專利名稱：：微機(jī)電裝置以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及形成在絕緣襯底上的微機(jī)電裝置(微機(jī)電系統(tǒng))。特別涉及微機(jī)電裝置的微機(jī)械結(jié)構(gòu)以及其制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，對稱為MEMS的微機(jī)械系統(tǒng)的研究已取得了進(jìn)展。MEMS是MicroElectroMechanicalSystem的縮寫，被翻譯成微機(jī)電裝置、微機(jī)電系統(tǒng)等。此外，在日本有時被稱為微機(jī)械，而在歐洲等有時被稱為MST(MicroSystemTechnology;微系統(tǒng)技術(shù))。在本說明書中，MEMS寫為微機(jī)械或微機(jī)電裝置。MEMS是指組合由"具有立體結(jié)枸的可移動微結(jié)構(gòu)"構(gòu)成的微細(xì)的機(jī)械部、和控制機(jī)械部的"具有半導(dǎo)體元件的電路"而成的電子器件。此外，MEMS有時簡單地被稱為微機(jī)械。由于MEMS可以通過電路來控制自身的微結(jié)構(gòu)，所以期待能夠構(gòu)造不是如利用計算機(jī)的常規(guī)裝置那樣的中央處理控制類型，而是自主分散型的系統(tǒng)。例如，使用MEMS來實現(xiàn)如下工作，即通過電路處理由傳感器獲得了的信息，然后按照處理信息驅(qū)動致動器等。對于微機(jī)械正在進(jìn)行很多研究。例如，在專利文獻(xiàn)l中，制造過程以不能使晶圓制造及塑料裝配(plasticassembly)設(shè)備兼容這樣的情況為課題提出改良式MEMS晶圓級封裝。在專利文獻(xiàn)2中有如下記栽，即通過控制激光照射，構(gòu)成微結(jié)構(gòu)的層產(chǎn)生優(yōu)選的機(jī)械特性。然而，如在專利文獻(xiàn)l中所述那樣，構(gòu)成微機(jī)械的微結(jié)構(gòu)采用使用硅片的制造半導(dǎo)體元件的過程來制造。尤其是，為了獲得具有為制造微結(jié)構(gòu)而需要的充分的厚度和強(qiáng)度的材料，在實際被使用的微機(jī)械中主要是使用硅片制造的微機(jī)械。此外，在專利文獻(xiàn)2中只記栽有作為微結(jié)構(gòu)的懸臂，對于集成化微結(jié)構(gòu)和電路都沒有任何記載。[專利文獻(xiàn)1特開2001-144117號公報專利文獻(xiàn)2特開2004-1201號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題是提供將微結(jié)構(gòu)和控制微結(jié)構(gòu)的電路集成在相同的襯底上的微機(jī)電裝置、及其制造方法。本發(fā)明涉及一種微機(jī)電裝置在絕緣表面上包括微結(jié)構(gòu)和用于控制微結(jié)構(gòu)的電路。電路電連接到微結(jié)構(gòu)并具有晶體管。微結(jié)構(gòu)至少包括不固定到襯底上的結(jié)構(gòu)層、以及其一部分固定到襯底上的結(jié)構(gòu)層。結(jié)構(gòu)層的一部分固定到襯底上的情況是指一部分還包括不固定到襯底上的部分的情況。換言之，通過結(jié)構(gòu)層的一部分固定到襯底上，村底和結(jié)構(gòu)層的其他一部分之間形成有空間。構(gòu)成微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)層的至少一個從襯底完全離開，并且通過被固定到襯底上的其他結(jié)構(gòu)層來限制可移動范圍。例如，將從襯底完全分離了的結(jié)構(gòu)層作為轉(zhuǎn)子，并且通過將成為該轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)軸的結(jié)構(gòu)層周定到襯底上而形成，從而成為轉(zhuǎn)子的結(jié)構(gòu)層被成為旋轉(zhuǎn)軸的結(jié)構(gòu)層等限制可移動范圍。在本發(fā)明的微機(jī)電裝置中，微結(jié)構(gòu)包括具有與晶體管的柵絕緣層和半導(dǎo)體層的疊層結(jié)構(gòu)相同的疊層結(jié)構(gòu)的層作為第一及第二結(jié)構(gòu)層。換言之，微結(jié)構(gòu)包括一種結(jié)構(gòu)層，該結(jié)構(gòu)層包括由與柵絕緣層相同的絕緣膜形成的層以及由與晶體管的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體膜形成的層。此外，本發(fā)明的微機(jī)電裝置之一將包含在微結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層成為多層結(jié)構(gòu)，并且使層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同。由此因為各個層互相補(bǔ)充其缺點，所以可以抑制微結(jié)構(gòu)的破壞。此外，本發(fā)明的微機(jī)電裝置之一將如硅化物的半導(dǎo)體和金屬化合物包含在微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)層中。因此可以使結(jié)構(gòu)層的強(qiáng)度比多晶硅的高，而且還可以提高導(dǎo)電性。此外，本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法之一為了在微結(jié)構(gòu)中提供可移動的部分，將由與柵電極相同的膜形成的層用于成為犧牲層的層。因為本發(fā)明的微機(jī)電裝置在相同絕緣表面上一體形成有微結(jié)構(gòu)、以及控制微結(jié)構(gòu)的電路，所以電路和微結(jié)構(gòu)的連接部分的機(jī)械強(qiáng)度高，從而不容易發(fā)生連接缺陷。此外，可以通過采用本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法來提供一種微機(jī)電裝置，該微機(jī)電裝置在相同絕緣層上通過相同的工序一體形成微結(jié)構(gòu)和控制微結(jié)構(gòu)的電路。換言之，沒有如在制造電路之后制造微結(jié)構(gòu)、或者在制造微結(jié)構(gòu)之后制造電路這樣的工序的分離。因此使制造方法簡單，其結(jié)果實現(xiàn)微機(jī)電裝置的低成本化。圖1A和1B是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，其中1A是微機(jī)電裝置的截面圖，而1B是微結(jié)構(gòu)的俯視圖(實施方式1)。圖2A至2E是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法的截面圖(實施方式l)。圖3A和3B是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法的截面圖(實施方式l)。圖4是制造過程中的微結(jié)構(gòu)的俯視圖，并且是第一導(dǎo)電層(第一犧牲層)的俯視圖(實施方式l)。圖5是制造過程中的微結(jié)構(gòu)的俯視圖，并且是圖2C所圖示的微結(jié)構(gòu)的俯視圖(實施方式1)。圖6A和6B是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，其中6A是微機(jī)電裝置的截面圖，而6B是微結(jié)構(gòu)的俯視圖(實施方式2)。圖7A至7E是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法的截面圖(實施方式2)。圖8A至8C是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法的截面圖(實施方式2)。圖9是制造過程中的微結(jié)構(gòu)的俯視圖，并且是第一導(dǎo)電層(第一犧牲層)的俯視圖(實施方式2)。圖10A和10B是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的結(jié)構(gòu)例子的圖，其中IOA是微機(jī)電裝置的截面圖，而10B是微結(jié)構(gòu)的俯視圖(實施方式3)。圖11A至11E是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法的截面圖(實施方式3)。圖12A至12C是用于說明本發(fā)明的微機(jī)電裝置的制造方法的截面圖(實施方式3)。圖13是制造過程中的微結(jié)構(gòu)的俯視圖，并且是第一導(dǎo)電層(第一犧牲層)的俯視圖(實施方式3)。圖14是本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)的外觀透視圖(實施方式4)。圖15是將其形狀加工為角部帶有圓度的本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)的俯視圖(實施方式5)。圖16是表示本發(fā)明的微機(jī)電裝置的結(jié)構(gòu)例子的方框圖(實施方式6)。具體實施例方式下面，將參照本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明不局限于下面的說明。其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式及實施例所記栽的內(nèi)容中。注意，在不同的實施方式中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同的部分，并省略其重復(fù)說明。實施方式1在本實施方式中，將說明在相同的襯底上同時制造微結(jié)構(gòu)以及控制微結(jié)構(gòu)的電路的方法。圖1A和1B是示出本實施方式的MEMS的結(jié)構(gòu)的圖。圖1A是MEMS的截面圖，而圖IB是微結(jié)構(gòu)的俯視困.沿著圖IB的虛線O-P切開的截面圖對應(yīng)于圖1A的微結(jié)構(gòu)ll的截面圖。注意，在圖1A中，左邊是形成有微結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的截面圖，而右邊是形成有電路的第二區(qū)域的截面圖。這一點在圖2A至圖3B所示的截面圖也是一樣的。此外，在圖1A中，第二區(qū)域的電路10的截面結(jié)構(gòu)示出晶體管作為典型，這一點與其他實施方式相同。電路10和微結(jié)構(gòu)11形成在具有絕緣表面的相同的襯底100上。電路10的晶體管是薄膜晶體管，并且其結(jié)構(gòu)是底柵型。晶體管包括第一導(dǎo)電層101、第一導(dǎo)電層101上的第一絕緣層102、第一絕緣層102上的半導(dǎo)體層103、以及半導(dǎo)體層103上的第二導(dǎo)電層104。第一導(dǎo)電層101構(gòu)成晶體管的柵電極或柵布線。第一絕緣層102構(gòu)成柵絕緣層。在半導(dǎo)體層103中，至少形成溝道形成區(qū)域、以及用作源區(qū)域或漏區(qū)域的高濃度雜質(zhì)區(qū)域。第二導(dǎo)電層104連接到半導(dǎo)體層103的高濃度雜質(zhì)區(qū)域，并且用作源電極或漏電極。覆蓋晶體管地形成第二絕緣層105。在第二絕緣層105上形成有第三導(dǎo)電層106。第三導(dǎo)電層106通過形成在第二絕緣層105中的接觸孔連接到第二導(dǎo)電層104。電路10的電極、布線、端子使用第一導(dǎo)電層101、第二導(dǎo)電層104以及第三導(dǎo)電層106來形成。利用這些由第一導(dǎo)電層101、第二導(dǎo)電層104以及第三導(dǎo)電層106來形成的電極、布線使微結(jié)構(gòu)11和電路IO電連接。此外，在電路10中，晶體管以外的元件也被形成。例如，可以通過使用半導(dǎo)體層103來形成MIS型電容元件、二極管。如圖1A所示那樣，微結(jié)構(gòu)11在形成在第二絕緣層105中的開口部107中形成。微結(jié)構(gòu)11包括可移動電極121(第一結(jié)構(gòu)層)、固定到襯底100上的十二個固定電極122(第二結(jié)構(gòu)層)、連接到固定電極122的布線123。可移動電極121是所謂的轉(zhuǎn)子(rotor),而固定電極122是所謂的定子(stator)。布線123連接到電路10。布線123與固定電極122—體地形成。換言之，布線123的一部分構(gòu)成固定電極122。因此，也可以將包括固定電極122和布線123看作第二結(jié)構(gòu)層，可移動電極121的形狀是圓盤狀，形成有四個開口部121a，并且從襯底100分離。圍繞可移動電極121圓弧形地配置有十二個固定電極122。固定電極122固定到襯底100上，但是其先端(與可移動電極121接近的端部)從襯底100分離，并且可以在從襯底分離了的地方靜電作用于可移動電極121?？梢苿与姌O121、固定電極122以及布線123具有多層結(jié)構(gòu)，其下層由絕緣層構(gòu)成，而其上層由導(dǎo)電層構(gòu)成。下層的絕緣層位于與晶體管的第一絕緣層102相同的層并由與第一絕緣層102相同的絕緣膜形成。上層的導(dǎo)電層位于與晶體管的半導(dǎo)體層103相同的層并由與半導(dǎo)體層103相同的半導(dǎo)體膜形成。通過由布線123將十二個固定電極122的每三個并聯(lián)，可以使微結(jié)構(gòu)11用作三相四極的發(fā)動機(jī)。通過對三相的固定電極122按順序施加電壓，在可移動電極121和固定電極122之間將產(chǎn)生靜電(靜電引力)。因該靜電，可移動電極121旋轉(zhuǎn)?？梢杂墒┘拥焦潭姌O122的電壓控制可移動電極121的旋轉(zhuǎn)方向。下面，將使用圖2A至圖5來說明圖1A和1B所示的MEMS的制造方法。在此，在第一區(qū)域中形成微結(jié)構(gòu)11，而在第二區(qū)域中形成電路10。首先，準(zhǔn)備具有絕緣表面的襯底作為村底100。在襯底100上形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序和蝕刻工序來將該導(dǎo)電膜加工為規(guī)定的形狀，以如圖2A所示那樣形成第1導(dǎo)電層101、131。就是說，對所述導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成第一導(dǎo)電層101、131(通過光刻工序和蝕刻工序來將膜加工為規(guī)定的形狀的步驟被也稱為構(gòu)圖)。在第一導(dǎo)電層101、131上形成第一絕緣層132。作為具有絕緣表面的襯底，可以使用如玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底等絕緣村底；以及在表面上形成有絕緣膜的絕緣襯底。此外，也可以使用在表面上形成有絕緣膜的硅片、金屬、不銹鋼等導(dǎo)電襯底。形成在襯底表面的絕緣膜可以使用選自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy、x>y)、氮氧化硅(SiOxNy、x<y)等中的材料的單層膜、多層膜來形成?？梢酝ㄟ^CVD法、濺射法形成這種膜。此外，在釆用硅片、金屬襯底的情況下，也可以對其表面進(jìn)行氮化處理、氧化處理來形成氮化物、氧化物。作為第一導(dǎo)電層101、131的材料，可以選擇如下材料鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋁(Al)等金屬；以上述金屬元素為主要成分的金屬化合物(例如，鈦氮化物、鴒氮化物)；以上述金屬元素為主要成分的合金(例如，鋁和鈦的合金、鉻和鉬的合金)等?？梢酝ㄟ^沉積法、濺射法來形成上述材料，并且使用上述材料的單層膜或多層膜來形成第一導(dǎo)電層101、131。第一導(dǎo)電層131是成為犧牲層的層，按照第一導(dǎo)電層131的形狀規(guī)定微結(jié)構(gòu)11的結(jié)構(gòu)層(可移動電極121、固定電極122、布線123)的形狀。如圖4所示那樣，第一導(dǎo)電層131形成為圓盤狀。在電路IO中，除了柵電極(柵布線)以外，還可以形成由第一導(dǎo)電層101構(gòu)成電路10的電極、布線、端子等。第一絕緣層132為了構(gòu)成晶體管的柵絕緣膜而選擇適合于柵絕緣膜的材料。例如，可以使用選自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOJNfy、x>y)、氮氧化硅(SiOxNy、x<y)等中的材料的單層膜、多層膜來形成。接著，第一絕緣層132上形成半導(dǎo)體層133?？梢允褂霉?、鍺、硅和鍺的化合物(珪鍺)來形成半導(dǎo)體層133。此外，在本實施方式中，使用結(jié)晶半導(dǎo)體來形成半導(dǎo)體層133?？梢酝ㄟ^采用CVD法、濺射法形成非晶半導(dǎo)體膜并對非晶半導(dǎo)體膜給予光能、熱能來使該非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶，從而形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。此外，也可以通過CVD法、濺射法來形成微晶或多晶的半導(dǎo)體膜.在采用后者的方式的情況下，在形成半導(dǎo)體膜之后，也可以通過給予光能、熱能來結(jié)晶(或者提高結(jié)晶度)。例如，為了形成非晶硅膜，可使用以氫對硅烷(SiH4)氣體進(jìn)行稀釋的原料氣體采用CVD法來形成。此外，也可以使用由硅構(gòu)成的靶子采用賊射法來形成。為了形成非晶鍺膜，既可以使用以氫對鍺烷(GeH4)氣體進(jìn)行稀釋的原料氣體采用CVD法來形成，又可以使用由鍺構(gòu)成的靶子采用濺射法來形成。為了形成非晶硅鍺膜，既可以使用將硅烷(SiH4)氣體和鍺烷(GeH4)氣體以預(yù)定的比率混合并以氬進(jìn)行稀釋的原料氣體采用CVD法來形成，又可以使用硅和鍺的兩種靶子采用濺射法來形成。作為通過CVD法的形成膜的方法，對原料氣體，除了氬氣氣體以外還可以添加如氦氣氣體、氟氣氣體、Ar、Kr、Ne等稀有氣體。此外，可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等代替單硅烷氣體作為原料氣體。此外，可以通過使用上述原料氣體采用等離子CVD法，將微晶或多晶半導(dǎo)體直接形成在絕緣層132上。另外，可以通過使用上述靶子，利用控制襯底溫度等來形成微晶或多晶半導(dǎo)體。作為使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶的方法，可以舉出如下方法照射激光的方法；照射紅外線等的方法；使用電爐加熱的方法；以及對半導(dǎo)體膜引入促進(jìn)半導(dǎo)體的結(jié)晶的金屬元素來使它結(jié)晶的方法等。作為用于結(jié)晶的激光器，連續(xù)振蕩型激光器(CW激光器)、脈沖振蕩型激光器(脈沖激光器)兩者都可以使用。作為對結(jié)晶優(yōu)選的氣體激光器，舉出Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等。此外，作為固體激光器，可以舉出如下激光器包含摻雜物(例如，Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta)的YAG;將YV04、YA103、GdV04、鎂橄欖石(Mg2Si04)等結(jié)晶用于介質(zhì)的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；變石激光器；以及Ti:藍(lán)寶石激光器等。為了使半導(dǎo)體結(jié)晶，不但照射從上述激光器振蕩的激光束的基波，而且可以照射基波的第二高次諧波至第四高次諧波的激光束。例如，可以使用Nd:YV04激光(基波為1064nm)的第二次高次諧波(532nm)、第三高次諧波(355nm)。激光的能密度需要在0.01MW/cm2以上至100MW/cm2以下的范圍內(nèi)，優(yōu)選為0.1MW/cm2以上至10MW/cm2以下的范圍內(nèi)。令掃描速度為10cm/sec以上至200cm/sec以下的范圍內(nèi)即可。將YAG等的上述結(jié)晶用作介質(zhì)的固體激光器、Ar離子激光器以及Ti:紅寶石激光器可以進(jìn)行連續(xù)振蕩。也可以通過進(jìn)行Q開關(guān)動作、模式同步等，以10MHz以上的振蕩頻率來進(jìn)行脈沖振蕩。當(dāng)以10MHz以上的振蕩頻率來振蕩激光束時，可以在利用激光束半導(dǎo)體膜從溶融到固化的期間內(nèi)向半導(dǎo)體膜照射下一個脈沖。因此，因為可以通過掃描激光束來將因照射激光束而產(chǎn)生的固液界面連續(xù)地移動，所以可以朝著掃描方向使半導(dǎo)體膜的晶粒生長變長。也可以通過照射以燈為光源的紅外光、可見光、紫外光而代替激光束來使半導(dǎo)體膜結(jié)晶。作為燈，典型地使用卣素?zé)?、金鹵燈、氙弧燈、碳孤燈、高壓鈉燈或高壓汞燈。將利用燈發(fā)出光的照射反復(fù)一次以上十次以下，優(yōu)選反復(fù)兩次以上六次以下。在一次照射中，將燈的點燈時間設(shè)為1秒以上60秒以內(nèi)，優(yōu)選為30秒以上60秒以內(nèi)的范圍內(nèi)，并且以600。C以上1000。C以下的溫度來瞬間加熱半導(dǎo)體膜。在使用電爐來進(jìn)行加熱處理的情況下，當(dāng)半導(dǎo)體是使用硅烷作為原料氣體的非晶硅時，優(yōu)選首先進(jìn)行400'C左右的加熱工序來使硅中的氫釋放，然后將溫度升高到非晶硅結(jié)晶的溫度。通過上述加熱處理，可以減少在結(jié)晶時的膜的粗糙。此外，作為結(jié)晶半導(dǎo)體的形成方法，也舉出使用促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素來結(jié)晶的方法。該方法特別優(yōu)選用于非晶硅膜的結(jié)晶?？梢酝ㄟ^將促進(jìn)非晶硅膜的結(jié)晶的金屬元素引入到半導(dǎo)體中并進(jìn)行激光束的照射或由電爐在500。C至600"的加熱處理，獲得在晶界上的晶粒的連續(xù)性高的結(jié)晶半導(dǎo)體。作為促進(jìn)硅的結(jié)晶的金屬元素，可以使用選自如下金屬元素中的一種或多種，即鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鈿(Pt)、銅(Cu)、以及金(Au)。此外，使用金屬元素的結(jié)晶不但適用于非晶珪的結(jié)晶，而且可以適用于具有0.01atomic。/o至4.5atomic。/o左右的鍺的非晶硅鍺的結(jié)晶。將上述金屬元素引入到半導(dǎo)體中的方法只要是使金屬元素存在于半導(dǎo)體的表面或其內(nèi)部的方法，就并沒有特別限制。例如可以使用濺射法、CVD法、等離子體處理法(包括等離子體CVD法)、吸附法、涂敷金屬鹽的溶液的方法。其中，使用溶液的方法簡單方便，并且容易進(jìn)行引入到半導(dǎo)體中的金屬元素的濃度調(diào)整。當(dāng)涂敷溶液時，優(yōu)選改善半導(dǎo)體表面的可濕性，以便將溶液散布在半導(dǎo)體的整個表面上。為了改善可濕性，優(yōu)選在非晶半導(dǎo)體的表面上形成極薄的lOnm以下的氧化膜。可以通過在氧氣環(huán)境大氣中的UV光的照射、熱氧化法、采用過氧化氫的處理、采用包含羥基的臭氧水的處理等來形成這種極薄的氧化膜。使用金屬元素結(jié)晶了的結(jié)晶硅具有如下特征，即與單晶硅同樣，在晶界上的硅元素的鍵不切斷地連續(xù)。因為該結(jié)晶硅具有這樣的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的特征，該結(jié)晶硅的韌性比采用不使用金屬元素的結(jié)晶來制造的多晶硅的韌性高。這是因為如下緣故不發(fā)生因晶界缺陷而發(fā)生的應(yīng)力集中，其結(jié)果，結(jié)晶硅具有比不使用金屬元素而形成的多晶硅高的破壞應(yīng)力。進(jìn)而，因為在晶界上原子鍵連續(xù)，所以電子的遷移率高，從而，適合作為由靜電力(靜電引力)而控制的微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)層的材料。當(dāng)然，也可以將這種結(jié)晶硅應(yīng)用于由電磁力而控制的微結(jié)構(gòu)。此外，用于結(jié)晶的鎳等的金屬元素與硅結(jié)合來形成硅化物。普遍知道，金屬化合物如鎳硅化物具有比硅高的強(qiáng)度。因此，可以像硅化物形成在結(jié)構(gòu)層中那樣，引入金屬元素。另一方面，由于用于結(jié)晶的金屬元素使電路10的元件特性降低，因此在結(jié)晶之后，優(yōu)選至少在形成電路10的區(qū)域(第二區(qū)域)中將引入了的金屬元素從半導(dǎo)體層133除去。下面將說明其方法。首先，通過使用含有臭氧的水溶液(典型的是臭氧水)來處理結(jié)晶硅的表面，在結(jié)晶半導(dǎo)體膜的表面上以lnm以上至10nm以下的厚度來形成由氧化膜(被稱為化學(xué)氧化物)構(gòu)成的阻擋層。在后面的工序中只選擇性地除去吸雜層時，該阻擋層起到蝕刻停止層的作用。接著，在阻擋層上形成含有稀有氣體元素的吸雜層作為吸雜位置。在此，通過CVD法或賊射法，形成含有稀有氣體元素的半導(dǎo)體膜作為吸雜層。當(dāng)形成吸雜層時適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)濺射條件，以便將稀有氣體元素添加到吸雜層中。作為稀有氣體元素，可以使用選自氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的一種或多種。須指出的是在進(jìn)行吸雜時，由于金屬元素具有易向氧濃度高的區(qū)域移動的傾向，因此包含在吸雜層的氧濃度優(yōu)選例如為5xl0"cm-s以上。接著，通過對結(jié)晶硅膜、阻擋層以及吸雜層進(jìn)行加熱處理(例如，使用電爐的加熱處理、激光束的照射處理)，從結(jié)晶硅中除去金屬元素，從而可以降低在結(jié)晶硅膜中的金屬元素的濃度。接著，如圖2C所示那樣，對半導(dǎo)體層133以及第一絕緣層132進(jìn)行光刻工序和蝕刻工序，分別加工為規(guī)定的形狀。從半導(dǎo)體層133形成晶體管的半導(dǎo)體層103、成為第一結(jié)構(gòu)層的一部分的半導(dǎo)體層134、成為第二結(jié)構(gòu)層的一部分的半導(dǎo)體層135。此外，將第一絕緣層132加工為與半導(dǎo)體層103、134、135相同的形狀，在第二區(qū)域中形成成為晶體管的柵絕緣膜的第一絕緣層102，而在第一區(qū)域中形成成為第一結(jié)構(gòu)層的一部分的絕緣層126以及成為第二結(jié)構(gòu)層的一部分的絕緣層127。圖5是圖2C的微結(jié)構(gòu)11的俯視圖。在圖2C中圖示沿著圖5的虛線0-P的截面。通過上述工序，微結(jié)構(gòu)11的笫一、第二結(jié)構(gòu)層的形狀確定。形成為圓形的絕緣層126和半導(dǎo)體層134的疊層體構(gòu)成可移動電極121，而絕緣層127和半導(dǎo)體層135的疊層體構(gòu)成固定電極122及布線123。須指出的是可移動電極121是不固定到襯底100上的第一結(jié)構(gòu)層，該第一結(jié)構(gòu)層最后從襯底100分離。因此，由絕緣層126和半導(dǎo)體層134構(gòu)成的疊層體的整體配置在成為犧牲層的第一導(dǎo)電層131的上面。此外，形成為圃形的第一結(jié)構(gòu)層也可以如圖5所示那樣具有開口部134a。固定電極122是其前端具有從村底100分離了的部分且具有固定到襯底100上的部分的第二結(jié)構(gòu)層。為了形成這種固定電極122，由絕緣層127和半導(dǎo)體層135構(gòu)成的疊層體的前端覆蓋第一導(dǎo)電層131的上面和側(cè)面地形成，而其他部分與襯底100的表面(絕緣表面)相接觸地形成。接著，如圖2D所示那樣，為了形成n型或p型的高濃度雜質(zhì)形成區(qū)域，通過摻雜法或離子注入法，對半導(dǎo)體層103選擇性地添加賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì)。使用磷(P)或砷(As)作為賦予n型的雜質(zhì)元素，而使用硼(B)作為賦予p型的雜質(zhì)元素。為了對除了成為柵電極的第一導(dǎo)電層101上以外的部分中添加雜質(zhì)，可以采用光刻法并使用抗蝕劑掩模來覆蓋不添加雜質(zhì)的區(qū)域，以進(jìn)行雜質(zhì)的添加。通過上述工序，在半導(dǎo)體層103中形成高濃度雜質(zhì)區(qū)域103b，并且第一導(dǎo)電層101上的沒有添加雜質(zhì)的區(qū)域被確定為溝道形成區(qū)域103a。此外，在第一區(qū)域中，通過同樣地對構(gòu)成第一結(jié)構(gòu)層的半導(dǎo)體層134、構(gòu)成第二結(jié)構(gòu)層的半導(dǎo)體層135添加雜質(zhì)，從而賦予導(dǎo)電性并形成導(dǎo)電層128、129。通過上述工序，可以使第一結(jié)構(gòu)層起到可移動電極121的作用，而使第二結(jié)構(gòu)層起到固定電極122及布線123的作用。接著，通過濺射法等形成導(dǎo)電膜。通過光刻工序和蝕刻工序加工該導(dǎo)電膜的形狀，然后，圖2E所示那樣，在第二區(qū)域中形成第二導(dǎo)電層104，并且在微結(jié)構(gòu)11中形成第二導(dǎo)電層137。在第二區(qū)域中，除了連接到高濃度雜質(zhì)區(qū)域103b的電極(布線)之外，由笫二導(dǎo)電層104形成構(gòu)成電路10的電極、布線、端子等。第二導(dǎo)電層137在下述的將開口部107形成在第二絕緣層105中時，為了不因蝕刻而被除去，并且為了保護(hù)第一、第二結(jié)構(gòu)層而被形成在第一區(qū)域中。此外，由于最后第二導(dǎo)電層137將被除去，因此它也是犧牲層(第二犧牲層)。第二導(dǎo)電層137具有至少覆蓋結(jié)構(gòu)層(126至129)中的形成開口部107的部分的形狀。當(dāng)然，也可以具有覆蓋結(jié)構(gòu)層(126至129)之中的在殘留笫二絕緣層105的區(qū)域中存在的部分的部分。在此情況下，微結(jié)構(gòu)11的布線123部分地具有絕緣層127、導(dǎo)電層129、第二導(dǎo)電層137的疊層結(jié)構(gòu)。此外，可以使用選自與第一導(dǎo)電層101、131相同的材料作為第二導(dǎo)電層104、137的材料，并且可以使用這些材料的單層膜、多層膜來形成第二導(dǎo)電層104、137。須指出的是由于覆蓋由半導(dǎo)體構(gòu)成的導(dǎo)電層128、129地形成第二導(dǎo)電層137，因此優(yōu)選使用包含能夠與硅、鍺反應(yīng)來形成金屬化合物的金屬元素的材料作為笫二導(dǎo)電層137。作為這樣金屬元素，可以舉出如鎢、鈦、鉬、鉭等的高熔點金屬、鈷、以及鎳等。在此情況下，通過在形成第二導(dǎo)電層137之后進(jìn)行加熱處理來使第二導(dǎo)電層137與金屬元素反應(yīng)，從而可以使導(dǎo)電層128、129成為由金屬化合物構(gòu)成的層。當(dāng)導(dǎo)電層128、129是珪的情況下，可以使導(dǎo)電層128、129成為硅化物層。通過使導(dǎo)電層128、129成為金屬化合物如硅化物，可以使導(dǎo)電性和強(qiáng)度的兩者都提高。此外，也可以使導(dǎo)電層128、129的一部分成為金屬化合物。作為用于形成金屬化合物的加熱處理，可以使用采用電爐的加熱處理、以及激光束、燈光的照射處理。在通過使導(dǎo)電層128、129成為金屬化合物如硅化物來可以獲得需要的導(dǎo)電率的情況下，在圖2D的工序中也可以不將n型或p型的雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體層134、135中。接著，如圖3A所示那樣形成笫二絕緣層105。在第二區(qū)域中，當(dāng)在第二絕緣層105中形成接觸孔之后，在第二導(dǎo)電層104上形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序及蝕刻工序來將該導(dǎo)電膜加工為規(guī)定的形狀，以在電路10中形成第三導(dǎo)電層106。在電路10中，由第三導(dǎo)電層106還形成有除了連接到晶體管的布線之外的布線等。第二絕緣層105是在層間將第三導(dǎo)電層106和第二導(dǎo)電層104分離的層間絕緣膜，此外，也可以起到密封電路10的密封層的作用。作為第二絕緣層105，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy、x>y)、氮氧化硅(SiOxNy、x<y)等無機(jī)絕緣膜。此外，還可以使用有機(jī)樹脂膜如聚酰亞胺、丙烯等、包含硅氧烷的膜。有機(jī)樹脂既可以是感光性，又可以是非感光性。第二絕緣層105可以采用由這些絕緣材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。例如，第一層可以為由氮化硅構(gòu)成的無機(jī)絕緣膜，而第二層可以為聚酰亞胺等有機(jī)樹脂膜。須指出的是硅氧烷是由硅(Si)和氧(O)的結(jié)合構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)的材料。使用有機(jī)基(例如，烷基、芳基)作為取代基。此外，在取代基中可以包括氟基。可以與第一導(dǎo)電層IOI、131或第二導(dǎo)電層104、137相周地形成第三導(dǎo)電層106。但是，由于釆用蝕刻來除去第一導(dǎo)電層131及第二導(dǎo)電層137,所以需要選擇不能被除去第一導(dǎo)電層131及第二導(dǎo)電層137的蝕刻劑除去的材料來形成第三導(dǎo)電層106。在形成第三導(dǎo)電層106之后，如圖3B所示那樣，在通過蝕刻來將開口部107形成在第二絕緣層105的形成有微結(jié)構(gòu)11的區(qū)域中，并且使第二導(dǎo)電層137露出。此時，因為由第二導(dǎo)電層137保護(hù)微結(jié)構(gòu)ll，所以在微結(jié)構(gòu)11中也可以具有使用與第二絕緣層105相比蝕刻選擇比率低的材料來形成的層。例如，也可以將與第二絕緣層105相同的材料使用于第一絕緣層126、127。此外，當(dāng)進(jìn)行犧牲層蝕刻時，作為可移動電極121的第一結(jié)構(gòu)層處于不固定到襯底10上的任何地方的狀態(tài)。當(dāng)在處于這種狀態(tài)下進(jìn)行犧牲層蝕刻時，有可能第一結(jié)構(gòu)層消失。為了防止這種情況，不在整個第一區(qū)域中設(shè)計開口部107，而優(yōu)選在第一區(qū)域的一部分中設(shè)計開口部107。例如，在與設(shè)計在圖5所示的成為第一結(jié)構(gòu)層的半導(dǎo)體層134中的開口部134a相同的地方中形成開口部107，或者比開口部134a稍微大地形成開口部107。接著，進(jìn)行通過蝕刻來除去第二導(dǎo)電層137(第二犧牲層)、第一導(dǎo)電層131(第一犧牲層)的所謂犧牲層蝕刻。通過犧牲層蝕刻結(jié)束，圖1A和1B所示的微結(jié)構(gòu)11完成。在可移動電極121中形成的開口部121a是為了在犧牲層蝕刻時將蝕刻劑散布在第一犧牲層131中而設(shè)計的。作為第二導(dǎo)電層137、第一導(dǎo)電層131的蝕刻方法，可以采用濕蝕刻法和干蝕刻法中的任意一種，并且根據(jù)構(gòu)成層的材料選擇適當(dāng)?shù)奈g刻劑。例如，在第一導(dǎo)電層131、第二導(dǎo)電層137(犧牲層)是鵠(W)的情況下，可以使用將28%的氨和31%的過氧化氳溶液以1:2的比率混合的溶液作為蝕刻劑。在這些犧牲層是鋁的情況下，可以使用硝酸和磷酸的混酸作為蝕刻劑。此外，根據(jù)用于犧牲層的材料，也可以在大氣壓等高壓的條件下采用使用F2、XeF2的氣體的干蝕刻，來進(jìn)行犧牲層的蝕刻。須指出的是當(dāng)濕蝕刻之后的干燥時，優(yōu)選使用粘度低的有機(jī)溶劑(例如為環(huán)已烷)來進(jìn)行沖洗、或在低溫和低壓下進(jìn)行干燥、或者進(jìn)行組合該雙方的處理，以便防止毛細(xì)現(xiàn)象所引起的微結(jié)構(gòu)的屈曲。像這樣，本發(fā)明可以在具有絕緣表面的襯底上一體形成具有轉(zhuǎn)子的微結(jié)構(gòu)和電路。因此，電路和微結(jié)構(gòu)的連接部分的機(jī)械強(qiáng)度高，不容易發(fā)生連接缺陷。另外，沒有后面要使微結(jié)構(gòu)和電路集成化的工序，從而可以降低制造成本。實施方式2在本實施方式中，將說明在相同的村底上同時制作微結(jié)構(gòu)和控制微結(jié)構(gòu)的電路的方法。圖6A和6B是示出本實施方式的MEMS的結(jié)構(gòu)的圖。圖6A是MEMS的截面圖，而圖6B是微結(jié)構(gòu)的俯視圖。須指出的是在圖6A中，左邊是形成有微結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的截面圖，而右邊是形成有電路的笫二區(qū)域的截面圖。這一點與圖7A至7E以及圖8A至8C所示的截面圖相同。在本實施方式的MEMS中也在相同的襯底100上設(shè)計有電路20和微結(jié)構(gòu)21。雖然電路20的晶體管是底柵型薄膜晶體管的這一點與實施方式l相同，但是半導(dǎo)體層203的結(jié)構(gòu)不同。此外，雖然微結(jié)構(gòu)21具有轉(zhuǎn)子(rotor)和定子(stator)的這一點與實施方式1相同，但是具有旋轉(zhuǎn)軸(第三結(jié)構(gòu)層)的這一點不同。將參照圖6A和6B具體地說明本實施方式的MEMS的結(jié)構(gòu)。電路20和微結(jié)構(gòu)21被設(shè)計在相同的襯底100上(相同的絕緣表面上)。電路20的薄膜晶體管包括構(gòu)成晶體管的柵電極或柵布線的第一導(dǎo)電層101、位于第一導(dǎo)電層101上且構(gòu)成柵絕緣層的第一絕緣層102、第一絕緣層102上的半導(dǎo)體層203、以及半導(dǎo)體層203上的笫二導(dǎo)電層104。半導(dǎo)體層203具有雙層結(jié)構(gòu)，包括形成有溝道形成區(qū)域的半導(dǎo)體層；以及層疊在該半導(dǎo)體層上并起到源區(qū)域或漏區(qū)域(高濃度雜質(zhì)區(qū)域)的作用的顯示n型或p型的導(dǎo)電性的半導(dǎo)體層(導(dǎo)電層)。下面，假定前者為笫一半導(dǎo)體層而后者為第二半導(dǎo)體層來說明。在半導(dǎo)體層203的第二半導(dǎo)體層上形成有第二導(dǎo)電層104,其被連接到第二半導(dǎo)體層，并且起到源電極或漏電極的作用。在電路20中，進(jìn)一步覆蓋第二導(dǎo)電層104、半導(dǎo)體層203、第一絕緣層102以及第一導(dǎo)電層101,形成有第二絕緣層105。在第二絕緣層105上形成有第三導(dǎo)電層106。第三導(dǎo)電層106通過形成在笫二絕緣層105中的接觸孔連接到笫二導(dǎo)電層104。使用笫一導(dǎo)電層101、笫二導(dǎo)電層104以及第三導(dǎo)電層106來形成電路20的電極、布線、端子。此外，在電路20中，也形成晶體管以外的元件。例如，可以使用半導(dǎo)體層203的n型半導(dǎo)體層、第一絕緣層102、第一導(dǎo)電層101來構(gòu)成電容元件。如圖6B所示那樣，微結(jié)構(gòu)21包括可移動電極221(第一結(jié)構(gòu)層)、固定到襯底100上的十二個固定電極222(笫二結(jié)構(gòu)層)、連接到固定電極222的布線223、嵌合在可移動電極221中心的旋轉(zhuǎn)軸225(第三結(jié)構(gòu)層)?？梢苿与姌O221是所謂的轉(zhuǎn)子，而固定電極222是所謂的定子。通過對三相的固定電極222按順序施加電壓，因在可移動電極221和固定電極222之間發(fā)生了的靜電引力而可移動電極221在旋轉(zhuǎn)軸225的周圍旋轉(zhuǎn)?？梢岳脤潭姌O222施加的電壓來控制可移動電極221的旋轉(zhuǎn)方向。除了構(gòu)成電極、布線的結(jié)構(gòu)層的疊層結(jié)構(gòu)不同之外，固定電極222、布線223的結(jié)構(gòu)與實施方式1的固定電極122、布線123相同，固定電極222和布線223—體地形成。也可以把包括固定電極222和布線223看作是第二結(jié)構(gòu)層?？梢苿与姌O221的形狀是在圓盤的周圍對稱地設(shè)計有四個T字型(其先端的寬度較寬的形狀)的層的形狀。此外，當(dāng)俯視可移動電極221的形狀時，可移動電極221顯示十字型的外觀，并且可移動電極221的外周成為圓弧形。可移動電極221、固定電極222以及布線223具有多層結(jié)構(gòu)，其中下層由絕緣層構(gòu)成，而上層由半導(dǎo)體層構(gòu)成。下層的絕緣層位于與晶體管的第一絕緣層102相同的層上，并且由與第一絕緣層102相同的絕緣膜形成。上層的半導(dǎo)體層位于與晶體管的半導(dǎo)體層203相同的層上，具有與半導(dǎo)體層203相同的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層(導(dǎo)電層)的雙層結(jié)構(gòu)，并且由與半導(dǎo)體層203相同的半導(dǎo)體膜形成。旋轉(zhuǎn)軸225經(jīng)由形成在可移動電極221的中心部的開口部來固定到襯底100上。此外，旋轉(zhuǎn)軸225的前端比可移動電極221的開口部大，因此可移動電極221不脫落。須指出的是設(shè)計旋轉(zhuǎn)軸225的位置不需要在可移動電極221的中心。在需要使用微結(jié)構(gòu)21作為轉(zhuǎn)子情況下，也可以將設(shè)計旋轉(zhuǎn)軸225的位置從中心錯開。下面，將參照圖7A至圖9來說明圖6A和6B所示的MEMS的制造方法。須指出的是省略與實施方式1重復(fù)的說明并援引實施方式1的說明。首先，與實施方式1同樣地準(zhǔn)備具有絕緣表面的襯底作為襯底100。在襯底100上形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序和蝕刻工序來將該導(dǎo)電膜加工為規(guī)定的形狀，并且如圖7A所示那樣形成第一導(dǎo)電層101、131。在第一導(dǎo)電層IOI、131上形成第一絕緣層132。在電路20中，除了晶體管的柵布線之外，由第一導(dǎo)電層101還形成其他電極、布線、端子。形成在微結(jié)構(gòu)21的第一導(dǎo)電層131用作犧牲層，與實施方式l同樣加工為如圖4所示的圓盤狀。接著，在第一區(qū)域中形成構(gòu)成可移動電極221、固定電極222以及布線223的半導(dǎo)體層，并且在第二區(qū)域中形成構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體層203的半導(dǎo)體層。首先，如圖7B所示那樣形成構(gòu)成第一半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜233A。為了構(gòu)成晶體管的溝道形成區(qū)域，半導(dǎo)體膜233A有意圖地不添加賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì)地被形成，以使得成為本征半導(dǎo)體(i型半導(dǎo)體)。半導(dǎo)體膜233A可以是非晶半導(dǎo)體或結(jié)晶半導(dǎo)體如微晶半導(dǎo)體、多晶半導(dǎo)體.可以采用實施方式l所說明的方法作為形成半導(dǎo)體膜233A的方法。接著，如圖7C所示那樣形成構(gòu)成第二半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜233B。為了構(gòu)成晶體管的源區(qū)域及漏區(qū)域，半導(dǎo)體膜233B是包含賦予n型或p型的導(dǎo)電性的雜質(zhì)的半導(dǎo)體層，并且也用作導(dǎo)電層。此外，半導(dǎo)體膜也可以是非晶半導(dǎo)體或結(jié)晶半導(dǎo)體如微晶半導(dǎo)體、多晶半導(dǎo)體?？梢圆捎脤嵤┓绞?所說明的方法作為形成半導(dǎo)體膜233B的方法。因為在本實施方式中使用具有由半導(dǎo)體膜233A和半導(dǎo)體膜233B構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層作為結(jié)構(gòu)層，所以可以使用結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同的雙層的半導(dǎo)體層來形成結(jié)構(gòu)層。由于結(jié)晶結(jié)構(gòu)具有不同的性質(zhì)如強(qiáng)度等，因此通過使用結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同的半導(dǎo)體的多層膜來形成結(jié)構(gòu)層，可以互相補(bǔ)充每一層中的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的缺點。例如，半導(dǎo)體膜233A可以為非晶半導(dǎo)體，而半導(dǎo)體膜233B可以為多晶半導(dǎo)體。此外，半導(dǎo)體膜233A可以為微晶半導(dǎo)體，而半導(dǎo)體膜233B可以為多晶半導(dǎo)體。當(dāng)然，半導(dǎo)體膜233A和半導(dǎo)體膜233B可以具有相同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。通過半導(dǎo)體層采用多層，容易形成厚的結(jié)構(gòu)層。例如，通過反復(fù)晶，可以形成層疊結(jié)晶半導(dǎo)體膜的疊層膜:可以像這樣形成結(jié)晶半導(dǎo)體的疊層膜，并且利用上層的結(jié)晶工序的加熱處理來緩和下層的內(nèi)部應(yīng)力，因此可以防止膜的剝離以及襯底的變形。此外，在將結(jié)晶半導(dǎo)體使用于半導(dǎo)體膜233A及半導(dǎo)體膜233B的情況下，可以其結(jié)晶生長方向不同地層疊半導(dǎo)體膜233A和半導(dǎo)體膜233B。例如，在使用金屬元素來使半導(dǎo)體膜結(jié)晶的情況下，當(dāng)對要結(jié)晶的整個區(qū)域中添加金屬元素時半導(dǎo)體的結(jié)晶向相對于襯底垂直的方向生長。另一方面，選擇性地添加金屬元素并進(jìn)行激光照射、加熱處理的情況下，結(jié)晶向相對于襯底平行的方向生長。通過層疊結(jié)晶生長方向不同的層，可以形成韌性優(yōu)良的結(jié)構(gòu)層。由于層疊有結(jié)晶生長方向不同的膜，因此可以互相補(bǔ)充每一層的缺點。就是說，如果在一個層的晶界中產(chǎn)生裂縫，裂縫不容易傳導(dǎo)到結(jié)晶生長方向不同的層中，從而可以抑制結(jié)構(gòu)層的破壞。此外，可以選擇結(jié)晶的區(qū)域來使半導(dǎo)體膜233A、233B結(jié)晶。就是說，可以僅僅選擇形成電路20的區(qū)域(笫二區(qū)域)或形成微結(jié)構(gòu)21的區(qū)域(第一區(qū)域)來進(jìn)行結(jié)晶。例如，使用非晶半導(dǎo)體來形成半導(dǎo)體膜233A,僅僅使成為微結(jié)構(gòu)21的區(qū)域結(jié)晶。以半導(dǎo)體膜233B作為微晶半導(dǎo)體，不進(jìn)行部分結(jié)晶。在此情況下，即使微結(jié)構(gòu)21的第一半導(dǎo)體層和晶體管的第一半導(dǎo)體層位于相同的層中，其結(jié)晶結(jié)構(gòu)互不相同。微結(jié)構(gòu)21的第二半導(dǎo)體層和晶體管的第二半導(dǎo)體層具有相同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。須指出的是通過對半導(dǎo)體有選擇地照射激光束來實現(xiàn)有選擇性的結(jié)晶。此外，在使用金屬元素來結(jié)晶的情況下，將金屬元素添加到一部分的區(qū)域中。在形成半導(dǎo)體膜233A、233B之后，通過光刻工序和蝕刻工序，如圖7D所示那樣將半導(dǎo)體膜233A、233B、笫一絕緣層132加工為規(guī)定的形狀。第一半導(dǎo)體層234A、228A、229A是由半導(dǎo)體膜233A形成的。半導(dǎo)體層234B、228B、229B是由半導(dǎo)體膜233B形成的。此外，在第一絕緣層132中，通過蝕刻工序除去與半導(dǎo)體層234A、234B、228A、228B、229A、229B重疊的部分之外的部分，在第二區(qū)域中形成第一絕緣層102，并且在第一區(qū)域中形成第一絕緣層226、227。通過上述工序，微結(jié)構(gòu)21的可移動電極221、固定電極222以及布線223的形狀確定，圖9是圖7D的微結(jié)構(gòu)21的俯視圖。在圖7D中示出了沿著圖9的虛線0-P的截面。由第一絕緣層226、第一半導(dǎo)體層228A、第二半導(dǎo)體層228B構(gòu)成的疊層體是構(gòu)成可移動電極221的結(jié)構(gòu)層(第一結(jié)構(gòu)層)，在其中心形成用于設(shè)計旋轉(zhuǎn)軸225的開口部230。由笫一絕緣層227、第一半導(dǎo)體層229A、第二半導(dǎo)體層229B構(gòu)成的疊層體是構(gòu)成固定電極222以及布線223的結(jié)構(gòu)層(第二結(jié)構(gòu)層)。在第二區(qū)域中，形成成為柵絕緣膜的第一絕緣層102、構(gòu)成半導(dǎo)體層203的半導(dǎo)體層234。由第一半導(dǎo)體層234A和第二半導(dǎo)體層234B的疊層膜構(gòu)成半導(dǎo)體層234。接著，采用濺射法等來形成導(dǎo)電膜，采用光刻工序和蝕刻工序來加工該導(dǎo)電膜的形狀，如圖7E所示那樣，在笫二區(qū)域中形成第二導(dǎo)電層104，并且在微結(jié)構(gòu)21中形成第二導(dǎo)電層237.在第二區(qū)域中，除了晶體管的電極(布線)之外，由第二導(dǎo)電層104還形成構(gòu)成電路20的電極、布線、端子等。此外，能夠與實施方式l同樣地制造構(gòu)成第二導(dǎo)電層104、237的導(dǎo)電膜。為了保護(hù)而形成第二導(dǎo)電層237，以便當(dāng)在下述第二絕緣層105中形成開口部107時結(jié)構(gòu)層不因蝕刻被除去。此外，因為最后第二導(dǎo)電層237被除去，所以也是犧牲層(第二犧牲層)。第二導(dǎo)電層237具有至少覆蓋位于形成有開口部107的區(qū)域中的結(jié)構(gòu)層(第一半導(dǎo)體層228A、229A、第二半導(dǎo)體層228B、229B、以及絕緣層226、227)的表面的形狀。當(dāng)然，還可以具有覆蓋位于殘留第二絕緣層105的部分中的結(jié)構(gòu)層(第一半導(dǎo)體層229A、第二半導(dǎo)體層229B以及絕緣層227)的部分。在此情況下，微結(jié)構(gòu)21的布線223的一部分部分地具有絕緣層227、第一半導(dǎo)體層229A、第二半導(dǎo)體層229B以及第二導(dǎo)電層237的疊層結(jié)構(gòu)。在第二區(qū)域中，將第二導(dǎo)電層104用作掩模來通過蝕刻除去半導(dǎo)體層234的一部分，以形成半導(dǎo)體層203。通過該蝕刻，第二半導(dǎo)體層234B被分開而形成一對第二半導(dǎo)體層203B。一對第二半導(dǎo)體層203B用作源區(qū)域、漏區(qū)域。第一半導(dǎo)體層234A的表面層的一部分被除去，并且形成有溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體層203A被形成。另一方面，在第一區(qū)域中，通過使用與硅、鍺反應(yīng)可形成金屬化合物的金屬來形成第二導(dǎo)電層237，與實施方式l同樣，也可以通過進(jìn)行加熱處理來使笫一半導(dǎo)體層228A、229A、第二半導(dǎo)體層228B、229B與第二半導(dǎo)體層237反應(yīng)，形成金屬化合物(典型的是金屬和硅的化合物的硅化物)。在此情況下，在半導(dǎo)體層234的蝕刻之后進(jìn)行通過加熱處理等形成金屬化合物。在此情況下，可以令第二半導(dǎo)體層228B、229B的整體為金屬化合物。此外，也可以使其表面層的一部分為金屬化合物。第二半導(dǎo)體層228B、229B是顯示n型或p型的導(dǎo)電性的導(dǎo)電層，通過使第二半導(dǎo)體層228B、229B成為金屬化合物，可以提高其導(dǎo)電率且還提高其強(qiáng)度。此外，根據(jù)第二半導(dǎo)體層228B、229B的厚度，第一半導(dǎo)體層228A、229A的整體也可以為金屬化合物。至少可以使與第二導(dǎo)電層237接觸的側(cè)面的某個厚度為金屬化合物。就是說，可以使可移動電極221和固定電極222的側(cè)面、以及其后設(shè)計旋轉(zhuǎn)軸225的開口部230的內(nèi)部成為金屬化合物。使容易受到?jīng)_擊的這種部分成為金屬化合物，對在提高微結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度上是非常有效的。此外，在形成晶體管的溝道形成區(qū)域的情況下，由于對第一半導(dǎo)體層228A、229A并沒有特別地賦予導(dǎo)電性，因此可以通過形成金屬化合物來降低可移動電極221、固定電極222、布線223的電阻。尤其是，因為在固定電極222和可移動電極221相對的表面上形成金屬化合物，所以可以使能夠產(chǎn)生靜電力的部分的面積擴(kuò)大。須指出的是可以提高第一半導(dǎo)體層228A、229A的導(dǎo)電率，并當(dāng)作導(dǎo)電層。例如，在形成第二半導(dǎo)體膜233B之前(參照圖7B)，可以對第一半導(dǎo)體膜233A的存在于第一區(qū)域中的部分有選擇性地添加賦予n型或p型的導(dǎo)電性的雜質(zhì)，來形成n型或p型的雜質(zhì)區(qū)域。此外，通過使上述這樣區(qū)域有選擇性地成為金屬化合物(硅化物、鍺和金屬的化合物)，使其成為導(dǎo)電層。此外，可以進(jìn)行雜質(zhì)的添加和金屬化合物的形成這雙方。接著，如圖8A所示那樣形成第二絕緣層105。當(dāng)在第二絕緣層105中形成接觸孔之后，在第二導(dǎo)電層104上形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序及蝕刻工序?qū)?dǎo)電膜加工為規(guī)定的形狀，并且在電路20中形成第三導(dǎo)電層106。當(dāng)形成第三導(dǎo)電層106之后，如圖8B所示那樣，通過蝕刻在形成有第二絕緣層105的微結(jié)構(gòu)21的區(qū)域中形成開口部107來使第二導(dǎo)電層237露出。接著，如圖8B所示那樣，在形成旋轉(zhuǎn)軸225的部分中形成穿過第二導(dǎo)電層237和第一導(dǎo)電層131的開口部238。開口部238的形成可以采用干蝕刻，并且可以對第二導(dǎo)電層237、笫一導(dǎo)電層131進(jìn)行各向異性蝕刻，開口部238形成在可移動電極221的開口部230的內(nèi)部。為了分離旋轉(zhuǎn)軸225和可移動電極221，開口部238形成為小于設(shè)計在如圖7D所示的可移動電極221中的開口部230，并且使開口部230中第二導(dǎo)電層237殘留。在笫二導(dǎo)電層237上形成多晶半導(dǎo)體、金屬、金屬化合物、合金等膜，通過光刻工序及蝕刻工序?qū)⑸鲜瞿ぜ庸橐?guī)定的形狀，然后如圖8C所示那樣形成旋轉(zhuǎn)軸225。采用如下材料作為旋轉(zhuǎn)軸225的材料即使使用用于除去第一導(dǎo)電層131、第二導(dǎo)電層237的犧牲層蝕刻的蝕刻劑，也不能除去的材料。將旋轉(zhuǎn)軸225的先端(位于第二導(dǎo)電層237上的部分)加工為比開口部230寬，而旋轉(zhuǎn)軸的底部與襯底100貼緊地形成。接著，進(jìn)行通過蝕刻除去第二導(dǎo)電層237(第二犧牲層)、第一導(dǎo)電層131(第一犧牲層)的所謂的犧牲層蝕刻。通過犧牲層蝕刻結(jié)束，圖6A和6B所示的微結(jié)構(gòu)21完成。這樣，本發(fā)明可以在具有絕緣表面的襯底上一體形成具有轉(zhuǎn)子的微結(jié)構(gòu)和電路。因此，電路和微結(jié)構(gòu)的連接部分的機(jī)械強(qiáng)度高，不容易發(fā)生連接缺陷。此外，沒有后面使微結(jié)構(gòu)和電路集成化的工序，可以降低制造成本。實施方式3在本實施方式中，將說明在實施方式1的MEMS中改變微結(jié)構(gòu)形狀的例子。在本實施方式中，微結(jié)構(gòu)包括具有梳齒形并細(xì)長的可移動層(滑動器)(slider)、以及其兩側(cè)上的固定層，并且在與襯底水平的方向上運動。這種微結(jié)構(gòu)將某種機(jī)械運動改變?yōu)槠渌\動，例如將旋轉(zhuǎn)運動改變?yōu)橹本€運動。具體而言，如圖14所示那樣，可移動層422(滑動器)的梳齒和齒輪421的齒嚙合，旋轉(zhuǎn)的齒輪421使可移動層422運動。可移動層422在其長軸方向上進(jìn)行直線運動。此外，固定層425位于可移動層422的兩端，并且限制可移動層在長軸方向上以外的運動。圖IOA和IOB是示出本實施方式的MEMS結(jié)構(gòu)的圖。圖IOA是MEMS的截面圖，而圖IOB是微結(jié)構(gòu)的俯視圖。須指出的是在圖10A中，左邊是形成有微結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的截面圖，而右邊是形成有電路的第二區(qū)域的截面圖。這一點與圖IIA至圖12C所示的截面圖相同。另外，沿著圖IOB的虛線O-P切開的截面圖對應(yīng)于圖10A所示的微結(jié)構(gòu)31的截面圖。須指出的是因為微結(jié)構(gòu)31在長軸方向上細(xì)長，因而省略上下而只示出其一部分。在本實施方式中，也在相同的襯底100上(相同的絕緣表面上)形成有電路10以及微結(jié)構(gòu)31。如圖10B所示那樣，微結(jié)構(gòu)31包括梳齒形的可移動層321(第一結(jié)構(gòu)層)；矩形的一對第一固定層322(第二結(jié)構(gòu)層)；連接到第一固定層322的布線323以及第二固定層325。布線323與第一固定層322—體地形成，并且電連接到電路IO。此外，為了不使可移動層321(第一結(jié)構(gòu)層)在與襯底垂直的方向上運動，可以具有第二固定層325?？梢苿訉?21是梳齒形的電極，從襯底100分離地形成。一對第一固定層322是矩形的電極，夾著可移動層321地被配置。雖然笫一固定層322被固定到襯底100地被形成，但是與可移動層321相對的前端從襯底100分離。第二固定層325貼緊到第一固定層322地被形成。此外，第二固定層325的前端從第一固定層322分離，而重疊于可移動層321上。在微結(jié)構(gòu)31中，一對第一固定層322限制可移動層321的運動，來避免可移動層321在與要移動的方向(在此為可移動層的長軸方向)不同的方向上移動。在本實施方式中，由于電路10的結(jié)構(gòu)與實施方式1相同，因此可移動層321、第一固定層322以及布線323的疊層結(jié)構(gòu)與實施方式1的第一結(jié)構(gòu)層(可移動電極121)和第二結(jié)構(gòu)層(固定電極122、布線123)相同。下面，使用圖11A至圖13來說明本實施方式的MEMS的制造方法。須指出的是省略與實施方式1重復(fù)的說明并援引實施方式1的說明。與實施方式l同樣地準(zhǔn)備具有絕緣表面的襯底作為村底IOO。在村底100上形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序和蝕刻工序來將該導(dǎo)電膜加工為規(guī)定的形狀，并且如圖11A所示那樣，在第二區(qū)域中形成第一導(dǎo)電層101，而在第一區(qū)域中形成第一導(dǎo)電層331。在第一導(dǎo)電層101、331上形成第一絕緣層132。笫一導(dǎo)電層331用作犧牲層(第一犧牲層)，并且如圖13所示加工為矩形，須指出的是圖13是圖IIC的微結(jié)構(gòu)31的俯視圖。在圖IIC示出沿著圖13的虛線O-P來切開的截面。接著，如圖IIB所示，在第一區(qū)域中形成構(gòu)成可移動層321及第一固定層322的層，并且在第二區(qū)域中形成構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體層103的半導(dǎo)體層333。接著，如圖11C所示，通過對半導(dǎo)體層333及第一絕緣層132進(jìn)行光刻工序和蝕刻工序來將它們加工為規(guī)定的形狀。在第二區(qū)域中由半導(dǎo)體層333形成晶體管的半導(dǎo)體層103。此外，在第一區(qū)域中形成成為第一結(jié)構(gòu)層中的一部分的半導(dǎo)體層334、以及成為第二結(jié)構(gòu)層中的一部分的半導(dǎo)體層335。另外，將第一絕緣層132加工為與半導(dǎo)體層103、334、335相同的形狀，在第二區(qū)域中形成成為晶體管的柵絕緣膜的第一絕緣層102，而在第一區(qū)域中形成絕緣層326、327。通過上述工序，微結(jié)構(gòu)31的笫一、第二結(jié)構(gòu)層的形狀確定。絕緣層326和半導(dǎo)體層334的疊層體構(gòu)成可移動層321(第一結(jié)構(gòu)層)，而絕緣層327和半導(dǎo)體層335的疊層體構(gòu)成笫一固定層322、布線323(第二結(jié)構(gòu)層)。如圖13所示，將半導(dǎo)體層334形成為具有梳齒狀部分的矩形，并且在半導(dǎo)體層335的各個中，成為第一固定層322的矩形部分和成為布線323的線形部分一體地被形成且配置為夾著半導(dǎo)體層334。須指出的是由于可移動層321最后從襯底100分離，因此由絕緣層326和半導(dǎo)體層334構(gòu)成的疊層體整體配置在第一導(dǎo)電層331的上面。此外，因為在第一固定層322的前端形成從襯底100分離了的部分，并且為了將第一固定層322固定在襯底IOO上，由絕緣層327和半導(dǎo)體層335構(gòu)成的疊層體的前端以覆蓋第一導(dǎo)電層331的上面和側(cè)面地方式被形成，而其他部分與襯底100的表面(絕緣表面)相接觸地被形成。通過摻雜法或離子注入法，對半導(dǎo)體層103、334、335選擇性地添加賦予導(dǎo)電性的n型或p型的雜質(zhì)。為了將雜質(zhì)選擇性地添加到除了成為柵電極的第一導(dǎo)電層101上之外的部分中，采用光刻法來將抗蝕劑掩模形成在不添加雜質(zhì)的部分上，并使用該掩模添加雜質(zhì)。通過上述工序，如圖11D所示那樣，在半導(dǎo)體層103中形成高濃度雜質(zhì)區(qū)域103b，在半導(dǎo)體層103中的沒有添加雜質(zhì)的區(qū)域確定為溝道形成區(qū)域103a。高濃度雜質(zhì)區(qū)域103b用作源區(qū)域或漏區(qū)域。此外，當(dāng)在結(jié)構(gòu)層上沒有形成抗蝕劑掩模的情況下，對構(gòu)成結(jié)構(gòu)層的半導(dǎo)體層334、335通過雜質(zhì)的添加賦予導(dǎo)電性，以形成導(dǎo)電層328、329。在本實施方式中，由于結(jié)構(gòu)層不必須具有導(dǎo)電性，因此在結(jié)構(gòu)層上形成抗蝕劑掩模來可以防止雜質(zhì)添加到結(jié)構(gòu)層中。接著，通過濺射法等形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序和蝕刻工序來加工該導(dǎo)電膜的形狀，如圖IIE所示那樣在第二區(qū)域中形成笫二導(dǎo)電層104，并且在第一區(qū)域中形成第二導(dǎo)電層337(第二犧牲層)。第二導(dǎo)電層104用作源電極或漏電極。為了保護(hù)形成第二導(dǎo)電層337,以使得當(dāng)在第二絕緣層105中形成開口部107時結(jié)構(gòu)層不因蝕刻被除去。因此第二導(dǎo)電層337不需要覆蓋結(jié)構(gòu)層(328、329)的整體，而采用至少覆蓋在形成有開口部107的區(qū)域中存在的部分的形狀即可。此外，第二導(dǎo)電層337也用作犧牲層，該犧牲層用于制造在第一固定層322和第二固定層325之間的空隙。另外，在結(jié)構(gòu)層需要具有導(dǎo)電性的情況下，可以通過如實施方式1所述那樣使用包含與硅、鍺反應(yīng)來能夠形成金屬化合物的金屬元素的材料來形成第二導(dǎo)電層337，使導(dǎo)電層328、329成為金屬化合物(典型地為硅化物)。接著，如圖12A所示那樣形成第二絕緣層105。在第二絕緣層105中形成接觸孔之后，在第二導(dǎo)電層104上形成導(dǎo)電膜，通過光刻工序及蝕刻工序來將導(dǎo)電膜加工為規(guī)定的形狀，在第二區(qū)域中形成第三導(dǎo)電層106。在形成第三導(dǎo)電層106之后，如圖12B所示那樣在第一區(qū)域中通過蝕刻將開口部107形成在第二絕緣層105中。然后，進(jìn)行通過蝕刻來除去第二導(dǎo)電層337(第二犧牲層)、第一導(dǎo)電層331(第一犧牲層)的所謂的犧牲層蝕刻。與在實施方式l中的微結(jié)構(gòu)的可移動電極相同，當(dāng)犧牲層(337、331)被除去時可移動層321將不固定到襯底100。因此，與實施方式l相同，也可以以第二絕緣層105殘留在可移動層321上部的方式來形成開口部107,此外，也可以在可移動層321上形成第二固定層。在此示出形成第二固定層的例子。接著，為了連接第一固定層322和第二固定層325，通過光刻工序以及蝕刻工序部分地除去第二導(dǎo)電層337(參照圖12B)。在第二導(dǎo)電層237上形成導(dǎo)電層，通過光刻工序以及蝕刻工序?qū)⒃搶?dǎo)電層加工為規(guī)定的形狀，并且如圖12C所示那樣形成第二固定層325(第三結(jié)構(gòu)層)。第二固定層325的一部分與第一固定層322貼緊地形成并被連接到第一固定層322。此外，第二固定層325的前端覆蓋在第二導(dǎo)電層337的上面以及側(cè)面地形成。該結(jié)果，第二固定層325的前端從第一固定層322分離并與可移動層321重疊地被設(shè)計。作為第二固定層325的材料，可以使用選自鉬(Mo)、鴒(W)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋁(Al)等中的金屬；以上述金屬元素為主要成分的金屬化合物(例如，鈦的氮化物、鵠的氮化物)；或以上述金屬元素為主要成分的合金(例如，鋁和鈦的合金、鉻和鉬的合金)等。此外，也可以使用鎢、鈦、鉬、鉭等難熔金屬；鈷、鎳等的硅化物；具有n型或p型的導(dǎo)電性的結(jié)晶硅等。第二固定層325由上述導(dǎo)電材料中選出的導(dǎo)電膜的單層膜或多層膜構(gòu)成。另外，在第二固定層325不需要導(dǎo)電性的情況下，笫二固定層325使用具有絕緣性的材料并采用單層膜或多層膜來形成。須指出的是，采用如下材料作為第二固定層325的材料即使使用用于除去第一導(dǎo)電層331、第二導(dǎo)電層337的犧牲層蝕刻的蝕刻劑也不被除去的材料。進(jìn)行通過蝕刻除去第二導(dǎo)電層337(第二犧牲層)、第一導(dǎo)電層331(笫一犧牲層)的所謂的犧牲層蝕刻。通過犧牲層蝕刻結(jié)束，圖10A和10B所示的微結(jié)構(gòu)31完成.這樣，本發(fā)明可以在具有絕緣表面的襯底上一體形成具有轉(zhuǎn)子的微結(jié)構(gòu)和電路。因此，電路和微結(jié)構(gòu)的連接部分的機(jī)械強(qiáng)度高，以不容易發(fā)生連接缺陷。另外，因為沒有后面使微結(jié)構(gòu)和電路集成化的工序，所以MEMS的結(jié)構(gòu)簡化，可以降低制造成本。在本實施方式中，令可移動層321(第一結(jié)構(gòu)層)為梳齒形，也可以加工為用作轉(zhuǎn)子、齒輪的形狀、或者用作滑動器的形狀?？梢詫⒌谝唤Y(jié)構(gòu)層的形狀加工為能夠移動即可，而不局限于本實施方式的形狀。此外，雖然在本實施方式中電路采用實施方式1的電路10的結(jié)構(gòu)，但是還可以采用實施方式2的電路20的結(jié)構(gòu)。在此情況下，可移動層321、第一固定層322(第一、第二結(jié)構(gòu)層)的疊層結(jié)構(gòu)成為與實施方式2的第一、第二結(jié)構(gòu)層(可移動電極221、固定電極222)相同的結(jié)構(gòu)。實施方式4在本實施方式中說明微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)例子。圖14是本實施方式的微結(jié)構(gòu)的外觀透視圖。雖然在圖14中僅僅圖示微結(jié)構(gòu)，但是具有絕緣表面的村底上集成有電路和微結(jié)構(gòu)。微結(jié)構(gòu)包括具有齒輪形狀的第一可移動層421(第一結(jié)構(gòu)層)、具有與第一可移動層421嚙合的齒的第二可移動層422(笫二結(jié)構(gòu)層)、以及用于使靜電力等對第二可移動層422起作用的固定層425(第三結(jié)構(gòu)層)。固定層425與未圖示的電路電連接。第一可移動層421是齒輪，與其他實施方式的第一結(jié)構(gòu)層相同，從村底(絕緣表面)以及其他結(jié)構(gòu)層分離，第二可移動層422是滑動器，具有與第一可移動層421嚙合的齒。與第一結(jié)構(gòu)層相同，第二可移動層422也從襯底及其他結(jié)構(gòu)層分離。這樣，可以通過使第一結(jié)構(gòu)層421和第二結(jié)構(gòu)層422嚙合，將第一結(jié)構(gòu)層421的直線運動轉(zhuǎn)換為笫二結(jié)構(gòu)層422的旋轉(zhuǎn)運動。與此相反，也可以將第二結(jié)構(gòu)層422的旋轉(zhuǎn)運動轉(zhuǎn)換為第一結(jié)構(gòu)層421的直線運動.例如，可以通過利用固定層425來使第二結(jié)構(gòu)層422進(jìn)行直線運動。當(dāng)通過對固定層425和第二結(jié)構(gòu)層422之間施加電壓來對第二可動層422起靜電力作用時，如靜電線性電動機(jī)那樣第二可移動層422進(jìn)行水平運動，而第一可移動層421旋轉(zhuǎn)。須指出的是，也可以不由靜電力，而由電磁力使第二可移動層422運動。這種微結(jié)構(gòu)可以用作處理小單元的操縱器(manipulator)。另夕卜，也可以形成如下微結(jié)構(gòu)，即如上述實施方式1或?qū)嵤┓绞?所示那樣使第一可移動層421旋轉(zhuǎn)，并且將第一可移動層421的旋轉(zhuǎn)運動轉(zhuǎn)換為第二可移動層422的水平運動的微結(jié)構(gòu)。如圖14所示的微結(jié)構(gòu)示出援引實施方式3所示的MEMS的制造方法來形成的例子。在與形成電路10的同時，在襯底100上形成微結(jié)構(gòu)的第一至第三結(jié)構(gòu)層(421、422、425)。在實施方式3中，可以通過改變第一至第三結(jié)構(gòu)層(可移動層321、第一固定層322、第二固定層325)的形狀、以及第一、第二犧牲層(第一導(dǎo)電層331、第二導(dǎo)電層337)的形狀來制造本實施方式的微結(jié)構(gòu)。因此，微結(jié)構(gòu)的各個結(jié)構(gòu)層的疊層結(jié)構(gòu)與微結(jié)構(gòu)31相同，是絕緣層和半導(dǎo)體層的疊層。此外，電路可以采用與實施方式2的電路20相同的結(jié)構(gòu)。在此情況下，第一至第三結(jié)構(gòu)層(421、422、425)的疊層結(jié)構(gòu)分別與實施方式2的第一至第三結(jié)構(gòu)層(221、222、225)相同。實施方式5在本實施方式中，將說明為微結(jié)構(gòu)的可移動部能夠平滑地運動的技術(shù)。以實施方式l的微結(jié)構(gòu)ll為例子來進(jìn)行說明。為了容易了解微結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，在圖1A中示出將可移動電極121(第一結(jié)構(gòu)層)和襯底100分開的圖，但是可移動電極121在犧牲層蝕刻之后并不是從襯底100浮著，而處于因重力與襯底100接觸的狀態(tài)。因此，當(dāng)可移動電極121旋轉(zhuǎn)時，發(fā)生與襯底100的絕緣表面之間產(chǎn)生摩擦的問題。在本發(fā)明的MEMS的微結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成可移動部的結(jié)構(gòu)層的最下層由絕緣層(126等)形成。通過使用氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅來形成與由該絕緣層構(gòu)成的襯底表面接觸的層，從而能夠與不設(shè)計絕緣層的結(jié)構(gòu)層相比減少摩擦?？梢酝ㄟ^在襯底100的表面上設(shè)計減少與可移動電極121的摩擦的低摩擦層，進(jìn)一步提高抑制摩擦的效應(yīng)。作為低摩擦層，也可以釆用通過CVD法或濺射法等形成的如下物質(zhì)含硅的材料如氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、碳化硅等；或者類金剛石碳(DLC)。由于DLC很致密，因此其保護(hù)性能高。此外，即使在襯底100的整個表面上，形成有微結(jié)構(gòu)ll的區(qū)域中可以有選擇地形成低摩擦層。當(dāng)?shù)湍Σ翆泳哂谐浞值慕^緣性時，它可以形成作為襯底100的絕緣表面。此外，優(yōu)選不但將低摩擦層設(shè)計在襯底的表面上，而且還設(shè)計在利用靜電力、范德瓦耳斯力結(jié)構(gòu)層彼此接近的部分中。例如，當(dāng)對于在實施方式2的微結(jié)構(gòu)21中設(shè)計低摩擦層的部分進(jìn)行說明，在可移動電極221中，相應(yīng)于開口部230的內(nèi)部、旋轉(zhuǎn)軸225和可移動電極221的接觸部分等。此外，在實施方式1的微結(jié)構(gòu)11中，也相應(yīng)于可移動電極121和固定電極122接觸的部分。在構(gòu)成微結(jié)構(gòu)的層中，如果該層是在俯視時具有角部的形狀，優(yōu)選通過光刻工序和蝕刻工序?qū)⑵湫螤罴庸榻遣繋в袌A度的形狀。犧牲層也同樣地被加工?？梢酝ㄟ^在去掉角而帶有圓度的狀態(tài)下對形狀進(jìn)行加工，抑制碎片的產(chǎn)生，以可以提高成品率。此外，因為緩和角部的應(yīng)力集中，所以不容易產(chǎn)生成為破壞原因的裂縫。圖15是對應(yīng)于圖1B的俯視圖，并且示出將實施方式1的微結(jié)構(gòu)ll的形狀加工為其結(jié)構(gòu)層的角部帶有圓度的例子。當(dāng)然，也可以將實施方式2至4的微結(jié)構(gòu)的形狀加工為其結(jié)構(gòu)層的角部帶有圓度。實施方式6包括微結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的微機(jī)電裝置屬于微機(jī)械領(lǐng)域，且具有從微米到毫米單位的大小。此外，當(dāng)為了作為某個機(jī)械裝置的部件被合并而被制造時，還包括具有以米為單位的大小，以在安裝時易于使用的情況。參照圖16來說明包括本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)的微機(jī)電裝置的結(jié)構(gòu)例子。圖16是示出本發(fā)明的微機(jī)電裝置(半導(dǎo)體裝置)的結(jié)構(gòu)例子的方框圖。本發(fā)明的微機(jī)電裝置僅不局限于圖16的結(jié)構(gòu)例子。本發(fā)明的微機(jī)電裝置(MEMS)501是組合包括半導(dǎo)體元件的電路部502以及由微結(jié)構(gòu)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)部503的裝置。電路部502包括控制微結(jié)構(gòu)的控制電路504、與外部控制裝置500進(jìn)行通信的接口506等。此外，根據(jù)微結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)部503包括傳感器505、致動器507、開關(guān)等，致動器是指將信號(主要是電信號)轉(zhuǎn)換為物理量的結(jié)構(gòu)元件。在結(jié)構(gòu)部503中也可以設(shè)計如實施方式1及2所說明的靜電電動機(jī)。另外，電路部502還可以包括中央計算處理單元等，該中央計算處理單元用于處理結(jié)構(gòu)部503所獲得的信息。外部控制裝置500執(zhí)行如下操作，如傳送控制微機(jī)電裝置501的信號，接收由微機(jī)電裝置501獲得的數(shù)據(jù)，或供應(yīng)驅(qū)動電源至微機(jī)電裝置501等。而且，本發(fā)明可以將構(gòu)成這種電路的半導(dǎo)體元件和微結(jié)構(gòu)一體形成在相同的絕緣襯底上。可以通過一體形成來減少電路等和微結(jié)構(gòu)的連接缺陷，由此可以提高成品率。須指出的是以往在處理尺寸為毫米為單位以下的微小目標(biāo)的情況下，需要這樣的過程使微小對象物的結(jié)構(gòu)放大，人或計算機(jī)獲得該信息并確定信息處理和操作，然后使該操作縮小并將其傳送給微小的對象物。然而，包括本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置可以僅通過人或計算機(jī)傳送上位的指令就處理微小目標(biāo)。也就是，當(dāng)人或計算機(jī)確定目的并傳送指令時，包括微結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置使用傳感器等獲得對象物的信息來進(jìn)行信息處理，以可以執(zhí)行操作。在上述實施方式1至5中，假定對象物是微小的目標(biāo)。這例如意味著對象物本身具有以米為單位的尺寸，但包括從該對象物所產(chǎn)生的微小信號(例如，光或壓力的微小改變)等。如上所述的實施方式1至6可以適當(dāng)?shù)亟M合。例如，可以將實施方式1所示的可移動電極121的形狀如實施方式2所示的可移動電極221那樣加工形狀。此外，相反地，可以將可移動電極221的形狀加工為如可移動電極121那樣。實施例1在本實施例中，如上述實施方式2等所說明那樣示出使用結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同的半導(dǎo)體層來形成結(jié)構(gòu)層的例子。如實施方式2等所說明那樣，例如，諸如多晶硅層和非晶硅層那樣結(jié)晶結(jié)構(gòu)不同的硅層具有不同的機(jī)械特性。因此，可以通過層疊上述層來制造應(yīng)用于各種用途的結(jié)構(gòu)?！搓P(guān)于復(fù)合彈性模量及壓痕硬度的測量〉為了檢查具有不同結(jié)晶結(jié)構(gòu)的硅層的機(jī)械特性的差異，而測量使用CVD法而成膜的非晶硅層和使非晶硅結(jié)晶的結(jié)晶硅層的復(fù)合彈性模量及壓痕硬度。這里，結(jié)晶硅層是使用金屬元素使非晶硅層激光結(jié)晶而形成的層。用作樣品的非晶硅層通過如下工序來形成。首先，在石英村底上采用CVD法形成50nm厚的氮化珪層及100nm厚的氧化砝層作為基底層，然后在該基底層上采用等離子體CVD法形成66nm厚的非晶硅層。此外，用于樣品的結(jié)晶硅層通過如下工序來準(zhǔn)備。采用等離子體CVD法形成66nm厚的非晶硅層。將鎳添加到該非晶硅層中并使用連續(xù)振蕩激光器來使它結(jié)晶。通過激光照射結(jié)晶了的結(jié)晶硅層的厚度為大約60nm。用于結(jié)晶的激光束是Nd:YV04激光束的第二高次諧波，能量密度在9W/cm2以上至9.5W/cm2以下的范圍內(nèi)被調(diào)整，并且掃描速度設(shè)為35cm/sec。通過將三角錐形的壓頭按壓在樣品上的納米壓痕測量來進(jìn)行測量。測量條件是壓頭的單一壓入，所使用的壓頭是由金剛石構(gòu)成的Berkovich壓頭。因此，壓頭的彈性模量為lOOOGPa左右，泊松比(Poisson，sratio)大約為0.1。測量了的復(fù)合彈性模量是以下述式(1)表示，是復(fù)合了樣品及壓頭的彈性模量的彈性模量。在式(1)中，Er、E、以及v分別表示復(fù)合彈性模量、楊氏模量(Young，smodulus),以及泊松比，另外，式中的第一項(以sample表示的項)是樣品的彈性模量所貢獻(xiàn)的項，而第二項(以indenter表示的項)是壓頭的彈性模量所貢獻(xiàn)的項。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>如式(1)所示，可以以樣品的彈性模量所貢獻(xiàn)的第一項與壓頭的彈性模量所貢獻(xiàn)的第二項之和算出復(fù)合彈性模量。但是，與樣品的彈性模量相比壓頭的彈性模量非常大，因此可以不用考慮第二項，復(fù)合彈性模量近似地表示樣品的彈性模量。另外，壓痕硬度指的是通過壓痕法而測量的硬度，這是通過壓頭的最大按壓加重除以最大按壓時的投影面積而求得的。這里，以壓頭的幾何學(xué)形狀和在將壓頭按壓在樣品上時的接觸深度獲得按壓時的投影面積?？梢酝ㄟ^所述壓痕硬度乘以76，這等價于一般用作硬度指標(biāo)的維氏硬度(Vickershardness)。表1示出結(jié)晶硅層和非晶硅層的復(fù)合彈性模量及壓痕硬度的測量結(jié)果。表l所示的數(shù)值表示測量了三次的結(jié)果的平均值。根據(jù)表l所示的結(jié)果，結(jié)晶硅的彈性模量比非晶硅大。換言之，當(dāng)被施加使結(jié)構(gòu)彎曲的力量時，與非晶珪相比結(jié)晶硅進(jìn)一步抗彎曲破壞強(qiáng)。此外，還示出了結(jié)晶硅比非晶硅硬的情況。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>像這樣，可以通過層疊具有不同彈性模量、硬度的半導(dǎo)體層，制造兼有抗彎曲力強(qiáng)的柔性和硬度的結(jié)構(gòu)層。例如，通過層疊在實施例中用作樣品的非晶硅層和結(jié)晶硅層，即使因結(jié)晶硅的結(jié)晶缺陷而發(fā)生破壞，由于破壞不容易傳播到非晶硅，因此可以使破壞停止。像這樣，可以根據(jù)被層疊的層的厚度比率決定結(jié)構(gòu)層的柔性和硬度的平衡關(guān)系。權(quán)利要求1.一種微機(jī)電裝置，包括形成在具有絕緣表面的襯底上的微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)包括相對于所述襯底可移動的第一結(jié)構(gòu)層以及部分地固定到所述襯底的第二結(jié)構(gòu)層；以及被電連接到所述微結(jié)構(gòu)并形成在所述襯底上的電路，該電路包括晶體管，所述晶體管包括形成有溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體層，其中，所述第一結(jié)構(gòu)層以及所述第二結(jié)構(gòu)層分別包括絕緣層和與所述絕緣層接觸的第二半導(dǎo)體層，通過對在所述襯底上形成的相同的絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述晶體管的柵絕緣層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述絕緣層，通過對在所述襯底上形成的相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述第一半導(dǎo)體層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的第二半導(dǎo)體層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述半導(dǎo)體層是結(jié)晶半導(dǎo)體層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述半導(dǎo)體層是使用金屬元素來結(jié)晶的結(jié)晶半導(dǎo)體層。4.一種微機(jī)電裝置，包括形成在具有絕緣表面的襯底上的微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)包括相對于所述襯底可移動的第一結(jié)構(gòu)層以及部分地固定到所述襯底的笫二結(jié)構(gòu)層；以及被電連接到所述微結(jié)構(gòu)并形成在所述襯底上的電路，該電路包括晶體管，所述晶體管包括形成有溝道形成區(qū)域的半導(dǎo)體層，其中，所述第一結(jié)構(gòu)層以及所述第二結(jié)構(gòu)層分別包括絕緣層和與所述絕緣層接觸的導(dǎo)電層，通過對在所述村底上形成的相同的絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述晶體管的柵絕緣層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述絕緣層，通過對在所述襯底上形成的相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述半導(dǎo)體層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述導(dǎo)電層，所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述導(dǎo)電層包括半導(dǎo)體和金屬元素的化合物。5.—種微機(jī)電裝置，包括形成在具有絕緣表面的村底上的微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)包括相對于所述襯底可移動的第一結(jié)構(gòu)層以及部分地固定到所述襯底的第二結(jié)構(gòu)層；以及被電連接到所述微結(jié)構(gòu)并形成在所述襯底上的電路，該電路包括晶體管，其中，所迷晶體管包括柵絕緣膜、形成有溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體層、以及形成有雜質(zhì)區(qū)域的第二半導(dǎo)體層，所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層分別包括絕緣層、與所述絕緣層接觸的第三半導(dǎo)體層、以及與所述第三半導(dǎo)體層接觸的笫四半導(dǎo)體層，通過對在所述村底上形成的相同的絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述柵絕緣層以及所述笫一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述絕緣層，通過對在所述襯底上形成的相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述第一半導(dǎo)體層以及所述第三半導(dǎo)體層，通過對在所述襯底上形成的相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述第二半導(dǎo)體層以及所述第四半導(dǎo)體層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層具有不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第二半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層具有不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第三半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層具有不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第三半導(dǎo)體層是非晶半導(dǎo)體層或微晶半導(dǎo)體層且所述第四半導(dǎo)體層是多晶半導(dǎo)體層。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第三半導(dǎo)體層是非晶半導(dǎo)體層或微晶半導(dǎo)體層且所述笫四半導(dǎo)體層是使用金屬元素來結(jié)晶的結(jié)晶半導(dǎo)體層。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第三半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層分別是結(jié)晶半導(dǎo)體層且具有不同的結(jié)晶生長方向。12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第三半導(dǎo)體層和所述第四半導(dǎo)體層分別是使用金屬元素來結(jié)晶的結(jié)晶半導(dǎo)體層且具有不同的結(jié)晶生長方向。13.—種微機(jī)電裝置，包括形成在具有絕緣表面的襯底上的微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)包括相對于所述襯底可移動的第一結(jié)構(gòu)層以及部分地固定到所述襯底的第二結(jié)構(gòu)層；以及被電連接到所述微結(jié)構(gòu)并形成在所述襯底上的電路，該電路包括晶體管，其中，所述晶體管包括柵絕緣層、形成有溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體層、以及形成有雜質(zhì)區(qū)域的第二半導(dǎo)體層，所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層分別包括絕緣層、與所述絕緣層接觸的第三半導(dǎo)體層、以及與所述第三半導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電層，通過對在所述村底上形成的相同的絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述柵絕緣層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述笫二結(jié)構(gòu)層的各自的所述絕緣層，通過對相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述笫一半導(dǎo)體層以及所述第三半導(dǎo)體層，通過對相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述第二半導(dǎo)體層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述導(dǎo)電層，所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述導(dǎo)電層包括半導(dǎo)體和金屬元素的化合物。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微機(jī)電裝置，其中，所述第三半導(dǎo)體層包括半導(dǎo)體和金屬元素的化合物。15.—種微機(jī)電裝置，包括形成在具有絕緣表面的襯底上的微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)包括相對于所述襯底可移動的第一結(jié)構(gòu)層以及部分地固定到所述襯底的笫二結(jié)構(gòu)層；以及被電連接到所述微結(jié)構(gòu)，并形成在所述襯底上的電路，該電路包括晶體管，其中，所述晶體管包括柵絕緣層、形成有溝道形成區(qū)域的第一半導(dǎo)體層、以及形成有雜質(zhì)區(qū)域的第二半導(dǎo)體層，所述第一結(jié)構(gòu)層以及所述第二結(jié)構(gòu)層分別包括絕緣層、與所述絕緣層接觸的第三半導(dǎo)體層、以及與所述第三半導(dǎo)體層接觸的導(dǎo)電層，通過對在所述襯底上形成的相同的絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述柵絕緣層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述第二結(jié)構(gòu)層的各自的所述絕緣層，通過對相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述笫一半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層，通過對相同的半導(dǎo)體膜進(jìn)行構(gòu)圖來形成所述第二半導(dǎo)體層以及所述第一結(jié)構(gòu)層和所述笫二結(jié)構(gòu)層的各自的所述導(dǎo)電層，所述第三半導(dǎo)體層包括半導(dǎo)體和金屬元素的化合物。16.—種包括形成在具有絕緣表面的襯底上的微結(jié)構(gòu)以及電路的微機(jī)電裝置的制造方法，包括如下步驟在所述襯底上形成導(dǎo)電層；加工所述導(dǎo)電層，以形成在所述第一區(qū)域中成為第一犧牲層且在所述笫二區(qū)域中成為所述晶體管的柵電極的第一導(dǎo)電層；在所述襯底和所述第一導(dǎo)電層上形成絕緣膜以及半導(dǎo)體膜；加工所述絕緣膜以及所述半導(dǎo)體膜，以形成第一絕緣層以及半導(dǎo)體層，所述笫一絕緣層以及半導(dǎo)體層在所述第一區(qū)域中成為層疊所述絕緣層以及所述半導(dǎo)體層的所述第一結(jié)構(gòu)層以及所述第二結(jié)構(gòu)層且在所述第二區(qū)域中成為包括所述晶體管的柵絕緣膜以及溝道形成區(qū)域的半導(dǎo)體膜；將賦予n型或p型的導(dǎo)電性的雜質(zhì)選擇性地至少添加到所述第二區(qū)域的所述半導(dǎo)體層中；在所述襯底、所述第一絕緣層、以及所述半導(dǎo)體層上形成另一個導(dǎo)電層；加工另一個導(dǎo)電層，以形成在所述第一區(qū)域中成為第二犧牲層且在所述第二區(qū)域中成為電連接到所述微結(jié)構(gòu)和所述電路的電極的第二導(dǎo)電層；在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上形成另一個絕緣層；部分地除去至少在所述第一區(qū)域中的另一個絕緣層的部分，以形成第二絕緣層；以及除去所述第一犧牲層以及所述第二犧牲層，以形成包括相對于所述襯底可移動的第一結(jié)構(gòu)層以及部分地固定到所述襯底的第二結(jié)構(gòu)層的所述微結(jié)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微機(jī)電裝置的制造方法，其中，所述第二導(dǎo)電層包括金屬元素且通過使所述第二導(dǎo)電層和所述第一區(qū)域中的半導(dǎo)體層反應(yīng)來形成半導(dǎo)體和金屬元素的化合物。18.根據(jù)權(quán)利要求l所述的微機(jī)電裝置，其中，所述微結(jié)構(gòu)包括使用所述第一結(jié)構(gòu)層來形成的轉(zhuǎn)子。19.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機(jī)電裝置，其中，所述微結(jié)構(gòu)包括使用所述第一結(jié)構(gòu)層來形成的轉(zhuǎn)子。20.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)電裝置，其中，所述微結(jié)構(gòu)包括使用所述第一結(jié)構(gòu)層來形成的轉(zhuǎn)子。21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微機(jī)電裝置，其中，所述微結(jié)構(gòu)包括使用所述第一結(jié)構(gòu)層來形成的轉(zhuǎn)子。22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的微機(jī)電裝置，其中，所述微結(jié)構(gòu)包括使用所述第一結(jié)構(gòu)層來形成的轉(zhuǎn)子。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微機(jī)電裝置的制造方法，其中，所述微結(jié)構(gòu)包括使用所述第一結(jié)構(gòu)層來形成的轉(zhuǎn)子.全文摘要本發(fā)明的目的在于通過相同的工序，將微機(jī)電裝置包括的微結(jié)構(gòu)和電路制造在相同的絕緣表面上。本發(fā)明的微機(jī)電裝置集成有在具有絕緣表面的襯底上包括晶體管的電路和微結(jié)構(gòu)。微結(jié)構(gòu)包括具有與晶體管的柵絕緣層以及在柵絕緣層上設(shè)計的半導(dǎo)體層的疊層體相同的疊層結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)層。就是說，結(jié)構(gòu)層包括由與柵絕緣層相同的絕緣膜形成的層，并且還包括與晶體管的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體膜形成的層。進(jìn)而，微結(jié)構(gòu)通過將用于晶體管的柵電極、源電極、漏電極的導(dǎo)電層用作犧牲層來制造。文檔編號B81C1/00GK101108720SQ20071013704公開日2008年1月23日申請日期2007年7月19日優(yōu)先權(quán)日2006年7月19日發(fā)明者山口真弓,泉小波申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所