專利名稱：反應(yīng)裝置以及反應(yīng)裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及反應(yīng)裝置以及反應(yīng)裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，使第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑在接觸的狀態(tài)下流動并且使這兩種反應(yīng)劑相互反應(yīng)，據(jù)此制造期望的反應(yīng)生成物。這種生成物的制造例如使用下述專利文獻1中公開的
反應(yīng)裝置。圖10與圖11中分別示出該專利文獻1中公開的反應(yīng)裝置的例子。圖10所示的反應(yīng)裝置包括內(nèi)部設(shè)置有使反應(yīng)劑流動的流路的流路結(jié)構(gòu)體102。流路結(jié)構(gòu)體102內(nèi)的流路包括導入第一反應(yīng)劑的第一導入路徑104、導入第二反應(yīng)劑的第二導入路徑106、使通過上述各導入路徑104、106流動的兩種反應(yīng)劑合流的合流路徑108、以及用于使在該合流路徑108中合流的兩種反應(yīng)劑流動并且相互反應(yīng)的反應(yīng)路徑110。并且，流路結(jié)構(gòu)體102包括基板112以及以夾合該基板112的狀態(tài)與該基板112 一體化的一對密封板114、116。在基板112的一個面上，形成有構(gòu)成第一導入路徑104的第一導入溝118和構(gòu)成反應(yīng)路徑110的反應(yīng)溝120，在基板112的另一個面上，形成有構(gòu)成第二導入路徑106的第二導入溝122。另外，構(gòu)成合流路徑108的合流孔IM在兩個導入溝 118,122的下游側(cè)端部與反應(yīng)溝120的上游側(cè)端部之間以連接上述各個溝118、122、120的方式從基板112的所述一個面向所述另一個面貫通。上述各個溝118、122、120以及合流孔 124的各自的開口部由對應(yīng)的密封板114、116覆蓋，由此形成第一導入路徑104、第二導入路徑106、合流路徑108以及反應(yīng)路徑110。并且，在該反應(yīng)裝置中，第一導入溝118的底面與反應(yīng)溝120的底面平齊。在上述結(jié)構(gòu)中，第一導入溝118的底面與反應(yīng)溝120的底面平齊，因此第一反應(yīng)劑成直線地順暢流動，另一方面，在基板112中與形成有第一導入溝118以及反應(yīng)溝120的面相反側(cè)的面上形成有第二導入溝122，因此第二反應(yīng)劑相對于所述成直線流動的第一反應(yīng)劑在途中合流。因此，第二反應(yīng)劑相對于第一反應(yīng)劑的充分混入比較困難，其結(jié)果是，難以提高兩種反應(yīng)劑的混合的均勻性。對此，若如圖11所示的反應(yīng)裝置的流路結(jié)構(gòu)體132那樣，從第一導入路徑104經(jīng)過合流路徑108到達反應(yīng)路徑110的路徑構(gòu)成為第一反應(yīng)劑從基板112的一個面一側(cè)向另一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)的彎折形狀，并且，從第二導入路徑106經(jīng)過合流路徑108 到達反應(yīng)路徑110的路徑構(gòu)成為第二反應(yīng)劑從基板112的另一個面一側(cè)向一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)的彎折形狀，則兩種反應(yīng)劑向相互接近的方向移動且進行合流，其結(jié)果是能夠提高兩種反應(yīng)劑的混合的均勻性。但是，要形成圖11所示的流路結(jié)構(gòu)體132，除了需要進行用于在基板112上形成與第一導入路徑104、第二導入路徑106、反應(yīng)路徑110以及合流路徑108分別對應(yīng)的各個溝部的蝕刻以外，還需要對兩個密封板114、116進行蝕刻以使兩個密封板114、116中僅與反應(yīng)路徑110對應(yīng)的部分突出，引起蝕刻作業(yè)量增大。另外，需要在相對于基板112進行位置校準，且需要接合兩個密封板114、116，以使兩個密封板114、116的所述突出的部分嵌入以上述方式進行了蝕刻的基板112中的與反應(yīng)路徑110對應(yīng)的部分，密封板114、116與基板 112的接合工序變得繁瑣。因此，對該結(jié)構(gòu)而言，存在反應(yīng)裝置的制造工序變得繁瑣這一問題。專利文獻1 日本特開2008-168173號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供解決上述問題的反應(yīng)裝置以及反應(yīng)裝置的制造方法。本發(fā)明的另一目的在于提高反應(yīng)裝置中反應(yīng)劑的混合的均勻性，并且防止反應(yīng)裝置的制造工序變得繁瑣。本發(fā)明所涉及的反應(yīng)裝置是使第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑流動并且發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)裝置，包括在內(nèi)部具有流路的流路結(jié)構(gòu)體，該流路具有第一導入路徑，導入所述第一反應(yīng)劑；第二導入路徑，導入所述第二反應(yīng)劑；合流路徑，連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)，用于使流經(jīng)所述第一導入路徑的所述第一反應(yīng)劑與流經(jīng)所述第二導入路徑的所述第二反應(yīng)劑進行合流；以及反應(yīng)路徑，連接于該合流路徑的下游側(cè)，用于使在該合流路徑中合流的所述兩種反應(yīng)劑流動并且相互反應(yīng)，所述流路結(jié)構(gòu)體具有基板；第一密封部件，以覆蓋該基板的一個面的狀態(tài)與該面接合；以及第二密封部件， 以覆蓋所述基板的另一個面的狀態(tài)與該面接合，在所述基板的所述一個面上，形成有構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝，并且形成有構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝，另一方面，在所述基板的所述另一個面上，形成有構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝，在所述基板上，設(shè)置有構(gòu)成所述合流路徑的合流孔，該合流孔在所述第一導入溝以及所述第二導入溝與所述反應(yīng)溝之間從該基板的所述一個面向所述另一個面貫通并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與反應(yīng)溝的上游側(cè)端部，所述反應(yīng)溝中連接于所述合流孔的部分的深度比所述第一導入溝中連接于所述合流孔的部分的深度大。本發(fā)明所涉及的反應(yīng)裝置的制造方法是一種用于制造包括內(nèi)部設(shè)置有使第一反應(yīng)劑以及第二反應(yīng)劑流動的流路的流路結(jié)構(gòu)體的反應(yīng)裝置的方法，該方法包括形成所述流路結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)體形成工序，該工序使得所述流路具有第一導入路徑，導入所述第一反應(yīng)劑；第二導入路徑，導入所述第二反應(yīng)劑；合流路徑，連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)，用于使流經(jīng)所述第一導入路徑的所述第一反應(yīng)劑與流經(jīng)所述第二導入路徑的所述第二反應(yīng)劑進行合流；以及反應(yīng)路徑，連接于該合流路徑的下游側(cè)， 用于使在該合流路徑中合流的所述兩種反應(yīng)劑流動并且相互反應(yīng)，所述結(jié)構(gòu)體形成工序包括第一導入溝形成工序，在基板的一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝；反應(yīng)溝形成工序，在所述基板的所述一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝；第二導入溝形成工序，在所述基板的另一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝；合流孔形成工序，以將所述第一導入溝以及所述第二導入溝的下游側(cè)端部彼此相互連接并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與所述反應(yīng)溝的上游側(cè)端部的形狀， 來貫通所述基板的方式，通過蝕刻形成構(gòu)成所述合流路徑的合流孔；第一密封工序，以覆蓋所述基板的所述一個面的方式將第一密封部件與該一個面相接合，據(jù)此密封所述第一導入溝、所述反應(yīng)溝以及所述合流孔的各自的該一個面一側(cè)的開口部；以及第二密封工序，以覆蓋所述基板的所述另一個面的方式將第二密封部件與該另一個面相接合，據(jù)此密封所述第二導入溝以及所述合流孔的各自的該另一個面一側(cè)的開口部，所述第一導入溝形成工序包括第一導入溝連接部形成工序，將所述基板的所述一個面蝕刻至第一深度，以形成所述第一導入溝中的至少連接于所述合流孔的部分，所述反應(yīng)溝形成工序包括反應(yīng)溝連接部形成工序，將所述基板的所述一個面蝕刻至比所述第一深度大的第二深度，以形成所述反應(yīng)溝中的至少連接于所述合流孔的部分。


圖1是本發(fā)明的一個實施方式的反應(yīng)裝置的立體圖。圖2是構(gòu)成圖1所示的反應(yīng)裝置的流路裝置的第一流路結(jié)構(gòu)體以及第二流路結(jié)構(gòu)體的分解立體圖。圖3是概略地表示第一流路結(jié)構(gòu)體中的第一導入路徑組、第二導入路徑組、合流路徑組以及反應(yīng)路徑組的位置關(guān)系的圖。圖4是構(gòu)成第一流路結(jié)構(gòu)體的基板的一個面的俯視圖。圖5是構(gòu)成第一流路結(jié)構(gòu)體的基板的另一個面的俯視圖。圖6是沿著第一流路結(jié)構(gòu)體中合流路徑附近部分的流路的剖視圖。圖7是沿著圖6中的VII-VII線的第一流路結(jié)構(gòu)體的部分的剖視圖。圖8是沿著圖6中的VIII-VIII線的第一流路結(jié)構(gòu)體的部分的剖視圖。圖9是沿著圖6中的IX-IX線的第一流路結(jié)構(gòu)體的部分的剖視圖。圖10是沿著以往一例的反應(yīng)裝置的流路結(jié)構(gòu)體的流路的剖視圖。圖11是沿著以往另一例的反應(yīng)裝置的流路結(jié)構(gòu)體的流路的剖視圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。首先，參照圖1 圖9，對本發(fā)明的一個實施方式的反應(yīng)裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。本實施方式的反應(yīng)裝置包括圖1所示的流路裝置S。該流路裝置S通過將內(nèi)部具有使反應(yīng)劑流動的多個流路2的第一流路結(jié)構(gòu)體Ia與內(nèi)部具有使熱媒流動的多個熱媒流路的第二流路結(jié)構(gòu)體Ib交替地層疊多個而構(gòu)成。此外，上述兩個流路結(jié)構(gòu)體la、lb中的第一流路結(jié)構(gòu)體Ia包含在本發(fā)明的流路結(jié)構(gòu)體的概念中。并且，本實施方式的反應(yīng)裝置一般稱作微反應(yīng)器(microreactor)，該反應(yīng)裝置使第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑在設(shè)置于第一流路結(jié)構(gòu)體Ia內(nèi)的多個微小流路2中流動，并且使這些反應(yīng)劑進行反應(yīng)，據(jù)此制造期望的反應(yīng)生成物。具體而言，第一流路結(jié)構(gòu)體Ia由基板4、第一密封部件6以及第二密封部件8構(gòu)成。如圖2所示，上述基板4、第一密封部件6以及第二密封部件8分別由矩形平板形成。 第一密封部件6以覆蓋基板4的一個面的狀態(tài)與該面接合。第二密封部件8以覆蓋基板4 的另一個面的狀態(tài)與該面接合。即，以在第一密封部件6與第二密封部件8之間夾合基板 4的狀態(tài)將上述密封部件6、8以及基板4 一體化，由此構(gòu)成第一流路結(jié)構(gòu)體la。并且，在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia內(nèi)，所述多個流路2沿著基板4在該第一流路結(jié)構(gòu)體 Ia的寬度方向上并排設(shè)置。各流路2由第一導入路徑10、第二導入路徑12、合流路徑14 (參照圖6)、以及反應(yīng)路徑16(參照圖6)構(gòu)成。第一導入路徑10是導入第一反應(yīng)劑的部分。 第二導入路徑12是導入第二反應(yīng)劑的部分。合流路徑14連接于第一導入路徑10的下游側(cè)與第二導入路徑12的下游側(cè)。該合流路徑14是用于使通過第一導入路徑10流動的第一反應(yīng)劑與通過第二導入路徑12流動的第二反應(yīng)劑合流的部分。反應(yīng)路徑16連接于合流路徑14的下游側(cè)。該反應(yīng)路徑16是用于使在合流路徑14中合流的兩種反應(yīng)劑流動且使這些反應(yīng)劑相互反應(yīng)的部分。另外，在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia中，以圖3所示的位置關(guān)系分別配置有由各流路2的第一導入路徑10構(gòu)成的組、由各流路2的第二導入路徑12構(gòu)成的組、由各流路2的合流路徑14構(gòu)成的組、以及與由各流路2的反應(yīng)路徑16構(gòu)成的組。各第一導入路徑10在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的寬度方向的一個端部具有導入口 10a。 并且，各第一導入路徑10從該導入口 IOa在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的寬度方向上直線延伸后， 彎折90°并在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上直線延伸。第一反應(yīng)劑供應(yīng)部50a(參照圖 1)連接于各第一導入路徑10的導入口 10a。第一反應(yīng)劑從該第一反應(yīng)劑供應(yīng)部50a分配到各第一導入路徑10并導入。并且，各第一導入路徑10的流路長度各不相同。具體而言，各第一導入路徑10在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的寬度方向上等間隔地并列配置，在各第一導入路徑10彎折的位置，越是配置在該彎折位置的靠外側(cè)的第一導入路徑10，與配置在靠內(nèi)側(cè)的第一導入路徑10相比，其流路長度越大。此處，對各第一導入路徑10而言，根據(jù)流路長度適當?shù)卦O(shè)定各部分的等效直徑，由此將該各第一導入路徑10各自的整體壓力損失設(shè)定為相等的值。具體而言，各第一導入路徑10的下游側(cè)端部如圖7所示在垂直于第一反應(yīng)劑的流動方向的剖面上具有半圓形的剖面形狀。另外，如圖4所示，各第一導入路徑10包含寬度大小不同從而等效直徑不同的各部分。流路長度大的第一導入路徑10與流路長度小的第一導入路徑10相比壓力損失變大，但通過適當設(shè)定第一導入路徑10的各部分的等效直徑， 消除由該流路長度差引起的壓力損失差，使各第一導入路徑10的壓力損失均等化。具體而言，第一導入路徑10中等效直徑較小的部分壓力損失大，另一方面，等效直徑較大的部分壓力損失小，因而對于各第一導入路徑10中流路長度較大的路徑，增加等效直徑較大的部分即寬度較大的部分，并且減少等效直徑較小的部分即寬度較小的部分，由此使各第一導入路徑10的整體壓力損失均等化。并且，由于使各第一導入路徑10的壓力損失均等化，所以從所述反應(yīng)劑供應(yīng)部分配并流入各第一導入路徑10的第一反應(yīng)劑的流量均衡。各第二導入路徑12在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向的一個端部具有導入口 12a。 并且，各第二導入路徑12從該導入口 1 在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上直線延伸。該各第二導入路徑12與對應(yīng)的第一導入路徑10中在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上延伸的部分在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的厚度方向上并排配置，并且相互平行地配置。第二反應(yīng)劑供應(yīng)部50b (參照圖1)連接于各第二導入路徑12的導入口 12a。第二反應(yīng)劑從該第二反應(yīng)劑供應(yīng)部50b分配到各第二導入路徑12并導入。各第二導入路徑12在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的寬度方向上等間隔地并列配置。各第二導入路徑12如圖7所示在垂直于第二反應(yīng)劑的流動方向的剖面上具有半圓形的剖面形狀。另外，各第二導入路徑12在其整個長度中寬度固定，在整個長度中等效直徑固定。并且，各第二導入路徑12分別具有相等的流路長度以及相等的等效直徑。據(jù)此，各第二導入路徑12的整體壓力損失是均等的。由于使各第二導入路徑12的壓力損失均等化，所以從反應(yīng)劑供應(yīng)部分配并流入各第二導入路徑12的第二反應(yīng)劑的流量均衡。各合流路徑14將對應(yīng)的第一導入路徑10的下游側(cè)連接于對應(yīng)的第二導入路徑12 的下游側(cè)。并且，各合流路徑14與第一導入路徑10中在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上延伸的部分以及第二導入路徑12在相同方向上直線延伸。即，在該合流路徑14中，對應(yīng)的第一導入路徑10中在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上延伸的部分與對應(yīng)的第二導入路徑 12從相同方向進行合流。合流路徑14使通過第一導入路徑10流動的第一反應(yīng)劑與通過第二導入路徑12流動的第二反應(yīng)劑在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上流動且進行合流。如圖8所示，各合流路徑14在垂直于其長度方向的剖面上具有兩個半圓在圓弧的頂點附近相互結(jié)合的剖面形狀。另外，各合流路徑14具有比所述第一導入路徑10的等效直徑以及所述第二導入路徑12的等效直徑大的等效直徑。各反應(yīng)路徑16連接于對應(yīng)的合流路徑14的下游側(cè)，與該合流路徑14在相同方向上直線延伸。該各反應(yīng)路徑16使在合流路徑14中合流的第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上流動，并且使這些反應(yīng)劑相互反應(yīng)。各反應(yīng)路徑16設(shè)置在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia中基板4的一個面一側(cè)。各反應(yīng)路徑16在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的寬度方向上等間隔地并列配置。各反應(yīng)路徑16如圖9所示在垂直于其長度方向的剖面上具有半圓形的剖面形狀。另外，各反應(yīng)路徑16在其整個長度中寬度固定，在整個長度中等效直徑固定。并且，各反應(yīng)路徑16分別具有相等的流路長度以及相等的等效直徑。據(jù)此，各反應(yīng)路徑16的壓力損失均等。在本實施方式中，在基板4上分別形成有構(gòu)成各第一導入路徑10的各第一導入溝 18、構(gòu)成各第二導入路徑12的各第二導入溝20、構(gòu)成各合流路徑14的各合流孔22、以及構(gòu)成各反應(yīng)路徑16的各反應(yīng)溝24。并且，僅通過由密封部件6、8覆蓋該各溝18、20、M的開口部以及各合流孔22的開口部，便形成第一流路結(jié)構(gòu)體Ia內(nèi)的各流路2。具體而言，在基板4的一個面上平行并且并列地形成有多個第一導入溝18(參照圖4)。該設(shè)置在基板4的一個面上的各第一導入溝18的開口部由所述第一密封部件6密封，據(jù)此形成所述各第一導入路徑10。因此，在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia中，基板4的一個面一側(cè)平行并且并列地設(shè)置有各第一導入路徑10。另外，各第一導入溝18具有連接于后述的合流孔22的第一導入溝連接部18a。該第一導入溝連接部18a具有深度dl(參照圖6)。該深度dl包含在本發(fā)明的第一深度的概念中。各第一導入溝18在其整個長度中具有均等的深度dl。另外，各第一導入溝連接部18a在垂直于第一反應(yīng)劑的流動方向的剖面上具有半圓形的剖面形狀。在第一導入溝18中第一導入溝連接部18a以外的部分處，與所述第一導入路徑10的等效直徑互不相同的各部分對應(yīng)的部分的深度dl固定，但寬度不同。 另外，在基板4的另一個面上，平行并且并列地形成有多個第二導入溝20 (參照圖 5)。該設(shè)置在基板4的另一個面上的各第二導入溝20的開口部由所述第二密封部件8密封，據(jù)此形成所述各第二導入路徑12。因此，在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia內(nèi)基板4的另一個面一側(cè)平行并且并列地設(shè)置有各第二導入路徑12。另外，各第二導入溝20具有連接于后述的合流孔22的第二導入溝連接部20a。該第二導入溝連接部20a具有深度d3(參照圖6)。該深度d3包含在本發(fā)明的第三深度的概念中。該深度d3設(shè)定為比基板4的板厚與后述反應(yīng)溝M的深度d2的差大、并且比基板4的板厚與所述第一導入溝18的深度dl的差小的深度。此外，各第二導入溝20在其整個長度中具有均等的深度d3。另外，各第二導入溝20在垂直于第二反應(yīng)劑的流動方向的剖面上具有半圓形的剖面形狀。所述各合流路徑14通過密封設(shè)置在基板4上的各合流孔22的兩個開口部而形成。即，在基板4上，多個合流孔22在該基板4的寬度方向上并列形成。各合流孔22在所述各第一導入溝18以及所述各第二導入溝20中對應(yīng)的導入溝18、20與對應(yīng)于該導入溝 18、20的后述的反應(yīng)溝M之間從基板4的一個面向另一個面貫通。并且，各合流孔22以連接對應(yīng)的導入溝18、20的下游側(cè)端部與對應(yīng)的反應(yīng)溝M的上游側(cè)端部的方式設(shè)置。并且， 設(shè)置在基板4的一個面上的該各合流孔22的開口部由所述第一密封部件6密封，并且設(shè)置在基板4的另一個面上的該各合流孔22的開口部由所述第二密封部件8密封，據(jù)此形成各合流路徑14。另外，各合流孔22具有與所述合流路徑14的剖面形狀對應(yīng)的剖面形狀。艮口， 各合流孔22在垂直于其長度方向的剖面上具有兩個半圓在圓弧的頂點附近相互結(jié)合的剖面形狀。另外，在基板4的一個面上，多個反應(yīng)溝24(參照圖4)平行并且并列地形成。該設(shè)置在基板4的一個面上的各反應(yīng)溝M的開口部由所述第一密封部件6密封，據(jù)此形成所述各反應(yīng)路徑16。另外，各反應(yīng)溝M具有連接于所述合流孔22的反應(yīng)溝連接部Ma。該反應(yīng)溝連接部2 具有深度d2 (參照圖6)。該深度d2包含在本發(fā)明的第二深度的概念中。 該深度d2為比所述第一導入溝18的深度dl大，且與所述第二導入溝20的深度d3相等的深度。并且，該深度d2與所述深度d3被設(shè)定為二者的和比基板4的板厚大的深度。此外， 各反應(yīng)溝M在其整個長度中具有均等的深度d3。另外，反應(yīng)溝M在垂直于其長度方向的剖面上具有半圓形的剖面形狀。并且，如上所述，反應(yīng)溝連接部2 的深度d2比第一導入溝18的深度dl大，據(jù)此， 反應(yīng)溝連接部Ma的底面相對于第一導入溝連接部18a的底面位于基板4的另一個面一側(cè)。據(jù)此，在第一導入溝連接部18a的底面與反應(yīng)溝連接部Ma的底面之間形成階差。以此方式在第一導入溝連接部18a的底面與反應(yīng)溝連接部2 的底面之間形成階差，因此，第一反應(yīng)劑在從第一導入溝連接部18a經(jīng)過合流孔22到達反應(yīng)溝連接部Ma的路徑中從基板4的一個面一側(cè)向另一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)。另一方面，第二導入溝20在基板 4的另一個面上形成并且反應(yīng)溝M在基板4的一個面上形成，因此，從第二導入溝20經(jīng)過合流孔22流向反應(yīng)溝M的路徑發(fā)生彎折，流過該路徑的第二反應(yīng)劑從基板4的另一個面一側(cè)向一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)。第二流路結(jié)構(gòu)體Ib如上所述在內(nèi)部具有使熱媒流動的多個熱媒流路(未圖示)。 該多個熱媒流路在第二流路結(jié)構(gòu)體Ib內(nèi)該第二流路結(jié)構(gòu)體Ib的寬度方向上等間隔地配置。各熱媒流路在流路裝置S中位于與設(shè)置所述第二導入路徑12的導入口 1 的面相反側(cè)的面上具有圖中省略的導入口。并且，各熱媒流路從該導入口在第二流路結(jié)構(gòu)體Ib的寬度方向上直線延伸后，彎折90°并在第二流路結(jié)構(gòu)體Ib的長度方向上直線延伸。各熱媒流路中在第二流路結(jié)構(gòu)體Ib的長度方向上延伸的部分配置在與所述各第一導入路徑10中在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上延伸的部分以及各反應(yīng)路徑16對應(yīng)的位置。該第二流路結(jié)構(gòu)體Ib具有熱媒流路基板沈和密封部件觀。上述熱媒流路基板 26以及密封部件觀是與構(gòu)成所述第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的基板4、第一密封部件6、第二密封部件8相同形狀的矩形平板，密封部件觀兼用作第二密封部件8。另外，密封部件觀以覆蓋熱媒流路基板26的表面的狀態(tài)與該表面接合。并且，各熱媒流路通過利用密封部件觀密封形成于熱媒流路基板26的表面的溝部32(參照圖2)的開口部而形成。并且，熱媒供應(yīng)部50c (參照圖1)連接于各熱媒流路的導入口。熱媒從該熱媒供應(yīng)部50c分配到各熱媒流路并進行導入。據(jù)此，進行流過各熱媒流路的熱媒與流過所述第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的各反應(yīng)路徑16的第一反應(yīng)劑以及第二反應(yīng)劑的熱交換，促進各反應(yīng)路徑16中的第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑的反應(yīng)。接著，對本實施方式的反應(yīng)裝置的制造方法進行說明。在本實施方式的反應(yīng)裝置的制造方法中，以如下方式形成第一流路結(jié)構(gòu)體la，即在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的內(nèi)部設(shè)置多個流路2，并且該各流路2具有所述第一導入路徑10、 所述第二導入路徑12、所述合流路徑14以及所述反應(yīng)路徑16。具體而言，在基板4的一個面上分別通過光蝕刻(photoetching)形成多個所述第一導入溝18、多個所述反應(yīng)溝24、以及多個所述合流孔22中相對于該基板4的一個面指定深度的部分22a (參照圖8)，并且在基板4的另一個面上分別通過光蝕刻形成多個所述第二導入溝20、以及多個所述合流孔22中相對于該基板4的另一個面指定深度的部分22b (參照圖8)此時，首先進行基板4的兩個面的平整以及清潔，隨后在該基板4的兩個面上分別涂敷光刻膠(photoresist)。并且，在基板4的一個面上，經(jīng)由光掩膜(photomask)對各第一導入溝18、各反應(yīng)溝M以及各合流孔22各自的形成區(qū)域以外的區(qū)域進行曝光。另外，在基板4的另一個面上，經(jīng)由其他光掩膜對各第二導入溝20以及各合流孔22各自的形成區(qū)域以外的區(qū)域進行曝光。隨后，將未曝光的光刻膠從基板4的兩個面上除去，據(jù)此露出各第一導入溝18、各第二導入溝20、各反應(yīng)溝M以及各合流孔22的各自的形成區(qū)域。接著，將遮蔽膠帶(masking tape)等覆蓋部件僅覆蓋在基板4的一個面中的第一導入溝18的形成區(qū)域上。隨后，在基板4的兩個面上噴灑蝕刻液，以同時進行這兩個面的蝕刻。此時，由所述覆蓋部件覆蓋的各第一導入溝18的形成區(qū)域沒有被蝕刻，只有露出的各第二導入溝20的形成區(qū)域、各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域被蝕刻。 并且，將各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面蝕刻至相當于所述深度d2 (=所述深度們)與所述深度dl的差的深度，并且將各第二導入溝20 的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的另一個面蝕刻至同樣的深度后，暫且中止蝕刻。隨后，除去所述覆蓋部件以露出各第一導入溝18的形成區(qū)域，隨后重新開始蝕刻。在該重新開始的蝕刻工序中，將各第一導入溝18的形成區(qū)域、各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面一側(cè)蝕刻所述深度dl，并且將各第二導入溝20的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的另一個面一側(cè)蝕刻同樣的深度。據(jù)此，形成相對于基板4的一個面深度為dl的各第一導入溝18，并且各第二導入溝 20的形成區(qū)域以及各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域分別被蝕刻至(d2-dl)+dl = d2的深度。通過該各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各第二導入溝20的形成區(qū)域的蝕刻，形成相對于基板4的一個面深度為d2的各反應(yīng)溝M與相對于基板4的另一個面深度為d2 = d3的各第二導入溝20。另外，各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面一側(cè)被蝕刻至與反應(yīng)溝M相同的深度d2，并且相對于基板4的另一個面一側(cè)被蝕刻至與第二導入溝20相同的深度d3。
10據(jù)此，該相對于基板4的一個面蝕刻至深度d2的部分2 與相對于基板4的另一個面蝕刻至深度d3的部分22b相互連接，各合流孔22貫通。S卩，各合流孔22利用用于形成各反應(yīng)溝M的蝕刻與用于形成各第二導入溝20的蝕刻而形成。隨后，進行基板4的洗滌以及光刻膠膜的除去。另外，在其他工序中，在構(gòu)成第二流路結(jié)構(gòu)體Ib的熱媒流路基板沈上形成多個所述溝部32。具體而言，在熱媒流路基板沈的一個面上，利用與上述同樣的光蝕刻形成多個所述溝部32。最后，如圖1所示層疊以上述方式進行了蝕刻加工的基板4以及熱媒流路基板沈、 第一密封部件6、以及第二密封部件8 (密封部件28)，利用擴散接合使它們一體化，由此制成流路裝置S。并且，對以此方式制成的流路裝置S安裝第一反應(yīng)劑供應(yīng)部50a、第二反應(yīng)劑供應(yīng)部50b、熱媒供應(yīng)部50c等其他結(jié)構(gòu)部件，制成本實施方式的反應(yīng)裝置。接下來，對使用本實施方式的反應(yīng)裝置的反應(yīng)方法進行說明。在該反應(yīng)方法中，首先，從第一反應(yīng)劑供應(yīng)部50a將第一反應(yīng)劑導入各流路2的第一導入路徑10，并且從第二反應(yīng)劑供應(yīng)部50b將第二反應(yīng)劑導入各流路2的第二導入路徑 12。由于使各第一導入路徑10的整體壓力損失均等化，所以第一反應(yīng)劑以均勻的流量分配并流入各第一導入路徑10。另外，由于使各第二導入路徑12的整體壓力損失均等化，所以第二反應(yīng)劑以均勻的流量分配并流入各第二導入路徑12。并且，通過第一導入路徑10的第一反應(yīng)劑與通過第二導入路徑12的第二反應(yīng)劑向相互接近的方向分別移動并且流入合流路徑14中進行合流，均勻地得到混合。并且，合流的兩種反應(yīng)劑從合流路徑14流入反應(yīng)路徑16，并且在該反應(yīng)路徑16內(nèi)向下游側(cè)流動且相互反應(yīng)。由此制造指定的反應(yīng)生成物。如以上所說明的那樣，在本實施方式中，反應(yīng)溝連接部Ma的底面設(shè)置在與第一導入溝連接部18a的底面相比更接近基板4的另一個面的位置，因此與反應(yīng)溝連接部2 的底面和第一導入溝連接部18a的底面為同一個面的情況相比，能夠進行第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑的均勻性更高的混合。即，在本實施方式中，反應(yīng)溝連接部2 的底面設(shè)置在與第一導入溝連接部18a的底面相比更接近基板4的另一個面的位置，因此第一反應(yīng)劑從基板 4的一個面一側(cè)向另一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)。另一方面，在本實施方式中，第二導入溝20形成在基板4的另一個面上，并且反應(yīng)溝M形成在基板4的一個面上，因此從第二導入溝20經(jīng)過合流孔22到達反應(yīng)溝M的路徑發(fā)生彎折。因此，流過該路徑的第二反應(yīng)劑從基板4的另一個面一側(cè)向一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)。因此，在本實施方式中，第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑向相互接近的方向分別移動并且進行合流并流向下游側(cè)，因而與反應(yīng)溝連接部Ma的底面與第一導入溝連接部18a的底面平齊，第二反應(yīng)劑從途中相對于成直線順暢流動的第一反應(yīng)劑進行合流的情況相比，第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑良好地得到混合。其結(jié)果是，在本實施方式中，能夠提高兩種反應(yīng)劑的混合的均勻性。而且，在本實施方式中，在基板4上形成第一導入溝18、第二導入溝20、反應(yīng)溝M 以及合流孔22，第一密封部件6覆蓋形成于基板4的第一導入溝18的開口部、反應(yīng)溝M的開口部以及合流孔22的一個開口部，并且，第二密封部件8覆蓋形成于基板4的第二導入溝20的開口部以及合流孔22的另一個開口部，由此便可形成第一導入路徑10、第二導入路徑12、合流路徑14以及反應(yīng)路徑16。因此，在本實施方式中，作為蝕刻加工，僅進行用于在基板4上形成第一導入溝18、第二導入溝20、反應(yīng)溝M以及合流孔22的蝕刻加工便可，可不進行兩個密封部件6、8的蝕刻加工。因此，與除了基板的蝕刻加工之外還需要對兩個密封部件進行蝕刻加工以使這兩個密封部件中對應(yīng)于反應(yīng)路徑的部分突出的以往結(jié)構(gòu)相比， 能夠減少蝕刻的工序數(shù)。另外，在本實施方式中，僅將兩個密封部件6、8接合到基板4上， 使用該密封部件6、8覆蓋形成于基板4的各溝18、20、M以及合流孔22各自的開口部，便可形成流路2，因此可不進行將兩個密封部件6、8相對于基板4進行位置校準并且進行接合這一麻煩的作業(yè)。因此，在本實施方式中，能夠避免反應(yīng)裝置的制造工序變得繁瑣。因此， 在本實施方式中，能夠提高反應(yīng)裝置中反應(yīng)劑的混合的均勻性，同時防止反應(yīng)裝置的制造工序變得繁瑣。另外，在本實施方式中，在形成反應(yīng)溝M的同時將合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面蝕刻至深度d2，并且在形成第二導入溝20的同時將合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的另一個面蝕刻至深度d3，據(jù)此，相對于基板4的一個面蝕刻至深度d2的部分 22a與相對于基板4的另一個面蝕刻至深度d3的部分22b相互連接，合流孔22貫通。因此，在本實施方式中，能夠利用形成反應(yīng)溝M的蝕刻與形成第二導入溝20的蝕刻形成合流孔22。其結(jié)果是，在本實施方式中，無須另外進行用于形成合流孔22的專用的蝕刻工序或者利用激光加工等形成合流孔22的工序等，能夠簡化反應(yīng)裝置的制造工序。此外，應(yīng)當認為本次公開的實施方式并未示例所有方面并予以限制。本發(fā)明的范圍并非由上述的實施方式的說明表示，而是由權(quán)利要求書的范圍表示，而且包括與權(quán)利要求書的范圍等同的意思和范圍內(nèi)的所有變更。例如，第一導入路徑10、第二導入路徑12、合流路徑14以及反應(yīng)路徑16也可以通過上述以外的形狀及/或配置而設(shè)置在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia中。具體而言，各第一導入路徑10也可以以在第一流路結(jié)構(gòu)體Ia的長度方向上直線延伸的方式設(shè)置。另外，也可以使用如所述各第一導入路徑10那樣彎折的形狀來設(shè)置各第二導入路徑12。另外，構(gòu)成第二導入路徑12的第二導入溝20的深度d3也可以比第一導入溝18的深度dl小。另外，反應(yīng)裝置不必一定包括以上述方式層疊的多個第一流路結(jié)構(gòu)體Ia以及多個第二流路結(jié)構(gòu)體lb，也可以僅包括單一的第一流路結(jié)構(gòu)體la。另外，第一流路結(jié)構(gòu)體Ia內(nèi)也可以僅設(shè)置單一的流路2。另外，各第一導入路徑10 (各第一導入溝18)也可以在不同的方向上延伸。另外， 各第二導入路徑12(各第二導入溝20)也可以在不同的方向上延伸。另外，各反應(yīng)路徑 16 (各反應(yīng)溝也可以在不同的方向上延伸。另外，在上述實施方式中，第一導入溝18、第二導入溝20以及反應(yīng)溝M的各溝中具有所述半圓形的剖面形狀的部分，也可以具有在其底面部分處具有平行于基板4的直線部分并且圓弧狀的部分分別連接于該直線部分兩側(cè)的形狀的剖面形狀。另外，在上述實施方式中，以反應(yīng)溝M的深度d2與第二導入溝20的深度d3相等的情況為例進行了說明，但只要反應(yīng)溝M的深度d2與第二反應(yīng)溝20的深度d3的和比基板4的板厚大，上述深度d2與深度d3也可以不同。例如，在深度d2比深度d3大的情況下，通過以下的蝕刻工序在基板4上形成第一導入溝18、第二導入溝20、反應(yīng)溝M以及合流孔22。S卩，與上述實施方式同樣，成為基板4的兩個面中各第一導入溝18、各第二導入溝 20、各反應(yīng)溝M以及各合流孔22的各自的形成區(qū)域以外的區(qū)域由曝光后的光刻膠覆蓋的狀態(tài)。接著，基板4的一個面的第一導入溝18的形成區(qū)域上以及基板4的另一個面的第二導入溝20的形成區(qū)域上由遮蔽膠帶等覆蓋部件分別覆蓋，隨后，同時進行基板4的兩個面的蝕刻。此時，將露出的各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面蝕刻至相當于所述深度d2與所述深度d3的差的深度(d2-d;3)，并且將各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的另一個面蝕刻至同樣的深度后，除去覆蓋在第二導入溝 20的形成區(qū)域上面的覆蓋部件。隨后，將各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面一側(cè)蝕刻相當于所述深度d3與所述深度dl的差的深度(d3-dl)，同時將各第二導入溝20的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的另一個面一側(cè)蝕刻同樣的深度。隨后，除去覆蓋在第一導入溝18的形成區(qū)域上面的覆蓋部件。隨后，將各第一導入溝18的形成區(qū)域、各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域以及各合流孔22 的形成區(qū)域相對于基板4的一個面一側(cè)蝕刻所述深度dl，同時將各第二導入溝20的形成區(qū)域以及各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的另一個面一側(cè)蝕刻同樣的深度。據(jù)此，形成相對于基板4的一個面深度為dl的各第一導入溝18。另外，各反應(yīng)溝M的形成區(qū)域相對于基板4的一個面被蝕刻至(d2-d3) + (d3-dl)+dl = d2的深度，其結(jié)果是，形成相對于基板4的一個面深度為d2的各反應(yīng)溝24。另外，各第二導入溝20的形成區(qū)域相對于基板4 的另一個面被蝕刻至(d3-dl)+dl = d3的深度。據(jù)此，形成相對于基板4的另一個面深度為d3的各第二導入溝20。另外，各合流孔22的形成區(qū)域相對于基板4的一個面一側(cè)被蝕刻至與反應(yīng)溝M相同的深度d2，并且相對于基板4的另一個面一側(cè)被蝕刻至與第二導入溝20相同的深度d3。據(jù)此，該相對于基板4的一個面蝕刻至深度d2的部分與相對于基板 4的另一個面蝕刻至深度d3的部分相互連接，各合流孔22貫通。即，在該結(jié)構(gòu)中，各合流孔 22也利用用于形成各反應(yīng)溝M的蝕刻與用于形成各第二導入溝20的蝕刻而形成。另外，在上述實施方式中，示出了對基板4的兩個面同時進行蝕刻加工的情況，但也可以對基板4的一個面與另一個面分別進行蝕刻加工。另外，在對基板4進行蝕刻加工的工序中，可以將基板4的一個面蝕刻至深度dl 以形成第一導入溝18中的至少第一導入溝連接部18a，另外，可以將基板4的一個面蝕刻至深度d2以形成反應(yīng)溝M中的至少反應(yīng)溝連接部Ma。另外，在該工序中，可以將基板4的另一個面蝕刻至深度d3以形成第二導入溝20中的至少第二導入溝連接部20a。即，第一導入溝18中第一導入溝連接部18a以外的部分可以形成為與深度dl不同的深度，反應(yīng)溝M 中反應(yīng)溝連接部Ma以外的部分可以形成為與深度d2不同的深度，而且，第二導入溝20中第二導入溝連接部20a以外的部分可以形成為與深度d3不同的深度。并且，在此情況下， 可以利用形成反應(yīng)溝M中的反應(yīng)溝連接部2 的蝕刻與形成第二導入溝20中的第二導入溝連接部20a的蝕刻來形成合流孔22。(實施方式的概要)對所述實施方式總結(jié)如下。
即，所述實施方式所涉及的反應(yīng)裝置是使第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑流動并且發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)裝置，包括在內(nèi)部具有流路的流路結(jié)構(gòu)體，該流路具有第一導入路徑，導入所述第一反應(yīng)劑；第二導入路徑，導入所述第二反應(yīng)劑；合流路徑，連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)，用于使流經(jīng)所述第一導入路徑的所述第一反應(yīng)劑與流經(jīng)所述第二導入路徑的所述第二反應(yīng)劑進行合流；以及反應(yīng)路徑，連接于該合流路徑的下游側(cè)，用于使在該合流路徑中合流的兩種反應(yīng)劑流動并且相互反應(yīng)，所述流路結(jié)構(gòu)體具有基板；第一密封部件，以覆蓋該基板的一個面的狀態(tài)與該面接合；以及第二密封部件，以覆蓋所述基板的另一個面的狀態(tài)與該面接合，在所述基板的所述一個面上，形成構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝，并且形成構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝，另一方面，在所述基板的所述另一個面上，形成構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝，在所述基板上，設(shè)置有構(gòu)成所述合流路徑的合流孔，該合流孔在所述第一導入溝以及所述第二導入溝與所述反應(yīng)溝之間從該基板的所述一個面向所述另一個面貫通并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與反應(yīng)溝的上游側(cè)端部，所述反應(yīng)溝中連接于所述合流孔的部分的深度比所述第一導入溝中連接于所述合流孔的部分的深度大。并且，該反應(yīng)裝置能夠通過一種用于制造包括內(nèi)部設(shè)置有使第一反應(yīng)劑以及第二反應(yīng)劑流動的流路的流路結(jié)構(gòu)體的反應(yīng)裝置的方法進行制造，該方法包括形成所述流路結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)體形成工序，該工序使得所述流路具有第一導入路徑，導入所述第一反應(yīng)劑； 第二導入路徑，導入所述第二反應(yīng)劑；合流路徑，連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)，用于使流經(jīng)所述第一導入路徑的所述第一反應(yīng)劑與流經(jīng)所述第二導入路徑的所述第二反應(yīng)劑進行合流；以及反應(yīng)路徑，連接于該合流路徑的下游側(cè)，用于使在該合流路徑中合流的兩種反應(yīng)劑流動并且相互反應(yīng)，所述結(jié)構(gòu)體形成工序包括第一導入溝形成工序，在基板的一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝；反應(yīng)溝形成工序，在所述基板的所述一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝；第二導入溝形成工序，在所述基板的另一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝；合流孔形成工序，以將所述第一導入溝以及所述第二導入溝的下游側(cè)端部彼此相互連接并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與所述反應(yīng)溝的上游側(cè)端部的形狀來貫通所述基板的方式通過蝕刻形成構(gòu)成所述合流路徑的合流孔；第一密封工序，以覆蓋所述基板的所述一個面的方式將第一密封部件與該一個面相接合，據(jù)此密封所述第一導入溝、所述反應(yīng)溝以及所述合流孔的各自的該一個面一側(cè)的開口部；以及第二密封工序，以覆蓋所述基板的所述另一個面的方式將第二密封部件與該另一個面相接合，據(jù)此密封所述第二導入溝以及所述合流孔的各自的該另一個面一側(cè)的開口部，所述第一導入溝形成工序包括第一導入溝連接部形成工序，將所述基板的所述一個面蝕刻至第一深度，以形成所述第一導入溝中的至少連接于所述合流孔的部分，所述反應(yīng)溝形成工序包括反應(yīng)溝連接部形成工序， 將所述基板的所述一個面蝕刻至比所述第一深度大的第二深度，以形成所述反應(yīng)溝中的至少連接于所述合流孔的部分。根據(jù)該反應(yīng)裝置以及該制造方法，反應(yīng)溝中連接于合流孔的部分的底面設(shè)置在與第一導入溝中連接于合流孔的部分的底面相比更接近基板的另一個面的位置，因此與反應(yīng)溝中連接于合流孔的部分的底面和第一導入溝中連接于合流孔的部分的底面為同一個面的情況相比，能夠進行第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑的均勻性更高的混合。即，在本結(jié)構(gòu)中，反應(yīng)溝中連接于合流孔的部分的底面設(shè)置在與第一導入溝中連接于合流孔的部分的底面相比更接近基板的所述另一個面的位置，因此第一反應(yīng)劑從基板的所述一個面一側(cè)向所述另一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)。另一方面，在本結(jié)構(gòu)中，第二導入溝在基板的所述另一個面上形成，并且反應(yīng)溝在基板的所述一個面上形成，因此從第二導入溝經(jīng)過合流孔到達反應(yīng)溝的路徑發(fā)生彎折。因此，流過該路徑的第二反應(yīng)劑從基板的所述另一個面一側(cè)向所述一個面一側(cè)移動并且流向下游側(cè)。因此，在本結(jié)構(gòu)中，第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑向相互接近的方向分別移動并且進行合流并流向下游側(cè)，因而與反應(yīng)溝中連接于合流孔的部分的底面和第一導入溝中連接于合流孔的部分的底面形成為同一個面，第二反應(yīng)劑從途中相對于成直線順暢流動的第一反應(yīng)劑進行合流的以往結(jié)構(gòu)相比，第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑良好地得到混合。其結(jié)果是，能夠提高兩種反應(yīng)劑的混合的均勻性。而且，在本結(jié)構(gòu)中，在基板上形成第一導入溝、第二導入溝、反應(yīng)溝以及合流孔，第一密封部件覆蓋形成于基板的第一導入溝的開口部、反應(yīng)溝的開口部以及合流孔的一個開口部，并且，第二密封部件覆蓋形成于基板的第二導入溝的開口部以及合流孔的另一個開口部，由此便可形成第一導入路徑、第二導入路徑、合流路徑以及反應(yīng)路徑。因此，在本結(jié)構(gòu)中，作為蝕刻加工，僅進行用于在基板上形成第一導入溝、第二導入溝、反應(yīng)溝以及合流孔的蝕刻加工便可，可不進行兩個密封部件的蝕刻加工。因此，與除了基板的蝕刻加工之外還需要對兩個密封部件進行蝕刻加工以使這兩個密封部件中對應(yīng)于反應(yīng)路徑的部分突出的以往結(jié)構(gòu)相比，能夠減少蝕刻的工序數(shù)。另外，在本結(jié)構(gòu)中，僅將兩個密封部件接合到基板上，使用該密封部件覆蓋形成于基板的各溝以及合流孔各自的開口部，便可形成流路，因此可不進行將兩個密封部件相對于基板進行位置校準并且進行接合這一麻煩的作業(yè)。因此， 在本結(jié)構(gòu)中，能夠防止反應(yīng)裝置的制造工序變得麻煩。因此，在本結(jié)構(gòu)中，能夠提高反應(yīng)裝置中反應(yīng)劑的混合的均勻性，同時防止反應(yīng)裝置的制造工序變得麻煩。另外，在上述反應(yīng)裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，所述第二導入溝形成工序包括 第二導入溝連接部形成工序，將所述基板的所述另一個面蝕刻至比該基板的板厚與所述第二深度的差大、并且比該基板的板厚與所述第一深度的差小的第三深度，以形成所述第二導入溝中的至少連接于所述合流孔的部分，所述合流孔形成工序包括第一工序，與所述反應(yīng)溝連接部形成工序同時進行，將所述基板的所述一個面中所述合流孔的形成區(qū)域蝕刻至所述第二深度；以及第二工序，與所述第二導入溝連接部形成工序同時進行，將所述基板的所述另一個面中所述合流孔的形成區(qū)域蝕刻至所述第三深度，通過所述第一工序蝕刻至所述第二深度的部分與通過所述第二工序蝕刻至所述第三深度的部分相互連接，所述合流孔貫通。以此方式構(gòu)成時，能夠利用反應(yīng)溝連接部形成工序的蝕刻與第二導入溝連接部形成工序的蝕刻形成合流孔，因此無須另外進行用于形成合流孔的專用的蝕刻工序或者利用激光加工等形成合流孔的工序等。因此，能夠簡化反應(yīng)裝置的制造工序。如以上所說明的那樣，根據(jù)所述實施方式，能夠提高反應(yīng)裝置中反應(yīng)劑的混合的均勻性，同時防止反應(yīng)裝置的制造工序變得繁瑣。
1權(quán)利要求
1.一種反應(yīng)裝置，使第一反應(yīng)劑與第二反應(yīng)劑流動，并且使這些反應(yīng)劑之間發(fā)生反應(yīng)， 其特征在于包括在內(nèi)部具有流路的流路結(jié)構(gòu)體，該流路具有，第一導入路徑，導入所述第一反應(yīng)劑；第二導入路徑，導入所述第二反應(yīng)劑；合流路徑，連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)，用于使流經(jīng)所述第一導入路徑的所述第一反應(yīng)劑與流經(jīng)所述第二導入路徑的所述第二反應(yīng)劑進行合流；以及反應(yīng)路徑，連接于該合流路徑的下游側(cè)，用于使在該合流路徑中合流的所述兩種反應(yīng)劑流動并且使這些反應(yīng)劑相互反應(yīng)，所述流路結(jié)構(gòu)體具有，基板；第一密封部件，以覆蓋該基板的一個面的狀態(tài)與該面接合；以及第二密封部件，以覆蓋所述基板的另一個面的狀態(tài)與該面接合，在所述基板的所述一個面上，形成有構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝，并且形成有構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝，另一方面，在所述基板的所述另一個面上，形成有構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝，在所述基板上設(shè)置有構(gòu)成所述合流路徑的合流孔，該合流孔在所述第一導入溝以及所述第二導入溝與所述反應(yīng)溝之間從該基板的所述一個面向所述另一個面貫通并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與反應(yīng)溝的上游側(cè)端部，所述反應(yīng)溝中連接于所述合流孔的部分的深度比所述第一導入溝中連接于所述合流孔的部分的深度大。
2.一種反應(yīng)裝置的制造方法，用于制造包括流路結(jié)構(gòu)體的反應(yīng)裝置，該流路結(jié)構(gòu)體在內(nèi)部設(shè)置有使第一反應(yīng)劑以及第二反應(yīng)劑流動的流路，所述制造方法的特征在于包括形成所述流路結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)體形成工序，該工序使得所述流路具有第一導入路徑，導入所述第一反應(yīng)劑；第二導入路徑，導入所述第二反應(yīng)劑；合流路徑，連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)，用于使流經(jīng)所述第一導入路徑的所述第一反應(yīng)劑與流經(jīng)所述第二導入路徑的所述第二反應(yīng)劑進行合流；以及反應(yīng)路徑，連接于該合流路徑的下游側(cè)，用于使在該合流路徑中合流的所述兩種反應(yīng)劑流動并且使這些反應(yīng)劑相互反應(yīng)，所述結(jié)構(gòu)體形成工序包括第一導入溝形成工序，在基板的一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝；反應(yīng)溝形成工序，在所述基板的所述一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝；第二導入溝形成工序，在所述基板的另一個面上通過蝕刻形成構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝；合流孔形成工序，以將所述第一導入溝以及所述第二導入溝的下游側(cè)端部彼此相互連接并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與所述反應(yīng)溝的上游側(cè)端部的形狀來貫通所述基板的方式，通過蝕刻形成構(gòu)成所述合流路徑的合流孔；第一密封工序，以覆蓋所述基板的所述一個面的方式將第一密封部件與該一個面相接合，據(jù)此密封所述第-導入溝、所述反應(yīng)溝以及所述合流孔的各自的該一個面一側(cè)的開口部；以及第二密封工序，以覆蓋所述基板的所述另一個面的方式將第二密封部件與該另一個面相接合，據(jù)此密封所述第二導入溝以及所述合流孔的各自的該另一個面一側(cè)的開口部，所述第一導入溝形成工序包括第一導入溝連接部形成工序，將所述基板的所述一個面蝕刻至第一深度，以形成所述第一導入溝中的至少連接于所述合流孔的部分，所述反應(yīng)溝形成工序包括反應(yīng)溝連接部形成工序，將所述基板的所述一個面蝕刻至比所述第一深度大的第二深度，以形成所述反應(yīng)溝中的至少連接于所述合流孔的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)裝置的制造方法，其特征在于所述第二導入溝形成工序包括第二導入溝連接部形成工序，將所述基板的所述另一個面蝕刻至比該基板的板厚與所述第二深度的差大、并且比該基板的板厚與所述第一深度的差小的第三深度，以形成所述第二導入溝中的至少連接于所述合流孔的部分，所述合流孔形成工序包括第一工序，與所述反應(yīng)溝連接部形成工序同時進行，將所述基板的所述一個面中所述合流孔的形成區(qū)域蝕刻至所述第二深度；以及第二工序，與所述第二導入溝連接部形成工序同時進行，將所述基板的所述另一個面中所述合流孔的形成區(qū)域蝕刻至所述第三深度，其中，通過使在所述第一工序蝕刻至所述第二深度的部分與在所述第二工序蝕刻至所述第三深度的部分相互連接，來貫通所述合流孔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種反應(yīng)裝置，包括在內(nèi)部具有流路的流路結(jié)構(gòu)體，該流路具有第一導入路徑、第二導入路徑、連接于所述第一導入路徑的下游側(cè)與所述第二導入路徑的下游側(cè)的合流路徑、以及連接于該合流路徑的下游側(cè)的反應(yīng)路徑，所述流路結(jié)構(gòu)體具有基板；第一密封部件，以覆蓋該基板的一個面的狀態(tài)與該面接合；以及第二密封部件，以覆蓋所述基板的另一個面的狀態(tài)與該面接合，在所述基板的所述一個面上，形成有構(gòu)成所述第一導入路徑的第一導入溝，并且形成有構(gòu)成所述反應(yīng)路徑的反應(yīng)溝，另一方面，在所述基板的所述另一個面上，形成有構(gòu)成所述第二導入路徑的第二導入溝，在所述基板上設(shè)置有構(gòu)成所述合流路徑的合流孔，該合流孔在所述第一導入溝以及所述第二導入溝與所述反應(yīng)溝之間從該基板的所述一個面向所述另一個面貫通并且連接這些導入溝的下游側(cè)端部與反應(yīng)溝的上游側(cè)端部，所述反應(yīng)溝中連接于所述合流孔的部分的深度比所述第一導入溝中連接于所述合流孔的部分的深度大。
文檔編號B81B1/00GK102281941SQ20098015485
公開日2011年12月14日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月13日
發(fā)明者吉田龍生, 野一色公二 申請人:株式會社神戶制鋼所