專利名稱：：具有經(jīng)配置以使應(yīng)力相關(guān)形變最小的支撐結(jié)構(gòu)的mems裝置及其制造方法具有經(jīng)配置以使應(yīng)力相關(guān)形變最小的支撐結(jié)構(gòu)的MEMS裝置及其制造方法相關(guān)申請案的交叉參者本申請案根據(jù)35U.S.C.§119(e)主張2005年8月19日申請的第60/710,019號美國臨時申請案的優(yōu)先權(quán)，所述臨時申請案全文以引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域：
無
背景技術(shù)：
：微機電系統(tǒng)(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子元件。可使用沉積、蝕刻和/或其它蝕刻去除襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對導電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學干涉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容在一個實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含提供襯底；在所述襯底上沉積電極層；在所述電極層上沉積犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔口；在所述犧牲層上沉積可移動層；在鄰近于所述可移動層處以及至少部分在所述犧牲層中的孔口內(nèi)形成支撐結(jié)構(gòu)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)包含經(jīng)選擇以使所述支撐結(jié)構(gòu)相對于所述可移動層橫向變形的趨勢最小的材料。在另一實施例中，提供一種MEMS裝置，所述MEMS裝置包含襯底；電極層，其位于所述襯底上方可移動層，其位于所述電極層上方，其中所述可移動層通常通過氣隙與所述電極層間隔開；以及剛性支撐結(jié)構(gòu)，其形成在鄰近于所述可移動層處以及至少部分在所述可移動層中的凹陷內(nèi)，其中所述剛性支撐結(jié)構(gòu)包括經(jīng)選擇以使所述支撐結(jié)構(gòu)相對于所述可移動層橫向變形的趨勢最小的材料。在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含提供襯底；在所述襯底上沉積電極層；在所述電極層上沉積犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔口；至少部分在所述孔口內(nèi)形成下伏支撐結(jié)構(gòu)；在所述下伏支撐結(jié)構(gòu)上形成可移動層形成上覆支撐結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)上覆在所述可移動層上且至少部分在所述犧牲層中的孔口內(nèi)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以使所述上覆支撐結(jié)構(gòu)相對于所述下伏支撐結(jié)構(gòu)橫向擴展或收縮的趨勢所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)最小。在另一實施例中，提供一種MEMS裝置，所述MEMS裝置包含襯底；電極層，其位于所述襯底上方；可移動層，其位于所述電極層上方，其中所述可移動層通常通過氣隙與所述電極層間隔開；下伏支撐結(jié)構(gòu)，其形成在所述可移動層下方；以及上覆支撐結(jié)構(gòu)，其形成在所述可移動層上方，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)中的至少一些上覆在所述可移動層下方的下伏支撐結(jié)構(gòu)上，且其中所述支撐結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以使所述上覆支撐結(jié)構(gòu)相對于所述下伏支撐結(jié)構(gòu)橫向擴展或收縮的趨勢所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)最小。在另一實施例中，提供一種MEMS裝置，所述MEMS裝置包含用于導電的第一裝置；用于導電的第二裝置；以及支撐裝置，其用于將所述第二導電裝置支撐在所述第一導電裝置上，其中所述第二導電裝置可響應(yīng)于所述第一與第二導電裝置之間產(chǎn)生靜電電位而相對于所述第一導電裝置移動，且其中所述支撐裝置經(jīng)配置以使支撐區(qū)內(nèi)的組件相對于彼此橫向擴展或收縮的趨勢所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)最小。圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3x3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的一個示范性幀。圖5B說明可用于對圖5A的幀進行寫入的行和列信號的一個示范性時序圖。圖6A和6B是說明包括多個干涉式調(diào)制器的視覺顯示裝置的實施例的系統(tǒng)方框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實施例的橫截面。圖8是其中個別元件包括支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件陣列的頂視平面圖。圖9A-9J是說明制造包括位于可移動層上方的支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件的方法的示意性橫截面。圖10A-IOD是說明制造包括位于可移動層下方的支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件的方法的示意性橫截面。圖11是說明其中上覆鉚釘結(jié)構(gòu)是可移動層的鏡像的干涉式調(diào)制器元件的實施例的示意性橫截面。圖12是說明其中上覆鉚釘結(jié)構(gòu)的材料和厚度與下伏柱結(jié)構(gòu)大體上相同的干涉式調(diào)制器元件的實施例的示意性橫截面。圖13是例如圖12的調(diào)制器元件的干涉式調(diào)制器元件的示意性橫截面，其中可移動層由相對于彼此對稱的層形成。圖14是其中上覆鉚釘結(jié)構(gòu)的材料和厚度與可移動層大體上相同的干涉式調(diào)制器元件的示意性橫截面。圖15是其中下伏柱結(jié)構(gòu)的材料和厚度與可移動層大體上相同的干涉式調(diào)制器元件的示意性橫截面。具體實施方式以下詳細描述針對本發(fā)明的某些特定實施例。然而，本發(fā)明可以許多不同方式實施。在本描述中參看了附圖，在整個附圖中相同部分用相同標號表示。如從以下描述中將了解，所述實施例可實施在經(jīng)配置以顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文本還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預(yù)期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手提式或便攜式計算機、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應(yīng)用中。個別MEMS元件(例如，干涉式調(diào)制器元件)可具備在個別元件內(nèi)以及個別元件的邊緣處的支撐結(jié)構(gòu)。在某些實施例中，這些支撐結(jié)構(gòu)可包含上覆在可移動層上的"鉚釘"結(jié)構(gòu)和/或下伏在可移動層下的"柱"結(jié)構(gòu)。由于沉積時層的殘余應(yīng)力和由于操作條件變化而引起的應(yīng)力(例如，由于熱膨脹系數(shù)的差異導致的內(nèi)部應(yīng)變或應(yīng)力)兩者的變化的緣故，可移動層可能不合需要地偏轉(zhuǎn)，從而改變MEMS裝置的操作。可通過支撐結(jié)構(gòu)的材料選擇和對稱布置，例如具有與可移動層或下伏支撐結(jié)構(gòu)相同的材料和厚度的支撐結(jié)構(gòu)，使此類不合需要的應(yīng)力最小或得以消除。在另外的實施例中，MEMS裝置內(nèi)兩個層之間的應(yīng)力失配可在所述層是彼此的鏡像時最小。圖1中說明包括干涉式MEMS顯示元件的一個干涉式調(diào)制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮("接通"或"開啟")狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當在黑暗("斷開"或"關(guān)閉")狀態(tài)下時，顯示元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實施例而定，可顛倒"接通"和"斷開"狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置而主要在選定的顏色處反射，從而允許除了黑白顯示以外的彩色顯示。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包括這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學腔。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光建設(shè)性地或破壞性地進行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動反射層14a處于距包含部分反射層的光學堆疊16a預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer),所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學堆疊16是導電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。所述部分反射層可由例如各種金屬、半導體和電介質(zhì)的多種部分反射的材料形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且每一層可由單一材料或材料組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16的層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示裝置中形成行電極?？梢苿臃瓷鋵?4a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當蝕刻去除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，腔19保留在可移動反射層14a與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處于機械松弛狀態(tài)，如圖1中像素12a所說明。然而，當將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應(yīng)像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內(nèi)的介電層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。圖2到5B說明在顯示器應(yīng)用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。在所述示范性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium,PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、PowerPC、ALPHA),或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項技術(shù)中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。在一個實施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22連通。在一個實施例中，所述陣列驅(qū)動器22包含將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)?？赡苄枰?例如)10伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回IO伏以下時維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此在圖3中說明的實例中存在約3到7V的所施加電壓的窗口，在所述窗口內(nèi)裝置在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為"滯后窗口"或"穩(wěn)定窗口"。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設(shè)計行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約IO伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的"穩(wěn)定窗口"內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設(shè)計在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預(yù)存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因為干涉式調(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的激活像素確認所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而激活對應(yīng)于所確認的列線的像素。接著改變所述組已確認列電極以對應(yīng)于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已確認的列電極而激活行2中的適當像素。行1像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)中。可以連續(xù)方式對整個系列的行重復(fù)此工藝以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復(fù)此工藝來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的廣泛種類的協(xié)議也是眾所周知的且可結(jié)合本發(fā)明使用。圖4、5A和5B說明用于在圖2的3x3陣列上形成顯示幀的一個可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實施例中，激活像素涉及將適當列設(shè)定為-Vbias,且將適當行設(shè)定為+AV,其分別可對應(yīng)于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當列設(shè)定為+Vbias，且將適當行設(shè)定為相同的+AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+￥1)^還是-￥1)^，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當列設(shè)定為+Vbias，且將適當行設(shè)定為-AV。在此實施例中，釋放像素是通過將適當列設(shè)定為-Vbias，且將適當行設(shè)定為相同的-AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。圖5B是展示施加到圖2的3x3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產(chǎn)生圖5A中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5A中說明的幀進行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實例中所有行均處于0伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)和(3,3)被激活。為了實現(xiàn)此目的，在行l(wèi)的"線時間(linetime)"期間，將列l(wèi)和2設(shè)定為-5伏，且將列3設(shè)定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從O升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(1,1)和(1,2)像素且松弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定為-5伏，且將列1和3設(shè)定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2,2)且松弛像素(2,1)和(2，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設(shè)定為-5伏且將列1設(shè)定為+5伏來類似地設(shè)定行3。行3選通設(shè)定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個行和列的陣列。還將應(yīng)了解，用于執(zhí)行行和列激活的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和6B是說明顯示裝置40的實施例的系統(tǒng)方框圖。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示裝置。顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風46。外殼41通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調(diào)制器顯示器。圖6B中示意說明示范性顯示裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27，所述網(wǎng)絡(luò)接口27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45和麥克風46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，所述陣列驅(qū)動器22進而耦合到顯示器陣列30。根據(jù)特定示范性顯示裝置40設(shè)計的要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線43和收發(fā)器47使得示范性顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員己知的用于傳輸和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據(jù)IEEE802.il標準(包含正EE802.11(a)、(b)或(g))來傳輸和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據(jù)BLUETOOTH標準來傳輸和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設(shè)計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線手機網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的已知信號。收發(fā)器47預(yù)處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進一步對所述信號進行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示裝置40傳輸所述信號。在一替代實施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為存儲器裝置，例如數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號傳輸?shù)綋P聲器45，且用于從麥克風46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速傳輸?shù)疥嚵序?qū)動器22。具體來說，驅(qū)動器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將己格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關(guān)聯(lián)而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動器22從驅(qū)動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個引線。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29與陣列驅(qū)動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含千涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關(guān)、觸敏屏幕、壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風46是用于示范性顯示裝置40的輸入裝置。當使用麥克風46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示裝置40的操作。電源50可包含此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實施例中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動器控制器中，其可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些實施例中，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動器22中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，上述優(yōu)化可實施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸垂下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支撐結(jié)構(gòu)，其可采用隔離的墩或柱和/或連續(xù)的壁或軌道的形式。圖7D中說明的實施例具有包含支撐插塞42的支撐結(jié)構(gòu)18，可變形層34擱置在所述支撐插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動反射層14保持懸浮在腔上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔而形成所述支柱。確切地說，支柱18由用于形成支柱插塞42的平面化材料形成。圖7E中說明的實施例是基于圖7D中展示的實施例，但也可適于與圖7A-7C中說明的實施例以及未圖示的額外實施例的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。這允許i言號沿著干涉式調(diào)制器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉式調(diào)制器充當直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對。在這些實施例中，反射層14以光學方式遮蔽在反射層的與襯底20相對側(cè)的千涉式調(diào)制器部分，其包含可變形層34。這允許對遮蔽區(qū)域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質(zhì)量。這種遮蔽允許實現(xiàn)圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44，所述總線結(jié)構(gòu)44提供使調(diào)制器的光學性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)(例如，尋址與由所述尋址導致的移動)分離的能力。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機電方面和光學方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料且使其彼此獨立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學性質(zhì)與其機械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在光學性質(zhì)方面得以優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在期望的機械性質(zhì)方面得以優(yōu)化。在某些實施例中，可能需要對例如圖7A說明的可移動反射層14的可移動層或圖7C-7E的機械層34與可移動反射層14的組合提供額外的支撐。在光學MEMS裝置(例如，干涉式調(diào)制器)中，可移動層可包括反射子層和機械子層，如下文將更詳細論述。可通過可沿著個別調(diào)制器元件的邊緣和/或在此元件內(nèi)部定位的一系列支撐結(jié)構(gòu)來提供此種支撐。在各種實施例中，這些支撐結(jié)構(gòu)可位于可移動層上方或其下方。在替代實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可延伸穿過形成于機械層中的孔口，使得從機械層的上方和下方均提供支撐。如本文所使用，術(shù)語"鉚釘"通常指經(jīng)圖案化的層，其上覆在MEMS裝置中的機械層上(通常在柱或支撐區(qū)域中的凹座或凹陷中)以為機械層提供機械支撐。優(yōu)選地(但并非總是如此)，鉚釘包含翼，所述翼上覆在機械層的上表面上以給機械層的移動增加穩(wěn)定性和可預(yù)測性。類似地，下伏在MEMS裝置中的機械層下以為機械層提供機械支撐的支撐結(jié)構(gòu)在本文中通常稱為支"柱"。在本文的許多實施例中，優(yōu)選材料是無機的，以獲得相對于有機抗蝕劑材料的穩(wěn)定性。圖8中展示此類支撐結(jié)構(gòu)的示范性布局，圖8描繪MEMS元件陣列。在某些實施例中，所述陣列可包括干涉式調(diào)制器陣列，但在替代實施例中，MEMS元件可包括具有可移動層的任何MEMS裝置?？梢?，支撐結(jié)構(gòu)62(其在所說明的實施例中為上覆鉚釘結(jié)構(gòu)，但在其它實施例中可包含下伏柱結(jié)構(gòu))沿著可移動層66的邊緣以及在MEMS元件(在此實例中為干涉式調(diào)制器元件60)的內(nèi)部定位。某些支撐結(jié)構(gòu)可包括軌道結(jié)構(gòu)64，其延伸越過兩個鄰近可移動層66之間的間隙65?？梢姡梢苿訉?6包括延伸穿過同一列內(nèi)的多個鄰近元件60的可變形材料條帶。軌道結(jié)構(gòu)64與下部電極平行延伸，所述下部電極界定與由可移動層66的條帶界定的電極交叉的行。支撐結(jié)構(gòu)62用于加固元件或像素60內(nèi)的可移動層66。有利地，將這些支撐結(jié)構(gòu)62制造成相對于調(diào)制器元件60的周圍區(qū)域較小。由于柱限制了可移動層66的偏轉(zhuǎn)且可能通常為不透明的，因此在支撐結(jié)構(gòu)62下方及其緊鄰周圍的區(qū)域不可用作顯示器中的活動區(qū)域，因為這些區(qū)域中的可移動層無法移動到完全激活的位置(例如，圖7A的可移動層14的下表面的一部分與光學堆疊16的上表面接觸的位置)。因為這可能導致圍繞柱的區(qū)域中的不合意的光學作用，所以可在支撐結(jié)構(gòu)與觀看者之間有利地提供黑暗或"黑色"掩模層，以避免這些區(qū)域中可能沖掉期望顏色的過量反射。在某些實施例中，這些支撐結(jié)構(gòu)可包括可移動層中的凹陷，以及可移動層上方和/或下方的有助于維持形狀的大體剛性結(jié)構(gòu)。雖然此類支撐結(jié)構(gòu)可由聚合物材料形成，但優(yōu)選使用具有較大剛性的無機材料，其提供優(yōu)于包括聚合材料的類似結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。舉例來說，聚合支撐結(jié)構(gòu)可能不能在廣范圍的操作溫度下維持所需的剛性水平，且可能在裝置的使用壽命內(nèi)經(jīng)受逐漸的變形或機械故障。由于此類故障可能影響可移動層與光學堆疊之間的距離，且此距離至少部分決定干涉式調(diào)制器元件所反射的波長，因此，此類故障可能導致由于隨著時間的磨損或操作溫度的變化而帶來的反射顏色的移位。其它MEMS裝置在支撐件由聚合材料形成時經(jīng)歷類似的隨著時間的降級。相對于圖9A-9J描述形成包括上覆的鉚釘支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器元件的一個工藝。在圖9A中可見，提供透明或透光的襯底70，其可包括例如玻璃或透明聚合材料。接著在透明襯底上沉積可包括氧化銦錫(ITO)的導電層72，且在導電層72上沉積可包括鉻的部分反射層74。盡管在一個實施例中，導電層72可包括ITO，且可在以下說明書中的各個點處如此提及，但應(yīng)了解，層72可包括任何合適的導電材料，且對于非光學MEMS結(jié)構(gòu)來說無需為透明的。類似地，盡管有時稱為鉻層，但部分反射層74可包括任何合適的部分反射層，且對于非光學MEMS結(jié)構(gòu)來說可省略。接著對導電層72和部分反射層74進行圖案化和蝕刻以形成底部電極(也稱為行電極)，其交叉地(例如，垂直)延伸到圖8的可移動層66，且其將用于尋址MEMS元件行。在某些實施例中，導電層和部分反射層72和74還可有利地經(jīng)圖案化和蝕刻以去除下伏在將定位有柱結(jié)構(gòu)的區(qū)域下方的ITO和鉻，從而形成如圖9B中描繪的孔口76。此圖案化和蝕刻優(yōu)選地通過形成行電極的相同工藝完成。下伏在支撐結(jié)構(gòu)下方的ITO和鉻(或其它導電材料)的去除有助于使上覆導電層(例如，可移動層)與底部電極之間短路的風險最小。因此，圖9B和后續(xù)的圖描繪由層72和74形成的連續(xù)行電極的橫截面，其中隔離孔口76已經(jīng)蝕刻，所述橫截面是沿著延伸穿過那些孔口的線截取。在導電層72和部分反射層74未經(jīng)蝕刻而形成孔口76的其它實施例中，下文論述的介電層可針對底部電極與可移動層之間的短路提供充分的保護。可經(jīng)由光刻圖案化導電層72和部分反射層74并經(jīng)由例如市售濕式蝕刻劑對其進行蝕刻。鉻濕式蝕刻劑包含乙酸(C2H402)和硝酸鈰銨[Ce(NH4)2(N03)6]的溶液。ITO濕式蝕刻劑包含HC1、HC1和HN03的混合物，或75%/3%/22%比率的FeCl3/HCl/DI和H20。一旦形成孔口76，就在導電層72和部分反射層74上沉積介電層78，如圖9C所見，從而形成光學堆疊16。在某些實施例中，介電層可包括Si02或SiNx，但可使用廣范圍的合適材料。可使用多種方法來執(zhí)行相對于本文揭示的各種實施例論述的圖案化和蝕刻工藝。所使用的蝕刻劑可以是干式蝕刻劑或濕式蝕刻劑，且可以是各向同性或各向異性的。適宜的干式蝕刻劑包含(但不限于):SF6/02、CHF3/02、SF2/02、CF4/02和NF3/02。一般來說，這些蝕刻劑適于蝕刻SiQx、SiNx、SiOxNy、旋涂玻璃、NissanTM硬膜和TaOx中的一者或一者以上，但也可通過此工藝蝕刻其它材料。對這些蝕刻劑中的一者或一者以上具有抵抗性且因此可用作蝕刻阻擋層的材料包含(但不限于)Al、Cr、Ni和Al2Cb。另外，包含(但不限于)PAD蝕刻劑、BHF、KOH和磷酸的濕式蝕刻劑可用于本文描述的工藝中，且通?？捎糜谖g刻金屬材料。一般來說，這些蝕刻劑可以是各向同性的，但可通過使用反應(yīng)性離子蝕刻(R正)、通過使蝕刻化學物質(zhì)離子化并在襯底處射出離子而變成各向異性的。圖案化可包括沉積光致抗蝕劑(PR)層(正性或負性光致抗蝕劑)，其接著用于形成掩模?；蛘?，可利用硬掩模。在一些實施例中，硬掩?？砂ń饘倩騍iNx，但將了解，硬掩模的成分可取決于待蝕刻的下伏材料和待使用的蝕刻劑的選擇性。通常使用PR層來圖案化硬掩模，接著去除PR層，且將硬掩模用作蝕刻下伏層的掩模。當使用濕式蝕刻劑時，或每當在PR掩模無法處理的條件下(例如在高溫下，或當使用基于氧的蝕刻劑時)通過掩模進行處理時，使用硬掩?？赡苡绕溆欣?。還可利用去除層的替代方法，例如灰化蝕刻或剝離工藝。形成光學堆疊16的層的厚度和定位決定了在元件激活(塌陷)從而使可移動層66與光學堆疊接觸時干涉式調(diào)制器元件所反射的顏色。在某些實施例中，光學堆疊經(jīng)配置以使得干涉式調(diào)制器元件在可移動層處于激活位置時大體上不反射任何可見光(表現(xiàn)為黑色)。通常，介電層78的厚度約為450A,但將了解，所需的厚度將基于材料的折射率和在塌陷狀態(tài)下由干涉式調(diào)制器反射的所需顏色而變化。雖然為了簡單起見說明為平面的(如果介電層78為旋涂玻璃，那么可實現(xiàn)這一效果)，但介電層78在由層72和74形成的經(jīng)圖案化的下部電極上方通常為共形的。如圖9D中可見，接著在介電層78上沉積犧牲材料層82。在某些實施例中，此犧牲層82由可通過基于氟的蝕刻劑(明確地說，XeF2)蝕刻的材料形成。舉例來說，犧牲層82可由鉬或非晶硅(a-Si)形成。在其它實施例中，犧牲層可包括鉭或鎢?？捎米鳡奚牧系钠渌牧习琛⒛承┭趸镆约坝袡C材料。沉積的犧牲層82的厚度將決定光學堆疊16與可移動層66之間的距離，因此界定干涉式間隙19(見圖7A)的尺寸。由于間隙19的高度決定了干涉式調(diào)制器元件在未激活位置時反射的顏色，因此犧牲層82的厚度將依據(jù)干涉式調(diào)制器的所需特性而變化。舉例來說，在形成在未激活位置反射綠色的調(diào)制器元件的實施例中，犧牲層82的厚度可大約為2000A。在其它實施例中，犧牲層在MEMS裝置陣列上可具有多種厚度，例如在其中使用不同的干涉式間隙大小來產(chǎn)生不同顏色的多色顯示系統(tǒng)中。在圖9E中可見，犧牲層82已經(jīng)圖案化和蝕刻以形成錐形孔口86?？卓?6上覆在切入ITO和鉻的層72和74中的孔口76上?？墒褂霉饪谭ㄍㄟ^遮蔽犧牲層并接著執(zhí)行濕式或干式蝕刻來去除犧牲材料部分，而形成這些孔口86。合適的干式蝕刻劑包含(但不限于)SF6、CF4、Cl2或這些氣體與02或稀有氣體(例如He或Ar)的任何混合物。適合于蝕刻Mo的濕式蝕刻劑包含PAN蝕刻劑，其可為以16:1:1:2比率的磷酸、乙酸、硝酸和去離子水的混合物?？赏ㄟ^包含KOH和HF硝酸鹽的濕式蝕刻劑來蝕刻非晶硅。然而優(yōu)選地使用干式蝕刻來蝕刻犧牲層82，因為干式蝕刻允許對錐形孔口86的形狀的較多控制。在圖9F中可見，接著在經(jīng)蝕刻犧牲層82上沉積將形成可移動層66(見例如圖7A中的可移動反射層14)的組分，從而對錐形孔口86加襯。在圖9F的實施例中，首先沉積高度反射層90(還稱為鏡或鏡層)，隨后是機械層92。高度反射層90可由鋁或鋁合金形成，因為其在寬波長譜上具有高反射率。機械層92可包括例如Ni和Cr的金屬，且優(yōu)選經(jīng)形成以使得機械層92含有殘余拉伸應(yīng)力。殘余拉伸應(yīng)力提供當調(diào)制器未激活或"松弛"時將可移動層66拉離光學堆疊16的機械力。為了方便，可將高度反射層90和機械層92的組合統(tǒng)稱為可移動層66，但應(yīng)了解本文使用的術(shù)語可移動層還涵蓋部分分離的機械層與反射層，例如圖7C的機械層34和可移動反射層14。在犧牲層將由XeF2蝕刻劑進行蝕刻的實施例中，反射層90和機械層92兩者優(yōu)選對XeF2蝕刻劑具有抵抗性。如果這些層中的任一者都沒有抵抗性，那么可使用蝕刻停止層來保護非抵抗性層。還可見錐形孔口86的錐度有助于反射層90和機械層92的共形沉積。如果沒有此錐度，可能難以沉積這些層使得所述層在孔86外部和內(nèi)部的表面上具有大體上均勻的厚度。在替代實施例中，可移動層66可包括單個層，其高度反射且具有所需的機械特性。然而，兩個相異層的沉積允許選擇可能在用作可移動層66中的唯一材料時原本不合適的高度反射材料，且類似地允許選擇合適的機械層而不考慮其反射性質(zhì)。在又一些實施例中，可移動層可包括反射子層，其很大程度上與機械層分離，使得反射層可垂直平移而不彎曲(見例如圖7C-7E和附加描述)。形成此實施例的一種方法包括在犧牲層上沉積反射層，其接著經(jīng)圖案化以形成個別的反射子層。接著在反射層上沉積第二犧牲材料層并進行圖案化以允許在機械子層與反射子層之間穿過第二犧牲層而形成連接，以及形成用于支撐結(jié)構(gòu)的錐形孔口。在其中所形成的MEMS裝置包括非光學MEMS裝置(例如，MEMS開關(guān))的其它實施例中，應(yīng)了解可移動層66無需包括反射材料。舉例來說，在其中例如MEMS開關(guān)的MEMS裝置形成為包括本文論述的支撐結(jié)構(gòu)的實施例中，可移動層66的下側(cè)無需為反射的，且可有利地包括僅基于其機械性質(zhì)或其它合意性質(zhì)而選擇的單個層。在圖9G中，在機械層92上沉積剛性層96(也稱為鉚釘層)。由于鉚釘層96將形成向下伏機械層92提供支撐和穩(wěn)定性但在調(diào)制器的激活期間不會實質(zhì)變形的結(jié)構(gòu)，所以形成鉚釘層96的材料不需要與形成機械層92的材料一樣具有柔性。用于鉚釘層96中的適宜材料包含(但不限于)鋁、AIQx、氧化硅、SiNx、鎳和鉻?？捎糜谛纬摄T釘結(jié)構(gòu)的替代材料包含其它金屬、陶瓷和聚合物。鉚釘層96的厚度將依據(jù)所使用的材料的機械特性而變化。如相對于機械和反射層所論述，可能需要為鉚釘層96選擇對XeF2蝕刻具有抵抗性的材料，所述XeF2蝕刻在某些實施例中可用于蝕刻犧牲層。另外，鉚釘層96優(yōu)選地可相對于下伏可移動層66的上表面(其在所說明的實施例中為機械層92)選擇性地蝕刻，以便允許在使可移動層66不受影響的情況下蝕刻鉚釘層96。然而，如果鉚釘層96不可相對于可移動層66選擇性地蝕刻，那么可在鉚釘層％與可移動層66之間提供蝕刻停止層(未圖示)。在圖9H中，鉚釘層96經(jīng)由光刻圖案化并經(jīng)蝕刻以去除鉚釘層96的定位成遠離孔口86的部分，從而形成位于鄰近于可移動層66處的支撐結(jié)構(gòu)62(也稱為鉚釘結(jié)構(gòu))。將了解，即使介入層(例如，蝕刻阻擋層)位于支撐結(jié)構(gòu)之間，也可認為支撐結(jié)構(gòu)鄰近于可移動層?？赏ㄟ^濕式蝕刻或千式蝕刻來執(zhí)行鉚釘層96的蝕刻。在鉚釘層96包括鋁的實施例中，適宜的濕式蝕刻劑包含磷酸或例如KOH、TMAH和NaOH等堿，且適宜的干式蝕刻劑使用Cl2。在鉚釘層96包括Si02的其它實施例中，基于氟的氣體與02或稀有氣體的混合物可用作干式蝕刻劑，且HF或緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)是適宜的濕式蝕刻劑。仍參看圖9H,可見，支撐結(jié)構(gòu)62可包括唇緣區(qū)域98，其中支撐結(jié)構(gòu)62延伸出錐形孔口86處于機械層92的上表面上。有利地，可使此唇緣的尺寸最小，因為唇緣約束了下伏機械層的偏轉(zhuǎn)，從而減小干涉式調(diào)制器元件的活動區(qū)域。然而，在某些實施例中，需要某一最小唇緣部分98來用于支撐。如所說明的實施例中可見，支撐結(jié)構(gòu)62還可包括傾斜側(cè)壁部分97和大體平坦基底區(qū)域99。接下來，在圖9I中，可見，使用光刻來圖案化機械層92，并蝕刻可移動層66(即，機械層92和反射層90)以形成蝕刻孔100，所述蝕刻孔100暴露犧牲層82的若干部分以便有助于蝕刻犧牲層。在某些實施例中，采用多種蝕刻劑來暴露犧牲層。舉例來說，如果機械層92包括鎳且反射層90包括鋁，那么可使用HN03來蝕刻機械層92，且可使用磷酸或例如NH40H、KOH、THAM或NaOH的堿來蝕刻反射層卯。也可使用此圖案化和蝕刻，通過在可移動層66的條帶(見圖8)之間蝕刻間隙65從而使MEMS裝置的列彼此分離來界定圖8中所見的條帶電極。最后，在圖9J中可見，執(zhí)行釋放蝕刻以移除犧牲層，從而產(chǎn)生干涉式間隙19,可移動層66可移動穿過所述間隙。在某些實施例中，使用XeF2蝕刻劑來移除犧牲層82。因為XeF2較好地蝕刻犧牲材料，且相對于上文論述的工藝中使用的其它材料極其具有選擇性，所以XeF2蝕刻劑的使用有利地允許在對周圍結(jié)構(gòu)具有非常小影響的情況下移除犧牲材料。因此，圖9J描繪例如圖8的干涉式調(diào)制器元件60之一的干涉式調(diào)制器元件的一部分，如沿著線9J-9J所示。在此實施例中，通過在可移動層66中的凹陷86上形成的支撐結(jié)構(gòu)62將可移動層66支撐在整個間隙19上。如上文所論述，下伏光學堆疊16的若干部分已有利地經(jīng)蝕刻以便使光學堆疊16的導電部分與可移動層66中的導電層之間短路的風險最小，但不需要在所有實施例中均執(zhí)行此步驟。在另一實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可采取下伏在可移動層下方的柱(且優(yōu)選為無機柱)的形式。制造包括無機柱的干涉式調(diào)制器的示范性工藝包含圖9A-9E的步驟，且參看圖10A-10D進行論述。為了方便起見，層72、74和78的組合在本文中稱為光學堆疊16，且在隨后的圖式中為了方便起見由單個層表示。將了解，如上文所論述，光學堆疊16的組成可在層的數(shù)目和那些層的組分兩個方面變化，且上文論述的層僅是示范性的。在圖10A中，在圖案化犧牲層82上沉積無機柱材料層84，使得無機柱層84還涂覆錐形孔口86的側(cè)壁和基底。在某些實施例中，無機柱層84比犧牲層82薄，且在犧牲層82上是共形的。在某些實施例中，無機柱層84可包括氮化硅(SiNx)或Si02，但可能使用廣泛種類的其它材料，其中一些在下文中更詳細論述。在圖10B中，圖案化并蝕刻無機柱層84以形成無機柱88。在圖10B中可見，無機柱88的邊緣優(yōu)選地成錐形，其如同孔口86的錐形或傾斜側(cè)邊一樣，有助于連續(xù)且共形地沉積上覆層?？梢娫谒f明的實施例中，柱結(jié)構(gòu)88的厚度比犧牲層82的厚度薄，且包括大體平坦基底部分89、傾斜側(cè)壁部分87和在犧牲材料的一部分上延伸的大體水平翼部分85。因此，柱88在柱的邊緣處有利地提供大體平坦的表面，用于支撐上覆可移動層66(見圖10D)，從而使如果可移動層66沉積在不夠平坦的邊緣上則可能出現(xiàn)的應(yīng)力和所產(chǎn)生的不合需要的偏轉(zhuǎn)最小。在一個實施例中，無機柱層84和所產(chǎn)生的柱88包括類金鋼石碳(DLC)。除了非常硬且堅固(比Si02硬大約10倍)夕卜，還可用02干式燭刻劑來蝕刻DLC無機柱層84。有利地，02干式蝕刻劑對廣泛種類的犧牲材料(包含(但不限于)Mo和a-Si犧牲材料，以及上文論述的其它犧牲材料)非常高度選擇性。因此，包括DLC的無機柱提供非常堅固的柱，從而減小當MEMS操作期間向下拉動上覆移動或機械層時支柱88的邊緣向下?lián)锨目赡苄砸约跋蛳聯(lián)锨浚瑫r允許使用對廣泛種類的材料相對親和的蝕刻劑。在圖10C中，在無機柱88和犧牲層82的暴露部分上沉積高度反射層90。接著在高度反射層90上沉積機械層92。為了方便起見，如上文所述，可將高度反射層90和機械層92稱為且在隨后圖式中描繪為可移動層66(見圖10D)，或者更明確地描繪為可變形反射層(只要機械層92直接沉積在高度反射層90上方)。在替代實施例中，可移動層66可包括具有所需的光學和機械特性的單個層。舉例來說，用于MEMS機械開關(guān)的機械或移動層不需要包含反射層。在另外的實施例中，如已經(jīng)論述的，可移動層可包括實質(zhì)上分離的機械層和反射層，例如圖7C的層14和34。在圖10D中，執(zhí)行釋放蝕刻以選擇性地去除犧牲層82，從而形成具有干涉間隙19的干涉式調(diào)制器元件60，可移動層66可穿過所述干涉間隙19移動以便改變由干涉式調(diào)制器元件60反射的顏色。在釋放蝕刻之前，優(yōu)選地圖案化可移動層66以形成柱體(未圖示)，且可有利地進一步圖案化可移動層66以形成蝕刻孔(例如見，圖9J中的蝕刻孔100)，所述蝕刻孔有助于通過釋放蝕刻接達犧牲層。可能由于柱結(jié)構(gòu)內(nèi)的層相對于沿著層的長度在橫向方向上的其它層(明確地說，支撐結(jié)構(gòu)內(nèi)的層與可移動層)擴展或收縮的趨勢，而發(fā)生支撐結(jié)構(gòu)和機械層的不合需要的撓曲。在一些情形下，這些趨勢是形成支撐結(jié)構(gòu)和可移動層的材料內(nèi)的固有應(yīng)力的結(jié)果，所述固有應(yīng)力隨形成那些層的材料和沉積方式而變化。此相對形變的趨勢的額外來源是層的差異熱膨脹，其隨以下因素而變化兩種不同材料的熱膨脹系數(shù)之間的失配、MEMS裝置的操作溫度、材料的彈性模量和材料沉積條件。當鄰接或以另外方式集成的層具有不同的熱膨脹系數(shù)時，不僅集成層的尺寸的相對變化可引起偏轉(zhuǎn)，而且總體偏轉(zhuǎn)可能由于操作溫度的緣故而變化。因為此偏轉(zhuǎn)將改變干涉腔的高度且因此影響干涉式調(diào)制器元件所反射的顏色，所以需要消除或在可能的程度上最小化此偏轉(zhuǎn)。對于非光學MEMS可能產(chǎn)生類似問題。將了解，本文中使用術(shù)語"擴展或收縮的趨勢"和類似術(shù)語來表示由于受影響區(qū)域(例如，支柱區(qū))中不平衡的殘余應(yīng)力而引起的相對形變以及由于(例如)集成或鄰接的層的不同的熱膨脹系數(shù)而引起的形變所導致的應(yīng)力這兩個趨勢。在一個實施例中，選擇支撐結(jié)構(gòu)的材料和厚度使得支撐結(jié)構(gòu)區(qū)中某些層相對于彼此橫向擴展或收縮的趨勢最小，因而支撐結(jié)構(gòu)的邊緣的偏轉(zhuǎn)最小或被消除。在圖11中描繪的特定實施例中，干涉式調(diào)制器元件包括形成在機械層92和反射層90(其一起形成可移動層66)上的鉚釘結(jié)構(gòu)62。為了避免鉚釘62的邊緣處材料的此類相對形變趨勢，鉚釘62由具有與機械層92和反射層90大致相同的內(nèi)部應(yīng)力(優(yōu)選具有相同材料和厚度)的層形成，使得鉚釘62大體上是可移動層66的鏡像。優(yōu)選地，相應(yīng)層的厚度在彼此的5%內(nèi)。因此，在本實施例中，鉚釘62包括具有與機械層92相同厚度和材料的第一子層110，且還包括具有與反射層90相同厚度和材料的第二子層112。有利地，因為鉚釘62和可變形可移動層66由相同材料66形成，所以相應(yīng)層的熱膨脹系數(shù)相等。盡管由于不同的熱膨脹系數(shù)的緣故，子層IIO可能以與子層112不同的速率擴展或收縮，但此差異性導致的任何應(yīng)力將由對稱的下伏層中相反的應(yīng)力大體上抵消。因為應(yīng)相'對于機械層92選擇性地蝕刻子層110以便形成鉚釘結(jié)構(gòu)62，但子層110由與機械層124相同的材料形成，所以可在子層110與機械層92之間沉積蝕刻停止層114，如所說明。雖然蝕刻停止層114內(nèi)的殘余應(yīng)力將不會由任何其它層內(nèi)的應(yīng)力相抵，但此實施例的對稱性導致蝕刻停止層114沿著或非常接近結(jié)構(gòu)的中性軸而定位。因此，蝕刻停止層114內(nèi)的任何應(yīng)力或由于層114相對于其它層的熱膨脹而引起的任何應(yīng)力將不會對結(jié)構(gòu)施加顯著力矩，且將不會導致向上或向下的顯著偏轉(zhuǎn)。在某些實施例中，蝕刻停止層114可包括通過化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積而沉積的材料，包含(但不限于)Si02、TEOS、摻雜碳的氧化物或SiNx。當鉚釘和機械層包括Ni、Cr或NiCr合金時，基于氧化硅的材料充當適宜的蝕刻停止層。這些蝕刻停止層可具有200與2000埃之間的厚度，但也可能更厚或更薄。還可使用其它蝕刻阻擋層。一種適于相對于蝕刻停止層(例如，一種形式的氧化硅或氮化硅)蝕刻某些鉚釘層(例如，Ni、Cr或NiCr合金)的蝕刻劑是硝酸(HN03)蝕刻劑。適于相對于鉚釘/機械層選擇性地去除此類蝕刻阻擋層的蝕刻劑包含(但不限于)基于氟(例如，反應(yīng)性離子蝕刻)的蝕刻劑或緩沖氧化物蝕刻(BOE)濕式蝕刻劑。關(guān)于以上結(jié)構(gòu)的多種變化是可能的。可能選擇用于鉚釘結(jié)構(gòu)62中的材料，其與可移動層66中的材料不同，但其將含有與可移動層66中的凈殘余應(yīng)力類似或相同的凈殘余應(yīng)力，從而提供所需的效果。有利地，可相對于機械層92選擇性地蝕刻這些材料中的一些材料從而消除蝕刻停止層114。類似地，可選擇將消除或最小化由于組成層的不同的熱膨脹而引起的總體結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)的材料。在另一實施例中，可修改以上結(jié)構(gòu)以消除或最小化支撐結(jié)構(gòu)，尤其是邊緣處(在鉚釘結(jié)構(gòu)62上覆在無機柱88上的實施例中)的偏轉(zhuǎn)。在一個特定實施例(圖12所示)中，鉚釘62和無機柱88在具有大體相同厚度的層中由大體相同的材料形成。如果鉚釘62和無機柱88包括多個層，那么其優(yōu)選地以對稱方式形成，使得鉚釘62是無機柱88的鏡像(在層方面)。以與上文相對于圖11的實施例論述的方式類似的方式，鉚釘62和無機柱88內(nèi)的殘余應(yīng)力將彼此相抵?？梢苿訉?6內(nèi)的任何殘余應(yīng)力將不會被相抵，但由于所述應(yīng)力將沿著接近支撐結(jié)構(gòu)的中性軸的線起作用，所以由于這些應(yīng)力而引起的任何偏轉(zhuǎn)將最小或被消除。在無機柱88和鉚釘62相對于可移動層66來說較厚或由顯著較堅固的材料形成的實施例中，可進一步使任何偏轉(zhuǎn)最小。在另一實施例中，可移動層66本身可制造成對稱的，如圖13所示。在光學MEMS裝置(例如，干涉式調(diào)制器)中，其中從襯底70側(cè)進行觀察，盡管可移動層66的上表面不需要為反射的，但向MEMS裝置的上表面添加反射層將不會對光學MEMS裝置的某些實施例產(chǎn)生不利影響。因此，圖13的實施例包含包括上子層120的可移動層66，所述上子層120在一個實施例中包括與反射層90相同的材料?？梢?，除了對稱柱88和鉚釘62外，可移動層66本身也是對稱的，使得反射層90和上子層120內(nèi)的任何殘余應(yīng)力彼此抵消，且機械層92內(nèi)的任何應(yīng)力將大體上沿著結(jié)構(gòu)的中性軸起作用，使得這些應(yīng)力將不會施加顯著力矩。有利地，上子層120可另外充當蝕刻阻擋層，從而能夠使用不可相對于機械層選擇性地蝕刻的鉚釘和柱材料(例如，使用鎳、鉻或鎳-鉻合金用于單獨圖案化的機械層、柱和鉚釘?shù)拿恳徽?。在另一實施例(圖14所示)中，對圖11中的實施例作出變化，其中子層110與112的位置顛倒。因此，在一個實施例中，具有與反射層90大致相同材料和厚度的第二子層112沉積在機械層92上，且具有與機械層92大致相同材料和厚度的第一子層110沉積在第二子層112上。因此，鉚釘62具有與可變形反射層(其包括機械層和反射層)相同的結(jié)構(gòu)，但與圖ll的實施例不同，鉚釘不是可變形反射層的鏡像，而僅僅是對稱的。第二子層112本身可充當蝕刻阻擋層，或者可沉積在單獨的蝕刻阻擋層(未圖示，類似于圖13的蝕刻阻擋層)上。在特定實施例中，反射層包括Al，且機械層包括Ni。有利地，Al將比Ni更好地粘附到各個蝕刻停止層，且盡管鉚釘與可變形反射層不是鏡像，但鉚釘與可變形反射層的對稱使不合需要的偏轉(zhuǎn)最小。在另一實施例中，上文論述的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于柱結(jié)構(gòu)，而不是鉚釘結(jié)構(gòu)。對此，圖15描繪其中柱結(jié)構(gòu)88與機械層92具有大體相同厚度且包括大體相同材料的實施例。將了解，由于反射層90基本上沿著柱結(jié)構(gòu)的中心部分延伸，所以任何橫向變形的趨勢將導致支撐結(jié)構(gòu)的邊緣的最小(如果有的話)偏轉(zhuǎn)。由于所說明的實施例中的柱層包括與機械層92大體相同的材料，所以將了解，此柱優(yōu)選地形成為包括金屬(例如，鎳或鉻)。將了解，可修改上文結(jié)構(gòu)以使具有實質(zhì)上分離的機械層和反射層的MEMS元件(例如，圖7C-7E中所描繪以及參看圖7C-7E描述的干涉式調(diào)制器)中的支撐結(jié)構(gòu)區(qū)中的相對形變的趨勢最小。在反射層與機械層的位于支柱區(qū)內(nèi)的部分脫離的此實施例中，鏡層內(nèi)的任何形變趨勢均將不會導致支撐結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)。因此，在一個實施例中，鄰近的支撐結(jié)構(gòu)(例如，柱或鉚釘結(jié)構(gòu))可由與機械層相同的材料形成并形成為與機械層相同的厚度，且蝕刻停止層可形成在支撐結(jié)構(gòu)與機械層之間，從而允許選擇性地蝕刻支撐結(jié)構(gòu)或機械層中的一者。在另一實施例中，大體上對稱的柱和鉚釘結(jié)構(gòu)可形成在機械層的任一側(cè)，且視需要，蝕刻停止層可形成在支撐結(jié)構(gòu)與機械層之間。將了解，以上實施例的各種組合是可能的。預(yù)期上文論述的支撐結(jié)構(gòu)的各種其它組合且所述組合在本發(fā)明范圍內(nèi)。另外，將了解，通過以上方法中的任一者形成的支撐結(jié)構(gòu)可與其它形成支撐結(jié)構(gòu)的方法組合利用，以便改進那些支撐結(jié)構(gòu)的剛性和耐久性，或使支撐結(jié)構(gòu)區(qū)域內(nèi)的層相對于彼此橫向變形的趨勢最小。還將了解，以上實施例中層的次序和形成那些層的材料僅是示范性的。此外，在一些實施例中，其它層(未圖示)可經(jīng)沉積和處理以形成MEMS裝置的若干部分或在襯底形成其它結(jié)構(gòu)。在其它實施例中，這些層可使用替代性沉積、圖案化和蝕刻材料及工藝形成，可以不同次序沉積，或由不同材料組成，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解。還應(yīng)了解，視實施例而定，除非文中另外明確且清楚地說明，否則本文描述的任何方法的動作或事件可以其它序列執(zhí)行，可進行添加、合并或完全省去(例如，并非必需所有動作或事件來實踐所述方法)。盡管以上詳細描述內(nèi)容已經(jīng)展示、描述并指出了應(yīng)用于各個實施例的本發(fā)明的新穎特征，但將了解，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可在不脫離本發(fā)明的精神的情況下，對所說明的過程的裝置作出形式和細節(jié)上的各種省略、替代和變化。將認識到，本發(fā)明可包含在不提供本文所陳述的特征和益處中的所有特征和益處的形式內(nèi)，因為一些特征可能與其它特征分離地使用或?qū)嵺`。權(quán)利要求1.一種制造MEMS裝置的方法，其方法包括提供襯底；在所述襯底上沉積電極層；在所述電極層上沉積犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔口；在所述犧牲層上沉積可移動層；在鄰近于所述可移動層處以及至少部分在所述犧牲層中的孔口內(nèi)形成支撐結(jié)構(gòu)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)包括經(jīng)選擇以使所述支撐結(jié)構(gòu)相對于所述可移動層橫向變形的趨勢最小的材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其額外包括蝕刻所述犧牲層以去除所述犧牲層，從而在所述可移動層與所述電極層之間形成腔。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述可移動層下形成所述支撐結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述可移動層上形成所述支撐結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可移動層中的殘余應(yīng)力與所述支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力大體上相等。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述可移動層的熱膨脹系數(shù)與所述支撐結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)大體上相等。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述支撐結(jié)構(gòu)和所述可移動層包括大體上相同的材料。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其在所述支撐結(jié)構(gòu)與所述可移動層之間的所述可移動層上額外形成蝕刻阻擋層。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述可移動層包括形成反射子層；以及在所述反射層上形成機械子層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述支撐結(jié)構(gòu)包括形成第一子層，其中所述第一子層包括與所述機械子層相同的材料；以及形成第二子層，其中所述第二子層包括與所述反射子層相同的材料。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一子層的厚度與所述機械子層大體上相同，且其中所述第二子層的厚度與所述反射子層大體上相同。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一子層的厚度在所述機械子層的厚度的5%內(nèi)，且其中所述第二子層的厚度在所述反射子層的5%內(nèi)。13.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中在所述第二子層上形成所述第一子層。14.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中在所述第一子層上形成所述第二子層。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其額外包括在形成所述犧牲層之前在所述襯底上形成部分反射材料層。16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述MEMS裝置包括干涉式調(diào)制器。17.—種通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的MEMS裝置。18.—種MEMS裝置，其包括襯底；電極層，其位于所述襯底上；可移動層，其位于所述電極層上，其中所述可移動層通常通過氣隙與所述電極層間隔開；以及剛性支撐結(jié)構(gòu)，其形成在鄰近于所述可移動層處以及至少部分在所述可移動層中的凹陷內(nèi)，其中所述剛性支撐結(jié)構(gòu)包括經(jīng)選擇以使所述支撐結(jié)構(gòu)相對于所述可移動層橫向變形的趨勢最小的材料。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其中所述可移動層中的殘余應(yīng)力與所述支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力大體上相等。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其中所述可移動層的熱膨脹系數(shù)與所述支撐結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)大體上相等。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其中所述剛性支撐結(jié)構(gòu)上覆在所述可移動層上。22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其中所述剛性支撐結(jié)構(gòu)下伏在所述可移動層下。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其中所述支撐結(jié)構(gòu)和所述可移動層包括大體上相同的材料。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的MEMS裝置，其中所述可移動層包括反射子層和機械子層，所述反射子層在所述可移動層的面向所述電極層的一側(cè)。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的MEMS裝置，其中所述支撐結(jié)構(gòu)包括包含與所述機械子層相同的材料的第一子層，和包含與所述反射子層相同的材料的第二子層。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的MEMS裝置，其中所述第一子層的厚度與所述機械子層大體上相同，且其中所述第二子層的厚度與所述反射子層大體上相同。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述第一子層的厚度在所述機械子層的厚度的5%內(nèi)，且其中所述第二子層的厚度在所述反射子層的5%內(nèi)。28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的MEMS裝置，其中所述第一子層位于所述第二子層上。29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的MEMS裝置，其中所述第二子層位于所述第一子層上。30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的MEMS裝置，其額外包括與所述電極層位于所述氣隙的相同側(cè)的部分反射層。31.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其中所述MEMS裝置包括干涉式調(diào)制器。32.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS裝置，其額外包括處理器，其經(jīng)配置以與所述電極層和所述可移動層的至少一者連通，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器連通。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MEMS裝置，其進一步包括驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述電極層和所述可移動層的至少一者。34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的MEMS裝置，其進一步包括控制器，所述控制器經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MEMS裝置，其進一步包括圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的MEMS裝置，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器和發(fā)射器中的至少一者。37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的MEMS裝置，其進一步包括輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。38.—種制造MEMS裝置的方法，所述方法包括提供襯底；在所述襯底上沉積電極層；在所述電極層上沉積犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔口；至少部分在所述孔口內(nèi)形成下伏支撐結(jié)構(gòu)；在所述下伏支撐結(jié)構(gòu)上形成可移動層；形成上覆支撐結(jié)構(gòu)，其上覆在所述可移動層上且至少部分在所述犧牲層中的孔口內(nèi)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以使所述上覆支撐結(jié)構(gòu)相對于所述下伏支撐結(jié)構(gòu)橫向擴展或收縮的趨勢所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)最小。39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中所述下伏支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力與所述上覆支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力大體上相等。40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)與所述下伏支撐結(jié)構(gòu)包括相同的材料。41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)的厚度與所述下伏支撐結(jié)構(gòu)大體上相同。42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)的厚度在所述下伏支撐結(jié)構(gòu)的厚度的5%內(nèi)。43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中形成所述可移動層包括-沉積反射子層；以及在所述反射子層上沉積機械子層。44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其額外包括在所述機械子層上沉積上子層。45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述上子層包括與所述反射子層相同的材料。46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述上子層的厚度與所述反射子層大體上相同。47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述上子層的厚度在所述反射子層的厚度的5%內(nèi)。48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其額外包括在沉積所述犧牲層之前在所述襯底上形成部分反射材料層。49.一種通過根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法形成的MEMS裝置。50.—種MEMS裝置，其包括襯底；電極層，其位于所述襯底上；可移動層，其位于所述電極層上，其中所述可移動層通常通過氣隙與所述電極層間隔開；下伏支撐結(jié)構(gòu)，其形成在所述可移動層下；以及上覆支撐結(jié)構(gòu)，其形成在所述可移動層上，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)中的至少一些上覆在所述可移動層下的下伏支撐結(jié)構(gòu)上，且其中所述支撐結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以使所述上覆支撐結(jié)構(gòu)相對于所述下伏支撐結(jié)構(gòu)橫向擴展或收縮的趨勢所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)最小。51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的MEMS裝置，其中所述下伏支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力與所述上覆支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力大體上相等。52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的MEMS裝置，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)和所述下伏支撐結(jié)構(gòu)包括相同的材料。53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的MEMS裝置，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)的厚度與所述下伏支撐結(jié)構(gòu)大體上相同。54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的MEMS裝置，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)的厚度在所述下伏支撐結(jié)構(gòu)的厚度的5%內(nèi)。55.根據(jù)權(quán)利要求50所述的MEMS裝置，其中所述可移動層包括機械子層和反射子層，所述反射子層在所述機械子層的面向所述氣隙的一側(cè)。56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的MEMS裝置，其中所述可移動層額外包括上子層，所述上子層在所述機械子層的與所述反射子層相對的一側(cè)。57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的MEMS裝置，其中所述上子層與所述反射子層包括相同的材料。58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的MEMS裝置，其中所述上子層的厚度與所述反射子層大體上相同。59.根據(jù)權(quán)利要求56所述的MEMS裝置，其中所述上子層的厚度在所述反射子層的厚度的5%內(nèi)。60.根據(jù)權(quán)利要求55所述的MEMS裝置，其額外包括與所述電極層位于所述氣隙的相同側(cè)的部分反射層。61.—種MEMS裝置，其包括用于導電的第一裝置；用于導電的第二裝置；以及支撐裝置，用于將所述第二導電裝置支撐在所述第一導電裝置上，其中所述第二導電裝置可響應(yīng)于所述第一與第二導電裝置之間產(chǎn)生靜電電位而相對于所述第一導電裝置移動，且其中所述支撐裝置經(jīng)配置以使支撐區(qū)內(nèi)的組件相對于彼此橫向擴展或收縮的趨勢所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)最小。62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的MEMS裝置，其中所述第一導電裝置包括由襯底支撐的電極層。63.根據(jù)權(quán)利要求61所述的MEMS裝置，所述第二導電裝置包括可移動層，所述可移動層的若干部分通過干涉間隙與所述第一導電裝置間隔開。64.根據(jù)權(quán)利要求61所述的MEMS裝置，其中所述支撐裝置包括上覆在所述第二導電裝置上的支撐結(jié)構(gòu)，其中所述支撐結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以使所述支撐結(jié)構(gòu)相對于所述第二導電裝置橫向擴展或收縮的趨勢最小。65.根據(jù)權(quán)利要求61所述的MEMS裝置，其中所述支撐裝置包括下伏支撐結(jié)構(gòu)，其下伏在所述第二導電裝置下；以及上覆支撐結(jié)構(gòu)，其上覆在所述第二導電裝置和所述下伏支撐結(jié)構(gòu)上，其中所述上覆支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力與所述下伏支撐結(jié)構(gòu)中的殘余應(yīng)力大體上相等。全文摘要MEMS裝置的實施例包含由上覆支撐結(jié)構(gòu)支撐的可移動層，且還可包含下伏支撐結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，所述上覆支撐結(jié)構(gòu)與所述可移動層內(nèi)的殘余應(yīng)力大體上相等。在另一實施例中，所述上覆支撐結(jié)構(gòu)與所述下伏支撐結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘余應(yīng)力大體上相等。在某些實施例中，通過使用具有相同厚度的由相同材料制成的層來獲得大體上相等的殘余應(yīng)力。在另外的實施例中，通過使用作為彼此的鏡像的支撐結(jié)構(gòu)和/或可移動層來獲得大體上相等的殘余應(yīng)力。文檔編號B81B3/00GK101282903SQ200680030133公開日2008年10月8日申請日期2006年8月17日優(yōu)先權(quán)日2005年8月19日發(fā)明者利奧兒·科格特,帆鐘申請人:高通Mems科技公司