專利名稱：用于可重配置的電路的裝置、方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可重配置的電路，更具體地，涉及作為施加的外部影響的結(jié)果在電 子電路的形成中使用的材料的特征的重新配置。
背景技術(shù)：
電路以這樣的方式收縮使得量子行為密切關(guān)聯(lián)于必須設(shè)計(jì)電路的方法。可相 信，納米技術(shù)能夠在電路的性能和功耗方面實(shí)現(xiàn)大幅提升。一般地，電子電路從實(shí)際傳 送操作邏輯的電流和電荷分離布線的硬件拓?fù)洹Ｈ欢?，納米級(jí)系統(tǒng)允許設(shè)計(jì)電子電路的 方法的改變。例如，可重新配置電路可能是有益的，以便優(yōu)化用于計(jì)算密集應(yīng)用(例如 圖像和語(yǔ)音識(shí)別或人功能智能)的性能和功耗。在形成可重配置的電路中可用的一種材料是單層石墨，已知為石墨烯 (graphene)。石墨烯是具有六角形柵格結(jié)構(gòu)的單層碳原子。石墨烯是具有無(wú)質(zhì)量“相對(duì) 論性”準(zhǔn)粒子的2D無(wú)間隙半導(dǎo)體。由于其罕見(jiàn)的帶結(jié)構(gòu)，石墨烯是在接近原子價(jià)和傳 導(dǎo)帶相會(huì)的點(diǎn)處具有線性能量-動(dòng)量關(guān)系的零間隙半導(dǎo)體。一般地，固體的帶結(jié)構(gòu)描述 了電子被“隱藏”或“允許”具有能量的范圍。特定固體的帶結(jié)構(gòu)由于電子波在固體 的周期性晶格中衍射而造成。原子的周期性柵格(布拉維(Bravais)柵格)通過(guò)散射電子 波影響通過(guò)其的電子。石墨烯是具有2原子單胞的Bravais柵格。由于電子波的干擾， 電子波的散射使得電子速率的某些值被阻止。這種干擾創(chuàng)建了材料的帶結(jié)構(gòu)。碳原子具有6個(gè)電子，其占用Is2、2s2和2p2軌道，Is2電子被緊密綁定，4個(gè)2s2 和2p2價(jià)電子被較弱地綁定。在結(jié)晶階段，這些價(jià)電子生成2s、2px、2py和2pz軌道。 雜化發(fā)生在1個(gè)2s電子和2個(gè)2p電子之間，其負(fù)責(zé)在平面中綁定3個(gè)最接近相鄰原子。 最后的pz電子構(gòu)成與平面垂直的TT軌道。這個(gè)軌道中的電子能夠在石墨烯平面中和垂直 于石墨烯平面中到處移動(dòng)，使得石墨烯構(gòu)成零間隙半導(dǎo)體。由于石墨烯的獨(dú)特帶結(jié)構(gòu)， 其被看作設(shè)備應(yīng)用(例如晶體管)的希望。由此，本發(fā)明的方面旨在對(duì)于其特征可依賴于施加的場(chǎng)的類型改變的材料使用 施加的場(chǎng)生成可重配置的電路。

發(fā)明內(nèi)容
下文提供本發(fā)明的示例性實(shí)施例的簡(jiǎn)化發(fā)明內(nèi)容，以提供本發(fā)明某些示例性方 面的基本理解。這個(gè)發(fā)明內(nèi)容并非本發(fā)明的擴(kuò)展性概括。其并非識(shí)別本發(fā)明的主要或關(guān) 鍵元素，也不界定本發(fā)明的范圍。其唯一目的在于以簡(jiǎn)化形式提供本發(fā)明的某些概念， 作為隨后提供的具體實(shí)施方式
的前序。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，提供一種裝置，可包括納米級(jí)材料層；以 及緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分的可編程部件。所述可編程部件可編程為第 一狀態(tài)，以通過(guò)第一方式干擾所述納米級(jí)材料層的至少所述第一部分中的電子波，以及 可編程為第二狀態(tài)，以通過(guò)第二方式干擾所述電子波。
5
根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述納米級(jí)材料層可包括石墨烯層。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述可編程部件的第一狀態(tài)或第二狀態(tài)可包 括第一納米級(jí)電荷分布。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾可被配 置為在所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成金屬性狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾可被配 置為在所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成半導(dǎo)電狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾可被配 置為在所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成絕緣狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述可編程部件可從所述第一狀態(tài)動(dòng)態(tài)重新 配置為所述第二狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述第一狀態(tài)或所述第二狀態(tài)可包括第二納 米級(jí)電荷分布。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述第一納米級(jí)電荷分布可通過(guò)激光打印機(jī) 印制在所述可編程部件上。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述第一納米級(jí)電荷分布可通過(guò)電子束光刻 印制在所述可編程部件上。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述半導(dǎo)電狀態(tài)可是n型。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述半導(dǎo)電狀態(tài)可是p型。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述裝置還可包括第一接觸，耦合至所述 石墨烯層的第一邊緣；以及第二接觸，耦合至所述石墨烯的第二邊緣。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述第一納米級(jí)電荷分布可是周期性電荷分 布。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述可編程部件可包括絕緣體材料。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述納米材料層可包括同構(gòu)磁隧道結(jié)層。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述可編程部件可包括施加的磁場(chǎng)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，來(lái)自所述施加的磁場(chǎng)的干擾可被配置為在所 述同構(gòu)磁隧道結(jié)層的至少所述第一部分中生成金屬性狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，來(lái)自所述施加的磁場(chǎng)的干擾可被配置為在所 述同構(gòu)磁隧道結(jié)層的至少所述第一部分中生成半導(dǎo)電狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，來(lái)自所述施加的磁場(chǎng)的干擾可被配置為在所 述同構(gòu)磁隧道結(jié)層的至少所述第一部分中生成絕緣狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，所述施加的磁場(chǎng)可動(dòng)態(tài)重新配置。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，提供一種方法，可包括提供納米級(jí)材料 層；以及提供緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分的可編程部件。所述可編程部 件可編程為第一狀態(tài)，以通過(guò)第一方式干擾所述納米級(jí)材料層的至少第一部分中的電子 波，以及可編程為第二狀態(tài)，以通過(guò)第二方式干擾所述電子波。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述納米級(jí)材料層包括石墨烯層。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述方法還可包括向所述可編程部件提供與所述第一狀態(tài)或所述第二狀態(tài)相應(yīng)的第一納米級(jí)電荷分布。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾可被配 置為在所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成金屬性狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾可被配 置為在所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成半導(dǎo)電狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾可被配 置為在所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成絕緣狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述方法還可包括 述第一狀態(tài)重新配置為所述第二狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述方法還可包括 第二狀態(tài)提供第二納米級(jí)電荷分布。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述方法還可包括 第一納米級(jí)電荷分布印制在所述可編程部件上。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述方法還可包括 第一納米級(jí)電荷分布印制在所述可編程部件上。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述第一納米級(jí)電荷分布可是周期性電荷分 布。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述納米材料層可包括同構(gòu)磁隧道結(jié)層。根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，所述可編程部件可包括施加的磁場(chǎng)。根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例，提供一種電子設(shè)備，可包括可重配置的電 路組件，包括納米級(jí)材料層；以及緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分的包括第 一納米級(jí)電荷分布的可編程部件。所述可編程部件可編程為第一狀態(tài)，以通過(guò)第一方式 干擾所述納米級(jí)材料層的至少第一部分中的電子波，以及可編程為第二狀態(tài)，以通過(guò)第 二方式干擾所述電子波。電子設(shè)備還可包括處理組件，被配置為將所述第一納米級(jí)電 荷分布動(dòng)態(tài)改變?yōu)榈诙{米級(jí)電荷分布。根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例，所述納米級(jí)材料層可包括石墨烯層。根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例，提供一種嵌有計(jì)算機(jī)程序的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ) 介質(zhì)，包括用于以下操作的編程代碼從可編程部件接收擦除第一納米級(jí)電荷分布的指 令；從所述可編程部件擦除所述第一納米級(jí)電荷分布；以及向所述可編程部件寫入新納 米級(jí)電荷分布。所述可編程部件緊鄰于納米級(jí)材料層的至少第一部分。


通過(guò)考慮結(jié)合附圖提供的以下具體實(shí)施方式
，本發(fā)明的以上和其他目的、特點(diǎn) 和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚，在附圖中圖1示出石墨烯的帶結(jié)構(gòu)；圖2示出石墨烯的布里淵(Brillouin)區(qū)域；圖3示出石墨烯層的原子價(jià)狀態(tài)能量的輪廓繪制表示；圖4示出本發(fā)明示例性實(shí)施例，其示出可用于動(dòng)態(tài)改變石墨烯層的特征的配 置；將所述可編程部件從所 向所述第一狀態(tài)或所述 通過(guò)激光打印機(jī)將所述 通過(guò)電子束光刻將所述
圖5示出其中石墨烯層展現(xiàn)出導(dǎo)電特征的本發(fā)明示例性實(shí)施例；圖6示出其中石墨烯層展現(xiàn)出半導(dǎo)電特征的本發(fā)明示例性實(shí)施例；圖7示出根據(jù)本發(fā)明一方面的示例性方法；圖8示出根據(jù)本發(fā)明一方面的示例性方法；以及圖9示出可包括圖4中所示的配置的電子設(shè)備的組件的示例性實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式以下將參照附圖更完整地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然 而，本發(fā)明可通過(guò)許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)該理解為對(duì)于這里闡述的實(shí)施例的限 制。本發(fā)明一般地涉及動(dòng)態(tài)調(diào)整材料，以改變材料的特征，從而材料依據(jù)影響的外 部力(例如施加的電場(chǎng)或磁場(chǎng))用作晶體管、導(dǎo)體和/或絕緣體?？筛淖兺獠苛蛴绊?， 從而依據(jù)施加的力或影響，材料的相同部分可用作晶體管、導(dǎo)體和/或絕緣體。因此， 材料將是可基于向材料施加的外部力或影響可重配置的。本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及通過(guò)使用施加的外部電場(chǎng)(其散射通過(guò)可重配置的 納米級(jí)材料(如石墨烯)層傳播的電子波)創(chuàng)建周期性電勢(shì)。在本發(fā)明的這個(gè)示例性實(shí) 施例中，可重配置的材料是石墨烯層，以及外部影響是由可動(dòng)態(tài)重配置的電荷圖(charge pattern)創(chuàng)建的外部電場(chǎng)。外部電場(chǎng)從它在石墨烯層的外部意義上而言是外部的，但是 它足夠緊密地鄰近于石墨烯層，以便在石墨烯層中創(chuàng)建周期性電勢(shì)。外部電場(chǎng)可依賴 于向石墨烯層施加的電場(chǎng)類型創(chuàng)建超柵格。由超柵格引起的K值的限制稱為小帶結(jié)構(gòu) (miniband structure) 因此，電子通過(guò)石墨烯層的傳輸將依賴于超柵格的小帶結(jié)構(gòu)，如上 所述，這依賴于向石墨烯層施加的電場(chǎng)類型。例如，如果向石墨烯施加另外的周期性電 勢(shì)，并且超柵格電勢(shì)的空間周期大于石墨烯中最近相鄰的碳碳距離，則不發(fā)生在Brillouin 區(qū)域中接近于一個(gè)Dirac點(diǎn)(K或K’)的狀態(tài)到另一個(gè)點(diǎn)的散射。因此，可通過(guò)施加的外 部電場(chǎng)的影響來(lái)改變通過(guò)石墨烯的電子的傳輸屬性。此外，由于可能來(lái)改變電場(chǎng)的電荷 圖，因此可能基于在外部電場(chǎng)中采用的電荷圖來(lái)改變石墨烯層的不同部分的傳輸屬性?？赏ㄟ^(guò)使用可被電擦除和重新編程的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器來(lái)改變電荷圖，例 如電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)或閃速存儲(chǔ)器。石墨烯層可位于可被電擦除和 重編程的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器之上或之下，并且電荷的絕緣島(insulatedisland)可通過(guò) 類似于向芯片寫入存儲(chǔ)器的方式來(lái)擦除或充電。還可通過(guò)使用結(jié)構(gòu)中的自組合在表面上 生成穩(wěn)定電荷圖。例如，石墨烯層的一部分可能暴露于特定外部電場(chǎng)，該電場(chǎng)在電子波中生成干 擾，使得該石墨烯層的一部分半導(dǎo)電。由外部電場(chǎng)創(chuàng)建的周期性電勢(shì)可通過(guò)與來(lái)自石 墨烯層中的原子的周期性電場(chǎng)相似的方式作用。外部電場(chǎng)的移除、或石墨烯層的一部分 向不同外部電場(chǎng)的暴露可隨后導(dǎo)致該石墨烯層的一部分的特征從半導(dǎo)電向金屬性變化。 由此，通過(guò)將石墨烯層的特定部分暴露于外部電場(chǎng)，可將石墨烯層的不同部分配置為導(dǎo) 電、阻電或半導(dǎo)電。還可依據(jù)臨近于石墨烯層的一部分施加的外部電場(chǎng)將石墨烯層的相 同部分配置為導(dǎo)電或半導(dǎo)電。圖1示出在沒(méi)有施加的外部電場(chǎng)時(shí)石墨烯層的電子帶結(jié)構(gòu)。圖2示出石墨烯的相互柵格點(diǎn)和Brillouin區(qū)域。在圖1中，TT指示鍵帶，TT*指示反鍵帶。鍵帶還可稱為 原子價(jià)帶，以及反鍵帶還可稱為導(dǎo)電帶。石墨烯平面中的TT電子的2D能量狀態(tài)可表示為 波矢量 kx 和 ky 的函數(shù)，這可從 P.R.Wallace 的 The Band Theory of Graphite (Phy.Rev.71 (9)
(1947))中導(dǎo)出，這里通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容合并于此。所述函數(shù)可表示為
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括納米級(jí)材料層；以及可編程部件，其緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分；其中所述可編程部件可編程為第一狀態(tài)，以通過(guò)第一方式干擾所述納米級(jí)材料層的 至少所述第一部分中的電子波，以及可編程為第二狀態(tài)，以通過(guò)第二方式干擾所述電子波。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述納米級(jí)材料層包括石墨烯層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中所述可編程部件的所述第一狀態(tài)或第二狀態(tài)包 括第一納米級(jí)電荷分布。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾被配置為在所 述石墨烯層的至少所述第一部分中生成金屬性狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾被配置為在所 述石墨烯層的至少所述第一部分中生成半導(dǎo)電狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾被配置為在所 述石墨烯層的至少所述第一部分中生成絕緣狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求3至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述可編程部件可從所述第一狀態(tài)動(dòng) 態(tài)重新配置為所述第二狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一狀態(tài)或所述第二狀態(tài)包括第 二納米級(jí)電荷分布。
9.如權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一納米級(jí)電荷分布通過(guò)激光打 印機(jī)印制在所述可編程部件上。
10.如權(quán)利要求3至8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一納米級(jí)電荷分布通過(guò)電子 束光刻印制在所述可編程部件上。
11.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述半導(dǎo)電狀態(tài)是η型。
12.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述半導(dǎo)電狀態(tài)是ρ型。
13.如權(quán)利要求2所述的裝置，還包括第一接觸，耦合至所述石墨烯層的第一邊 緣；以及第二接觸，耦合至所述石墨烯層的第二邊緣。
14.如權(quán)利要求3至10中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述第一納米級(jí)電荷分布是周期性 電荷分布。
15.如任一項(xiàng)先前權(quán)利要求所述的裝置，其中所述可編程部件包括絕緣體材料。
16.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述納米材料層包括同構(gòu)磁隧道結(jié)層。
17.如權(quán)利要求1或16中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述可編程部件包括施加的磁場(chǎng)。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中來(lái)自所述施加的磁場(chǎng)的干擾被配置為在所述同構(gòu) 磁隧道結(jié)層的至少所述第一部分中生成金屬性狀態(tài)。
19.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中來(lái)自所述施加的磁場(chǎng)的干擾被配置為在所述同構(gòu) 磁隧道結(jié)層的至少所述第一部分中生成半導(dǎo)電狀態(tài)。
20.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中來(lái)自所述施加的磁場(chǎng)的干擾被配置為在所述同構(gòu) 磁隧道結(jié)層的至少所述第一部分中生成絕緣狀態(tài)。
21.如權(quán)利要求17至20中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述施加的磁場(chǎng)可動(dòng)態(tài)重新配置。
22.—種方法，包括提供納米級(jí)材料層；以及提供緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分的可編程部件；其中所述可編程部件可編程為第一狀態(tài)，以通過(guò)第一方式干擾所述納米級(jí)材料層的 至少所述第一部分中的電子波，以及可編程為第二狀態(tài)，以通過(guò)第二方式干擾所述電子波。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述納米級(jí)材料層包括石墨烯層。
24.如權(quán)利要求21或22所述的方法，還包括向所述可編程部件提供與所述第一狀 態(tài)或所述第二狀態(tài)相應(yīng)的第一納米級(jí)電荷分布。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾被配置為在 所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成金屬性狀態(tài)。
26.如權(quán)利要求24所述的方法，其中來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾被配置為在 所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成半導(dǎo)電狀態(tài)。
27.如權(quán)利要求24所述的方法，其中來(lái)自所述第一納米級(jí)電荷分布的干擾被配置為在 所述石墨烯層的至少所述第一部分中生成絕緣狀態(tài)。
28.如權(quán)利要求24至27中任一項(xiàng)所述的方法，還包括將所述可編程部件從所述第 一狀態(tài)重新配置為所述第二狀態(tài)。
29.如權(quán)利要求24至28中任一項(xiàng)所述的方法，還包括向所述第一狀態(tài)或所述第二 狀態(tài)提供第二納米級(jí)電荷分布。
30.如權(quán)利要求24至29中任一項(xiàng)所述的方法，還包括通過(guò)激光打印機(jī)將所述第一 納米級(jí)電荷分布印制在所述可編程部件上。
31.如權(quán)利要求24至29中任一項(xiàng)所述的方法，還包括通過(guò)電子束光刻將所述第一 納米級(jí)電荷分布印制在所述可編程部件上。
32.如權(quán)利要求24至31中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一納米級(jí)電荷分布是周期 性電荷分布。
33.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述納米材料層包括同構(gòu)磁隧道結(jié)層。
34.如權(quán)利要求22或33所述的方法，其中所述可編程部件包括施加的磁場(chǎng)。
35.—種電子設(shè)備，包括可重配置的電路組件，包括納米級(jí)材料層；以及緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分的可編程部件，其包括第一納米級(jí)電荷分布，其中所述可編程部件可編程為第一狀態(tài)，以通過(guò)第一方式干 擾所述納米級(jí)材料層的至少所述第一部分中的電子波，以及可編程為第二狀態(tài)，以通過(guò) 第二方式干擾所述電子波；以及處理組件，被配置為將所述第一納米級(jí)電荷分布動(dòng)態(tài)改變?yōu)榈诙{米級(jí)電荷分布。
36.如權(quán)利要求35所述的電子設(shè)備，其中所述納米級(jí)材料層包括石墨烯層。
37.—種嵌有計(jì)算機(jī)程序的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括用于以下操作的編程代碼從可編程部件接收擦除第一納米級(jí)電荷分布的指令；從所述可編程部件擦除所述第一納米級(jí)電荷分布；以及 向所述可編程部件寫入新的納米級(jí)電荷分布； 其中所述可編程部件緊鄰于納米級(jí)材料層的至少第一部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及可重配置的電路，更具體地，涉及作為施加的外部影響的結(jié)果在電子電路的形成中使用的材料的特征的重新配置。本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種裝置、方法、電子設(shè)備和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其包括納米級(jí)材料層；以及緊鄰于所述納米級(jí)材料層的至少第一部分的可編程部件。所述可編程部件被配置為生成對(duì)納米級(jí)材料層的至少所述第一部分中的電子波的干擾。
文檔編號(hào)B82B3/00GK102017006SQ200980114583
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2009年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月25日
發(fā)明者A·凱爾凱寧, L·凱爾凱寧 申請(qǐng)人:諾基亞公司