專利名稱：通過犧牲層中的界面修改來消除釋放蝕刻侵蝕的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及處理下伏犧牲層以在移除經(jīng)處理的犧牲層期間及/或之后影響上覆層及/ 或下伏犧牲層的各種性質(zhì)的方法，其中上覆層形成于經(jīng)處理的犧牲層上。其它實(shí)施例涉 及制造含有表面輪廓受到此處理的影響的上覆層的微機(jī)電系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包括微機(jī)械元件、激活器及電子設(shè)備?？墒褂贸练e、蝕刻及 或其它蝕刻掉襯底及/或沉積材料層的部分或添加層以形成電及機(jī)電裝置的微機(jī)械加工 工藝來產(chǎn)生微機(jī)械元件。 一種類型的MEMS裝置被稱為干涉式調(diào)制器。在本文中使用 時(shí)，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射 光的裝置。在某些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器可包含一對導(dǎo)電板，其中的一者或二者可整 體或部分地具有透明及/或反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號后發(fā)生相對運(yùn)動(dòng)。在特定實(shí) 施例中， 一個(gè)板可包含沉積在襯底上的固定層，且另一板可包含通過氣隙與固定層分離 的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述， 一個(gè)板相對于另一板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制 器上的光的光學(xué)干涉。所述裝置具有廣泛應(yīng)用，且利用及/或修改這些類型的裝置的特性 使得其特征可用以改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品和產(chǎn)生尚未開發(fā)的新產(chǎn)品在此項(xiàng)技術(shù)中將是有利的。

發(fā)明內(nèi)容
本文中描述的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有若干方面，其中沒有哪個(gè)單個(gè)一者單獨(dú)負(fù) 責(zé)其所要屬性。在不限制范圍的情況下，現(xiàn)在將簡要論述主要特征。在考慮此論述之后，且尤其是在閱讀標(biāo)題為"具體實(shí)施方式
"的章節(jié)之后，將了解本文中描述的特征如何提 供優(yōu)于其它顯示器裝置的優(yōu)點(diǎn)。
一實(shí)施例提供一種制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置的方法。此實(shí)施例的方法包括 在襯底上形成犧牲層；處理所述犧牲層的至少一部分以形成經(jīng)處理的犧牲部分；在所述 經(jīng)處理的犧牲部分的至少一部分上形成上覆層；以及至少部分地移除所述經(jīng)處理的犧牲
部分以形成位于所述襯底與所述上覆層之間的腔，所述上覆層暴露于所述腔。所述處理 可包括使所述犧牲層氧化及/或暴露于氮、氟及氯中的一者或一者以上。所述腔可為干涉 式調(diào)制腔。經(jīng)處理的犧牲部分可包括上部經(jīng)處理的犧牲層，且犧牲層的其余部分包含下 部大體上未經(jīng)處理的犧牲層。所述上部經(jīng)處理的犧牲層可在垂直于襯底的方向上測量的 深度上大體上是均勻的。所述方法可進(jìn)一步包括移除所述上部經(jīng)處理的犧牲層的至少一 部分及所述下部大體上未經(jīng)處理的犧牲層的至少一部分，其中所述上部經(jīng)處理的犧牲層 的蝕刻速率大于所述下部大體上未經(jīng)處理的犧牲層的蝕刻速率。所述下部大體上未經(jīng)處 理的犧牲層可包括鉬。所述上部經(jīng)處理的犧牲層可包括氧化鉬及/或金屬。所述金屬可包 括鋁。所述方法可進(jìn)一步包括選擇用于處理犧牲層以形成經(jīng)處理的犧牲部分的處理?xiàng)l 件，以便減少在至少部分地移除經(jīng)處理的犧牲部分之后在上覆鋁層中的小凸起(hillock) 的形成，所述方法進(jìn)一步包含在至少部分地移除經(jīng)處理的犧牲部分之后使MEMS裝置 暴露于原本會(huì)引起小凸起的條件。所述方法可進(jìn)一步包括選擇處理?xiàng)l件以減少小凸起的
數(shù)目，及/或選擇處理?xiàng)l件以減少小凸起的大小。所述小凸起可包含由熱量引起的小凸起。 原本會(huì)引起小凸起的條件可包括使MEMS裝置暴露于大于約100°C、大于約20(TC及/ 或大于約500'C的溫度。所述方法可進(jìn)一步包括選擇用于處理所述犧牲層以形成經(jīng)處理 的犧牲部分的處理?xiàng)l件，以便與處理之前的犧牲層相比增加上部經(jīng)處理的犧牲層與下部 大體上未經(jīng)處理的犧牲層的組合厚度，且/或在至少部分地移除經(jīng)處理的犧牲部分期間減 小上覆層與經(jīng)處理的犧牲部分之間的粘合程度。所述上覆層可包括鈍化層及形成于所述 鈍化層上的導(dǎo)電層，所述鈍化層經(jīng)配置而有助于在至少部分地移除經(jīng)處理的犧牲部分期 間允許所述經(jīng)處理的犧牲部分與所述導(dǎo)電層分離。所述方法可進(jìn)一步包括選擇用于處理 所述犧牲層以形成經(jīng)處理的犧牲部分的處理?xiàng)l件，以便提供經(jīng)處理的犧牲部分的比處理 之前的犧牲層的表面更光滑的表面。所述處理?xiàng)l件可包括N20或02處理或這兩者。對 犧牲層的至少--部分的處理可包括使?fàn)奚鼘拥谋砻姹┞队诤醯姆肿踊蚧鶊F(tuán)。氧可包括 離子化的氧。對犧牲層的至少一部分的處理可包括加熱犧牲層。對犧牲層的至少一部分 的處理可包括使?fàn)奚鼘颖┞队诘入x子。所述方法可進(jìn)一步包括移除大體上全部的所述經(jīng) 處理的犧牲部分。所述方法可進(jìn)一步包括通過使?fàn)奚鼘拥谋砻姹┞队诹騺硖幚頎奚鼘拥谋砻妫灰约霸诮?jīng)過六氟化硫處理的表面上形成上覆層。所述方法可進(jìn)一步包括在 襯底上形成電極；以及在電極上形成犧牲層，其中腔位于電極與上覆層之間。所述方法 可進(jìn)一步包括在電極上形成絕緣層。所述方法可進(jìn)一步包括形成至少一個(gè)使所述電極與 所述上覆層分離的支撐結(jié)構(gòu)。
在一些實(shí)施例中，提供一種干涉式顯示器裝置，所述裝置包括第一電極，其形成 于襯底上；可移動(dòng)的第二電極，其位于所述第一電極上且大體上平行于所述第一電極， 其中所述第二電極包含面向形成于所述第一電極與所述第二電極之間的腔的經(jīng)處理的 表面輪廓；以及多個(gè)支撐件，其位于所述第一電極與所述可移動(dòng)的第二電極之間，且經(jīng) 定位以支撐所述可移動(dòng)的第二電極。所述可移動(dòng)的第二電極可包括鋁。所述可移動(dòng)的第 二電極的腔側(cè)的經(jīng)處理的表面輪廓可大體上對高溫不敏感。所述裝置可進(jìn)一步包括位于 所述第一電極上的絕緣層。所述高溫可大于約IOO'C、 20(TC及/或5(XTC。所述第二電極 的腔側(cè)的經(jīng)處理的表面輪廓可經(jīng)配置以具有在暴露于高溫后形成小凸起的減小的趨勢。 在一些實(shí)施例中，提供一種顯示器裝置，其包含本文中所述的干涉式顯示器裝置的陣列。 所述顯示器裝置可進(jìn)一步包括處理器，其經(jīng)配置以與所述陣列通信，所述處理器經(jīng)配 置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。所述顯示器裝置 可進(jìn)一步包括經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號發(fā)送到所述陣列的驅(qū)動(dòng)器電路。所述顯示器裝置 可進(jìn)一步包括經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路的控制器。 所述顯示器裝置可進(jìn)一步包括經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器的圖像源模 塊。所述圖像源模塊可包括接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。所述顯示器裝置可 進(jìn)一步包括經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器的輸入裝置。
在一些實(shí)施例中，提供一種未釋放的干涉式顯示器裝置，所述裝置包括第一電極， 其形成于襯底上；第一犧牲層，其形成于所述第一電極的至少一部分上，所述第一犧牲 層包含第一犧牲材料；第二犧牲層，其形成于所述第一犧牲層的至少一部分上，其中所 述第二犧牲層包含所述第一犧牲材料的經(jīng)處理的變化形式；第二電極，其形成于所述第 二犧牲層的至少一部分上；以及多個(gè)支撐件，其位于所述第一電極與所述第二電極之間， 且經(jīng)定位以在移除所述第一犧牲層及所述第二犧牲層后支撐所述第二電極。所述經(jīng)處理 的變化形式可包括經(jīng)氧化的變化形式。所述第二犧牲層可在大體上垂直于所述襯底測量 的深度上大體上是均勻的。所述第一犧牲層可包括鉬。所述第二犧牲層可包括氧化鉬。 所述上覆層可包括金屬。所述金屬可包括鋁。
在一些實(shí)施例中，提供一種干涉式顯示器裝置，所述裝置包括用于支撐所述顯示 器裝置的至少一部分的第一裝置；用于反射光的第一裝置，所述第一反射裝置至少部分地反射光且至少部分地透射光，且形成于所述支撐裝置上；用于反射光的第二裝置，所 述第二反射裝置至少部分地反射光，所述第二反射裝置可移動(dòng)且位于所述第一反射裝置 上，且平行于所述第一反射裝置，其中所述第二反射裝置包含面向所述第一反射裝置與 所述第二反射裝置之間的干涉腔的經(jīng)處理的表面輪廓；以及用于支撐位于所述第一反射 裝置上的所述第二反射裝置的第二裝置。所述第一支撐裝置可包括襯底。所述第一反射 裝置可包括光學(xué)堆疊。所述第二反射裝置可包括可移動(dòng)的反射層。所述第二支撐裝置可 包括支撐柱。
在一些實(shí)施例中，提供一種沉積含銀的薄膜的方法，所述裝置包括處理下伏層的 表面以形成經(jīng)處理的表面；以及在所述經(jīng)處理的表面上沉積所述含銀的薄膜；其中所述 處理減少在所述含銀的薄膜中的小凸起的形成。所述小凸起的形成可包括因熱量引起的 小凸起的形成。處理所述下伏層的表面可包括使所述表面暴露于六氟化硫、氧及等離子 中的一者或一者以上。處理所述下伏層的表面可包括加熱所述表面。所述方法可進(jìn)一步 包括將所述含銀的薄膜加熱到原本會(huì)引起小凸起的溫度。所述方法可進(jìn)一步包括移除所 述下伏層的至少一部分，因而使先前與所述經(jīng)處理的表面接觸的含銀的薄膜的至少一部 分暴露。所述方法可進(jìn)一步包括在將所述含銀的薄膜加熱到原本會(huì)引起小凸起的溫度之 前移除所述下伏層。處理所述下伏層的表面可包括使所述表面變光滑。
下文更詳細(xì)地描述這些及其它實(shí)施例。


圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個(gè)實(shí)施例的一部分的等角視圖，其中第 -干涉 式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于激活 位置。
圖2是說明并入有3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。 圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個(gè)示范性實(shí)施例的可移動(dòng)鏡面位置對所施加電壓的圖。
圖4是可用以驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器顯示器的一組行電壓及列電壓的說明。
圖5A及圖5B說明可用以將顯示數(shù)據(jù)的幀寫入到圖2的3x3干涉式調(diào)制器顯示器 的行信號及列信號的一個(gè)示范性時(shí)序圖。
圖6A及圖6B是說明包含多個(gè)干涉式調(diào)制器的視覺顯示器裝置的實(shí)施例的系統(tǒng)框 圖。 .
圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實(shí)施例的橫截面。
圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實(shí)施例的橫截面。
圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實(shí)施例的橫截面。
圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實(shí)施例的橫截面。
圖8是說明制造干涉式調(diào)制器的方法的實(shí)施例中的某些步驟的流程圖。
圖9是說明制造MEMS裝置的方法的實(shí)施例的流程圖。
圖IOA到圖IOH示意性說明用于制造MEMS裝置的方法的實(shí)施例。
圖11說明在實(shí)驗(yàn)中用以驗(yàn)證經(jīng)氧化處理的鉬的膨脹特性的多層堆疊的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
以下詳細(xì)描述是針對某些特定實(shí)施例。然而，本文中的教示可以許多不同方式應(yīng)用。在此描述中參看圖式，其中相同零件始終用相同數(shù)字表示。所述實(shí)施例可在任何經(jīng)配置以顯示圖像(無論是運(yùn)動(dòng)圖像(例如，視頻)還是固定圖像(例如，靜態(tài)圖像)，且無論是文字圖像還是圖形圖像)的裝置中實(shí)施。更確切地說，預(yù)期所述實(shí)施例可在多種電子裝置中實(shí)施或與其相關(guān)聯(lián)，所述電子裝置例如(但不限于)是移動(dòng)電話、無線裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、GPS接收器/導(dǎo)航儀、相機(jī)、MP3播放機(jī)、便攜攝像機(jī)、游戲控制臺(tái)、腕表、鐘表、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、自動(dòng)顯示器(例如，里程計(jì)顯示器等)、駕駛艙控制器及/或顯示器、相機(jī)視野顯示器(例如，車輛中的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子展板或電子標(biāo)志、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、封裝及美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如， 一件珠寶上的圖像顯示)。與本文所述的MEMS裝置結(jié)構(gòu)類似的MEMS裝置也可用于非顯示器應(yīng)用，例如用于電子開關(guān)裝置。
MEMS裝置可含有金屬反射層。舉例來說，MEMS裝置可含有通過腔與襯底分離的可移動(dòng)層。腔的形成可包括形成犧牲層，隨后形成上覆層。已發(fā)現(xiàn)使用下述方法中的一者或一者以上來處理犧牲層(或其它下伏層)可在移除犧牲層期間及/或之后改進(jìn)犧牲層及/或上覆層的一個(gè)或一個(gè)以上特性。在一些實(shí)施例中，所述處理包含使?fàn)奚鼘友趸?。在一些?shí)施例中，形成于經(jīng)處理的層上的上覆層(例如，包含鋁及/或銀的層)的形成小凸起的趨勢降低。例如熱量或應(yīng)力可引起形成這些小凸起。在一些實(shí)施例中，下伏層的蝕刻速率提高，因而對上覆層施加較小應(yīng)力且在移除犧牲層期間減小損壞上覆層的可能性。在一些實(shí)施例中，與相同量的未經(jīng)處理的材料所提供的厚度相比，犧牲層的厚度對于給定量的材料增加。在 -"些實(shí)施例中，與上覆層與未經(jīng)處理的犧牲層之間的粘合相比，上覆層與經(jīng)處理的犧牲層之間的粘合減少。在一些實(shí)施例中，處理使形成于犧牲層中的針孔封閉，且防止在移除犧牲層期間對其它層造成損害。在又一實(shí)施例中，處理犧牲層提供比處理之前的犧牲層表面更光滑的表面。
圖1中說明一個(gè)包含干涉式MEMS顯示元件的干涉式調(diào)制器顯示器實(shí)施例。在這些裝置中，像素處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)。在亮("松弛"或"打開")狀態(tài)下，顯示元件將大部分入射可見光反射到用戶。當(dāng)在暗("激活"或"關(guān)閉")狀態(tài)下，顯示元件將極少入射可見光反射到用戶。"接通"及"斷開"狀態(tài)的光反射性質(zhì)可視實(shí)施例而逆轉(zhuǎn)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在選定色彩下反射，從而允許除黑白外的彩色顯示。
圖1是描繪視覺顯示器的一系列像素中的兩個(gè)相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包含一 MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包含這些干涉式調(diào)制器的行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包括一對反射層，兩者彼此相距可變且可控距離而定位以形成具有至少一個(gè)可變尺寸的光學(xué)共振間隙。在一個(gè)實(shí)施例中，所述反射層中的一者可在兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置(本文稱為松弛位置)中，可移動(dòng)反射層定位在距固定部分反射層相對較大距離處。在第二位置(本文稱為激活位置)中，可移動(dòng)反射層定位在較緊密鄰近于所述部分反射層處。從兩個(gè)層反射的入射光視可移動(dòng)反射層的位置而發(fā)生相長或相消干涉，從而為每一像素產(chǎn)生總體反射或非反射狀態(tài)。
圖1中的像素陣列的所描繪部分包括兩個(gè)相鄰干涉式調(diào)制器12a及12b。在左邊的干涉式調(diào)制器12a中，可移動(dòng)反射層14a被說明為位于距光學(xué)堆疊16a預(yù)定距離的松弛位置，所述光學(xué)堆疊16a包括部分反射層。在右邊的干涉式調(diào)制器12b中，可移動(dòng)反射層14b被說明為位于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置。
如本文所參考，光學(xué)堆疊16a及16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包含若干融合層(fusedlayer),所述融合層可包括例如氧化銦錫(ITO)等電極層、例如鉻等部分反射層及透明電介質(zhì)。光學(xué)堆疊16因此是導(dǎo)電、部分透明且部分反射性的，且可(例如)通過將上述層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由例如各種金屬、半導(dǎo)體及電介質(zhì)等具有部分反射性的多種材料形成。部分反射層可由一層或一層以上材料形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料組合形成。
在一些實(shí)施例中，如下文進(jìn)一步描述，光學(xué)堆疊16的層被圖案化為平行條帶，且可形成顯示器裝置中的行電極?？蓪⒖梢苿?dòng)反射層14a、 14b形成為沉積金屬層(垂直于行電極16a、 16b)的一系列平行條帶，以形成沉積在柱18的頂部上的列及沉積在柱18之間的介入犧牲材料。當(dāng)犧牲材料被蝕刻掉時(shí)，可移動(dòng)反射層14a、 14b通過所界定的間隙19與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁等高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可形成顯示器裝置中的列電極。請注意，圖l可能并非按比例繪制。在一些實(shí)施例中，柱18之間的間距可能大約為10-100um，而間隙19可大約為<1000埃。
在不施加電壓的情況下，如由圖1中的像素12a所說明，間隙19保持在可移動(dòng)反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動(dòng)反射層14a處于機(jī)械松弛狀態(tài)。然而，當(dāng)將電位(電壓)差施加到選定行及列時(shí)，形成在對應(yīng)像素處的行電極與列電極的相交處的電容器變得帶電，且靜電力將電極拉到一起。如果電壓足夠高，則可移動(dòng)反射層14變形，且被迫抵靠著光學(xué)堆疊16。如由圖1中的右邊的激活像素12b所說明，光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(未在本圖中說明)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離。無論所施加的電位差的極性如何，所述行為相同。
圖2到圖5說明一種在顯示器應(yīng)用中使用干涉式調(diào)制器陣列的示范性過程及系統(tǒng)。圖2是說明可并入有干涉式調(diào)制器的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。所述電子裝置包括處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器，例如ARM 、 Pentium ,8051、 MIPS 、 Power 。@或ALPHA ,或任何專用微處理器，例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列。如此項(xiàng)技術(shù)中的常規(guī)，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊。除執(zhí)行操作系統(tǒng)外，處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。
在一個(gè)實(shí)施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。在一個(gè)實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器22包括將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器電路26。圖1中所說明的陣列的橫截面由圖2中的線l-l展示。請注意，雖然圖2為了清晰起見說明3x3干涉式調(diào)制器陣列，但顯示器陣列30可含有非常大量的干涉式調(diào)制器，且可在行中具有與在列中不同數(shù)目的干涉式調(diào)制器(例如，300像素每行乘以190像素每列)。
圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個(gè)示范性實(shí)施例的可移動(dòng)鏡面位置對所施加電壓的圖。對于MEMS干涉式調(diào)制器，行/列激活協(xié)議可利用圖3中所說明的這些裝置的滯后性質(zhì)。干涉式調(diào)制器可能需要(例如)IO伏電位差來使可移動(dòng)層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當(dāng)電壓從所述值減小時(shí)，可移動(dòng)層隨著電壓降回到10伏以下而維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實(shí)施例中，可移動(dòng)層直到電壓降到2伏以下才完全松弛。因此，在圖3中所說明的實(shí)例中存在約3V到7V的電壓范圍，其中存在所施加電壓的窗口，裝置在所述窗口內(nèi)穩(wěn)定地處于松弛或激活狀態(tài)。此窗口在本文中稱為"滯后窗口"或"穩(wěn)定窗口"。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列，可對行/列激活協(xié)議進(jìn)行設(shè)計(jì)以使得在行選通期間，將選通的行中的待激活的像素暴露于約IO伏的電壓差，且將待松弛的像素暴露于接近于零伏的電壓差。在選通之后，將像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)或偏置電壓差，使得其保持在行選通將其置于的任何狀態(tài)。在被寫入之后，在此實(shí)例中每一像素在3到7伏的"穩(wěn)定窗口"內(nèi)經(jīng)歷一電位差。此特征使圖1中所說明的像素設(shè)計(jì)在相同所施加電壓條件下穩(wěn)定在激活或松弛的預(yù)存在狀態(tài)。由于干涉式調(diào)制器的每一像素?zé)o論處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài)基本上均為由固定及移動(dòng)反射層形成的電容器，因而此穩(wěn)定狀態(tài)可在滯后窗口內(nèi)的電壓下得以保持而幾乎無功率耗散。如果所施加的電位是固定的，則基本上無電流流進(jìn)像素中。
如下文進(jìn)一步描述，在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中的所要激活像素集合來跨列電極集合發(fā)送數(shù)據(jù)信號集合(每一者具有某一電壓電平)而產(chǎn)生圖像的幀。接著將行脈沖施加到第一行電極，從而激活對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號集合的像素。接著將所述數(shù)據(jù)信號集合改變?yōu)閷?yīng)于第二行中的所要激活像素集合。接著向第二行電極施加脈沖，從而根據(jù)所述數(shù)據(jù)信號來激活第二行中的適當(dāng)像素。第一行像素不受第二行脈沖影響，且保持在其在第一行脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)?？梢皂樞蚍绞綄φ麄€(gè)行系列重復(fù)此過程以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某 -所要數(shù)目幀不斷重復(fù)此過程而用新的圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新幀。可使用用以驅(qū)動(dòng)像素陣列的行及列電極以產(chǎn)生圖像幀的廣泛多種協(xié)議。
圖4及圖5說明一種用以在圖2的3x3陣列上產(chǎn)生顯示幀的可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于展現(xiàn)出圖3的滯后曲線的像素的可能的列及行電壓電平集合。在圖4實(shí)施例中，激活像素涉及將適當(dāng)列設(shè)定為-Vb^，及將適當(dāng)行設(shè)定為+AV，其可分別對應(yīng)于-5伏及+5伏。通過將適當(dāng)列設(shè)定為+Vb^且將適當(dāng)行設(shè)定為相同+AV從而產(chǎn)生跨越像素的零伏電位差來實(shí)現(xiàn)對像素的松弛。在行電壓保持在零伏的那些行中，無論列處于+Vt^還是-Vbias像素均穩(wěn)定在其最初所處的任何狀態(tài)。也如圖4中所說明，可使用極性與上述電壓的極性相反的電壓，例如，激活像素可涉及將適當(dāng)列設(shè)定為+Vb^及將適當(dāng)行設(shè)定為-△V。在此實(shí)施例中，通過將適當(dāng)列設(shè)定為-VbiM且將適當(dāng)行設(shè)定為相同-AV從而產(chǎn)生跨越像素的零伏電位差來實(shí)現(xiàn)對像素的釋放。
圖5B是展示施加到將產(chǎn)生圖5A中所說明的顯示布置(其中激活像素為非反射性的)的圖2的3x3陣列的一系列行及列信號的時(shí)序圖。在寫入圖5A中所說明的幀之前，所述像素可處于任何狀態(tài)，且在此實(shí)例中，所有行起初均處于0伏，且所有列處于+5伏。在這些所施加電壓下，所有像素均穩(wěn)定在其現(xiàn)有激活或松弛狀態(tài)。
在圖5A幀中，激活像素(l，l)、 (1，2)、 (2，2)、 (3,2)及(3，3)。為實(shí)現(xiàn)此目的，在行1的"線時(shí)間"期間，將列1及2設(shè)定為-5伏，且將列3設(shè)定為+5伏。此不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)，因?yàn)樗邢袼鼐S持在3到7伏的穩(wěn)定窗口內(nèi)。接著使用從0伏升到5伏又返回到零的脈沖對行1進(jìn)行選通。此激活(l，l)及(1,2)像素并松弛(1,3)像
17素。陣列中的其它像素不受影響。為按需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定為-5伏且將列1及3設(shè)定為+5伏。施加到行2的相同選通將接著激活像素(2,2)并松弛像素(2,1)及(2,3)。同樣，陣列的其它像素不受影響。通過將列2及3設(shè)定為-5伏且將列1設(shè)定為+5伏而類似地設(shè)定行3。行3選通如圖5A中所示對行3像素進(jìn)行設(shè)定。在寫入幀之后，行電位為零，且列電位可保持在+5或-5伏，且顯示器于是穩(wěn)定在圖5A的布置。相同程序可用于幾十或幾百行及列的陣列。在上文概述的一般原理內(nèi)，可廣泛地改變用以執(zhí)行行及列激活的電壓的時(shí)序、順序及電平，且以上實(shí)例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文所述的系統(tǒng)及方法一起使用。
圖6A及圖6B是說明顯示器裝置40的實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。顯示器裝置40可為(例如)蜂窩式或移動(dòng)電話。然而，顯示器裝置40的相同組件或其輕微變化也說明各種類型的顯示器裝置，例如電視及便攜式媒體播放器。
顯示器裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46。外殼41 -一般由多種制造工藝(包括注射模制及真空成型)中的任一者形成。此外，外殼41可由多種材料(包括(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合)中的任一者制成。在一個(gè)實(shí)施例中，外殼41包括可與具有不同色彩或含有不同標(biāo)識、圖片或符號的其它可移除部分互換的可移除部分(未展示)。
示范性顯示器裝置40的顯示器30可為多種顯示器(包括如本文所述的雙穩(wěn)態(tài)顯示器)中的任一者。在其它實(shí)施例中，顯示器30包括如上所述的平板顯示器(例如等離子、EL、 OLED、 STN LCD或TFT LCD)，或非平板顯示器(例如CRT或其它管式裝置)。然而，為描述本實(shí)施例的目的，顯示器30包括如本文所述的干涉式調(diào)制器顯示器。
圖6B中示意地說明示范性顯示器裝置40的一個(gè)實(shí)施例的組件。所說明的示范性顯示器裝置40包括外殼41,且可包括至少部分封閉在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，示范性顯示器裝置40包括一包括天線43的網(wǎng)絡(luò)接口 27,所述天線43耦合到收發(fā)器47。收發(fā)器47連接到處理器21，所述處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28，且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22，所述陣列驅(qū)動(dòng)器22又耦合到顯示器陣列30。電源50向特定示范性顯示器裝置40設(shè)計(jì)所需的所有組件提供電力。
網(wǎng)絡(luò)接口 27包括天線43及收發(fā)器47,以使得示范性顯示器裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有一些處理能力以緩解對處理器21的要求。天線43是任何用于發(fā)射及接收信號的天線。在一個(gè)實(shí)施例中，天線根據(jù)IEEE 802.il標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE 802.1 l(a)、 (b)或(g))來發(fā)射及接收RF信號。在 另一實(shí)施例中，天線根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)來發(fā)射及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，天 線經(jīng)設(shè)計(jì)以接收用以在無線蜂窩電話網(wǎng)絡(luò)內(nèi)進(jìn)行通信的CDMA、GSM、AMPS、W-CDMA 或其它已知信號。收發(fā)器47對從天線43接收的信號進(jìn)行預(yù)處理，使得所述信號可由處 理器21接收并進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47還處理從處理器21接收的信號，使得所述信號 可經(jīng)由天線43而從示范性顯示器裝置40發(fā)射。
在替代實(shí)施例中，收發(fā)器47可由接收器替代。在又一替代實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口 27 可由圖像源替代，所述圖像源可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。舉例來說， 圖像源可為含有圖像數(shù)據(jù)的數(shù)字視頻盤(DVD)或硬盤驅(qū)動(dòng)器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件 模塊。
處理器21通?？刂剖痉缎燥@示器裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口 27或 圖像源接收數(shù)據(jù)(例如壓縮圖像數(shù)據(jù))，且將所述數(shù)據(jù)處理為原始圖像數(shù)據(jù)或處理為容 易處理為原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將經(jīng)處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29 或幀緩沖器28以進(jìn)行存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常意指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信 息。舉例來說，所述圖像特性可包括色彩、飽和度及灰度級。
在一個(gè)實(shí)施例中，處理器21包括微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示器 裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包括用以將信號發(fā)射到揚(yáng)聲器45且用以從麥克風(fēng)46 接收信號的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示器裝置40內(nèi)的離散組件，或 可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。
驅(qū)動(dòng)器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28獲得由處理器21產(chǎn)生的原始圖 像數(shù)據(jù)，且將原始圖像數(shù)據(jù)適當(dāng)重新格式化以供高速發(fā)射到陣列驅(qū)動(dòng)器22。特定而言， 驅(qū)動(dòng)器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，使得所述數(shù) 據(jù)流具有適合用以跨越顯示器陣列30進(jìn)行掃描的時(shí)間次序。接著，驅(qū)動(dòng)器控制器29將 經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。盡管驅(qū)動(dòng)器控制器29 (例如LCD控制器)常常 作為獨(dú)立集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但所述控制器可以許多方式來實(shí)施。 其可作為硬件嵌入在處理器21中，作為軟件嵌入在處理器21中，或以硬件的形式與陣 列驅(qū)動(dòng)器22完全集成。
通常，陣列驅(qū)動(dòng)器22從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收經(jīng)格式化的信息，且將視頻數(shù)據(jù)重新 格式化為一組平行波形，所述波形每秒許多次地施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù) 百且有時(shí)數(shù)千個(gè)引線。
在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示器陣列30適合于本文所述的任何類型的顯示器。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29是常規(guī)顯示控 制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng) 器22是常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯示驅(qū)動(dòng)器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個(gè)實(shí)施例 中，驅(qū)動(dòng)器控制器29與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。此實(shí)施例通用于例如蜂窩式電話、手表及 其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)。在又一實(shí)施例中，顯示器陣列30是典型顯示器陣 列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包括干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。
輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示器裝置40的操作。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入裝 置48包括小鍵盤，例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤、按鈕、開關(guān)、觸敏式屏幕或者壓 敏或熱敏薄膜。在一個(gè)實(shí)施例中，麥克風(fēng)46是用于示范性顯示器裝置40的輸入裝置。 當(dāng)使用麥克風(fēng)46來將數(shù)據(jù)輸入到裝置時(shí)，可由用戶提供語音命令以控制示范性顯示器 裝置40的操作。
電源50可包括如此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來說，在一個(gè)實(shí) 施例中，電源50是可再充電電池，例如鎳鎘電池或鋰離子電池。在另一實(shí)施例中，電 源50是可再生能源、電容器或太陽能電池(包括塑料太陽能電池及太陽能電池涂料)。 在另一實(shí)施例中，電源50經(jīng)配置以從壁裝插座接收電力。
如上所述，在一些實(shí)施方案中，控制可編程性駐存在可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干 位置處的驅(qū)動(dòng)器控制器中。在一些情況下，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動(dòng)器22中。上 述最佳化可以任何數(shù)目的硬件及/或軟件組件且以各種配置來實(shí)施。
根據(jù)上述原理操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛地改變。舉例來說，圖7A 到圖7E說明可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個(gè)不同實(shí)施例。圖7A是圖1的實(shí)施例 的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，每一干 涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層14的形狀是正方形或矩形，且僅在拐角處在系鏈32上附著 到支撐件。在圖7C中，可移動(dòng)反射層14的形狀是正方形或矩形且從可變形層34懸浮， 所述可變形層34可包含柔性金屬?？勺冃螌?4直接或間接地連接到在可變形層34的 周邊周圍的襯底20。這些連接在本文中稱為支撐柱。
圖7D中所說明的實(shí)施例具有在上面擱置可變形層34的支撐柱插塞42。與在圖7A 到圖7C中一樣，可移動(dòng)反射層14保持懸浮在腔上，但可變形層34并不通過填充可變 形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔而形成支撐柱。實(shí)情為，支撐柱由用以形成支撐柱插塞 42的平坦化材料形成。圖7E中所說明的實(shí)施例是基于圖7D中所示的實(shí)施例，但也可 適于與圖7A到圖7C中所說明的實(shí)施例中的任一者以及未展示的額外實(shí)施例一起起作 用。在圖7E中所示的實(shí)施例中，已使用額外金屬層或其它導(dǎo)電材料來形成總線結(jié)構(gòu)44。
20此允許沿干涉式調(diào)制器的背面來導(dǎo)引信號，從而消除原本可能必須形成在襯底20上的 若干電極。
在例如圖7中所示的那些實(shí)施例的實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器充當(dāng)直觀式裝置，其中 從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與在上面布置調(diào)制器的側(cè)相對。在這些實(shí)施例 中，反射層14光學(xué)上遮蔽干涉式調(diào)制器在反射層的與襯底20相對的側(cè)上的部分，包括 可變形層34。此允許所遮蔽區(qū)域在不對圖像質(zhì)量造成負(fù)面影響的情況下被配置并操作。 舉例來說，此遮蔽允許圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44提供將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電 性質(zhì)(例如尋址及由所述尋址產(chǎn)生的移動(dòng))分離的能力。此可分離調(diào)制器架構(gòu)允許用于 調(diào)制器的機(jī)電方面及光學(xué)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料可彼此獨(dú)立選擇并起作用。此外，圖7C 到圖7E中所示的實(shí)施例具有從使反射層14的光學(xué)性質(zhì)與其機(jī)械性質(zhì)分離得到的額外益 處，所述機(jī)械性質(zhì)由可變形層34實(shí)行。此允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料相對于 光學(xué)性質(zhì)而最佳化，且允許用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料相對于所要機(jī)械性質(zhì)而 最佳化。
圖8說明干涉式調(diào)制器的制造過程800的實(shí)施例中的某些步驟。所述步驟連同圖8 中未展示的其它步驟可存在于用于制造例如圖1及圖7中說明的一般類型的干涉式調(diào)制 器的過程中。參看圖1、圖7及圖8，過程800在步驟805處開始，其中在襯底20上形 成光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底，例如玻璃或塑料，且可能已經(jīng)受先前準(zhǔn)備步驟 (例如清洗)以便于有效地形成光學(xué)堆疊16。如上所述，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透 明且部分反射的，且可例如通過將層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上而制造。 在一些實(shí)施例中，所述層被圖案化成平行條帶，且可形成顯示器裝置中的行電極。在一 些實(shí)施例中，光學(xué)堆疊16包括沉積在一個(gè)或一個(gè)以上金屬層(例如，反射及/或?qū)щ妼? 上的絕緣或介電層。在一些實(shí)施例中，絕緣層是光學(xué)堆疊16的最上方的層。
圖8中說明的過程800在步驟810處繼續(xù)，其中在光學(xué)堆疊16上形成犧牲層。稍 后移除所述犧牲層(例如在步驟825處)以如下所述形成腔19，且因此在圖1中說明的 所得干涉式調(diào)制器12中未展示犧牲層。在光學(xué)堆疊16上形成犧牲層可包括以經(jīng)選擇以 在后續(xù)移除之后提供具有所要大小的腔19的厚度沉積可由XeF2蝕刻的材料，例如鉬、 鉭、鎢或非晶硅?？墒褂美缥锢須庀喑练e(PVD，例如濺鍍)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相 沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂等沉積技術(shù)來執(zhí)行犧牲材料的沉積。
圖8中說明的過程800在步驟815處繼續(xù)，其中形成支撐結(jié)構(gòu)，例如圖1及圖7中 所說明的柱18。柱18的形成可包括以下步驟將犧牲層圖案化以形成支撐結(jié)構(gòu)孔口， 接著使用如PECVD、熱CVD或旋涂等沉積方法將材料(例如，聚合物)沉積到所述孔口中以形成柱18。在一些實(shí)施例中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔口延伸穿過犧牲層及 光學(xué)堆疊16兩者并延伸到下伏襯底20，以使得柱18的下端如圖7A中所說明而接觸襯 底20。在其它實(shí)施例中，形成于犧牲層中的孔口延伸穿過犧牲層，但不穿過光學(xué)堆疊 16。舉例來說，圖7D說明支撐柱插塞42的下端與光學(xué)堆疊16接觸。
圖8中說明的過程800在步驟820處繼續(xù)，其中形成例如圖1及圖7中說明的可移 動(dòng)反射層14等可移動(dòng)反射層。可通過采用一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟(例如反射層(例 如，鋁、鋁合金、銀、銀合金)沉積)連同一個(gè)或一個(gè)以上圖案化、掩蔽及/或蝕刻步驟 形成可移動(dòng)反射層14。如上所述，可移動(dòng)反射層14通常是導(dǎo)電的，且在本文中可稱為 導(dǎo)電層。在一些實(shí)施例中，反射層14包含鋁。在一些實(shí)施例中，反射層14包含銀。由 于在過程800的步驟820處形成的部分制造的干涉式調(diào)制器中仍然存在犧牲層，可移動(dòng) 反射層14通常在此階段不可移動(dòng)。含有犧牲層的部分制造的干涉式調(diào)制器在本文中可 稱為"未釋放的"干涉式調(diào)制器。
圖8中說明的過程800在步驟825處繼續(xù)，其中形成腔，例如圖1及圖7中所說明 的腔19?？赏ㄟ^使?fàn)奚牧?在步驟810處沉積)暴露于蝕刻劑來形成腔19。舉例來 說，可通過干式化學(xué)蝕刻(例如，通過在通常相對于圍繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地有效移 除所要量的材料的時(shí)間周期內(nèi)使?fàn)奚鼘颖┞队跉怏w或蒸氣蝕刻劑(例如得自固態(tài)二氟化 氙(XeF2)的蒸氣)來移除可蝕刻的犧牲材料，例如鉬、鉭、鎢或非晶硅。也可使用其 它蝕刻方法，例如濕式蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在過程800的步驟825期間移除犧牲 層，所以可移動(dòng)反射層14在此階段之后通常可移動(dòng)。在移除犧牲材料之后，所得的完 全或部分制造的干涉式調(diào)制器在本文中可稱為"釋放的"干涉式調(diào)制器。
一般來說MEMS裝置且尤其是干涉式調(diào)制器的性能可能會(huì)受到下伏層的表面特性 及其對上覆層的影響的不利影響。舉例來說，在可移動(dòng)電極層中的在本文中稱為"小凸 起的形成(hillock formation)"的條件可能受到下伏犧牲層的表面特性的影響。小凸起 的形成的特征在于在金屬表面(例如，可移動(dòng)電極層的表面)之中或之上形成小突出物 ("小凸起")。小凸起的大小可依據(jù)形成條件而改變，且最通常在高度大約10納米(nm) 到高度大約IO微米的大小范圍內(nèi)，且更通常在高度大約100納米(nm)到高度大約1 微米的范圍內(nèi)，但偶爾可觀察到較大或較小的小凸起。小凸起特別容易形成于含鋁及/ 或含銀層的表面上。小凸起通常在暴露于高溫期間或之后形成，如在高溫儲(chǔ)存期間。小 凸起也可因其它周圍條件而形成于所述表面上，所述周圍條件包括例如在暴露于熱量或 應(yīng)力時(shí)。
已發(fā)現(xiàn)小凸起的形成可能對MEMS裝置的性能造成負(fù)面影響。小凸起可能更改可
22移動(dòng)電極層與光學(xué)堆疊之間的腔距離，因而影響由裝置反射的光的波長。小凸起還可致 使反射第二級藍(lán)色或其它顏色。
在 -實(shí)施例中，已開發(fā)出-一種減少含鋁及/或含銀層中的小凸起的形成(例如，熱量 引起的小凸起的形成)的方法。舉例來說， 一實(shí)施例提供一種沉積含鋁及/或含銀薄膜的 方法，所述方法包含處理下伏層的表面以形成經(jīng)處理的表面及在經(jīng)處理的表面上沉積含 鋁及/或含銀薄膜，其中所述處理減少含鋁及/或含銀薄膜中的小凸起的形成。因此，含 鋁及/或含銀薄膜的表面的輪廓可能受到此處理的影響。表面輪廓可表征為例如由于本文 中所述的處理而相對平坦。如本文中所提到的術(shù)語"經(jīng)處理的表面輪廓"是指得自形成 于經(jīng)處理的表面上的表面的輪廓。舉例來說，如下所述，經(jīng)處理的表面輪廓155是過于 形成于經(jīng)處理的犧牲表面145上的表面輪廓。與未形成于經(jīng)處理表面上但以其它方式可 比較的表面輪廓相比，經(jīng)處理的表面輪廓可包含較少小凸起或可包含較小的高度可變 性。
圖9是說明制造MEMS裝置的方法的實(shí)施例中的某些步驟的流程圖。在一些實(shí)施 例中，通過氯、氮(例如，通過硝化或氮化)、氟或氧(例如，通過氧化)來處理犧牲 層，以在移除犧牲層期間或之后影響犧牲層及/或上覆層的特性。所述處理可改變犧牲層 的表面的化學(xué)成分或化學(xué)性質(zhì)。在一些實(shí)例中，所述處理可在犧牲層與上覆層之間形成 擴(kuò)散層。首先將針對小凸起的形成得以減少的實(shí)施例來描述圖9，然而，下文描述其它 實(shí)施例。所述步驟可連同圖9中未展示的其它步驟存在于用于制造例如圖1及圖7中說 明的一般類型的干涉式調(diào)制器的過程中。圖IOA到圖10H示意性說明用于使用例如光 刻、沉積、掩蔽、蝕刻(如，例如等離子蝕刻等干式方法及濕式方法)等等常規(guī)半導(dǎo)體 制造技術(shù)來制造MEMS裝置的方法的實(shí)施例。沉積可包括例如化學(xué)氣相沉積(CVD, 包括等離子增強(qiáng)CVD及熱CVD)及濺鍍涂覆等"干式"方法及例如旋涂等濕式方法。 參看圖9及圖10，過程200在步驟205處開始，其中提供襯底100。在--個(gè)實(shí)施例中， 襯底IOO可包含任何透明材料，例如玻璃或塑料。
過程200在步驟210處繼續(xù)，其中如圖IOA所示在襯底IOO上形成第一導(dǎo)電層105。 如上所述，第一導(dǎo)電層105可為單層結(jié)構(gòu)或多子層結(jié)構(gòu)。在層105既充當(dāng)電極又充當(dāng)鏡 面的單層結(jié)構(gòu)中，通過在襯底IOO上沉積導(dǎo)電材料來形成層105。第一導(dǎo)電層105可通 過圖9或圖10未展示的后續(xù)圖案化及蝕刻而形成到電極中。第一導(dǎo)電層105可為經(jīng)摻 雜而具有所要導(dǎo)電性的金屬或半導(dǎo)體(例如硅)。在一個(gè)實(shí)施例(圖IO中未展示)中， 第一導(dǎo)電層105是包含透明導(dǎo)體(例如，氧化銦錫)及主鏡面或部分反射層(例如鉻) 的多層結(jié)構(gòu)。
23過程200在步驟215處繼續(xù)，其中如圖IOB所示在導(dǎo)電層105的至少一部分上形成 介電層110。介電層IIO可包含絕緣材料，例如氧化硅及/或氧化鋁。介電層110用以在 干涉式調(diào)制器中使第一導(dǎo)電層105與導(dǎo)電可移動(dòng)層(例如圖1及圖7的可移動(dòng)層14)絕 緣。介電層IIO可通過已知的沉積方法(例如CVD)形成。在一些實(shí)施例中，所得裝置 的光學(xué)堆疊16包括導(dǎo)電層105及介電層IIO兩者。
過程200在步驟220處繼續(xù)，其中如圖IOC所示形成犧牲層115。犧牲層115可包 含可由XeF2蝕刻的材料，例如鉬、鉭或鎢。在形成犧牲層115時(shí)，可使用例如CVD、 濺鍍或旋涂等沉積方法。如圖IOD所示，在步驟225處圖案化及蝕刻犧牲層115以形成 一個(gè)或一個(gè)以上支撐結(jié)構(gòu)孔口 130。在所示的實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)孔口 130完全延伸穿 過第一犧牲層115及介電層IIO而到達(dá)第一導(dǎo)電層105。在步驟230處，如圖IOE所示， 將支撐結(jié)構(gòu)材料沉積到孔口 130中，從而形成支撐結(jié)構(gòu)135。支撐結(jié)構(gòu)135可包含非導(dǎo) 電材料。
過程200在步驟235處繼續(xù)，其中處理犧牲層115的表面，使得犧牲層115于是包 含經(jīng)處理的犧牲部分145，如圖10F所示。如下文更詳細(xì)地描述，可以各種方式(例如 通過等離子、氧化、六氟化硫或其組合)進(jìn)行對犧牲層115的表面的處理以形成經(jīng)處理 的犧牲部分145。舉例來說，在一些實(shí)施例中，所述處理包含氧化，因?yàn)闋奚鼘?15的 至少一部分經(jīng)氧化以形成經(jīng)氧化的犧牲部分?？扇鐖DIOF所說明以通過上部經(jīng)處理(例 如，經(jīng)氧化)的犧牲層145及犧牲層115的其余下部部分(包含大體上未經(jīng)處理(例如， 未經(jīng)氧化)的犧牲層)產(chǎn)生層的方式執(zhí)行對犧牲層115的處理。在一些實(shí)施例中，經(jīng)氧 化的犧牲層在垂直于襯底100的方向上測量的深度上大體上是均勻的。
在一些實(shí)施例中，用等離子來處理犧牲層115的表面。在其它實(shí)施例中，用包含氧 氣及/或六氟化硫氣體的氣體來處理犧牲層115的表面。在另外其它實(shí)施例中，用包含氧 氣及/或六氟化硫氣體的等離子來處理犧牲層115的表面。氧氣及/或六氟化硫氣體可包 含所述物質(zhì)的分子及/或基團(tuán)。可用離子化的氧及/或離子化的六氟化硫來處理犧牲層115 的表面。本文中描述的對下伏層(例如，犧牲層115)的表面的一個(gè)或一個(gè)以上處理在 一些實(shí)施例中可使所述表面變光滑。下文中論述可在步驟235處執(zhí)行的若干處理方法的 細(xì)節(jié)。
過程200在步驟240處繼續(xù)，其中在經(jīng)處理的犧牲部分145且在所說明的實(shí)施例中 如圖IOG所示在支撐結(jié)構(gòu)135上形成上覆層140,例如第二導(dǎo)電層。在一實(shí)施例中，在 經(jīng)處理的犧牲部分145的至少一部分上形成上覆層140的至少一部分。在一實(shí)施例中， 上覆層140包含可移動(dòng)層，例如如圖1及圖7所示的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層14。由于在過程200的此階段處犧牲層115及經(jīng)處理的犧牲部分145仍然存在，所以可移動(dòng) 層通常尚不可移動(dòng)。含有犧牲層(此實(shí)施例中為層115及145)的部分制造的MEMS裝 置172 (例如，部分制造的干涉式調(diào)制器)在本文中可稱為"未釋放"的MEMS裝置。 上覆層140可包含金屬(例如，鋁、鋁合金、銀或銀合金)。在一些實(shí)施例中，上覆層 140包含鋁。在一些實(shí)施例中，上覆層140包含銀。在步驟240中形成導(dǎo)電層140可包 括一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟以及一個(gè)或一個(gè)以上圖案化或掩蔽步驟。
過程200在步驟245處繼續(xù)，其中如圖IOH所示移除(例如，通過蝕刻)經(jīng)處理的 (例如，經(jīng)氧化的)犧牲層145的至少- -部分且任選地未經(jīng)處理的(例如，未經(jīng)氧化的) 犧牲層115的一部分。 一個(gè)或一個(gè)以上支撐機(jī)構(gòu)135可支撐上覆層140，因而形成間隙 或腔150。在一些實(shí)施例中，在介電層110與上覆層140之間形成腔150，以使得上覆 層140暴露于腔，如圖IOH所說明。上覆層140的經(jīng)處理的表面輪廓155可包含比形成 于未經(jīng)處理的犧牲結(jié)構(gòu)上的可比表面輪廓少的小凸起。
犧牲層的移除可例如通過暴露于例如XeF2 (如圖IOH中所描繪)、單獨(dú)的F2或HF 或其組合等蝕刻劑來實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施例中，在蝕刻過程中移除大體上全部的犧牲層115 及經(jīng)處理的犧牲部分145。在一個(gè)實(shí)施例中，如上所述，腔150是光學(xué)堆疊16 (包含導(dǎo) 電層105及介電層110)之間的干涉腔，且上覆層140是可移動(dòng)的導(dǎo)電層。在形成腔150 之后，所得的MEMS裝置(例如，干涉式調(diào)制器175)處于"釋放"狀態(tài)。
釋放的干涉式調(diào)制器175可經(jīng)受許多額外處理步驟(圖9或圖10中未展示)，其中 的一者或一者以上可涉及將干涉式調(diào)制器175加熱到在缺乏處理步驟235的情況下會(huì)在 上覆層140中引起小凸起的溫度。在一些實(shí)施例中，對犧牲層115的表面的處理用以減 少上覆層140中的小凸起的形成(例如，因熱量引起的小凸起的形成)，因而改進(jìn)MEMS 裝置的操作。在一些實(shí)施例中，減少的小凸起是指與未經(jīng)受所述處理之一的類似導(dǎo)電層 中預(yù)期的數(shù)目相比減少的數(shù)目的小凸起。在其它實(shí)施例中，減少的小凸起是指與未經(jīng)受 所述處理之一的類似導(dǎo)電層中預(yù)期的大小相比減小的大小的小凸起。在另外其它實(shí)施例 中，減少的小凸起是指與未經(jīng)受所述處理之一的類似導(dǎo)電層中預(yù)期的數(shù)目及大小相比減 少的數(shù)目及減小的大小兩者的小凸起。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可使用由本文中提供的教示指導(dǎo)的例行實(shí)驗(yàn)識別用于本文中 揭示的方法的適當(dāng)參數(shù)及/或操作條件。舉例來說，可通過系統(tǒng)性地改變參數(shù)并觀察小凸 起形成的程度(例如，因熱量引起的小凸起的形成)來獲得與對犧牲層的表面的處理相 關(guān)聯(lián)的最優(yōu)參數(shù)，例如壓力、功率、暴露時(shí)間及/或流動(dòng)速率。在一些實(shí)施例中，壓力可 在40毫托(mT)與60毫托之間。在一些實(shí)施例中，功率可在800瓦與1000瓦之間。
25在一些實(shí)施例中，六氟化硫以每分鐘30-100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)的流動(dòng)速率暴露于 犧牲層。在一些實(shí)施例中，氧以100-200 sccm的流動(dòng)速率暴露于犧牲層。犧牲層可暴露 于處理持續(xù)各種時(shí)間周期(例如15-25秒)。在一些實(shí)施例中，不將襯底加熱。
在一些實(shí)施例中，在上覆層140的原本鄰近于經(jīng)處理的犧牲表面145的表面上發(fā)生 小凸起的形成的減少。在所述實(shí)施例中，在導(dǎo)電層的面向腔150的表面(稱為上覆層140 的腔側(cè)的表面)上發(fā)生小凸起的形成的減少。在圖10的MEMS裝置中，上覆層的原本 鄰近于經(jīng)處理的犧牲層145的表面是上覆層140的腔側(cè)的表面155。因此，對犧牲表面 145的處理可影響上覆層140的腔側(cè)的表面的輪廓或形狀。
在一些實(shí)施例中，過程200可包含額外步驟，且所述步驟可從圖9及圖10的說明 重新布置。舉例來說，可在形成支撐結(jié)構(gòu)孔口 130之前或在形成支撐結(jié)構(gòu)孔口 130之后 但在于支撐結(jié)構(gòu)130中形成支撐結(jié)構(gòu)135之前處理犧牲層115的表面?？稍谛纬蔂奚鼘?之前形成支撐結(jié)構(gòu)，因而消除形成支撐結(jié)構(gòu)孔口的步驟。
本文中描述的減少小凸起的形成的方法可應(yīng)用于各種包含鄰近于腔的含鋁及/或含 銀薄膜的MEMS裝置，其中通過移除犧牲層的至少一部分來形成腔。
可通過本文中所述的處理下伏犧牲層的表面的方法來減少因高溫而在含鋁及/或含 銀薄膜(例如MEMS裝置的上覆層140)中引起的小凸起的形成。在本文中使用時(shí)，高 溫或引起小凸起的溫度是將在未經(jīng)受所揭示的處理的可比的含鋁及/或含銀薄膜中產(chǎn)生 小凸起的溫度。在---些實(shí)施例中，引起小凸起的溫度大于或等于85°C、大于或等于IOO °C、大于或等于20(TC或者大于或等于500°C。在本文中使用時(shí)，術(shù)語"因熱量引起的 小凸起的形成"是指因暴露于高溫而引起的小凸起的形成。
雖然在一些實(shí)施例中，含鋁及/或含銀薄膜經(jīng)受這些高溫，但在其它實(shí)施例中，其并 不經(jīng)受這些高溫。在一些實(shí)施例中，通過本文中所述的方法產(chǎn)生的含鋁及/或含銀薄膜如 果經(jīng)受了高溫則將展現(xiàn)出減少的小凸起的形成，無論所述薄膜是否實(shí)際上暴露于高溫。 在一些實(shí)施例中，在使含鋁及/或含銀薄膜經(jīng)受高溫之前移除下伏層的至少一部分。在其 它實(shí)施例中，并不在使含鋁及/或含銀薄膜經(jīng)受高溫之前移除下伏層。在一實(shí)施例中，圖 10H的MEMS裝置在已移除犧牲層115及經(jīng)處理的犧牲部分145之后在儲(chǔ)存期間暴露于 高溫。在此實(shí)施例中，處理犧牲層115的表面使形成于上覆層140的腔側(cè)的表面155上 的小凸起減少。在一些實(shí)施例中，因除溫度之外的條件而致使小凸起的形成。
本文中描述的干涉式調(diào)制器及干涉式顯示器裝置可并入于包含以下裝置的設(shè)備中 顯示器；經(jīng)配置以與顯示器通信的處理器，其中所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以 及經(jīng)配置以與處理器通信的存儲(chǔ)器裝置。在一些實(shí)施例中，所述設(shè)備可進(jìn)一步包含經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號發(fā)送到顯示器的驅(qū)動(dòng)器電路，且在這些實(shí)施例中的一些實(shí)施例中包含經(jīng)配置以將圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器電路的控制器。在其它實(shí)施例中，所述設(shè)備可包含經(jīng)配置以將圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到處理器的圖像源模塊，其中所述圖像源模塊任選地包含接收器、收發(fā)器、發(fā)射器或其某一組合。所述設(shè)備還可包含經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將輸入數(shù)據(jù)傳送到處理器的輸入裝置。
根據(jù)圖9及圖10中說明的上述方法來構(gòu)造干涉式調(diào)制器。此實(shí)例描述在圖9的步驟235處處理犧牲層的表面的實(shí)施例，使得形成于經(jīng)處理的犧牲部分145上的含鋁的第二導(dǎo)電上覆層140的特征在于減少的小凸起的形成(例如，因熱量引起的小凸起的形成)。應(yīng)了解，本發(fā)明的實(shí)施例還包括相關(guān)方法，其中處理參數(shù)改變例如此實(shí)例中揭示的溫度、壓力、處理時(shí)間、功率、流動(dòng)速率及/或氣體的改變。
使用等離子蝕刻腔室以施加于陰極與陽極之間的大約900瓦的直流電的功率電平來處理犧牲層以產(chǎn)生等離子(在將腔室真空抽空之后)。以流進(jìn)腔室的適當(dāng)量的六氟化硫氣體及氧氣將所述腔室維持在大約50 mT的壓力下大約20秒。改變所述氣體的流動(dòng)速率，以便確定有效的流動(dòng)速率。以大約30sccm的速率饋入六氟化硫，且以大約200sccm的速率饋入氧。在大約25'C下進(jìn)行處理過程，但等離子可能會(huì)在未提供任何外部熱量的情況下(除了因等離子引起的可能致使溫度上升的加熱以外-在此實(shí)施例中未使用單獨(dú)的襯底加熱)致使溫度提高。
在于經(jīng)處理的犧牲表面上形成含鋁的第二導(dǎo)電層及通過移除犧牲層而形成腔之后，使所述設(shè)備暴露于大于85。C的溫度。如上所述，所述含鋁層的特征在于與犧牲層未經(jīng)處理的可比設(shè)備相比減少的小凸起的形成。
可如上所述構(gòu)造干涉式調(diào)制器，除了以大約100 sccm的速率饋入氧與六氟化硫兩者以外。獲得類似結(jié)果。
在一些實(shí)施例中，在圖9中的步驟235處對犧牲層的處理包含以影響經(jīng)處理的(經(jīng)氧化的)犧牲部分145及上覆層(例如，上覆層140)之間的相互作用的方式使?fàn)奚鼘?15氧化，以消除或減少對上覆層或與上覆層機(jī)械耦 的其它層的可能的損害。
例如，對于MEMS裝置(例如干涉式調(diào)制器)，將犧牲層115圖案化以形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)135。犧牲層115形成機(jī)械層(例如，上覆層140)與在一些實(shí)施例中可形成于介電層IIO上的蝕刻終止層(未說明)之間的間距。形成裝置的最終步驟是移除犧牲層以將機(jī)械層從蝕刻終止層釋放，因而在像素區(qū)域中形成腔。
在一些實(shí)施例中，用蝕刻孔或開口將機(jī)械層(例如，上覆層140)圖案化?？赏ㄟ^使例如XeF2氣體等干式蝕刻劑流經(jīng)這些孔及開口以接觸犧 牲材料來實(shí)現(xiàn)犧牲層115的移除。當(dāng)XeF2接觸犧牲材料時(shí)，其大體上開始向下并接著橫向地以生長的徑向圖案蝕刻犧牲材料。見例如第2006-0076311號美國專利公開案的圖14。由于在像素中的不同孔處起始蝕刻且橫向釋放方向通常以比在向下方向上慢的速率進(jìn)行，所以典型釋放的最終階段通常導(dǎo)致形成許多被圍繞或保留的島狀物或列。見例如第2006-0076311號美國專利公開案的圖17到圖18。因?yàn)閸u狀物的體積越來越小，所以這些島狀物可充當(dāng)樞轉(zhuǎn)點(diǎn)，其中從機(jī)械層施加高度集中的機(jī)械應(yīng)力。應(yīng)力在這些列中的高度集中可致使機(jī)械層拉開并最終扯掉列下方的層(例如，圖IO中的介電層110)。將此不合乎需要的結(jié)果稱為釋放破壞，所述破壞可能會(huì)引起對嵌入于蝕刻終止層下方的容易受釋放蝕刻劑影響的層的侵蝕(稱為釋放侵蝕)。
已發(fā)現(xiàn)一種防止下伏層如上所述受到損害的方法是使?fàn)奚鼘拥谋砻嫜趸员闶箼C(jī)械層可在釋放破壞起始之前與蝕刻終止層分離。換句話說，機(jī)械層可在島狀物或列有機(jī)會(huì)形成之前快速地從犧牲層釋放。
通過在對犧牲層的釋放蝕刻期間經(jīng)由界面修改防止在蝕刻終止層上由應(yīng)力引起的損害來減少釋放侵蝕。在一些實(shí)施例中，所述界面修改包含如本文所述處理犧牲層。在一實(shí)施例中，所述處理包含氧化。因此，可進(jìn)行在步驟235處執(zhí)行的一些實(shí)施例的氧化處理以用于界面修改的目的，以便與未經(jīng)氧化的犧牲層115相比促使經(jīng)氧化的犧牲層145的較快速蝕刻，以使經(jīng)氧化的犧牲層145與上覆層140之間的粘合力降低，或以上兩者。
已發(fā)現(xiàn)，對于例如經(jīng)氧化的犧牲層145及未經(jīng)氧化的犧牲層115等多層犧牲堆疊，當(dāng)經(jīng)氧化的犧牲層的蝕刻速率比下伏未經(jīng)氧化的犧牲層115快速時(shí)，上覆層140與經(jīng)氧化的犧牲層145之間的界面將傾向于在顯著的島狀物形成之前分離。此外，如果通過例如等離子氧化等界面修改使經(jīng)氧化的犧牲層145與上覆層140之間的粘合力變?nèi)?，則其將進(jìn)一步增強(qiáng)分離過程。類似地，如果通過例如等離子氧化等處理使經(jīng)氧化的犧牲層145與未經(jīng)氧化的犧牲層U5之間的粘合力變?nèi)酰瑒t此也將增強(qiáng)分離過程。同樣，當(dāng)任何兩個(gè)犧牲層以物理方式彼此分開時(shí)，犧牲層中的更大的表面區(qū)域暴露于蝕刻劑。此暴露區(qū)域可用于垂直向上或向下蝕刻；此機(jī)制可抑制島狀物的形成，因?yàn)闄M向釋放組成部分變得不太重要。
這些實(shí)施例的界面修改技術(shù)包括但不限于熱(或熱量)處理、濕式處理、氧化、等離子處理、在犧牲層的界面處沉積薄層或其組合。這些界面修改處理未必需要與沉積犧牲層一起原位地執(zhí)行。這些處理可針對單層及多層犧牲堆疊兩者進(jìn)行。通過正確地混合犧牲材料及厚度與本文中描述的處理相結(jié)合，己發(fā)現(xiàn)經(jīng)適當(dāng)處理的單層的犧牲層足以提供對釋放破壞及/或釋放侵蝕問題的解決方案。在本實(shí)施例的一方面中，在過程200中的步驟235處執(zhí)行的氧化處理包含熱處理。舉例來說，已將對鉬犧牲層的熱處理展示為可有效地防止在過程200中的步驟245處用釋放蝕刻移除犧牲層期間對上覆/下伏層的損害。在另一方面中，在步驟235處執(zhí)行的氧化處理包含在大約35(TC下用氧等離子處理鉬犧牲層大約60秒。在這些方面中的兩者中，大體上沒有導(dǎo)致對例如介電層IIO等下部層的損害的釋放破壞或釋放侵蝕。所述兩個(gè)方面均展現(xiàn)出對經(jīng)氧化的犧牲層145的提高的蝕刻速率及/或經(jīng)氧化的犧牲層145與圍繞層之間的降低的粘合力。
在一些實(shí)施例中，在圖9中的步驟235處對犧牲層的處理包含選擇氧化條件以用于在步驟235處使?fàn)奚鼘友趸孕纬山?jīng)氧化的犧牲部分，以便提供經(jīng)氧化的犧牲部分(例如，層145)的比氧化之前的犧牲層115的表面光滑的表面。已發(fā)現(xiàn)，處理犧牲層115的表面以形成經(jīng)氧化的犧牲層145可在移除經(jīng)氧化的犧牲層145之后降低上覆層140的表面粗糙度。此光滑可引起上覆層140的優(yōu)越的光學(xué)質(zhì)量，因而改進(jìn)使用此光滑處理形成的光學(xué)MEMS裝置(如干涉式調(diào)制器)的質(zhì)量。
在例如干涉式調(diào)制器等光學(xué)MEMS裝置中，可移動(dòng)反射層的腔側(cè)表面的粗糙度對于裝置的光學(xué)性能特性非常重要?？梢苿?dòng)反射層的不良粗糙度可導(dǎo)致亮狀態(tài)(例如，激活的)與暗狀態(tài)(例如，未激活的)之間的低對比度。這可導(dǎo)致不良的顯示器裝置質(zhì)量。還已發(fā)現(xiàn)，光滑處理可改進(jìn)電響應(yīng)特性(例如，提供更寬且更一致的滯后窗口)。
在制造干涉式調(diào)制器時(shí)利用此光滑處理的實(shí)例中，氧化處理包含在鉬犧牲層115的表面上用N20進(jìn)行的處理。已發(fā)現(xiàn)，處理鉬犧牲層115的表面以形成經(jīng)氧化的鉬犧牲層145可在移除經(jīng)氧化的鉬犧牲層145之后減小上覆層140的表面粗槌度。在此實(shí)例中，在沉積鉬犧牲層之后執(zhí)行的300 kw N20處理使經(jīng)氧化的鉬層的表面充分光滑且在釋放經(jīng)氧化的鉬(例如，使用XeF2蝕刻)之后使得上覆光學(xué)層的表面粗糙度顯著改進(jìn)。
測試己展示此300 kw N2O處理使得表面粗糙度改進(jìn)70呢以上。特定來說，測試已展示在沒有N20處理的情況下觀察到7.321 nm的Rms (Rq)表面粗糙度。通過N20處理，Rms (rl)表面粗糙度減小到2.221 nm。
此外，這些測試已展示，此300 kw N20處理形成顯示器裝置的較大且較一致的滯
后窗口。較大的滯后窗口 (圖3中滯后或穩(wěn)定窗口的寬度以+Vb^或-Vbias為中心)是合
乎需要的，因?yàn)槠淇筛倪M(jìn)干涉式調(diào)制器在激活及釋放電壓電平方面的可靠性。此外，在晶片襯底上制造的顯示面板的集合展現(xiàn)出較均勻或一致的滯后窗口寬度。
包含干涉式調(diào)制器的顯示器陣列的集合在未經(jīng)N20處理的情況下制造時(shí)展現(xiàn)出從大約0.5伏到大約2.0伏(平均值大約為0.93伏)的范圍中的平均滯后窗口寬度。通過
29N20處理，顯示器陣列的集合展現(xiàn)出從大約2.8伏到大約3.3伏(平均值約為3.1伏)的范圍中的滯后窗口寬度。因此，平均滯后窗口的寬度翻了三倍以上，且晶片襯底上的顯示器裝置中的變化小了許多。
此外，用N20處理過的顯示器裝置針對在亮狀態(tài)對暗狀態(tài)下反射的光也展現(xiàn)出較高的對比率。未經(jīng)處理的顯示器陣列的集合展現(xiàn)出在從大約1.6到大約7.8(平均值大約為4.1)的范圍中的對比率。用N20處理過的顯示器陣列的集合展現(xiàn)出在從大約5.2到11.5(平均值大約為10.0)的范圍中的對比率。因此，經(jīng)N20處理的顯示器陣列的平均對比率是未經(jīng)處理的顯示器陣列的平均對比率的兩倍以上。
表面粗糙度、對比率及滯后窗口寬度的所述改進(jìn)可全部改進(jìn)所得顯示器裝置的性能。此外，使用N20處理在相同晶片襯底上制造的顯示器裝置的改進(jìn)的均勻性也可改進(jìn)所制造的顯示器裝置的接受合格率。
在一些實(shí)施例中，執(zhí)行步驟235處的處理以解決使用鉬作為犧牲層114所特有的問題。然而，對這些實(shí)施例的處理也可用于其它犧牲層，例如钷或鴇犧牲層。當(dāng)使用鉬作為犧牲層時(shí)，已發(fā)現(xiàn)有兩個(gè)問題發(fā)生。第一個(gè)問題涉及在過程200中的步驟245處移除犧牲層之后遺留下的雜質(zhì)。這些雜質(zhì)稱為蠕蟲殘留物(worm residue)。蠕蟲殘留物可降低干涉式調(diào)制器的腔的光學(xué)質(zhì)量。第二個(gè)問題與在過程200中的步驟220處沉積犧牲層期間形成于犧牲層中的針孔(即，小空隙)有關(guān)。這些針孔可在例如干涉式調(diào)制器等MEMS裝置中導(dǎo)致例如行電極與列電極之間的電泄漏。行電極與列電極之間的此電泄漏稱為RC泄漏。針孔可以兩種方式引起RC泄漏。首先，用于在步驟225處蝕刻支撐結(jié)構(gòu)孔口的蝕刻劑可穿過犧牲層中的針孔，且損害光學(xué)堆疊的下伏光學(xué)層，并導(dǎo)致導(dǎo)電層之間短路。其次，沉積于犧牲層上的上覆層可填充針孔，且在移除犧牲層之后形成上覆層上的粗糙的反射表面。
已發(fā)現(xiàn)，與鉬相關(guān)聯(lián)的RC泄漏及針孔兩個(gè)問題均可通過執(zhí)行圖9中的步驟235處對犧牲層的處理的一些實(shí)施例來減少。這些實(shí)施例包含選擇一處理，例如氧化、氯化、氟化、硝化及/或氮化處理，以及選擇處理?xiàng)l件，所述處理及處理?xiàng)l件與處理之前的犧牲層115相比使上部經(jīng)處理的犧牲層(層145)與下部大體上未經(jīng)處理的犧牲層(層115)的組合厚度增加。
在--個(gè)方面中，通過處理使?fàn)奚鼘拥捏w積膨脹提供了一種在以第一厚度形成犧牲層(例如，鉬、鉭或鎢)之后將犧牲層的厚度增加為第二厚度的方式。因此，需要用較少的犧牲材料來形成第二厚度的犧牲層。由于使用較少犧牲材料，所以可因移除犧牲層而產(chǎn)生較少的蠕蟲殘留物。此外，視犧牲材料而定，經(jīng)處理的犧牲材料還可比未經(jīng)處理的犧牲材料蝕刻得更干凈，且還產(chǎn)生較少的蠕蟲殘留物。
在另一方面中，犧牲層的體積的膨脹可減少或消除已發(fā)現(xiàn)(例如)在使用鉬作為犧 牲層時(shí)形成于犧牲層中的針孔。犧牲(例如，鉬)層中的針孔可因犧牲層在氧化處理期 間的橫向膨脹而封閉。
在將鉬用作犧牲層且將氧化用作處理的實(shí)施例中，步驟235處的處理使得鉬氧化層 145形成于未經(jīng)氧化的鉬犧牲層115的至少表面上。視氧化量及氧化處理的性質(zhì)而定， 可形成不同的氧化鉬。已發(fā)現(xiàn)，最穩(wěn)定的氧化鉬傾向于為Mo03。在已知鉬的密度大約 為10.3 kg/cm3且Mo03的密度大約為4.7 kg/cm3的情況下，鉬犧牲層在氧化期間將經(jīng)歷 體積的膨脹。因此，例如，在鉬可僅在一個(gè)方向(例如，垂直于襯底)上膨脹的受限的 實(shí)施例中，Mo03層的厚度可為氧化前的未經(jīng)氧化的鉬層的多達(dá)3.3倍。
在一些實(shí)施例中，在氧化鉬層上形成鈍化層。舉例來說，可在過程200中的步驟240 處形成的上覆層140的沉積之前沉積Si02。上覆層140可進(jìn)一步包括形成于鈍化層上的 第二導(dǎo)電層。所述鈍化層用以輔助在步驟245處移除經(jīng)氧化的犧牲層145期間使經(jīng)氧化 的犧牲層145與第二導(dǎo)電層分離。在這些實(shí)施例中，步驟235的氧化處理可包含用例如 Cl2、 Fl2、 02及/或N20及其它氣體等氣體進(jìn)行處理。
已進(jìn)行實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證鉬的氧化以這樣的方式引起犧牲層膨脹其填充例如小針孔等小 空隙，并且在垂直于襯底的方向上膨脹到足以界定干涉腔的深度的深度。
圖11說明在實(shí)驗(yàn)中用來驗(yàn)證經(jīng)氧化處理的鉬的膨脹特性的多層堆疊的實(shí)例。多層 堆疊250形成于硅襯底255上。第一鉬層260沉積于硅襯底255上。接著Si02層265 沉積于第一鉬層260上。接著第二鉬層270沉積于SiO2層265上。在圖11所示的實(shí)施 例中，第一鉬層260及第二鉬層270各自深度為2000 A，且Si02層265的深度為450 A (垂直于襯底255而測量)。
在形成第二鉬層270之后，在鉬層270中圖案化孔280。在形成孔280之后，蝕刻 Si02層265以底切第二鉬層270，因而在第一鉬層260與第二鉬層270之間形成小腔285。 腔285的橫向尺寸大約為6000 A。
在形成腔285之后，將多層堆疊250放置于CVD腔室中且使其經(jīng)受氧化。這些實(shí) 驗(yàn)中使用的特定氧化是氧等離子氧化工藝。然而，例如熱氧化等其它氧化工藝雖然在一 些情況下因可能溫度較高而不太優(yōu)選，但也可使用。在CVD腔室中氧化大約180秒之 后，腔285因第一鉬層260及第二鉬層270的氧化及所得的膨脹而大體上封閉。因此， 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證出鉬的氧化可為填充例如上述針孔等小空隙的可行的解決方案。
氧化之外的處理也可使?fàn)奚鼘佑行蛎?。?指示氟化、氮化、氯化及氧化如何影響鉬、硅、鎢及鍺的體積。在用氟、氮、硅、鋁或氧進(jìn)行處理之后，如下表l所示鉬的體積與未經(jīng)處理的狀況(將MoF3、 MoF5、 MoN、 MoSi2、 Mo02、 Mo03及MoCl3的摩爾體積與表1中的Mo的摩爾體積比較)相比增加。類似地，氮化硅及氧化硅的摩爾體積大于硅的摩爾體積；氟化鍺的摩爾體積大于鍺的摩爾體積；且氮化鎢、氯化鎢及氧化鎢的摩爾體積大于鎢的摩爾體積。這些分析指示用氟、氮、硅、氯及/或氧來處理犧牲層可使?fàn)奚鼘佑行蛎?。因此，可使用較少的這些犧牲材料來提供給定的犧牲層厚度，因而節(jié)省成本且改進(jìn)制造工藝的效率。表1
材料摩爾體積 (cm3/moI)XeF2 化學(xué)計(jì)量XeF2用量對Mo
Mo9.531
Si12.120.53
W9.431.0
Ge13.620.47
MoF333.01.50.14
MoF554.60.50.029
MoN12.030.80
MoSi224.570.91
Mo0219.820.32
Mo0330.620,21
MoCl354.130.18
WN227.530.35
WC1470.530.14
wo220.030.48
SiO20.220.31
Si3N444.360.43
GeF230.410.10
表1還列出蝕刻犧牲材料(未經(jīng)處理的材料與經(jīng)處理的材料兩者)所需的XeF2的化學(xué)計(jì)量的量與蝕刻未經(jīng)處理的Mo所需的量相比的比率?？煽闯?，與未經(jīng)處理的Mo相比，幾乎所有經(jīng)處理的材料均需要蝕刻較少的XeF2。通過使用較少的XeF2，可降低成本且可改進(jìn)制造工藝的效率。
雖然以上詳細(xì)描述已展示、描述及指出應(yīng)用于各種實(shí)施例的新穎特征，但將了解，在不脫離已揭示的裝置或工藝的情況下，可對所說明的裝置或工藝的形式及細(xì)節(jié)進(jìn)行各種省略、替換及改變。如將認(rèn)識到，本發(fā)明可在不提供本文中陳述的所有特征及益處的形式內(nèi)實(shí)施，因?yàn)橛行┨卣骺膳c其它特征分開使用或?qū)嵺`。
權(quán)利要求
1.一種制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置的方法，其包含在襯底上形成犧牲層；處理所述犧牲層的至少一部分以形成經(jīng)處理的犧牲部分；在所述經(jīng)處理的犧牲部分的至少一部分上形成上覆層；以及至少部分地移除所述經(jīng)處理的犧牲部分以形成位于所述襯底與所述上覆層之間的腔，所述上覆層暴露于所述腔。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理包含氧化。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或權(quán)利要求2所述的方法，其中所述處理包含使所述犧牲層暴露于 氮、氟及氯中的一者或一者以上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述腔是干涉式調(diào)制腔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述經(jīng)處理的犧牲部分包 含上部經(jīng)處理的犧牲層，且所述犧牲層的其余部分包含下部大體上未經(jīng)處理的犧牲 層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述上部經(jīng)處理的犧牲層在垂直于所述襯底的方 向上測量的深度上大體上是均勻的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或權(quán)利要求6所述的方法，其包含移除所述上部經(jīng)處理的犧牲層的 至少一部分及所述下部大體上未經(jīng)處理的犧牲層的至少一部分，其中所述上部經(jīng)處 理的犧牲層的蝕刻速率大于所述下部大體上未經(jīng)處理的犧牲層的蝕刻速率。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5到7中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述下部大體上未經(jīng)處理 的犧牲層包含鉬。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述上部經(jīng)處理的犧牲層包含氧化鉬。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1到9中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述上覆層包含金屬。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述金屬包含鋁。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其包含選擇用于所述犧牲層的所述處理以形成所述 經(jīng)處理的犧牲部分的處理?xiàng)l件，以便減少在所述至少部分地移除所述經(jīng)處理的犧牲 部分之后所述上覆鋁層中的小凸起的形成，所述方法進(jìn)一步包含在所述至少部分地 移除所述經(jīng)處理的犧牲部分之后使所述MEMS裝置暴露于原本會(huì)引起小凸起的條 件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其包含選擇所述處理?xiàng)l件以減少所述小凸起的數(shù)目。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其包含選擇所述處理?xiàng)l件以減小所述小凸起的大小。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12到14中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述小凸起包含由熱量 引起的小凸起。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12到15中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述原本會(huì)引起小凸起 的條件包含使所述MEMS裝置暴露于大于約IOO'C的溫度。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12到15中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述原本會(huì)引起小凸起 的條件包含使所述MEMS裝置暴露于大于約20(TC的溫度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12到15中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述原本會(huì)引起小凸起 的條件包含使所述MEMS裝置暴露于大于約500'C的溫度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求5到11中的任一權(quán)利要求所述的方法，其包含選擇用于所述犧牲層 的所述處理以形成所述經(jīng)處理的犧牲部分的處理?xiàng)l件，以便與所述處理之前的所述 犧牲層相比增加所述上部經(jīng)處理的犧牲層與所述下部大體上未經(jīng)處理的犧牲層的 組合厚度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1到11中的任一權(quán)利要求所述的方法，其包含選擇用于所述犧牲層的所述處理以形成所述經(jīng)處理的犧牲部分的處理?xiàng)l件，以便在所述至少部分地移除 所述經(jīng)處理的犧牲部分期間減小所述上覆層與所述經(jīng)處理的犧牲部分之間的粘合 程度。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1到20中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述上覆層包含鈍化層 及形成于所述鈍化層上的導(dǎo)電層，所述鈍化層經(jīng)配置以有助于在所述至少部分地移 除所述經(jīng)處理的犧牲部分期間允許所述經(jīng)處理的犧牲部分與所述導(dǎo)電層分離。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1到11中的任一權(quán)利要求所述的方法，其包含選擇用于所述犧牲層 的所述處理以形成所述經(jīng)處理的犧牲部分的處理?xiàng)l件，以便提供所述經(jīng)處理的犧牲 部分的比所述處理之前的所述犧牲層的表面光滑的表面。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述處理?xiàng)l件包含N20或02處理或兩者。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1到23中的任--權(quán)利要求所述的方法，其中對所述犧牲層的所述至 少一部分的所述處理包含使所述犧牲層的表面暴露于含氧的分子或基團(tuán)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述氧包含離子化的氧。
26. 根據(jù)權(quán)利要求1到25中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中對所述犧牲層的所述至 少一部分的所述處理包含加熱所述犧牲層。
27. 根據(jù)權(quán)利要求1到26中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中對所述犧牲層的所述至 少一部分的所述處理包含使所述犧牲層暴露于等離子。
28. 根據(jù)權(quán)利要求1到27中的任一權(quán)利要求所述的方法，其包含移除大體上全部的所 述經(jīng)處理的犧牲部分。
29. 根據(jù)權(quán)利要求1到28中的任一權(quán)利要求所述的方法，其進(jìn)一步包含通過使所述犧牲層的表面暴露于六氟化硫來處理所述犧牲層的所述表面；以及 在所述經(jīng)六氟化硫處理的表面上形成所述上覆層。
30. 根據(jù)權(quán)利要求1到29中的任一權(quán)利要求所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述襯底上形成電極；以及在所述電極上形成所述犧牲層，其中在所述電極與所述上覆層之間定位所述腔。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述電極上形成絕緣層。
32. 根據(jù)權(quán)利要求30或權(quán)利要求31所述的方法，其進(jìn)一步包含形成至少一個(gè)使所述電 極與所述上覆層分離的支撐結(jié)構(gòu)。
33. —種干涉式顯示器裝置，其包含第一電極，其形成于襯底上；可移動(dòng)的第二電極，其位于所述第一電極上且大體上平行于所述第一電極，其中 所述第二電極包含面向形成于所述第一電極與所述第二電極之間的腔的經(jīng)處理的 表面輪廓；以及多個(gè)支撐件，其位于所述第一電極與所述可移動(dòng)的第二電極之間且經(jīng)定位以支撐 所述可移動(dòng)的第二電極。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的干涉式顯示器裝置，其中所述可移動(dòng)的第二電極包含鋁。
35. 根據(jù)權(quán)利要求33或權(quán)利要求34所述的裝置，其進(jìn)一步包含位于所述第一電極上的 絕緣層。
36. 根據(jù)權(quán)利要求33到35中的任一權(quán)利要求所述的干涉式顯示器裝置，其中所述可移 動(dòng)的第二電極的腔側(cè)的所述經(jīng)處理的表面輪廓大體上對高溫不敏感。
37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述高溫大于約IO(TC。
38. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述高溫大于約200'C。
39. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的裝置，其中所述高溫大于約50(TC。
40. 根據(jù)權(quán)利要求33到35中的任一權(quán)利要求所述的干涉式顯示器裝置，其中所述第二 電極的所述腔側(cè)的所述經(jīng)處理的表面輪廓經(jīng)配置以具有在暴露于高溫后形成小凸 起的減小的趨勢。
41. 一種顯示器裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求33到40中的任一權(quán)利要求所述的干涉式顯 示器裝置的陣列。
42. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的顯示器裝置，其進(jìn)一步包含-處理器，其經(jīng)配置以與所述陣列通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及 存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的顯示器裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號發(fā)送 到所述陣列的驅(qū)動(dòng)器電路。
44. 根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部 分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路的控制器。
45. 根據(jù)權(quán)利要求42到44中的任一權(quán)利要求所述的裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以將所 述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器的圖像源模塊。
46. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器 中的至少一者。
47. 根據(jù)權(quán)利要求42到46中的任一權(quán)利要求所述的裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以接收 輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器的輸入裝置。
48. -- 種未釋放的干涉式顯示器裝置，其包含第一電極，其形成于襯底上；第一犧牲層，其形成于所述第一電極的至少一部分上，所述第一犧牲層包含第一 犧牲材料；第二犧牲層，其形成于所述第一犧牲層的至少一部分上，其中所述第二犧牲層包 含所述第一犧牲材料的經(jīng)處理的變化形式；第二電極，其形成于所述第二犧牲層的至少一部分上；以及多個(gè)支撐件，其位于所述第一電極與所述第二電極之間且經(jīng)定位以在移除所述第 一犧牲層及所述第二犧牲層后支撐所述第二電極。
49. 根據(jù)權(quán)利要求48所述的未釋放的干涉式顯示器裝置，其中所述經(jīng)處理的變化形式 包含經(jīng)氧化的變化形式。
50. 根據(jù)權(quán)利要求48或權(quán)利要求49所述的未釋放的干涉式顯示器裝置，其中所述第二 犧牲層在大體上垂直于所述襯底測量的深度上大體上是均勻的。
51. 根據(jù)權(quán)利要求48到50中的任一權(quán)利要求所述的未釋放的干涉式顯示器裝置，其中 所述第一犧牲層包含鉬。
52. 根據(jù)權(quán)利要求48到51中的任一權(quán)利要求所述的未釋放的干涉式顯示器裝置，其中 所述第二犧牲層包含氧化鉬。
53. 根據(jù)權(quán)利要求48到52中的任一權(quán)利要求所述的未釋放的干涉式顯示器裝置，其中 所述上覆層包含金屬。
54. 根據(jù)權(quán)利要求53所述的未釋放的干涉式顯示器裝置，其中所述金屬包含鋁。
55. —種干涉式顯示器裝置，其包含-用于支撐所述顯示器裝置的至少一部分的第一裝置；用于反射光的第一裝置，所述第一反射裝置至少部分地反射光且至少部分地透射 光，且形成于所述支撐裝置上；用于反射光的第二裝置，所述第二反射裝置至少部分地反射光，所述第二反射裝 置可移動(dòng)且位于所述第一反射裝置上，且平行于所述第一反射裝置，其中所述第二 反射裝置包含面向所述第一反射裝置與所述第二反射裝置之間的干涉腔的經(jīng)處理 的表面輪廓；以及用于支撐位于所述第一反射裝置上的所述第二反射裝置的第二裝置。
56. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的顯示器裝置，其中所述第一支撐裝置包含襯底。
57. 根據(jù)權(quán)利要求55或權(quán)利要求56所述的顯示器裝置，其中所述第一反射裝置包含光 學(xué)堆疊。
58. 根據(jù)權(quán)利要求55到57中的任一權(quán)利要求所述的顯示器裝置，其中所述第二反射裝 置包含可移動(dòng)的反射層。
59. 根據(jù)權(quán)利要求55到58中的任一權(quán)利要求所述的顯示器裝置，其中所述第二支撐裝 置包含支撐柱。
60. —種沉積含銀的薄膜的方法，其包含處理下伏層的表面以形成經(jīng)處理的表面；以及在所述經(jīng)處理的表面上沉積所述含銀的薄膜；其中所述處理減少所述含銀的薄膜中的小凸起的形成。
61. 根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中所述小凸起的形成包含因熱量引起的小凸起的 形成。
62. 根據(jù)權(quán)利要求60或權(quán)利要求61所述的方法，其中處理所述下伏層的所述表面包含 使所述表面暴露于六氟化硫、氧及等離子中的一者或一者以上。
63. 根據(jù)權(quán)利要求60到61中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中處理所述下伏層的所述 表面包含加熱所述表面。
64. 根據(jù)權(quán)利要求60到63中的任一權(quán)利要求所述的方法，其進(jìn)一步包含將所述含銀的 薄膜加熱到原本會(huì)引起小凸起的溫度。
65. 根據(jù)權(quán)利要求60到64中的任一權(quán)利要求所述的方法，其進(jìn)一步包含移除所述下伏 層的至少一部分，因而使先前與所述經(jīng)處理的表面接觸的所述含銀的薄膜的至少一 部分暴露。
66. 根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其包含在將所述含銀的薄膜加熱到所述原本會(huì)引起 小凸起的溫度之前移除所述下伏層。
67.根據(jù)權(quán)利要求60到66中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中處理所述下伏層的所述 表面包含使所述表面變光滑。
全文摘要
本發(fā)明描述制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置的方法。在一些實(shí)施例中，所述方法包括在襯底上形成犧牲層；處理所述犧牲層的至少一部分以形成經(jīng)處理的犧牲部分；在所述經(jīng)處理的犧牲部分的至少一部分上形成上覆層；以及至少部分地移除所述經(jīng)處理的犧牲部分以形成位于所述襯底與所述上覆層之間的腔，所述上覆層暴露于所述腔。
文檔編號B81C1/00GK101652317SQ200880010748
公開日2010年2月17日 申請日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月4日
發(fā)明者葉夫根尼·古塞夫, 姜志偉, 戴維·希爾德, 楊家偉, 涂桑佳, 棋 羅 申請人:高通Mems科技公司