí)，它將朝著圖1中的箭頭A、 B和 C所指示的方向流動(dòng)。密封材料的最后形狀至少依賴(lài)這些參數(shù)注入 過(guò)程、注入材料的材料特性(尤其它的流變能力特性)、注入前封裝 的確切幾何形狀和固化參數(shù)?？紤]到這么多的影響因素，當(dāng)注入密封材料時(shí)，很難獲得關(guān)于中心區(qū)的總表面積的高處理可靠性。這樣會(huì)減 小必須沒(méi)有遮擋地暴露的微電子部件上的傳感元件的操作窗口，從而 將導(dǎo)致收率損失大。當(dāng)中心區(qū)被限制太多時(shí)，微電子部件不能正確地 工作。因此，需要影響或控制密封材料的最后形狀，尤其是控制其內(nèi) 邊緣的形成。美國(guó)專(zhuān)利6,674,159通過(guò)公布了類(lèi)似于圖1的封裝解決了前段 中所提到的問(wèn)題。這種封裝在圖2中示出；封裝50包括堤壩42，堤 壩42被放置或被制作在微電子部件20的第一表面24的上面。應(yīng)該 注意US 6,674,159所公布的實(shí)際微電子裝置在關(guān)于微電子部件與載 體元件的連接結(jié)構(gòu)上有某些不同的設(shè)計(jì)，例如沒(méi)有裸片焊盤(pán)而是光學(xué) 透明材料的窗口。然而這個(gè)不同與本發(fā)明不相關(guān)。相關(guān)的是US 6,674,159中的封裝也具有一個(gè)微電子部件，該微電子部件在上表面 上具有中心區(qū)，這個(gè)中心區(qū)暴露于來(lái)自外部環(huán)境的輸入和輸出信號(hào)， 并且該部件被安裝在襯底或載體元件上，其中都通過(guò)鍵合線連接部 件。聚合密封材料30被灌注或分配進(jìn)堤壩42外的區(qū)域的鍵合線28 的周?chē)靡悦芊夂捅Ｗo(hù)鍵合線28。堤壩42環(huán)繞中心區(qū)40并且阻 止密封材料30流進(jìn)中心區(qū)40。US6,674,159中所提出的解決辦法的 一個(gè)明顯的缺點(diǎn)是堤壩占 據(jù)了微電子裝置的上表面的相當(dāng)寶貴的空間。這將減小接觸端子和/ 或傳感元件所能獲得的面積。而且，這個(gè)表面包括敏感微電子裝置， 當(dāng)把堤壩安裝在微電子部件上時(shí)，這些微電子裝置很容易被破壞。另 一個(gè)缺點(diǎn)是例如通過(guò)粘合層把堤壩安裝在微電子部件的表面可能導(dǎo) 致位于附近的鍵合焊盤(pán)的污染。最后，堤壩的形成和安裝向封裝的制 造過(guò)程添加了另外的處理步驟。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種微電子部件的封裝，這種封裝能夠使 微電子部件獲得具有足夠表面積的暴露區(qū)，同時(shí)其相應(yīng)的上表面不被干擾。因此，本發(fā)明提供一種微電子部件的封裝，包括 載體元件，具有包含導(dǎo)線的第一側(cè)；微電子部件，具有第一表面以及與第一表面朝向相反的第二表面；微電子部件通過(guò)所述第二表面被安裝在所述第一側(cè)上并且經(jīng)由鍵 合線與導(dǎo)線連接；聚合密封材料，其密封鍵合線以及暴露所述第一表面的中心區(qū)， 密封材料包括處在所述第一側(cè)的外邊緣和處在所述第一表面的內(nèi)邊 緣；堤壩，與所述密封材料鄰接；其中，堤壩包括處在所述第一側(cè)的臺(tái)階狀表面過(guò)渡，這個(gè)表面 過(guò)渡與所述外邊緣鄰接。本發(fā)明基于以下認(rèn)識(shí)，即在第一側(cè)具有這樣 的表面過(guò)渡不僅影響密封材料外邊緣而且影響內(nèi)邊緣的形成。實(shí)驗(yàn)己 經(jīng)指出這種堤壩不僅限制密封材料如圖1中的方向B所示的向外流 動(dòng)而且還明顯地限制方向C所指示的向內(nèi)流動(dòng)，因此擴(kuò)大了中心區(qū)。 所以，在制造密封材料的過(guò)程中，堤壩影響了外邊緣和內(nèi)邊緣的形成。 這改進(jìn)了對(duì)中心區(qū)總面積的控制并且保證了這個(gè)表面積高于臨界水 平。因此改進(jìn)了注入密封材料過(guò)程中的處理能力。這種現(xiàn)象的完整的 理論解釋還沒(méi)有被發(fā)現(xiàn)，但是應(yīng)該說(shuō)已經(jīng)超出了本公開(kāi)的范圍。假設(shè) 由于外邊緣與表面過(guò)渡鄰接，所以在第一側(cè)的接觸角大大地增加，那 么在固化階段，密封材料上的變化的表面張力也會(huì)影響第一表面或內(nèi) 邊緣上的接觸角。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在第一側(cè)提供一個(gè)外層，所述層保護(hù) 導(dǎo)線的一部分，其中所述表面過(guò)渡處在一方面為所述外層、另一方面 為所述第一側(cè)的所述導(dǎo)線和底層之間。外層優(yōu)選地是阻焊層。阻焊層 被特別設(shè)計(jì)用以既保護(hù)導(dǎo)電表面軌跡又在焊接過(guò)程中用以防止焊橋。 在安裝微電子部件前，這種層經(jīng)常被應(yīng)用在載體元件上。由于正常情 況下在該外層和它下面的第一層或?qū)Ь€之間的某種表面過(guò)渡已經(jīng)存 在，所以可以有利地使用這個(gè)外層來(lái)產(chǎn)生堤壩。在這種情況下，應(yīng)該 確保正確放置產(chǎn)生表面過(guò)渡的外層的邊緣并且保證它具有足夠的厚 度。根據(jù)另一優(yōu)選實(shí)施例，堤壩包括頂層，該頂層處在所述第一側(cè) 并且與所述外邊緣相鄰。尤其優(yōu)選地，這個(gè)頂層呈矩形條帶形狀。這允許應(yīng)用現(xiàn)有載體元件，這些載體元件只需要附加的頂層就能適合于 根據(jù)本發(fā)明的封裝。通過(guò)應(yīng)用矩形條帶形狀的層，保證了需要最小數(shù) 量的附加材料并且密封材料采用優(yōu)選的形狀。根據(jù)另一優(yōu)選實(shí)施例，堤壩的高度小于密封材料高度的十分之 一。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，只需一點(diǎn)材料在第一側(cè)產(chǎn)生臺(tái)階狀表面過(guò)渡即可滿(mǎn)足 本發(fā)明的目的。根據(jù)前面提到的本發(fā)明實(shí)施例中的任何一個(gè)，本發(fā)明還涉及將 用在微電子部件的封裝中的載體元件。根據(jù)前面提到的本發(fā)明實(shí)施例中的任何一個(gè)，本發(fā)明還涉及包 括微電子部件封裝的微電子裝置。本發(fā)明還進(jìn)一步涉及制造微電子部件封裝的方法，該方法包括- 在第一側(cè)提供具有導(dǎo)線的載體元件；- 在第一側(cè)上提供包括臺(tái)階狀表面過(guò)渡的堤壩；安裝具有第一表 面以及與第一表面朝向相反的第二表面的微電子部件，其中微 電子部件的第二表面與載體元件的第一側(cè)連接；- 把微電子部件和導(dǎo)線進(jìn)行引線鍵合；- 把流體聚合密封材料分配給載體元件和微電子部件的組件以密 封引線鍵合，同時(shí)暴露第一表面的中心區(qū)，并且密封材料的外邊緣與表面過(guò)渡鄰接；- 在爐內(nèi)固化密封材料。優(yōu)選地，在第一側(cè)提供堤壩的步驟包括在第一側(cè)上應(yīng)用一個(gè)矩 形條帶形狀的頂層。這種方法使得制造的封裝具有足夠表面積的中心 區(qū)而不影響第一表面，并且只需要對(duì)現(xiàn)有部件做很小的改動(dòng)。注意美國(guó)專(zhuān)利6，861，683和6,303,978示出一種微電子部件的封 裝，該封裝具有在載體元件的第一側(cè)提供堤壩，所述堤壩鄰接密封材 料的外邊緣。然而這些封裝之間的重要區(qū)別是密封材料完全填滿(mǎn)了堤 壩和載體元件之間的空隙而不保留暴露于環(huán)境的中心區(qū)。通過(guò)應(yīng)用透 明的密封材料，該封裝實(shí)際上可以用于需要用以提供和接收光信號(hào)的 "光學(xué)活性區(qū)域"的微電子裝置，但是這種封裝明顯地不能被用于以 下微電子裝置，諸如MEMS系統(tǒng)或在上表面包括有對(duì)熱、壓力或化學(xué)物質(zhì)敏感的傳感元件的裝置。


參考圖表，接下來(lái)的描述將進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的上述方面以及 其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)，其中相同的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的部分，其 中圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的微電子部件的封裝的橫截面圖； 圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的微電子部件的另一封裝的橫截面圖； 圖 3示出根據(jù)本發(fā)明的微電子部件的封裝的優(yōu)選實(shí)施例的橫截面圖；圖4a和圖4b分別示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)(圖4a)和根據(jù)本發(fā)明(圖 4b)的微電子部件的封裝的透視俯視圖。
具體實(shí)施方式
在圖3中，示出封裝70的橫截面圖，該圖是沿圖4b中的線3-3 截取的。封裝70包括提供在第一側(cè)的外層32上的堤壩44。該堤壩 包括臺(tái)階狀表面過(guò)渡46，臺(tái)階狀表面過(guò)渡處在外層32和導(dǎo)線14或 在外層下的層49 (見(jiàn)圖4a和圖4b)之間。在圓頂封裝材料30的固 化過(guò)程中，該堤壩影響圓頂封裝材料30的形狀從而擴(kuò)大中心區(qū)40 的寬度L并且因此擴(kuò)大中心區(qū)的表面面積。處理外層32的各個(gè)內(nèi)邊 緣48 (見(jiàn)圖1)、使密封材料面對(duì)適當(dāng)位置并且在層32的頂部上應(yīng) 用一個(gè)附加層，該附加層與層32的所述邊緣平行，從而形成了堤壩 44，如圖3所示。另一種方案是，將外層32的邊緣48布置得更靠近 載體元件12的外部，而附加層被應(yīng)用在導(dǎo)電軌跡和第一底層的上面， 條帶k的附加層分別鄰接外層32和外邊緣36。優(yōu)選地，在這種情況 下頂層被制成稍微厚些，或者至少比外層32厚。外層32優(yōu)選地是阻焊層，該層經(jīng)常被應(yīng)用于這些類(lèi)型的封裝中 以覆蓋和保護(hù)導(dǎo)電表面軌跡。在第一側(cè)產(chǎn)生表面過(guò)渡的備選方案是在外層32中布置一個(gè)凹 槽，所述凹槽的一個(gè)基本上垂直的外壁用作所需的表面過(guò)渡。針對(duì)這種實(shí)施例，外層32應(yīng)該具有足夠的厚度。另一種可能的方案是，從圖l中的實(shí)施例開(kāi)始，不應(yīng)用任何附加層，布置外層32使得其內(nèi)邊 緣48 (見(jiàn)圖1)被移動(dòng)到載體元件12的外部(方向B和C)。通過(guò) 這種方法內(nèi)邊緣48可以形成表面過(guò)渡，密封材料30鄰接這個(gè)邊緣。 對(duì)于這種實(shí)施例，外層32也應(yīng)該具有足夠的厚度。目前通常使用的 防護(hù)外層的層厚度是不夠的。根據(jù)本發(fā)明的臺(tái)階狀表面過(guò)渡應(yīng)該是這樣的與密封材料的外 邊緣的周?chē)鷧^(qū)域中的第一側(cè)是平坦的情況相比，臺(tái)階狀表面過(guò)渡影響 或大大增加了與第一側(cè)的這個(gè)過(guò)渡鄰接的密封材料的接觸角。在與該 過(guò)渡鄰接的兩個(gè)表面之間不需要垂直的壁。堤壩的高度h優(yōu)選地比圓頂封裝環(huán)30的高度H低很多，H至少 是h的十倍。典型的尺寸是圓頂封裝高度為400um而堤壩高度為 20-30 w m。實(shí)驗(yàn)已經(jīng)顯示對(duì)于具有2.75 mm2原始表面積的封裝來(lái)說(shuō)， 當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的堤壩被應(yīng)用在第一側(cè)上時(shí)，這個(gè)面積增加到5.724 mm20載體元件12可以是包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或金屬結(jié)構(gòu)的任何元件，這種 結(jié)構(gòu)被嵌入在非導(dǎo)電復(fù)合材料中并且適合于容納微電子部件?？梢园训虊?4的產(chǎn)生與載體元件12的制造集成到一起。優(yōu)選 地增加附加的阻焊頂層，該頂層呈矩形形狀的條帶。結(jié)合該堤壩相對(duì) 小的高度，這意味著為了創(chuàng)建根據(jù)本發(fā)明的工作實(shí)施例，不僅需要較 少的附加材料而且附加處理也相對(duì)少。與用以獲得如US專(zhuān)利 6,674,159所公布的堤壩所需要的附加制造相比，該附加處理尤其地 少。在這些情況下，附加工作是部分封裝本身的制造過(guò)程的一部分， 并且這些附加工作涉及對(duì)微電子部件的處理步驟，而根據(jù)本發(fā)明，附 加工作僅僅涉及對(duì)載體元件的很小改動(dòng)。按照下面的方式，可以在現(xiàn)有的載體元件或襯底上形成條帶狀 的堤壩。首先，在第一側(cè)的外部阻焊層頂部絲網(wǎng)印刷一層流體阻焊材 料。然后把暴露矩形條帶的掩模放置在這個(gè)層上，利用紫外光裝置固 化這個(gè)條帶。最后化學(xué)剝除未曝光部分，留下所需要的堤壩結(jié)構(gòu)。圖4a和4b分別示出根據(jù)本發(fā)明的微電子部件的封裝70和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的封裝10的透視俯視圖。圖4b更清晰地示出具有矩形條帶形狀的堤壩44，密封材料30鄰接該條帶。該條帶優(yōu)選地是正方形。 該堤壩包括在條帶的上表面和導(dǎo)電軌跡M或第一底層49(在外層32 正下)之間的臺(tái)階狀表面過(guò)渡。為了清楚起見(jiàn)，僅示出了一半圓頂封 裝材料。密封材料30把中心區(qū)30暴露給外界環(huán)境，當(dāng)在存在堤壩 44的情況下固化圓頂封裝材料時(shí)，中心區(qū)的表面積更大并且更好控 制。通過(guò)對(duì)比圖4a和圖4b的圓頂封裝材料30清晰地描述了這點(diǎn)。對(duì)于密封材料，優(yōu)選地使用環(huán)氧材料，諸如Hysol FP4323。采 用CAMALOT 3700環(huán)氧分配器把密封材料分配在封裝上，該分配器 具有一個(gè)以10-20 mm/s的分配速度、40-60 psi的壓力和距離微電子 部件0.7-0.8 mm的高度來(lái)操作的注入針。分配環(huán)氧材料后，環(huán)氧材 料在大約170°C的爐內(nèi)固化大約3小時(shí)。本發(fā)明可以被應(yīng)用于所有封裝，這些封裝需要在微電子部件的 上表面具有暴露的中心區(qū)域。當(dāng)討論如圖i和2所示的現(xiàn)有技術(shù)時(shí)已經(jīng)討論了這些封裝。一個(gè)典型的實(shí)例是把該封裝應(yīng)用于光電二極管集 成電路。單個(gè)光學(xué)拾波器IC例如可以被用于讀/寫(xiě)應(yīng)用從而形成一個(gè) 適合所有類(lèi)型的CD和DVD裝置的光學(xué)處理單元。根據(jù)本發(fā)明的封 裝可以進(jìn)一步應(yīng)用于球柵陣列(BGA)類(lèi)型的封裝以及用于體聲波 濾波器?？梢杂绕溆欣匕迅鶕?jù)本發(fā)明的封裝用于所謂的藍(lán)光光盤(pán)設(shè)備 中所使用的光電二極管器件。這些設(shè)備使用紫外激光光束。目前已知 的聚合或環(huán)氧材料不能抵擋這種類(lèi)型的激光輻射。這意味著了代替保 留暴露的中間區(qū)而利用光學(xué)透明材料不是這些藍(lán)光裝置的選擇。而 且，重要的是中心區(qū)具有保證激光輻射不損害密封材料的足夠面積。微電子部件可以是任何合適的部件，諸如集成電路、光電池或 MEMS器件。而且可以組合幾種微電子部件，這些微電子部件在封 裝(也稱(chēng)為系統(tǒng)級(jí)封裝)內(nèi)部彼此連接。在MEMS元件出現(xiàn)在微電 子部件的第一表面的情況下，采用某種蓋子(在圖中沒(méi)有示出)來(lái)保 護(hù)暴露區(qū)域是有利的，這種蓋子被連接到密封材料的外部區(qū)域。這種 元件通常必須能夠在一個(gè)自由空間內(nèi)旋轉(zhuǎn)、平移等，至于在其它情況下則優(yōu)選地保護(hù)這種元件以免受外界影響。所屬領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明確的是本發(fā)明不限于上面討論的示范 性實(shí)施例，多種改變或修飾可以屬于由權(quán)利要求所限制的本發(fā)明的保 護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種微電子部件的封裝(50，70)，包括-載體元件(12)，具有包含導(dǎo)線(14)的第一側(cè)(16)；-微電子部件(20)，具有第一表面(24)以及與第一表面朝向不同的第二表面(23)；通過(guò)所述第二表面，該微電子部件被安裝在所述第一側(cè)上并且經(jīng)由鍵合線(28)被連接到導(dǎo)線；-聚合密封材料(30)，其密封所述鍵合線并且暴露所述第一表面(24)的中心區(qū)(40)，該密封材料包括處在所述第一側(cè)的外邊緣(36)和處在所述第一表面的內(nèi)邊緣(38)；-堤壩(42，44)，與所述密封材料鄰接；所述堤壩的特征在于，堤壩(44)包括一個(gè)處在所述第一側(cè)(16)的臺(tái)階狀的表面過(guò)渡(46)，該表面過(guò)渡鄰接所述外邊緣(36)。
2. 如權(quán)利要求1所述的微電子部件的封裝(50)，其特征在于， 在第一側(cè)(16)上提供外層(32)，所述外層保護(hù)導(dǎo)線(14)的一部 分，并且其特征還在于，把所述表面過(guò)渡(46)布置在一方面為所述 外層和另一方面為所述第一側(cè)(16)上的所述導(dǎo)線與下層(49)之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的微電子部件的封裝(50)，其特征在于， 所述堤壩(44)包括布置在與所述外邊緣(36)鄰接的所述第一側(cè)(16)的頂層。
4. 如權(quán)利要求3所述的微電子部件的封裝(50)，其特征在于， 所述頂層形成呈矩形形狀的條帶。
5. 如權(quán)利要求1所述的微電子部件的封裝(50)，其特征在于， 所述堤壩的高度(h)小于所述密封材料的高度(H)的十分之一。
6. —種在根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的微電子部件的封裝(50)中使用的載體元件(12)。
7. —種包括根據(jù)權(quán)利要求1-5中的任何一項(xiàng)的微電子部件的封 裝(50)的微電子裝置。
8. 制造根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項(xiàng)的微電子部件的封裝的方 法，該方法包括- 提供載體元件，該載體元件在第一側(cè)具有導(dǎo)線；- 在第一側(cè)提供堤壩，該堤壩包括臺(tái)階狀表面過(guò)渡；- 安裝具有第一表面和與第一表面朝向不同的第二表面的微 電子部件，其中所述微電子部件的第二表面與所述載體單元的第一側(cè)連接；- 把所述微電子部件引線鍵合到所述導(dǎo)線；- 把流體聚合密封材料分配到載體元件和微電子部件的組件 上，從而密封引線鍵合而暴露所述第一表面的中心區(qū)，所述密封材料的外邊緣與所述表面過(guò)渡鄰接；- 在爐內(nèi)固化密封材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造微電子部件的封裝的方法，其中 在第一側(cè)提供堤壩的步驟包括在第一側(cè)應(yīng)用一個(gè)具有矩形條帶形狀 的頂層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微電子部件的封裝(50，70)，其包括載體元件(12)，具有包含導(dǎo)線(14)的第一側(cè)(16)；微電子部件(20)，具有第一表面(24)和與第一表面朝向相反的第二表面(23)；通過(guò)所述第二表面來(lái)把微電子部件安裝在所述第一側(cè)上并且經(jīng)由鍵合線(28)把微電子部件連接到導(dǎo)線；一種聚合密封材料(30)，密封所述鍵合線并且暴露所述第一表面(24)的中心區(qū)(40)，該密封材料包括處在所述第一側(cè)上的外邊緣(36)和處在所述第一表面上的內(nèi)邊緣(38)；與密封材料鄰接的堤壩(42，44)；其中，所述堤壩(44)包括處在所述第一側(cè)(16)上的臺(tái)階狀表面過(guò)渡(46)，表面過(guò)渡鄰接所述外邊緣(36)。在密封材料的制造過(guò)程中，堤壩(44)影響外邊緣(36)和內(nèi)邊緣(38)的形成并且擴(kuò)大了中心區(qū)(40)的面積。本發(fā)明還涉及制造這種微電子部件封裝的方法。
文檔編號(hào)B81B7/00GK101233619SQ200680027439
公開(kāi)日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2006年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月28日
發(fā)明者丹迪·N·扎杜卡納, 喬斯·O·阿米斯托索, 喬納森·S·卡塔拉, 諾伊·拉克松 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司