專利名稱：利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè)結(jié)構(gòu)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種靜電驅(qū)動(dòng)壓阻檢測(cè)的納米梁與階梯形驅(qū)動(dòng)電極原理與結(jié) 構(gòu)，更確切地說涉及一種納米梁與階梯形驅(qū)動(dòng)電極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中利用階梯 形驅(qū)動(dòng)電極在實(shí)現(xiàn)對(duì)納米梁靜電驅(qū)動(dòng)的同時(shí)在納米梁表面感應(yīng)形成空間電荷 區(qū)，利用納米梁空間電荷區(qū)下的部分作為力敏電阻實(shí)現(xiàn)壓阻檢測(cè)。屬于微米/ 納米制作領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
納機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)(Nano Electro Mechanical System, NEMS)是微機(jī)電技術(shù) (Micro Electro Mechanical System, MEMS)的發(fā)展，是納米技術(shù)的重要組成部 分。由于利用了納米尺度結(jié)構(gòu)的表面效應(yīng)、尺度效應(yīng)等納米效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)新 型器件，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有器件性能的顯著提升(K. L. Ekinci, M. L. Roukes. Nanoelectromechanical systems. Review of Scientific Instruments, Vol.76, 061101,2005.)。
特征尺度在納米量級(jí)的梁結(jié)構(gòu)是納機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)中的基本結(jié)構(gòu)。微/納機(jī) 電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的位移、振動(dòng)等一般均會(huì)引起梁的彎曲。因此彎曲是微/納機(jī)電系 統(tǒng)中梁運(yùn)動(dòng)的重要方式。本文中將梁彎曲的方向定義為厚度方向。本發(fā)明所 涉及的納米梁是指彎曲方向的尺度小于100納米的梁。
由于納機(jī)電器件的特征尺度小，造成位移檢測(cè)的難度高。傳統(tǒng)的壓阻檢 測(cè)技術(shù)面臨一系列的問題。壓阻檢測(cè)是直接測(cè)量力敏電阻處的應(yīng)力，其靈敏 度與梁上應(yīng)力分布以及力敏電阻的尺寸直接相關(guān)。當(dāng)一根雙端固支梁或懸臂 梁彎曲且彎曲相比于梁厚度不大時(shí)，可以認(rèn)為梁內(nèi)存在一中性面，中性面內(nèi) 應(yīng)力為0，中性面上下兩部分的應(yīng)力的積分大小相等符號(hào)相反。距離中性面
越遠(yuǎn)則應(yīng)力的絕對(duì)值越大。應(yīng)力絕對(duì)值的最大值出現(xiàn)在梁上下表面。對(duì)于矩 形截面的均質(zhì)梁，中性面位于梁厚度一半處，相對(duì)于中性面上下對(duì)稱的任何兩點(diǎn)應(yīng)力大小相等符號(hào)相反。(M. H. Bao, Micro Mechanical Transducers, ELSEVIER, 2000)。為了獲得較高的靈敏度，力敏電阻應(yīng)制作在中性面的一 側(cè)。當(dāng)力敏電阻跨越中性面時(shí)，由于中性面兩側(cè)應(yīng)力符號(hào)相反而出現(xiàn)部分抵 消，使靈敏度降低。當(dāng)力敏電阻厚度等于梁厚度時(shí)，對(duì)梁彎曲的靈敏度為O。 對(duì)于納米梁，由于梁的厚度在納米量級(jí)，力敏電阻的結(jié)深必須遠(yuǎn)小于納米梁 的厚度才能獲得較高的靈敏度。制備結(jié)深淺、濃度高的電阻的難度高。
楊恒等人在2007年提出了一種MOS電容襯底壓阻結(jié)構(gòu)，在納米梁上制 造MOS電容結(jié)構(gòu)，在MOS電容下感應(yīng)形成反形層與空間電荷區(qū)，利用空間 電荷區(qū)下的部分作為力敏電阻，實(shí)現(xiàn)對(duì)納米梁的壓阻檢測(cè)(楊恒，吳燕紅， 成海濤，王躍林，納米梁上MOS電容襯底壓阻檢測(cè)原理與結(jié)構(gòu)， 200710173683.0)。該結(jié)構(gòu)避免了制備淺結(jié)的難題。但是該結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是MOS 電容的柵氧化層與金屬柵極會(huì)降低納米梁的品質(zhì)因素；同時(shí)由于MOS電容 處的厚度大于納米梁上其他部分的厚度，MOS電容處的應(yīng)力會(huì)受到影響；另 外必須對(duì)柵氧化層作特別保護(hù)才能避免釋放過程中氫氟酸對(duì)它的腐蝕，保護(hù) 柵氧化層增加了工藝復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè)結(jié) 構(gòu)的方法，也即本發(fā)明提供一種利用階梯形電極與硅納米梁共同組成MIS電 容襯底壓阻結(jié)構(gòu)，利用MIS電容襯底壓阻實(shí)現(xiàn)硅納米梁的位移檢測(cè)，同時(shí)階 梯形電極也可用于對(duì)硅納米梁的靜電驅(qū)動(dòng)。
所述的納米梁是指厚度小于IOO納米的梁結(jié)構(gòu)，納米梁由硅材料制作， 可以為單晶硅或多晶硅，納米梁的支承方式可以有多種，包括懸臂梁、雙端 固支梁等。圖l所示為階梯形電極與雙端固支納米梁結(jié)構(gòu)的剖面圖。納米梁 在兩端處分別有一淡硼區(qū)，納米梁的其他部分為濃硼摻雜區(qū)。在納米梁上方 為階梯形電極。階梯形電極為一體結(jié)構(gòu)，由于各部分作用不同造成電極間隙 不同，所以電極不是在一個(gè)平面內(nèi)而是成階梯形。淡硼摻雜區(qū)與其上方的階 梯形電極間隙小于100納米，濃硼摻雜區(qū)與其上方的階梯形電極間隙在1-2 微米范圍內(nèi)。濃硼摻雜區(qū)的主要作用為導(dǎo)電以及與金屬壓焊塊形成歐姆接觸，濃硼摻雜區(qū)的摻雜濃度為10"/cm3到1021/0113的范圍內(nèi)。淡硼區(qū)用作為力敏電 阻，摻雜濃度為107，3到107cm3的范圍內(nèi)。
淡硼摻雜區(qū)與其上方的階梯形電極構(gòu)成一個(gè)MIS(Metal Insulator Semiconductor)電容結(jié)構(gòu)。MIS電容與MOS(Metal Oxide Semiconductor)電 容的原理是一致的，不同之處僅僅在于金屬與半導(dǎo)體間不是氧化層而是一層 空氣膜。該MIS電容結(jié)構(gòu)的閾值電壓為Vlh。由于淡硼區(qū)為P形半導(dǎo)體，所述 的MIS電容為NMIS電容。當(dāng)階梯形電極上有相對(duì)于淡硼區(qū)為正的電壓時(shí)，淡 硼區(qū)表面形成反形層，在反形層下為空間電荷區(qū)。當(dāng)階梯形電極上電壓大于 閾值電壓時(shí)，空間電荷區(qū)深度達(dá)到最大值，此時(shí)繼續(xù)增大階梯形電極上的電 壓不會(huì)增加空間電荷區(qū)深度，而僅僅增加了反形層內(nèi)載流子濃度。此時(shí)空間 電荷區(qū)下的淡硼區(qū)可以用作為力敏電阻。該MIS電容襯底壓阻結(jié)構(gòu)的工作原 理與MOS電容襯底壓阻相同。當(dāng)器件工作時(shí)，在階梯形電極上施加相對(duì)于淡 硼區(qū)為VD+VA。sincot的電壓，其中Vu為直流偏置電壓，VA sincot為圓頻率為co 的交流電壓。使VD-Va。大于Vth，則空間電荷區(qū)始終保持在最大值，MIS電容 襯底壓阻的阻值保持恒定，不隨階梯形電極上的電壓變化。
顯然，濃硼區(qū)與階梯形電極也是一個(gè)MIS電容結(jié)構(gòu)。但是由于電極間隙 大，該MIS電容的閾值電壓遠(yuǎn)大于淡硼區(qū)MIS電容的閾值電壓。只要使階梯 形電極上的驅(qū)動(dòng)電壓遠(yuǎn)小于該閾值電壓，該MIS電容結(jié)構(gòu)對(duì)濃硼區(qū)阻值的影 響可以忽略不計(jì)。
濃硼區(qū)上的電極用于對(duì)納米梁實(shí)現(xiàn)靜電驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電壓即為 VD+VA Sincot。電極與納米梁間的靜電力使梁作上下運(yùn)動(dòng)。根據(jù)雙端固支梁驅(qū) 動(dòng)原理，在梁中心附近的驅(qū)動(dòng)效率最高。
階梯形電極與納米梁結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是一個(gè)電極同時(shí)實(shí)現(xiàn)靜電驅(qū)動(dòng)與MIS電 容襯底壓阻結(jié)構(gòu)。階梯形電極并不僅限于用于雙端固支納米梁結(jié)構(gòu)，而可以 用于各種厚度在納米量級(jí)的納米梁結(jié)構(gòu)。MIS電容襯底壓阻結(jié)構(gòu)必須制作在 納米梁彎曲時(shí)應(yīng)力極大值處。 一般在應(yīng)力極大值處電極間隙小，用于實(shí)現(xiàn)MIS 電容襯底壓阻，其余部分的電極間隙大，用于靜電驅(qū)動(dòng)。
納米梁與階梯形電極結(jié)構(gòu)可以用常用的微/納機(jī)電加工技術(shù)制作(詳見實(shí) 施例l')，但是本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)并不僅限于用該方法制作。
6綜上所述，本發(fā)明特征在于納米梁上部的金屬電極為階梯形，電極兩端 與納米梁間的間隙小于100納米，而中間部分的電極間隙在l-2微米。所述
的階梯形電極兩端與納米梁形成MIS電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)階梯形電極與納米梁間的 電壓超過MIS電容的閾值電壓時(shí)，MIS電容下的空間電荷區(qū)達(dá)到最大值， 空間電荷區(qū)下的電阻僅為應(yīng)力的函數(shù)，可以用于納米梁的壓阻檢測(cè)。階梯形 電極的中心部分由于間隙大，對(duì)納米梁的電阻值影響小，中心部分對(duì)納米梁 的驅(qū)動(dòng)效率高，用于對(duì)納米梁實(shí)現(xiàn)靜電驅(qū)動(dòng)。
相比于已報(bào)道的納米梁上MOS電容襯底壓阻檢測(cè)結(jié)構(gòu)(中國(guó)申請(qǐng)?zhí)枮?200710173683.0),本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是
(1) 納米梁為厚度均勻的單晶硅梁，避免了柵氧化層與柵金屬電極對(duì)應(yīng)力分 布與品質(zhì)因子的影響。
(2) 避免了柵氧化層保護(hù)的難題，簡(jiǎn)化了工藝。


圖l (a)為本發(fā)明的納米梁與階梯形電極結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖l(b)為本發(fā) 明的納米梁與階梯形電極結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2為制作淡硼區(qū)與濃硼區(qū)后的結(jié)構(gòu)剖面圖。 圖3.光刻/刻蝕形成納米梁圖形后的俯視圖。
圖4.兩次淀積/光刻/刻蝕二氧化硅犧牲層后的結(jié)構(gòu)剖面圖。圖中12為 兩層二氧化硅犧牲層。
圖5.制作金屬電極與引線/壓焊塊后結(jié)構(gòu)剖面圖。 圖6.犧牲層腐蝕后的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖7(a)為采用階梯形電極的納米懸臂梁結(jié)構(gòu)的俯視圖。(b)為去除階梯形 電極后的納米梁結(jié)構(gòu)的俯視圖。(c)為圖7(a)的A-A'剖面的剖面圖。(d)為圖7 (a)的B-B'剖面的剖面圖。圖中l(wèi)為納米懸臂梁，2為錨點(diǎn)，3為納米梁上淡 硼擴(kuò)散區(qū)，4為納米梁上濃硼擴(kuò)散區(qū)，5為階梯形電極，6為淡硼擴(kuò)散區(qū)上的 納米厚度電極間隙，7為l-2微米厚度的電極間隙，8為壓焊塊。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1本發(fā)明所提供的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)雙端固支納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻 檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制作工藝步驟為
(1) 在SOI硅片的頂層硅上利用離子注入的方法制作淡硼摻雜區(qū)和濃硼 摻雜區(qū)。如圖2所示，圖中在S0I硅片的頂層硅9上制作淡硼區(qū)3和濃硼區(qū)
4。頂層硅9下為埋層二氧化硅10和襯底硅11。
(2) 熱氧化SOI硅片，在頂層硅上熱生長(zhǎng)氧化硅層，熱氧化會(huì)使頂層硅 厚度減少?？刂茻嵫趸瘯r(shí)間，使頂層硅厚度減小到納米梁的目標(biāo)厚度。去除 表面的熱氧化層。
(3) 用光刻/刻蝕的方法在頂層硅上制作出納米梁圖形。如圖3所示。
(4) 利用薄膜淀積/光刻/刻蝕等工藝在納米梁濃硼區(qū)表面制作二氧化硅 層，二氧化硅層的厚度為濃硼區(qū)上電極間隙的目標(biāo)厚度減去淡硼區(qū)上電極間 隙的目標(biāo)厚度。薄膜淀積的方法可以是LPCVD或PECVD等。
(5) 再次利用薄膜淀積/光刻/刻蝕等工藝在納米梁淡硼區(qū)與濃硼區(qū)表面 制作二氧化硅層，該層二氧化硅層的厚度等于淡硼區(qū)上電極間隙的目標(biāo)厚度。 此時(shí)濃硼區(qū)上淀積了兩層二氧化硅層，厚度等于電極間隙的目標(biāo)厚度。如圖 4所示。
(6) 在二氧化硅層上制作金屬電極，同時(shí)在錨點(diǎn)處制作金屬壓焊塊/引 線，形成歐姆接觸，如圖5所示。
(7) 利用氫氟酸腐蝕去除納米梁下的埋層二氧化硅與上面淀積的二氧化 硅層，即可得到所需的結(jié)構(gòu)。如圖6所示。
所制作的納米梁與階梯形電極的結(jié)構(gòu)如圖1 (a)、 (b)和圖2所示，圖 中納米梁1通過兩端與錨點(diǎn)2固支。納米梁1上制作有淡硼慘雜區(qū)3和濃硼 摻雜區(qū)4。錨點(diǎn)為濃硼摻雜。納米梁1上方制作有金屬的階梯形電極5。在淡 硼區(qū)3上方電極間隙6小于100納米。在濃硼區(qū)上方電極間隙7在1-2微米 范圍內(nèi)。另外，在納米梁兩端錨點(diǎn)上制作了金屬壓焊塊/引線8實(shí)現(xiàn)納米梁的 電學(xué)連接。且在SOI硅片的頂層硅9上制作淡硼區(qū)3和濃硼區(qū)4。頂層硅9 下為埋層二氧化硅10和襯底硅11。顯然，本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)并不僅限于上 述方法。且不限于雙端固支梁。 實(shí)施例2圖7所示為利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)納米厚度懸臂梁的靜電驅(qū)動(dòng)與MIS電容
襯底壓阻檢測(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7(a)為俯視圖，圖7(b)為去除階梯形電極后 納米梁結(jié)構(gòu)的俯視圖。納米梁制作在N型硅片上，即納米梁初始的摻雜類型 為N型。懸臂納米梁上下運(yùn)動(dòng)時(shí)，應(yīng)力極大值點(diǎn)出現(xiàn)在端點(diǎn)處，因此將力敏 電阻制作在端點(diǎn)處。由于懸臂梁結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，力敏電阻布置成與納米梁垂直 的狀態(tài)，力敏電阻處采用淡硼摻雜。階梯形電極與納米梁上淡硼摻雜區(qū)形成 MIS電容結(jié)構(gòu)，納米梁上濃硼摻雜區(qū)用于靜電驅(qū)動(dòng)。階梯形電極與淡硼區(qū)的 間隙在納米量級(jí)，在其余部分的電極間隙在l-2微米范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于納米梁上有一階梯形電極，所述的階梯形電極為一體結(jié)構(gòu)，不是在一個(gè)平面內(nèi)而是成階梯形，納米梁在兩端處分別有一淡硼摻雜區(qū)，納米梁的其他部分為濃硼摻雜區(qū)。
2、 按權(quán)利要求1所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè) 結(jié)構(gòu)，其特征在于淡硼摻雜區(qū)與其上方的階梯形電極的間隙小于100納米， 濃硼摻雜區(qū)與其上方的階梯形電極的間隙在l-2微米范圍內(nèi)。
3、 按權(quán)利要求1或2所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻 檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于淡硼摻雜區(qū)或濃硼摻雜區(qū)與其上方的階梯形電極形成 一個(gè)MIS電容結(jié)構(gòu)，金屬與半導(dǎo)體間是一層空氣膜；MIS金屬M(fèi)etal Insulator Semiconductor的縮寫。
4、 按權(quán)利要求3所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于a) 淡硼摻雜區(qū)為p型半導(dǎo)體，所述的MIS電容結(jié)構(gòu)為NMIS電容；b) 所述的MIS電容結(jié)構(gòu)的閥值電壓為Uth，當(dāng)階梯形電極上的電壓大于 閥值電壓時(shí)，空間電荷區(qū)深度達(dá)最大值；MIS電容襯底壓阻值不隨階梯形電 極上的電壓變化；c) 所述的MIS電容襯底壓阻結(jié)構(gòu)是在納米梁彎曲時(shí)應(yīng)力的極大值處。
5、 按權(quán)利要求1或2所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻 檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于濃硼摻雜區(qū)的摻雜濃度為1019/(^13到10"/cW范圍內(nèi)； 淡硼摻雜區(qū)的慘雜濃度為10"/cn^到1019/^113范圍內(nèi)。
6、 按權(quán)利要求1所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè) 結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的納米梁的支承方式為懸臂梁或雙端固支梁。
7、 制作如權(quán)利要求l、 2、 4或6所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁 驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于用于雙端固支納米梁結(jié)構(gòu)的步驟為(a)在SOI硅片的頂層硅上利用離子注入的方法制作淡硼摻雜區(qū)和濃硼 摻雜區(qū)；(b)熱氧化S0I硅片，在頂層硅上熱生長(zhǎng)氧化硅層，控制熱氧化時(shí)間， 使頂層硅厚度減小到納米梁的目標(biāo)厚度；再去除表面的熱氧化層； (C)用光刻/刻蝕的方法在頂層硅上制作出納米梁圖形；(d) 利用薄膜淀積、光刻和刻蝕工藝在納米梁濃硼摻雜區(qū)表面制作二氧 化硅層，二氧化硅層的厚度為濃硼摻雜區(qū)上電極間隙的目標(biāo)厚度減去淡硼區(qū) 上電極間隙的目標(biāo)厚度；薄膜淀積采用LPCVD或PECVD方法；(e) 再次利用薄膜淀積、光刻和刻蝕工藝在納米梁的淡硼摻雜區(qū)與濃硼 摻雜區(qū)表面制作二氧化硅層，該層二氧化硅層的厚度等于淡硼區(qū)上電極間隙 的目標(biāo)厚度；濃硼摻雜區(qū)上淀積了兩層二氧化硅層，厚度等于電極間隙的目 標(biāo)厚度；(f) 在二氧化硅層上制作金屬電極，同時(shí)在錨點(diǎn)處制作金屬壓焊塊/引 線，形成歐姆接觸；(g) 利用氫氟酸腐蝕去除納米梁下的埋層二氧化硅與上面淀積的二氧化 硅層，即可得到所需的結(jié)構(gòu)。
8、 按權(quán)利要求7所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè) 結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所述的硅片為單晶硅或多晶硅。
9、 按權(quán)利要求1或2所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻 檢測(cè)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，其特征在于利用MIS電容襯底電阻實(shí)現(xiàn)硅納米梁的位移檢 測(cè)或用于對(duì)納米梁的靜電驅(qū)動(dòng)。
10、 按權(quán)利要求9所述的利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢 測(cè)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，其特征在于 a) 采用階梯形電極的納米懸臂梁時(shí)，力敏電阻制作在應(yīng)力為極大值的端 點(diǎn)處，力敏電阻與納米梁垂直，力敏電壓處采用淡硼摻雜，階梯形電極與納 米梁上淡硼區(qū)形成MIS電容結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)納米梁位移的檢測(cè)，納米梁上濃硼 慘雜區(qū)用于靜電驅(qū)動(dòng)；b) 采用階梯形電極的納米雙端固支梁時(shí)，階梯形電極兩端與納米梁形成 MIS電容結(jié)構(gòu)；當(dāng)階梯形電極與納米梁間的電壓超過MIS電容的閾值電壓時(shí)， MIS電容下的空間電荷區(qū)達(dá)到最大值，空間電荷區(qū)下的電阻僅為應(yīng)力的函 數(shù)，用于納米梁的壓阻檢測(cè)；而階梯形電極的中心部分間隙大，對(duì)納米梁的 電阻值影響小，中心部分對(duì)納米梁的驅(qū)動(dòng)，用于對(duì)納米梁實(shí)現(xiàn)靜電驅(qū)動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及利用階梯形電極實(shí)現(xiàn)納米梁驅(qū)動(dòng)與壓阻檢測(cè)結(jié)構(gòu)及方法。其特征在于納米梁上部的金屬電極為階梯形，電極兩端與納米梁間的間隙小于100納米，而中間部分的電極間隙在1-2微米。所述的階梯形電極兩端與納米梁形成MIS電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)階梯形電極與納米梁間的電壓超過MIS電容的閾值電壓時(shí)，MIS電容下的空間電荷區(qū)達(dá)到最大值，空間電荷區(qū)下的電阻僅為應(yīng)力的函數(shù)，可以用于納米梁的壓阻檢測(cè)。階梯形電極的中心部分由于間隙大，對(duì)納米梁的電阻值影響小，中心部分對(duì)納米梁的驅(qū)動(dòng)效率高，用于對(duì)納米梁實(shí)現(xiàn)靜電驅(qū)動(dòng)。
文檔編號(hào)B82B3/00GK101565162SQ20091005244
公開日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2009年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月3日
發(fā)明者吳燕紅, 成海濤, 斌 戴, 李昕欣, 恒 楊, 王躍林 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所