專利名稱：對于微型裝置的抗粘連材料的原位應用的制作方法
對于微型^j:的^^連材料的原位應用^Hf涉及鄉(xiāng)裝置。 背景絲對于微型裝置例如絲電路^t型機電系統(tǒng)(MEMS)的制逸確?？煽啃?和產(chǎn)出率是兩個決定性的任務。典型地，在制造微型裝置中，在^H^晶片上制造多種^t型裝置。然后^l^晶片分離^每個包^-個或更多單獨微型裝置的單個單元片(die)。為了在周圍環(huán)嫂中涉及(on)單個單元片的品質(zhì)保證， 常常測^t型裝置的電^光學性能。為了測試目的，電和光學信號需要適當 ^k^X^每個微型裝置中的電路中。來自微型裝置的輸出電和光學信號需要適 當J4^測和測量以分析微型裝置的功能性能。在測#處理微型裝置期間，微 型裝置必須不凈錄周圍環(huán)境中的灰塵和污染物質(zhì)污染。電和光學的輸A^輸出，ias^yj^嫂^^微型裝置，在當設計對于鄉(xiāng)裝置的封裝時更需要考慮^p' 在增加的微型裝置的復雜'一測試要求的條fr下，存>^于 裝置的改進單 元片封裝的需要.對于MEMS的共同的問^A在操作時可彼此接觸的元件之間的粘連 (stiction)。例如，！tMt^S4Ui的鄉(xiāng)鏡可包括可傾糊片，f腿過靜電力驅(qū) 動微型鏡以關(guān)于軸傾斜。鏡片能傾斜到兩攤置"'開"位置，其中微型鏡片 引導A^ife^顯示n，以及"'關(guān)"位置，其中微型鏡片引導A^"艦離顯示 裝置。鏡片可通it^^塊停jL^"開"或"關(guān)"位置使得可以糊片的取向可精 確,定扭兩攤置，對于有些微型^^i，停4"開"或"關(guān)"位置的鏡片 必須能夠jy良4^fp擋塊(stop)之間的粘連.在鏡片的響應中的5^^可小于在 J^求^艮快響應的環(huán)嫂中的最佳值，發(fā)明內(nèi)容在一個^的方面，本發(fā)明涉賴于應用抗祐連材料到^^L上的微型裝置的方法。該方法包括在封^W的表面il^的表面引入:i^占^t料，其中微型裝置包括第一元#第二元件，并JL^一元件是可移動的并JLS己置以接觸 第二元件；密封至少部^#^^置到141的表面以形^1于封裝微型裝置和抗 粘連材料的室；汽^^^占連材料；以;SJ氣^^^占連材料后，在第一元件的表面 或第二元件的表面J5C^P4^占連材料以阻止第一元#第二元件間的粘連。方法的實現(xiàn)可包括下列各項的一個或多個。密封步驟可包括應用^劑到 封^^置或到M的表面；應用粘合劑后，把*#^^置和1^的表面用其間的 津^^H^在^;以及當樹^^置和狄的表面^^在"^#，固4U^ 劑?？蛇x糾，密封步驟可包滅過等離子體表面活'峰合將至少部糾錄 置結(jié)合到M的表面。密封步驟可包括^"空環(huán)嫂中密封部^"^^置到M 的表面以形銷于封裝微型^X和^^i^t料的至少部分排空的室。汽化步驟 可包括加熱絨執(zhí)料。汽化步驟可在密封步^ML^。財郝缺料的步驟 可包括在微型裝置的絲上整個表面上驗絲連材料。在另一^L^^r面，—本發(fā)禍涉及"Wi^系統(tǒng)，包拴在JjtUi的微 型裝置，其中微型裝置包括第一元件和第二元件，并^一元件是可移動的并-且以接觸第二元件配置；在第一元件的表面或第二元件的表面上涂覆^^占連材 料以PJJh第一元^第二元件間的粘連；以;S^"^X與^的表面結(jié)合以形 ^J于^"^^t型^置的室?？稍?5(TC以下的^^i氣^ft^i^^料?？稍?00'C 以下的溫>^氣^^#連材料。汽化步驟可包括蒸發(fā)，3^N"料，fHN^連材 料，或者它們的結(jié)合。系統(tǒng)的實現(xiàn)可^iTf列各項的一個或多個.，€#料可包括3， 3, 3三 氟丙基甲^IU^烷(PMDCS),十三烷氟代-l，U^2-四氬化辛烷三t^ (FOTS)，十七烷氟^rl，U^2-四氫癸"録烷(FDTS)，十二^^t^ (DDTCS ) ，二甲1-^IL^ (DDMS )，乙烯基十一^HJ^^ (V11TCS )， 氨丙l^曱l^ (APTMS)，環(huán)氧4緣，異丁烯氧，順丁烯^SUte^聚乙 烯6J1SI (mPEG)，或者5fLi^中的一個或多個。第二元件相對于JMSL可為固定的。笫一元件可^S己置以響應夕NP電信號傾斜的可傾斜鄉(xiāng)鏡片。封^j:可^w組至少部絲M可對可見絲明.封^^置可^多個間隔壁，^r個A^^ii4伸并且^r至少一個配置
以密封多ii^面的表面.械明的實m^可包括下列優(yōu)點的一個或多個。^Hf的系賊方法的潛在優(yōu)勢是^L型裝置的制造工序的簡化。當鄉(xiāng)^E封絲^f^晶片(即原位) 上4L^，可應用絲連材料到多個微型組在微型裝置封裝之前在封^X 的內(nèi)部表面Jiil^的上部表面可引入^^占連材料。然后封^^置密封到M 的上部表面以形^1于封裝^*^^^1型裝置的室?？梢酝ㄟ^熱蒸^L或升 華室中的抗祐連材料。蒸發(fā)的，^#料可^^^ 裝置的表面上以|^^ 微型裝置操作中可^b^觸的; L^間的粘連.相反，在微型^X制造期間抗祐 連材^常^^^t件的表面上。本說明書中公開的拔祐^#料的原位應用減 小了裝置的研發(fā)和測試時間，并且因而能夠0時間到達市場。公開的方法和系統(tǒng)可有利于在隱^微型裝置中的接觸區(qū)^Ji提供抗粘 連材料。例如，在可傾斜鏡片和J4Ui的著陸(landing) t間的接)l^面可 隱^E鏡片的下面。接)I4^面經(jīng)常^^置制造的^階，成。/^Hf的方法和粘連材料方法。環(huán)勒卜面的賴t型^置。在微型裝置封^'j通^裝蓋密封到半^晶片形成的 微型室中^^^占ii^料可應用到微型裝置中。包^#裝的微型裝置的半"^ 晶片可^C切塊以形^獨單元片。公開的系統(tǒng)和方法的^另一個潛在優(yōu)勢是增加^^#^對于微型裝置 的抗祐連材料的應用的方法中的靈活性。在按比例;aUd^^A寸中，公開的方 法可適用于小的和大的微型裝置而不il^極小的增加費用。么升的方法也可適 用于不同類型的^置而不受M的制^x序的影響。歸械明被詳細地示出并J^考多個實施例描述，相關(guān)領域^Mv員將 s^可不離開發(fā)明的^Nt和范圍而對其進行^t在形式和細節(jié)上的改變。;l胡下列附圖，其并入并Jb^I成說明書的"-^分，示出本發(fā)明的實施例并且與描述-^^供用iM^釋jH^h描述的原理、w:和方法，圖i為絲一個或多^Htii^^t置封裝的微型M的絲的截面視圖，
圖2A為封^^置的平面視圖。圖2B為圖2A的封^^置的截面視圖。圖3為用于在4^沐晶片上封裝 裝置的流程圖。圖4為

圖1中例示的微型裝置鏡的截面圖。圖1為財封裝微型裝置的狄的截面圖。圖2A和2B為封^^置的平 面視圖和截面視圖。圖3為用于在^N^晶片上封^^t型^^置的沐程圖。在"M^晶片200上提供多個微型^j:290 ,如圖1中所示'"f^晶片 200包括基板115和電路層230。微型裝置2卯位于電路層230上。電路層230路。在鄉(xiāng)裝置290中的一個或更多元件肯tjfe^入信號的控制下ff^并且與微 型裝置290中的另 一元件ii^^觸.來自微型裝置290的輸出信號也可通錄 電路層230中的電5Mt輸至電端子245。半*晶片200也可包括多個用于接 ^于微型裝置290的輸入信號或來自^t型裝置-29d^t輸出信號的電端子245。:i^占連材料260的^H^多個液滴在絲115的上部表面235上的封M 210的下部^^面上。^i^t料負^itii^^A 210和a 115形成的室之內(nèi) 的任何地方。抗粘連材料260可包括3， 3， 3三HrPMDCS,十^^4，1 2 2-四氫化辛M^t^(FOTS )，十七烷^/Rrl，1^2^2-四氬癸mU^(FDTS), 十二5^4^t^ ( DDTCS) ，二甲&t^ ( DDMS )，乙烯基十一n氯 珪烷(V11TCS)，氨丙基三甲IL^烷(APTMS)，環(huán)氧化物，異丁烯氧，順丁 烯二SUfeilE^聚乙烯乙二醇(mPEG)， SltJJ^^其它^l:的^^膜中的一種 或多種，這些為可從位于加利福尼亞圣約瑟的應用微觀結(jié)構(gòu)(Applied Microstructure)公司得到。，^H"料能夠減小兩^NMMU'司的接)li^面的粘 附力或粘連?？?占連;H"料能夠用例如用于聚:^^H"^llW器:Nfe加。然后該 、^b滴用于在微型^IJi形^^i^H"糊層，棘下面進一步描述的.參考圖3，形成封^X (步驟310 )。在圖2A和2B中示出示范性的封裝 裝置205。封^i 205可^^W上部表面和下部表面的封M 210以及多 個與封裝H 210的下部表面連接的間隔壁221,封裝蓋210和間隔壁221可為 ^^件或為連接在-^的分離件。
封n 210可由透明材^HN如玻璃或二氧^^制成，其在微型敘2卯的 封裝^允許微型M 290的可 ^顯微#^查。透明封絲210也允許與作 為光電裝置(例如基于微型鏡的空間調(diào)制裝置)的 裝置290光學聯(lián)通?？?A^j"層212和211可分別涂覆在封裝蓋210的頂部和底部表面上。^tt層212 和212可以減少在封裝蓋210表面的A4Ofe^輸出光的強度損失?？蛇x摔地， 封M 210用一*多個^^層涂覆。大體上，抗u^Jlt層211和212可為由電介質(zhì)或金屬材料制成的薄膜，其可 包括多層il種;H"料的單一層，用于^Jt層211和212的材料可包括金屬氣化 物、^ifti的，例如TiOx/SiOx^NbOx/SiOx，TaOx/SiOx以及MgFVSiOx?？?^J"層211和212可由相同或不同材料制成?？筤^f層211和212可通it^ 空環(huán)境中的物理^N淀積(PVD )、化學^N淀積(CVD )或^^Jf延(MBE)^Jt^層211和212減少ile^并且因而增加在封裝層210兩個表面的光 。 ^^j"層211和212在^Jt層211或212的#-"#1上產(chǎn)生兩個界面 空^/^^層養(yǎng)面^^t/封絲界面。通雄兩個界面上的絲狄間的 相長千涉，ifei^比增加。通it^兩個界面上的^M^間的相消千擾"^fe 射率減小。如^^層為四分之一波")^"度并iU^H^層的折射系數(shù)小于玻璃 的折射系數(shù)，那么來自兩個界面的A^J"1柳度異相(因而4foHl產(chǎn)l扭消干擾)。間隔壁221可包^##^如氧4狄，例如砝的氧4fc^、 >^ 金屬'每個間 隔壁221可^~個或多種'湎223和底面222。間隔壁221可通過首先^C^S絲缺彬缺在封錄Uii^^l的表面上:步驟320 )?？蛇x糾， 絲艦料可 ^鄉(xiāng)裝鉢身上。^!^材^^l:fc^^b環(huán)l^脂可應用到封^i，例:fc^P到間隔壁221 的底面222或到^j^ 115上的環(huán)^h微型W> 290的表面區(qū)域(步驟330 )。 然后用其間的粘^W^^j^置205 itJ^yUi (步驟340)使得間隔壁221 的底面222到M 115的上部表面235 ii^^觸并且密^J"。如果需要，封^ 置205和基^ 115 M^。然后固化^^^劑，例Mit^a熱或UV照射(步 驟350)以在封^置下面形成微型裝置的頓，結(jié)合可為在間隔壁221 M 裝H 210之間的半密閉結(jié)合.通過間隔壁221和封裝蓋210形成的室250包圍微型M 290 ,先應用到封裝l 210的下部表面ilj^ US的上部表面235 的Mfc^N"料260(步驟320中)。灃給劑的;^a和隨后的固化可M空莉挽執(zhí) 行以使室至少部*棑空。
可選糾，封^>置205可直接結(jié)合到絲的上部表面235以封裝微型裝 置290。例如，可通過等離子體表面活性^^iMi行密閉結(jié)合。室250中的真 空或部分真空環(huán)境可通過間隔壁221的底面222和狄115的JL^面235之間 的氣密密封以及間隔壁221和封裝蓋210之間的結(jié)合絲持。
在某些實施例中，封^^置205沒有間隔壁。微型裝J^E絲115上的凹 進區(qū)域中。微型裝置的高度不超出狄115的上部表面235。封^^置205是 平的。^^占連材料260可i^E封^^置205的下部表面Jiil者^Jj^ 115的 凹進區(qū)域中的上部表面235上。封裝蓋210的下部表面可密封或結(jié)合到基板115
裝置: - v,
封裝蓋210可包括多*于室250外面的開口 215。開口 215允許在^ 體晶片-200上的微型紹29flL到達電端子245以^^半"l^^^ft^tefe^ii^S 裝44半導本晶片200切:^為單元片之1tr被電測試?！?br> 當在室250中封裝微型裝置290和^f占連材料260 在室250中汽化
^*占連材料260 (步驟360 )以在微型裝置290的表面上^^P、該材料?？赏? 熱引起蒸發(fā)或升華溫度，例如，通過^f"^晶片200i^^熱爐中或者利 用^t^部加熱^i^H"料260?？?占i^t料260^P熱^L前可為液;^固 體。^^連材料260也可為粉l!i聚^b熔體的形式。在某些實施例中，^*占連 材料260可在低于450"的溫度下汽化。汽化可在蒸發(fā)工序或者升華工序中發(fā) 生。抗>^連材料260的蒸v^或者升華'^K氐于450"。因而，如果電路罷230 ^CMOS電路，當為了>^1態(tài)蒸發(fā)該材料或者從固^#華該材料加熱^#連 材料時，加熱將;f^t壞CMOS電路，在某些實施例中，，i^^料260的蒸發(fā) 溫度或者升華溫>^ 300"以下，例如1501C 。
汽化的，i^t料260 ^^F在微型W: 290的表面上并且形成涂覆在微型
290的^^上的薄膜.，i^M料涂覆W目互^^觸的微型M 290的 表面上。由于汽化的^^占連材料可在室2鄰內(nèi)擴散，，€#料也可各向同性
i^;&^^^微型^EIMt期間不與其它iti^接觸的表面上.在某些實施例中，
涂覆在微型M 2卯的表面上的Mi^"^^自一個或更多iM^單層厚。
涂覆的^^^N"料的厚度可以為03納絲狄，在某些實施例中，^fe艦 比1納米^f,
微型裝置290的一個示例為^"個或多個可傾斜微型鏡的空間光調(diào)制裝 置。圖4示出了^Ejj^410上的這樣的可傾斜微型鏡400的截面圖，可傾斜微 型鏡400包括具有提^4^面的平的^f上部層403a的鏡片402、為鏡片提供 M強度的中間層403b、 ">^U^403c。上部層403a可由反射材科構(gòu)成，例 如，薄^4t金屬層。例如，鋁、4^^金可用于形成上部層403a,層厚可在200 到1000埃的范圍，例如大約600埃。中間層4031)可由>!^ #料制成，例如， 非晶珪，典型地大約2000到5000埃厚。^g"403c可由允許^403c的電位 相對于臺階電極(stepelectrode) 421a或421b被控制的導電材料建造。例如， M 403c可由鈥制造并且具有在200到1000埃范圍的厚度。
鏡片402包^i^接到"403c并JLit過剛'I^^接到絲410的才E^405 支撐的旨406。鏡片402可包括兩^H^接到M 403c的tt 406。每個才EiE 406為鏡片402確定,點；資余;fe^406瑜^fe^-湖2關(guān)*其傾斜的軸。-樞 紐406延伸到在鏡片4^妁下部中的腔之內(nèi)。為了易于制造， 406可制造 為M403c的4分。
臺階電極421a和421b、著陸觸點422a和422b以及支##架408也可制 itxj t^ 410的上方。臺階電極421a電連接到可夕W^制其電壓Vd的電極 431.剡以的，臺階電極421b電連接到也可夕Mj^制其電壓Va的電極432。鏡 片402的M403c的電位可通ii^E電位Vb的電極433控制。
可通過電路在微型鏡片辭'之間選棒1^制鄉(xiāng)鏡片402。 *電財能 單獨應用到電極431、432和433。當在鏡片402上的M鄰3c和臺階電極421a 或421b之間產(chǎn)生電位差時可在鏡片402上產(chǎn)生靜電力。在鏡片402的兩側(cè)上的 靜電力之間的不平衡引起船402從一個取向傾斜到另一個，如圖4中所示， 當鏡片402傾斜到"開"位置時,平的^th^402^JH"AJN"光430以產(chǎn)生沿"開" 方向的絲光440.當鏡片402傾斜到"關(guān)"位置時A^光430絲到"關(guān)"方向。
在臺階電極421a和421b中的多個臺階使鏡片402和臺階電極Cla或必lb 之間的空氣間隙變窄，并且可增加由鏡片402經(jīng)受的靜電力。臺階電極421a 或421b的高度可在大約0.2 ^到3 ^的范圍中.
為了生產(chǎn)簡易，著陸觸點422a和422b可具有與在臺階電極421a或421b 中的第二臺附目同的高度。著陸觸點422a和422b提^^次傾一動后的用于 鏡片402的平緩W^i塊。著陸觸點422a和422b也可^fr確角y^Ji停止鏡片 402。另外，當著陸觸點422a和422b通過靜電力變形并且轉(zhuǎn)換彈性應變能為動 能以在去除舉性應變能時推開鏡片402時，著陸觸點422a和422b可> !^萍性 應變能。在鏡片402上的推回可有助于分離鏡片402和著陸觸點422a與422b， 其幫助JM樹于J^的鏡片的粘連，這種粘狄于微型4^^^/^的挑戰(zhàn)。在室250中的絲連材料260的蒸發(fā)或者升華可導致:i^占i^^W^^^ 涂覆在微型鏡400的^i4^^表面上，包括在鏡片402的下部表面上的絲連 材料層450和在著陸觸點422a和422b的上部表面上的抗粘i^t料層451a和 451b(為了X!i^清楚，在圖4中的微型鏡400的其它表面上的，M未示出)。 當鏡片402與著陸觸點422a或者422b的上部表面ii^^觸時絲i^^料450、 451a和451b可減小^Eit些表面的粘結(jié)和粘連，i!Ai午當鏡片402需JH^斜到 新的取向時鏡片402和著陸觸點422a或者422b及時的分離。^M^^i^r^^4:-在微型裝置203例:Wt型鏡400的表面上，逸 材料260可涂覆薄的并JL^"透(clear)的膜。可在鏡片402的下部表面以^^ 陸觸點422a和422b的上部表面Jii^覆清透膜。涂層可存在于微型鏡400的反 射上部層403a的表面和著陸觸點422a或者422b的煩'J^面上。在A^J"上部層 403a的上部表面的清itJ^不實質(zhì)上 ^JtUi部層403a的M性。在^^占i^t^"覆在微型M 290的一個或多個表面上后，在封閉室250 中可原位測^^型M290(步驟370)。例如，夕h^電信號可應用到電端子245 以產(chǎn)4^E鏡片402的M 403c和臺階電極421a或421b之間的電壓。當鏡片 402與著陸觸點422a或422b 3i^^觸時，生成的靜電力可使鏡片402傾斜到 不同的取向'著陸觸點422a與422b相對于基板410是靜止的。在傾#^動之 前^J^鏡片402可A^j"A^光430以沿不同的方向形^Jlt光440?？蓽y量的傾^Ht動，涂覆的4i^連材^f助鏡片402和著陸觸點422a或422b之間的 分離。！^fc^H"料的功能性可通過由檢勸賭線440測量鏡傾斜率輛定。當 每個 裝置測試后，可分離4W晶片200，例M過切割、切塊、刻^ 斷裂成每個包t個或多個微型裝置290的單獨單元片(步驟3柳)。在單獨的
單元片上可進^ii一步的測^Mt裝。盡管已經(jīng)描述了多種實施例，^域^MCA員將Sj^Ml可進行M形式和細節(jié)上的妙而不脫離^a出的機念的順和范圍。例如，微型裝置能依據(jù)微型裝置的^^能和應用以不同的結(jié)構(gòu)制逸在晶片襯;Ui。微型裝置可包括具有大體上平i錄面的電路或者三維艦電結(jié)構(gòu)，例如用于空間光調(diào)制的鉸 接和可傾斜微型鏡?？擅畈￡^#^適^^^"應用的用于封^^置的結(jié)構(gòu) 和材料。應當3^所/^的系M^方法是與其它LEDs、光纖以及微型鏡的結(jié)構(gòu)兼容的。例如，微型裝置可存在于平的區(qū)絲在臺階上而不是^HvUi的凹進區(qū)域。多種微型裝置可在封裝的凹部或平的區(qū)域中。封似和絲的上部表面之 間的密封可通過許多方法實現(xiàn)并JL^局P艮于等離子體表面活'1^合。所公開的^。氣密閉合環(huán)4面和氣密交5^面的數(shù)*^位置也可改變而不脫離本說明 書的^ft。
權(quán)利要求
1、一種對基板上的微型裝置應用抗粘連材料的方法，包括在封裝裝置的表面或基板的表面引入抗粘連材料，其中該微型裝置包括第一元件和第二元件，并且該第一元件是可移動的并且被配置為接觸該第二元件；將該封裝裝置的至少一部分密封到該基板的該表面以形成室以便封裝該微型裝置和該抗粘連材料；汽化該抗粘連材料；以及汽化該抗粘連材料后，在該第一元件的表面或該第二元件的表面沉積該抗粘連材料以阻止該第一元件和該第二元件之間的粘連。
2、 ^，J^求l的方法，其中該封裝步驟包括 應用^Hij到該封^^置或到該M的該表面；應用粘合劑后，把該封^^置^i玄基板的該表面用其間的粘^f'j組合在一 趁以及在把該封銶置襯狄的該表面組合在""^，固化該^^'J。
3、 ；M，要求1的方法，其中該密封步驟包括通過等離子體表面活'1^# 合將該封^^置的至少-^P^合到該M的該表面。
4、 W'J要求l的方法，其中該密封步驟包括在真空環(huán)境中將該封^^置的至少一部分密封到該^1的該表面以形成 至少部分排空的室以便封裝該微型裝置^T，^N"料.
5、 ^3U'J^求1的方法，其中該汽化步驟包括加熱該4^占連材料。
6、 ；M'JJNU的方法，其中該汽化步^該密封步驟之后。
7、 W，J^求1的方法，其中該^^該^^占連材糊步驟包括在該微型裝 置的^S^^上^^表面上;^C^該M連;^料。
8、 45U'J^求1的方法，其中該，連材料包括3， 3, 3三^rPMDCS、 FOTS、 FDTS、 DDTCS、 DDMS、 V11TCS、 APTMS、環(huán)氧婦、異丁烯氧、 mPEG或^tj^中的一種或多種。
9、 ；M'J^求1的方法，其中在450"以下的溫忠氣化該:^^占連材料。
10、 ？l5U，J^求1的方法，其中在300"以下的溫忠氣化該^^^H"料.
11、 ；M'J^求1的方法，其中該第二元件相對于該J^靜止。
12、 W'j^求l的方法，其中該笫一元件是:^CS己置以響應夕h^電信號而傾 斜的可傾斜微型鏡片。
13、 ；M慎求1的方法，其中該封^^置包樹n。
14、 W，虔求13的方法，其中該封裝蓋的至少"^P分對可見光透明。
15、 似'溪求13的方法，其中該封^^置包括多個間隔壁，其每個從該 封 ^伸，并且&^S己置為密封到該J^的該表面的至少一個表面'
16、 似，決求13的方法，其中該汽化步驟包括蒸發(fā)該^*占連材料、升華 該^^iW"料、或者它們的結(jié)合，
17、 ""^tW^系統(tǒng)，包括 械在該JjfcUi的微型裝置，其中該微型^包括第一元#第二元件，并且 該第一元件是可移動的并Jb^S&置為接觸該第二元件；在該第一元件的表面以及該第二元件的表面上涂覆的抗粘連材料以便阻 止該第一元^i玄第二元件之間的粘連；以及與該，的該表面結(jié)合以形自于封^^^t型^i:的室的封^^置。
18、 權(quán)利要求17的 ^系統(tǒng)，其中該，連材料包括3， 3， 3三氟: -PMDCS、 FOTS、 FDTS、 DDTCS、 DDMS、 V11TCS、 APTMS、環(huán)氧婦、 異丁烯氧、mPEG或3tt^中的"^t或多種。
19、 似'決求17的^L械系統(tǒng)，其中在該封^^置的至少-^P分與該基 板的該表面之間的該結(jié)合區(qū)^密封的或半密封的。
20、 似'J^求17的#^械系統(tǒng)，其中在該第一元件的至少^^i亥表面 或該第二元件的該表面上的該，i^^料比(U納米M。
21、 W，JJ^求17的賴bfeM^系統(tǒng)，其中在該第一元件的至少-""tp^表面 或該笫二元件的該表面上的該抗祐i^H"料比1.0納米il^。
22、 W，J^求17的WU械系統(tǒng)，其中該^^占i^H"^"覆在該第二元件的 第一表面和第二表面上，其中該第一表面翻&置為接觸該第一元件，并且該第 二表面不能與該第一元件接觸。
23、 ；M'J^求17的 ^系統(tǒng)，其中該室妙少部分排空。
24、 WJJ^求17的 ^系統(tǒng)，進一步^^E^i^Ji并JL^該室外的一 個或多個電端子，其中該一個或多個電端^tg己置為發(fā)送電信號到該微型f^ 或從該微型似狄電信號。
25、 ^f'虔求24的#^系統(tǒng)，其中該封^X包^"-個或多^Hf口以 允許與一個或多個在該MJi的微型裝置電通信時接入電端子。
26、 W，漆求17的#^系統(tǒng)，其中該微型裝置包^g己置為響應夕h^電信號而傾斜的可傾斜鄉(xiāng)鏡片。
27、 權(quán)矛決求17的WM^系統(tǒng)，其中該封裝^#包樹^^。
28、 ^U，J^求27的#^械系統(tǒng)，其中該封M的至少-^分對可見ifeit:明。
29、 W虔求27的耀bf;U械系統(tǒng)，其中該封裝蓋的至少一個表面用^# 材料層涂覆。
30、 ；M'漆求27的WU械系統(tǒng)，其中該封^^置包括多個間隔壁，其每 個從該封^JJ^伸，并且包i^L^置為密封到該J^的該表面的至少一個表面。
全文摘要
用于應用抗粘連材料到在基板上的微型裝置的方法，包括在封裝裝置的表面或基板的表面引入抗粘連材料并且密封至少部分封裝裝置到基板的表面以形成用于封裝微型裝置和抗粘連材料的室。該微型裝置包括第一元件和第二元件。該方法還包括汽化抗粘連材料以及汽化抗粘連材料后，在第一元件的表面或第二元件的表面沉積抗粘連材料以阻止第一元件和第二元件間的粘連。
文檔編號B81B5/00GK101117207SQ200710138850
公開日2008年2月6日 申請日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月28日
發(fā)明者潘曉和 申請人:視頻有限公司