專利名稱：微機(jī)電傳感器、其制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微機(jī)電傳感器(Micro Electro Mechanical Sensor)、其制造方法和 電子設(shè)備等。
背景技術(shù)：
這種微機(jī)電傳感器，作為例如CMOS集成電路一體型的硅微機(jī)電加速度傳感器， 正在迅速小型化和低成本化。微機(jī)電傳感器的應(yīng)用需求和市場正在擴(kuò)大。成為主流的 器件形態(tài)，幾乎都是將把物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)而輸出處理的IC芯片，在晶片工序(wafer process)之后的安裝工序中一體封裝化。為了實(shí)現(xiàn)盡可能的小型化和低成本化，必需在晶 片工序中將傳感器芯片和IC芯片一體形成的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 特開2006-263902號(hào)公報(bào)就這種微機(jī)電傳感器而言，具有可動(dòng)錘部的質(zhì)量越大則靈敏度越高的特 性。為了 使可動(dòng)錘部的質(zhì)量增加，在專利文獻(xiàn)1中，由包括與LSI的多層布線層同時(shí)形成的多層布線 的一體結(jié)構(gòu)形成了可動(dòng)錘部(第0089段和圖25)。該可動(dòng)錘部是垂直振動(dòng)的部分?？蓜?dòng)錘部僅由布線層形成，但層間絕緣層被全部 去除了，所以不能將一度形成了的層間絕緣層作為錘部發(fā)揮作用。進(jìn)而，設(shè)置于可動(dòng)錘部的 多層導(dǎo)電層彼此之間短路，所以可動(dòng)錘部的整體處于同一電位，例如與硅基板之間的寄生 電容是個(gè)問題。在專利文獻(xiàn)1的圖39中，公開了用絕緣膜覆蓋多層布線結(jié)構(gòu)的周圍的結(jié)構(gòu)(參照 第0114段)。但是，在專利文獻(xiàn)1的圖39中，通過蝕刻去除了可動(dòng)錘部的下方的導(dǎo)電層，所 以作為可動(dòng)錘部中的多層布線只能利用2層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的幾種形態(tài)能夠提供能夠有效地增大可動(dòng)錘部的質(zhì)量的微機(jī)電傳感器 (例如靜電電容型加速度傳感器)及其制造方法，另外能夠提供例如能夠高精度地檢測加 速度等的物理量的微機(jī)電傳感器，另外能夠提供例如通過使用利用了多層布線的CMOS工 序能夠自如且容易地制造的微機(jī)電傳感器。本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)是一種微機(jī)電傳感器，具有經(jīng)由彈性變形部而連接于固定框部 的在周圍形成有空腔部的可動(dòng)錘部，其中，所述可動(dòng)錘部具有層疊結(jié)構(gòu)體，該層疊結(jié)構(gòu)體包 括多個(gè)導(dǎo)電層；配置在所述多個(gè)導(dǎo)電層之間的多個(gè)層間絕緣層；和填充于貫通形成于所 述多個(gè)層間絕緣層的各層的預(yù)定的埋入槽圖形的、比重大于所述層間絕緣層的栓塞；形成 于所述各層的栓塞包括沿著一個(gè)或多個(gè)較長方向形成為壁狀的壁部。另外，在某個(gè)實(shí)施方 式中，是一種微機(jī)電傳感器，具有經(jīng)由彈性變形部而連接于固定框部的可動(dòng)錘部，其中，所 述可動(dòng)錘部是具有導(dǎo)電層和絕緣層的層疊結(jié)構(gòu)體，在所述絕緣層埋入有比重大于所述絕緣 層的栓塞。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)，能夠?qū)①|(zhì)量越大則越能降低靈敏度噪聲的可動(dòng)錘部，作為緊密層疊了多個(gè)導(dǎo)電層、多個(gè)層間絕緣層和多層的栓塞的層疊結(jié)構(gòu)體而形成。尤其是，比 重大的各層的栓塞，雖然僅從連接功能而言形成為圓柱或者棱柱形，但通過形成為包括沿 著一個(gè)或多個(gè)較長方向形成為壁狀的壁部，能夠有助于每單位體積的可動(dòng)錘部的質(zhì)量的增 大。而且，構(gòu)成可動(dòng)錘部的層疊結(jié)構(gòu)體，能夠通過一般的CMOS工序而形成，因此能夠容易地 使微機(jī)電傳感器和集成電路部在同一基板上共存。另外，導(dǎo)電層的多層化比較容易，因此設(shè) 計(jì)自由度提高，例如對于加速度傳感器的低噪聲化的要求，能夠通過增加層數(shù)、增大可動(dòng)錘 部的質(zhì)量來應(yīng)對。另外，在某個(gè)實(shí)施方式中，特征在于所述導(dǎo)電層形成有多層，所述絕緣層形成于 多層的所述導(dǎo)電層之間。通過形成為這種構(gòu)成，能夠容易地形成布線。此外，特征在于所 述栓塞是導(dǎo)電材料且貫通所述絕緣層而形成，通過所述栓塞能連接所述導(dǎo)電層彼此。通過 形成為這種構(gòu)成能夠容易地實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。在本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)中，還包括固定于所述固定框部的至少一個(gè)固定電極部； 和與所述可動(dòng)錘部一體地在至少一軸方向上移動(dòng)而增減其與所述至少一個(gè)固定電極部之 間的距離的多個(gè)可動(dòng)電極部，能夠由所述層疊結(jié)構(gòu)體形成所述多個(gè)可動(dòng)電極部。另外，其特 征在于，還具有從所述固定框部伸長的腕狀的固定電極部、和從所述可動(dòng)錘部伸長的隔著 間隙與所述固定電極部對向配置的腕狀的可動(dòng)電極部，所述固定電極部和所述可動(dòng)電極部 沿第一方向排列。利用各層的栓塞和布線層將電極形成為壁狀，因此與例如僅由布線層形 成電極的情況相比，能夠增大對向電極電容的絕對值。物理量檢測原理中，在對于至少一個(gè)固定電極與可動(dòng)錘部一 起使得例如多個(gè)可動(dòng) 電極部移動(dòng)時(shí)，兩個(gè)電極間距離的一方增大而另一方減小，從而根據(jù)與電極間距離相關(guān)的 靜電電容的大小和增減的關(guān)系，能夠檢測物理量的大小和方向。如果由可動(dòng)錘部的層疊結(jié) 構(gòu)體形成可動(dòng)電極部，則能夠使其作為電極發(fā)揮作用，此外還有助于可動(dòng)錘部的質(zhì)量的增 大。另外，如果只是單純檢測物理量的大小，則可以僅使用距離可變的對向電極。在本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)中，所述多個(gè)可動(dòng)電極部，通過使用了所述可動(dòng)錘部的所述 多個(gè)導(dǎo)電層和所述各層的栓塞的全部或一部分的布線，能夠被設(shè)定為同一電位。或者，所述 多個(gè)可動(dòng)電極部，通過使用了所述可動(dòng)錘部的所述多個(gè)導(dǎo)電層和所述各層的栓塞的全部或 一部分而電絕緣的多條布線，也能夠被設(shè)定為不同電位。根據(jù)上述的物理量檢測原理，要求 至少2種固定電極電位和1種可動(dòng)電極電位的組合或至少2種可動(dòng)電極電位和1種固定電 極電位，因此必須將可動(dòng)電極電位設(shè)定為同一電位或不同電位。此外，在某個(gè)實(shí)施方式中，特征為，所述可動(dòng)錘部具有包括所述第一方向和俯視與 所述第一方向垂直的第二方向的面，在所述可動(dòng)錘部，相對于將所述可動(dòng)錘部的所述第二 方向的寬度二等分的中心線以線對稱的方式形成有所述栓塞。通過形成為該構(gòu)成，能夠保 持可動(dòng)錘部的可動(dòng)平衡，能夠進(jìn)一步提高檢測靈敏度。此外，特征為，所述可動(dòng)錘部具有從 最上層貫通到最下層的貫通孔，所述栓塞靠近所述貫通孔而形成。通過形成為這種構(gòu)成，即 使設(shè)置用于通過蝕刻去除可動(dòng)錘部的下層的貫通孔，也能夠補(bǔ)償由貫通孔所導(dǎo)致的可動(dòng)錘 部減輕的質(zhì)量，能夠進(jìn)一步提高檢測靈敏度。在本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)中，所述多個(gè)導(dǎo)電層的各層包括相互電絕緣的多個(gè)第一導(dǎo)電 層和多個(gè)第二導(dǎo)電層，形成于所述各層的栓塞包括連接所述多個(gè)第一導(dǎo)電層彼此的第一栓 塞和連接所述多個(gè)第二導(dǎo)電層彼此的第二栓塞，所述多個(gè)第一導(dǎo)電層和所述第一栓塞電連接于所述可動(dòng)電極部，所述多個(gè)第二導(dǎo)電層和所述第二栓塞設(shè)定為電浮置狀態(tài)。此外，所述 栓塞還具有與所述可動(dòng)電極部電連接的第一栓塞部和與所述可動(dòng)電極部電絕緣的第二栓 塞部。這樣一來，可動(dòng)錘部的整體變?yōu)橥浑娢?，能夠消除與例如硅基板的寄生電容成 問題這一情況。即，多個(gè)第二導(dǎo)電層和所述第二栓塞，能夠設(shè)定為電浮置狀態(tài)，因此能夠不 對外部施加電影響而主要有助于可動(dòng)錘部的質(zhì)量增加。優(yōu)選，設(shè)置于所述彈性變形部的導(dǎo)電層的層數(shù)，少于設(shè)置于所述可動(dòng)錘部的所述 多個(gè)導(dǎo)電層的層數(shù)。尤其是，設(shè)置于所述彈性變形部的導(dǎo)電層的層數(shù)僅為一層，能夠設(shè)為在 所述彈性變形部不形成栓塞的構(gòu)成。這樣一來，剛性高的導(dǎo)電層和/或栓塞的數(shù)量變少，因此彈性力的設(shè)計(jì)變得容易。 另外，如果使用熱膨脹系數(shù)不同的多種材料，則因溫度變化而變形，但如果是只有一層導(dǎo)電 層則能夠忽略由于溫度而導(dǎo)致的變形的影響。這樣一來，彈性變形部容易彈性變形，而且能 夠保證將彈性變形部的導(dǎo)電層作為布線加以利用。在由多個(gè)彈性變形部支持可動(dòng)錘部時(shí)， 在多個(gè)彈性變形部之間要求彈簧常數(shù)的均勻性。在本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)中，還包括形成了所述層疊結(jié)構(gòu)體的基板和與所述層疊結(jié)構(gòu) 體相鄰而形成于所述基板的集成電路部，所述層疊結(jié)構(gòu)體的所述多個(gè)導(dǎo)電層、所述多個(gè)層 間絕緣層以及所述各層的栓塞，能夠使用所述集成電路部的制造工序而制造。如上所述，可動(dòng)錘部的層疊結(jié)構(gòu)體適合于CMOS工序，因此能夠?qū)⑽C(jī)電傳感器和 集成電路部都搭載于同一基板上。這樣一來，與分別在不同工序中制造并組裝的情況相比， 能夠削減制造成本。而且，通過將CMOS集成電路部和微機(jī)電結(jié)構(gòu)體構(gòu)成為整體，從而能夠 縮短布線距離。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)起因于布線的引繞的損失部分的減少和/或耐外來噪聲性 的提高。在本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)中，所述可動(dòng)錘部還包括覆蓋其最下層的導(dǎo)電層的絕緣層， 能夠使所述空腔部的一部分連通于所述絕緣層的下方。這樣一來，可動(dòng)錘部的質(zhì)量能夠增加與絕緣膜的量相當(dāng)?shù)牧?，另外保護(hù)最下層的 導(dǎo)電層不會(huì)露出。這里，所述最下層的導(dǎo)電層由形成于所述集成電路部的晶體管的柵電極的材料形 成，所述絕緣層能夠包括所述集成電路的場氧化膜。這樣，可動(dòng)錘部包括作為CMOS工序的最下層的導(dǎo)電層和絕緣層，從而使可動(dòng)錘部 的質(zhì)量變得更大。另外，所述可動(dòng)錘部能夠還具有覆蓋最上層的導(dǎo)電層的保護(hù)層。這樣一來，可動(dòng)錘 部的質(zhì)量能夠增加與保護(hù)層的量相當(dāng)?shù)牧浚硗獗Ｗo(hù)最上層的導(dǎo)電層不會(huì)露出。此外，在某個(gè)實(shí)施方式中，也可以將所述微機(jī)電傳感器搭載于電子設(shè)備。將所述微 機(jī)電傳感器搭載于電子設(shè)備則能夠提供檢測靈敏度提高的電子設(shè)備。本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)所涉及的是微機(jī)電傳感器的制造方法，在基板上形成層疊結(jié)構(gòu) 體，其中該層疊結(jié)構(gòu)體包括多個(gè)導(dǎo)電層、配置在所述多個(gè)導(dǎo)電層之間的多個(gè)層間絕緣層、 和填充于貫通形成在所述多個(gè)層間絕緣層的各層的預(yù)定的埋入槽圖形的比重大于所述層 間絕緣層的栓塞，通過各向異性蝕刻對所述層疊結(jié)構(gòu)體進(jìn)行圖形化，形成作為露出所述基 板的表面的開口部的第一空腔部，通過所述第一空腔部形成彈性變形部和經(jīng)由所述彈性變形部連接于固定框部的可動(dòng)錘部，經(jīng)由所述開口部使各向同性蝕刻用的蝕刻劑到達(dá)所述基 板而對所述基板實(shí)施各向同性蝕刻，在所述層疊結(jié)構(gòu)體的下方形成第二空腔部。另外，本發(fā) 明的一個(gè)形態(tài)所涉及的是具有經(jīng)由彈性變形部連接于固定框部的可動(dòng)錘部的微機(jī)電傳感 器的制造方法，包括在基板上將導(dǎo)電層和絕緣層疊層而形成層疊結(jié)構(gòu)體的工序；在所述 絕緣層形成槽，對所述槽填充比重大于所述絕緣層的栓塞的工序；通過各向異性蝕刻形成 從所述層疊結(jié)構(gòu)體的最上層貫通到所述基板的表面的貫通孔的工序；以及，經(jīng)由所述貫通 孔對所述基板實(shí)施各向同性蝕刻，在所述基板與所述層疊結(jié)構(gòu)體之間形成空隙的工序。根據(jù)本發(fā)明的其他形態(tài)，通過組合各向異性蝕刻和各向同性蝕刻，從而能夠良好 地制造具有經(jīng)由彈性變形部而連接于固定框部的在周圍形成有空腔部的可動(dòng)錘部的微機(jī) 電傳感器。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。圖2是圖1的A-A剖視圖。圖3是圖1的B-B剖視圖。圖4是加速度傳感器模塊的框圖。圖5(A)至圖5(D)是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的制 造工序的概況的圖。圖6是表示第一層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖7是表示第一層的栓塞層的俯視圖。圖8是第一層以及第二層的導(dǎo)電層和連接其間的第一層栓塞層的剖視圖。圖9㈧至圖9(E)是說明栓塞的埋入槽圖形的端部形狀的圖。圖10是表示第二層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖11是表示第二層的栓塞層的俯視圖。圖12是表示第三層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖13是表示第三層的栓塞層的俯視圖。圖14是表示第四層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖15是表示保護(hù)層的俯視圖。圖16是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。圖17是圖16的A-A剖視圖。圖18是圖16的B-B剖視圖。圖19是表示第一層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖20是表示第一層的栓塞層的俯視圖。圖21是表示第二層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖22是表示第二層的栓塞層的俯視圖。圖23是表示第三層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖24是表示第三層的栓塞層的俯視圖。圖25是表示第四層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖26是本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。
圖27是表示第一層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖28是表示第一層的栓塞層的俯視圖。圖29是表示第二層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖30是表示第二層的栓塞層的俯視圖。圖31是表示第三層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖32是表示第三層的栓塞層的俯視圖。圖33是表示第四層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖34是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。圖35是本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。圖36是圖35的A-A剖視圖。圖37是表示第一層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖38是表示第一層的栓塞層的俯視圖。圖39是表示第二層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖40是表示第二層的栓塞層的俯視圖。圖41是表示第三層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖42是表示第三層的栓塞層的俯視圖。圖43是表示第四層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖44是本發(fā)明的第六實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。圖45是圖44的A-A剖視圖。圖46是本發(fā)明的第七實(shí)施方式所涉及的加速度傳感器模塊的透視俯視圖。圖47是表示第一層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖48是表示第一層的栓塞層的俯視圖。圖49是表示第二層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖50是表示第二層的栓塞層的俯視圖。圖51是表示第三層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖52是表示第三層的栓塞層的俯視圖。圖53是表示第四層的導(dǎo)電層的俯視圖。圖54㈧至圖54(C)是用于說明C/V轉(zhuǎn)換電路(電荷放大器)的構(gòu)成及其工作的圖。符號(hào)說明IOA IOG加速度傳感器模塊20A, 20B, 20C 集成電路部22A，22B CV轉(zhuǎn)換電路24差動(dòng)放大器26模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換電路28CPU 30接口電路40阱41柵氧化膜42熱氧化膜100A 100G加速度傳感器(微機(jī)電傳感器)110固定框部111空腔部(第一空腔部、開口部)112空腔部(第二空腔部)113空腔部(第一空腔部、開口部)120A 120E可動(dòng)錘部 121A 121D導(dǎo)電層
121B1 阻障(barrier)層 121B2 金屬層121B3反射防止層 122A 122C層間絕緣層123A 123C栓塞 123A1接觸栓塞123A2阻障層 123-X沿著X方向形成為壁狀的栓塞123-Y沿著Y方向形成為壁狀的栓塞123-X、123-Y環(huán)狀的第一栓塞 124絕緣層125保護(hù)層126貫通孔(第一空腔部)130AU30B彈性變形部(彈簧部)131布線圖形 140可動(dòng)電極部 150固定電極部151埋入槽圖形 151A、151B圓弧狀端部152、152A、152B 布線圖形200.200A 200C孤立的第二栓塞200-X、400-X沿著X方向形成為壁狀的栓塞200-Y、400-Y沿著Y方向形成為壁狀的栓塞210Α 210D孤立的第二導(dǎo)電層300Α 300C不與彈性變形部接觸的栓塞310Α 310D導(dǎo)電層 400孤立的第二栓塞500Α 500C 栓塞 510Α 510D 導(dǎo)電層520、620彈性變形部的導(dǎo)電層 700Α 700C布線層702Α 702D、706A 706E、710A 710D、714A 714E 導(dǎo)電層704A 704D、708A 708D、712A 712D 栓塞層
具體實(shí)施例方式以下，詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。另外，在下面所說明的本實(shí)施方式不應(yīng)該 不當(dāng)?shù)叵薅夹g(shù)方案所記載的本發(fā)明的內(nèi)容，作為本發(fā)明的解決手段并不限定于必須具有 在本實(shí)施方式中所說明的所有構(gòu)成。1、第一實(shí)施方式該第一實(shí)施方式是在晶片工序中一體形成傳感器芯片和IC芯片的方式。1.1、可動(dòng)錘部圖1是搭載有采用了本發(fā)明的微機(jī)電傳感器的第一實(shí)施方式所涉及的加速度傳 感器100A的加速度傳感器模塊IOA的概況圖。在該加速度傳感器模塊IOA中，與加速度傳 感器100A —起搭載有集成電路部20A，加速度傳感器100A是兼用集成電路部20A的制造工 序而形成的。加速度傳感器100A具有能夠在固定框部110的內(nèi)側(cè)的空腔部111內(nèi)移動(dòng)的可動(dòng) 錘部120A。該可動(dòng)錘部120A具有預(yù)定的質(zhì)量，例如如果從可動(dòng)錘部120A靜止的狀態(tài)下對 可動(dòng)錘部120A施加加速度，則對可動(dòng)錘部120A作用與加速度反向的力而使可動(dòng)錘部120A 移動(dòng)。該可動(dòng)錘部120A，如圖1的A-A剖視圖即圖2以及圖1的B-B剖視圖即圖3所示， 其構(gòu)成包括多個(gè)導(dǎo)電層121A至121D、配置于多個(gè)導(dǎo)電層121A至121D之間的多個(gè)層間絕緣層122A至122C、和填充到貫通多個(gè)層間絕緣層122A至122C的各層而形成的預(yù)定的埋入槽 圖形的栓塞123A至123C。貫通多個(gè)層間絕緣層122A至122C的各層而形成的預(yù)定的埋入 槽圖形是例如柵格狀(格子狀)的圖形，栓塞123A至123C形成為柵格狀。另外，作為栓塞 123A至123C的材質(zhì)，比重大于層間絕緣層122A至122C是必要條件，如果兼用于導(dǎo)通栓塞 123A至123C則要使用導(dǎo)電材料。在本實(shí)施方式中，最下層的導(dǎo)電層121A是形成于集成電路部20A的硅基板101上 的絕緣膜124上的多晶硅層，其它的三層的導(dǎo)電層121B至121D是金屬層。這里，形成于各層的栓塞123A至123C，包括沿著與各層的層疊方向垂直的一個(gè)或 多個(gè)較長方向形成為壁狀的壁部。如圖1所示，將二維平面的直交兩軸設(shè)為X方向和Y方 向。在本實(shí)施方式中，形成于各層的栓塞123A至123C包括沿著較長方向即X方向延伸為 壁狀的栓塞123-X和沿著較長方向即Y方向延伸為壁狀的栓塞123-Y。這樣，本實(shí)施方式的可動(dòng)錘部120A的結(jié)構(gòu)，與一般的IC剖面一樣，包括多個(gè)導(dǎo)電 層的121A至121D、層間絕緣層122A至122C、和栓塞123A至123C，因此能夠兼用集成電路 部20A的制造工序而形成。而且，利用所有的兼用集成電路部20A的制造工序而形成的部 件，有助于可動(dòng)錘部120A的重量增加。此外，栓塞123A至123C相對于將可動(dòng)錘部120A的Y方向的寬度二等分的中心線 形成為線對稱。換句話說，可動(dòng)錘部120A具有包括第一方向(例如可動(dòng)方向或X方向)和 俯視垂直于第一方向的第二方向(例如Y方向)的面，栓塞123A至123C相對于將可動(dòng)錘 部120A的第二方向的寬度二等分的中心線形成為線對稱。此外此處所說的俯視指的是例 如從Z方向看的二維坐標(biāo)XY平面。通過形成為這種構(gòu)成，在可動(dòng)錘部120A例如沿X方向 可動(dòng)時(shí)能保持平衡地移動(dòng)。尤其是，兼用IC制造工序而形成的可動(dòng)錘部120A形成為，使得形成于各層的栓塞 123A至123C提高可動(dòng)錘部120A的質(zhì)量。如上所述，形成于各層的栓塞123A至123C包括 兩種栓塞123-X和栓塞123-Y，所以能夠通過各栓塞123-X、栓塞123-Y的壁狀部分增大重 量。一般的IC中，栓塞唯一的目的在于連接上下的布線層彼此之間，因此栓塞形狀為圓柱 狀或棱柱狀。另一方面，在本實(shí)施方式中，出于增大可動(dòng)錘部120A的質(zhì)量這一目的而使用 栓塞123A至123C，因此形狀不同，這也是很明顯的。在本實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步增加可動(dòng)錘部120A的重量，在最下層的導(dǎo)電層121A 的下表面形成有絕緣層124。而且，形成有覆蓋最上層的導(dǎo)電層121D的保護(hù)層125。為了將可動(dòng)錘部120A形成為能夠移動(dòng)，可動(dòng)錘部120A，不僅在其側(cè)方的空腔部 111，在上側(cè)和下側(cè)也必須形成空間。因此，在作為可動(dòng)錘部120A的最下層的絕緣層124的 下方，硅基板101被蝕刻去除而形成有空腔部112。另外，可動(dòng)錘部120A，在沒有形成栓塞123A至123C的區(qū)域，能夠形成上下貫通的 一個(gè)或多個(gè)貫通孔126。該貫通孔126是作為用于通過蝕刻工序形成空腔部112的氣體通 路而形成的。可動(dòng)錘部120A，形成了貫通孔126而重量相應(yīng)地減輕，因此由能夠?qū)嵤┪g刻 工序的范圍確定貫通孔126的孔徑和/或數(shù)量。此外，通過與貫通孔126靠近地形成栓塞 123A至123C，能夠補(bǔ)償由貫通孔126所導(dǎo)致的可動(dòng)錘部120A局部減輕的質(zhì)量，能夠提高可 動(dòng)錘部120A的可動(dòng)平衡。優(yōu)選在貫通孔126周圍形成栓塞123A至123C，這樣能夠進(jìn)一步 補(bǔ)償可動(dòng)錘部120A的質(zhì)量。
1.2、彈性變形部如上所述，為了通過在側(cè)方形成有空腔部111的區(qū)域和在下方形成有空腔部112的區(qū)域能夠移動(dòng)地支持可動(dòng)錘部120A，設(shè)置有彈性變形部130A。該彈性變形部130A夾插 配置在固定框部110和可動(dòng)錘部120A之間。彈性變形部130A，能夠以允許可動(dòng)錘部120A在圖1的錘可動(dòng)方向(X方向)移動(dòng) 的方式彈性變形。彈性變形部130A，如圖1所示，以俯視成為大致一定的線寬的方式形成為 環(huán)狀而連接于固定框部110，通過形成與空腔部111劃分開的空腔部(第一空腔部)113而 保證彈性變形性。彈性變形部130A也與可動(dòng)錘部120A —樣，是兼用集成電路部20A的形成工序而 形成的。即，彈性變形部130A構(gòu)成為，包括多個(gè)導(dǎo)電層121A至121D、層間絕緣層122A至 122C、栓塞123A至123C、絕緣層124和保護(hù)層125。1.3、可動(dòng)電極部和固定電極部本實(shí)施方式是靜電電容型加速度傳感器，具有通過加速度的作用使對向電極間的 間隔變化的可動(dòng)電極部140以及固定電極部150?？蓜?dòng)電極部140與可動(dòng)錘部120A —體 化，固定電極部150與固定框部110 —體化?？蓜?dòng)電極部140以及固定電極部150也與可動(dòng)錘部120A—樣，是兼用集成電路部 20A的形成工序而形成的。即，如圖3所示，可動(dòng)電極部140以及固定電極部150構(gòu)成為，包 括多個(gè)導(dǎo)電層121A至121D、層間絕緣層122A至122C、栓塞123A至123C、絕緣層124和保 護(hù)層125。但是，作為電極部發(fā)揮作用的是多個(gè)導(dǎo)電層121A至121D。1.4、加速度傳感器的檢測原理圖4是表示本實(shí)施方式的加速度傳感器模塊IOA的框圖。加速度傳感器100A，具 有2對可動(dòng)-固定電極對，具有第一可動(dòng)電極部140A、第二可動(dòng)電極部140B、第一固定電極 部150A以及第二固定電極部150B。由第一可動(dòng)電極部140A和第一固定電極部150A構(gòu)成 電容器Cl。由第二可動(dòng)電極部140B和第二固定電極部150B構(gòu)成電容器C2。電容器Cl、 C2的各自中的任意一極(例如固定電極部)的電位，被固定在基準(zhǔn)電位(例如接地電位)。 另外，在采用圖1的構(gòu)成時(shí)，可動(dòng)電極部的電位被固定在基準(zhǔn)電位(例如接地電位)。集成電路部20A包括例如C/V轉(zhuǎn)換電路24、模擬校正以及A/D轉(zhuǎn)換電路單元26、 中央運(yùn)算單元(CPU) 28以及接口(I/F)電路30。但是，該構(gòu)成是一個(gè)例子，并不限定于該構(gòu) 成。例如可將CPU28置換為控制邏輯，還可將A/D轉(zhuǎn)換電路也設(shè)置于C/V轉(zhuǎn)換電路24的輸 出部分。如果從可動(dòng)錘部120A靜止的狀態(tài)對可動(dòng)錘部120A施加加速度，則對可動(dòng)錘部 120A作用與加速度反向的力，而使可動(dòng)-固定電極對的各間隔變化。如果可動(dòng)錘部120A按 圖4的箭頭方向移動(dòng)，則第一可動(dòng)電極部140A與第一固定電極部150A之間的間隔變大，而 第二可動(dòng)電極部140B與固定電極部150B之間的間隔變小。因?yàn)殚g隔與靜電電容成反比例 的關(guān)系，因此由可動(dòng)電極部140A與固定電極部150A形成的電容器Cl的靜電電容值Cl變 小，而由可動(dòng)電極部140B與固定電極部150B形成的電容器C2的靜電電容值變大。與電容 器C1、C2的電容值的變化相伴，發(fā)生電荷的移動(dòng)。C/V轉(zhuǎn)換電路24，具有使用例如開關(guān)電容 器(switched capacitor)的電荷放大器，電荷放大器通過采樣工作和積分(放大)工作，將 由電荷的移動(dòng)所產(chǎn)生的微小的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。從C/V轉(zhuǎn)換電路24輸出的電壓信號(hào)(即，由物理量傳感器檢測到的物理量信號(hào))，通過模擬校正以及A/D轉(zhuǎn)換電路單元26， 在接受了校準(zhǔn)處理(例如相位和/或信號(hào)振幅的調(diào)整等，也可以進(jìn)行低通濾波處理)后，從 模擬信號(hào)被轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。這里，使用圖54㈧至圖54(C)對C/V轉(zhuǎn)換電路24的構(gòu)成和工作進(jìn)行說明。圖 54(A)是表示使用開關(guān)電容器的電荷放大器的基本構(gòu)成的圖，圖54(B)是表示圖54(A)所示 的電荷放大器的各部分的電壓波形的圖。如圖54所示，C/V轉(zhuǎn)換電路具有第一開關(guān)SWl以及第二開關(guān)SW2 (與可變電容 Cl (或C2) —起構(gòu)成輸入部的開關(guān)電容器)、運(yùn)算放大器(0PA)1、反饋電容(積分電容)Ce、 用于重置反饋電容Cc的第三開關(guān)SW3、用于對運(yùn)算放大器(OPA) 1的輸出電壓Vc進(jìn)行采樣 的第四開關(guān)SW4和保持電容(holding capacitor)Ch。如圖54(B)所示，按同相的第一時(shí)鐘控制第一開關(guān)SWl以及第三開關(guān)SW3的接通/ 斷開，按與第一時(shí)鐘反相的第二時(shí)鐘控制第二開關(guān)SW2的接通/斷開。第四開關(guān)SW4，在第 二開關(guān)SW2接通期間的最后短暫地接通。在第一開關(guān)SWl接通時(shí)，在可變電容Cl (C2)的兩 端施加了預(yù)定的電壓Vd，使得電荷蓄積于可變電容Cl (C2)。此時(shí)，第三開關(guān)處于接通的狀 態(tài)，因此反饋電容Cc處于重置狀態(tài)(兩端短路的狀態(tài))。接著，在第一開關(guān)SWl以及第三開 關(guān)SW3斷開而第二開關(guān)SW2接通時(shí)，可變電容Cl (C2)的兩端都變?yōu)榻拥仉娢?，因此蓄積于 可變電容Cl (C2)的電荷朝向運(yùn)算放大器(OPA)I移動(dòng)。此時(shí)，為了保存電荷量，VdXCl (C2) =Vc X Cc成立，因此運(yùn)算放大器(OPA)I的輸出電壓Vc變?yōu)?Cl/Cc)XVd。即，電荷放大器 的增益，由可變電容Cl (或C2)的電容值與反饋電容Cc的電容值之比確定。接著，在第四 開關(guān)(采樣開關(guān))SW4接通時(shí)，運(yùn)算放大器(OPA)I的輸出電壓Vc由保持電容Ch保持。被 保持的電壓為Vo，該Vo變?yōu)殡姾煞糯笃鞯妮敵鲭妷骸Ｈ鐖D4所示，實(shí)際的C/V轉(zhuǎn)換電路24，接收來自兩個(gè)電容器C1、C2的各自的差動(dòng)信 號(hào)。在這樣的情況下，作為C/ν轉(zhuǎn)換電路24，能夠使用例如圖54(C)所示的差動(dòng)構(gòu)成的電荷 放大器。在圖54 (C)所示的電荷放大器中，在輸入部分，設(shè)置有用于對來自可變電容Cl的信 號(hào)進(jìn)行放大的第一開關(guān)電容放大器(Switched-capacitor Amplifier) (SWla、SW2a、0PAla、 Cca、SW3a)和用于對來自可變電容C2的信號(hào)進(jìn)行放大的第二開關(guān)電容放大器(SWlb、SW2b、 0PAlb、Ccb、SW3b)。而且，運(yùn)算放大器(OPA) Ia以及運(yùn)算放大器(OPA) Ib的各輸出信號(hào)(差 動(dòng)信號(hào))，被輸入到設(shè)置在輸出部分的差動(dòng)放大器(0PA2、電阻Rl至R4)。其結(jié)果是，從運(yùn)算 放大器(OPA) 2輸出被放大了的輸出信號(hào)Vo。通過使用差動(dòng)放大器，能夠得到能去除基礎(chǔ)噪 聲的效果。另外，以上所說明的C/V轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成例是一個(gè)例子，并不限定于該構(gòu)成。另 夕卜，在圖4中，為了方便說明，只圖示了 2對可動(dòng)-固定電極對，但并不限定于該形態(tài)，可以 相應(yīng)于必需的電容值增加電極對的數(shù)量。實(shí)際上，設(shè)置有例如數(shù)十到數(shù)百個(gè)電極對。1.5、制造方法對于圖1所示的加速度傳感器模塊IOA的制造方法的大體情況，參照圖5㈧至圖 5(D)進(jìn)行說明。圖5(A)表示CMOS集成電路部20A已完成而加速度傳感器100A尚未完成 的狀態(tài)。圖5(A)所示的CMOS集成電路部20A通過公知的工序制造。在基板例如硅基板 101，形成有與硅基板101極性不同的阱40，在阱40內(nèi)形成有源S、漏D和溝道C。在溝道C 上隔著柵氧化膜41形成柵電極G。在用于元件分離的場(field)區(qū)域和加速度傳感器100A的區(qū)域，作為場氧化膜形成有熱氧化膜42。這樣一來，晶體管T形成在硅基板101上，通過對該晶體管T布線，從而完成CMOS集成電路部20A。另外，利用形成于圖5(A)的層間絕緣 層122A至122C之間的導(dǎo)電層121A至121C以及栓塞123A至123C (在晶體管T上省略)， 能夠?qū)w管T的源S、極D以及柵G布線。這樣，使用在形成CMOS集成電路部20A中所必需的多個(gè)導(dǎo)電層121A至121D、多個(gè) 層間絕緣層122A至122C、多個(gè)栓塞123A至123C、絕緣層124以及保護(hù)層125，能夠形成加 速度傳感器100A。這里，所謂最下層的導(dǎo)電層(例如多晶硅層)121A的下層的絕緣層124， 是與柵氧化膜41和熱氧化膜42相對應(yīng)的層。圖5(B)表示空腔部111、空腔部113以及貫通孔126 (都是第一空腔部)的形成工 序。在圖5(B)所示的工序中，形成從保護(hù)層125的表面貫通至硅基板101的表面的孔。因 此，層間絕緣層122A至122C、絕緣層124以及保護(hù)層125被蝕刻。該蝕刻工序，是蝕刻深度 (例如4至6μπι)相對于開口直徑D (例如1 μ m)之比(H/D)為高縱橫尺寸比的絕緣膜各向 異性的蝕刻。通過該蝕刻，能夠分離為固定框部110、可動(dòng)錘部120A以及彈性變形部130A。該各向異性蝕刻，優(yōu)選利用通常對CMOS的布線層間的層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻的條 件進(jìn)行。例如能夠通過使用CF4、CHF3等的混合氣體進(jìn)行干蝕刻來加工。圖5(C)表示形成空腔部(第二空腔部)112的硅各向同性蝕刻工序，圖5(D)表示 經(jīng)過圖5(C)的蝕刻工序而完成的加速度傳感器100A。圖5(C)的蝕刻工序，將在圖5(B)所 示的蝕刻工序中所形成的空腔部111、空腔部113以及貫通孔126作為開口部使用，對處于 可動(dòng)錘部120A、彈性變形部130A以及可動(dòng)電極部140的下方的硅基板101進(jìn)行蝕刻。作 為該硅蝕刻方法，是對配置在蝕刻腔內(nèi)的晶片導(dǎo)入蝕刻氣體XeF2的方法。該蝕刻氣體不需 要進(jìn)行等離子激勵(lì)，能夠進(jìn)行氣體蝕刻。例如，如特開2002-113700所述，XeF2能夠在壓力 5kPa下進(jìn)行蝕刻處理。另外，XeF2的蒸氣壓為4Torr左右，能夠在蒸氣壓以下進(jìn)行蝕刻處 理，作為蝕刻速度能夠?qū)崿F(xiàn)3至4 μ m/min。另外，也能夠使用ICP蝕刻。使用例如SF6和O2 的混合氣體，使得腔內(nèi)壓力為1至lOOPa，供給RF功率為100W左右，則在幾分鐘內(nèi)就能完成 2至3 μ m的蝕亥Ij。接下來，參照圖6至圖15，對利用CMOS集成電路部20A的制造工序制造加速度傳 感器100A的工序部分中的、導(dǎo)電層121A至121C和栓塞123A至123C的形成工序進(jìn)行說 明。圖6示出了第一導(dǎo)電層121A的形成工序。該第一導(dǎo)電層121A與圖5的柵G的形成工 序同時(shí)實(shí)施。在本實(shí)施方式中，通過CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相淀積法) 以100至5000A(angstrom，埃，下面一樣)的膜厚形成多晶硅(Poly-Si)層，通過光刻工序 進(jìn)行圖形蝕刻，而形成第一導(dǎo)電層121A。第一導(dǎo)電層121A，除多晶硅外還能夠由硅化物、高 熔點(diǎn)金屬等形成。第一導(dǎo)電層121A，在除與圖1所示的空腔部111、空腔部113以及貫通孔 126相當(dāng)?shù)膮^(qū)域以外的區(qū)域圖形化而形成。該第一導(dǎo)電層121A，成為與可動(dòng)錘部120A、彈性 變形部130A、可動(dòng)電極部140以及固定電極部150的平面輪廓形狀一致的圖形。圖7示出第一栓塞123A的形成工序。該第一栓塞123A的形成工序與集成電路部 20A的柵接觸工序同時(shí)實(shí)施。在本實(shí)施方式中，在圖6的工序后，通過CVD利用例如NSG、 BPSG、S0G、TE0S等材料以10000至20000A的膜厚形成，從而形成第一層間絕緣層122A。之 后，利用光刻工序?qū)Φ谝粚娱g絕緣層122A進(jìn)行圖形蝕刻，形成用于埋入形成第一栓塞123A 的預(yù)定的埋入槽圖形。接著，通過濺射或CVD等將W、TiW、TiN等的材料埋入該埋入槽圖形。之后，通過回蝕等去除第一層間絕緣層122A上的導(dǎo)電層材料，從而完成圖7所示的第一栓 塞123A。該第一栓塞123A，形成在比可動(dòng)錘部120A、彈性變形部130A、可動(dòng)電極部140以 及固定電極部150的平面輪廓形狀窄的區(qū)域。另外，也可以進(jìn)行CMPKhemicalMechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)工序而進(jìn)行平坦化。如果將圖6和圖7的導(dǎo)電圖形在例如可動(dòng)錘部120A的區(qū)域進(jìn)行對比，則在圖6中 是一層的柵格圖形，相對于此在圖7中是雙層的柵格圖形。如果以圖8的剖視圖對該情況 進(jìn)行說明，則相對于寬度Ll (例如Ll = 2ym)的第一導(dǎo)電層 121Α而言，寬度L2(例如L2 =0. 5 μ m)的2個(gè)第一栓塞123A隔開間隔L3 (例如L3 = 0. 5 μ m)配置。在圖8中也示出了第一栓塞123A的一個(gè)例子，作為接觸栓塞123A1能夠使用例如 材料W、Cu、Al等，作為覆蓋接觸栓塞123A1的周圍的阻障層123A2能夠使用例如材料Ti或 TiN0接觸栓塞123A1，能夠通過濺射或CVD以5000至10000A的膜厚形成。阻障層123A2 也能夠通過濺射或CVD以100至1000A的膜厚形成。另外，參照圖9(A)至圖9(D)，對在埋入第一栓塞123A時(shí)、尤其使端部處的埋入性 變得良好的這一情況進(jìn)行說明。圖9(B)至圖9(E)表示埋入圖9(A)所示的例如固定電極 部150的埋入槽圖形的例子。在圖9 (B)、圖9 (D)中，形成在第一導(dǎo)電層121A上的一個(gè)或兩 個(gè)埋入槽圖形151的端部由一個(gè)圓弧151A形成。另一方面，在圖9(C)、圖9(E)中，形成在 第一導(dǎo)電層121A上的一個(gè)或兩個(gè)埋入槽圖形151的端部由多個(gè)圓弧151B形成。通過將埋 入槽圖形151的端部形成為圓弧而不是角部，使得鎢W等的埋入變得容易。另外，關(guān)于栓塞 材料和/或栓塞的埋入圖形形狀，第二、第三栓塞123B、123C也可與第一栓塞123A同樣地 設(shè)定。圖10示出了第二導(dǎo)電層121B的形成工序。該第二導(dǎo)電層121B與集成電路部20A 的第一金屬布線層的形成工序同時(shí)實(shí)施。第二導(dǎo)電層121B的形成圖形與圖6所示的第一 導(dǎo)電層121A的形成圖形實(shí)質(zhì)上一樣。第二導(dǎo)電層121B，如圖8所示，能夠形成為下述多層 結(jié)構(gòu)作為阻障層121B1使用Ti、TiN、TiW、TaN、WN、VN、&N、NbN等，作為金屬層121B2使 用Al,Cu,Al合金、Mo、Ti、Pt等，作為反射防止層121B3使用TiN、Ti、非晶硅Si等。另外， 關(guān)于第三、第四導(dǎo)電層121C、121D的形成材料也可與第二導(dǎo)電層121B同樣地設(shè)定。阻障 層122B1通過濺射以100至1000A的膜厚形成，金屬層121B2通過濺射、真空蒸鍍或CVD以 5000至10000A的膜厚形成，反射防止層121B3通過濺射或CVD以100至1000A的膜厚形 成。圖11示出第二栓塞123B的形成工序。該第二栓塞123B的形成工序與在集成電路 部20A的對第二導(dǎo)電層121B的接觸工序同時(shí)實(shí)施。在圖10的工序后，在與第一層間絕緣 層122A同樣地形成了第二層間絕緣層122B之后，利用光刻工序?qū)Φ诙娱g絕緣層122B進(jìn) 行圖形蝕刻，形成用于埋入形成第二栓塞123B的預(yù)定的埋入槽圖形。接著，通過濺射或CVD 等將與第一栓塞123A同樣的材料埋入該埋入槽圖形。之后，通過回蝕等去除第二層間絕緣 層122B上的導(dǎo)電層材料，從而完成圖11所示的第二栓塞123B。該第二栓塞123B的平面圖 形，與圖7所示的第一栓塞122A的平面圖形實(shí)質(zhì)上一致。另外，也可以進(jìn)行CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)工序而進(jìn)行平坦化。圖12示出了第三導(dǎo)電層121C的形成工序。該第三導(dǎo)電層121C與集成電路部 20A的第二金屬布線層的形成工序同時(shí)實(shí)施。第三導(dǎo)電層121C的形成圖形，在與可動(dòng)錘部120A、彈性變形部130A、可動(dòng)電極部140相對應(yīng)的區(qū)域，與圖6以及圖10所示的第一導(dǎo)電層 121A和第二導(dǎo)電層121B的形成圖形實(shí)質(zhì)上一樣。在本實(shí)施方式中，第三導(dǎo)電層121C，如圖 12所示，具有從與固定電極部150相對應(yīng)的區(qū)域被引出至與固定框部110相對應(yīng)的區(qū)域的、 用于與集成電路部20A側(cè)進(jìn)行布線連接的布線圖形152。圖13示出第三栓塞123C的形成工序。該第三栓塞123C的形成工序與在集成電 路部20A的對第三導(dǎo)電層121C的接觸工序同時(shí)實(shí)施。在圖12的工序后，在與第一層間絕 緣層122A、第二層間絕緣層122B同樣地形成了第三層間絕緣層122C之后，利用光刻工序 對第三層間絕緣層122C進(jìn)行圖形蝕刻，形成用于埋入形成第三栓塞123C的預(yù)定的埋入槽 圖形。接著，通過濺射或CVD等將與第一栓塞123A和第二栓塞123B同樣的材料埋入該埋 入槽圖形。之后，通過回蝕等去除第三層間絕緣層122C上的導(dǎo)電層材料，從而完成圖13所 示的第三栓塞123C。該第三栓塞123C的平面圖形，與圖7以及圖11所示的第一栓塞123A 和第二栓塞123B的平面圖形實(shí)質(zhì)上相同。另外，也可以進(jìn)行CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)工序而進(jìn)行平坦化。
圖14示出了第四導(dǎo)電層121D的形成工序。該第四導(dǎo)電層121D與集成電路部 20A的第三金屬布線層的形成工序同時(shí)實(shí)施。第四導(dǎo)電層121D的形成圖形，在與可動(dòng)錘部 120A、可動(dòng)電極部140、固定電極部150相對應(yīng)的區(qū)域，與圖6以及圖10所示的第一導(dǎo)電層 121A和第二導(dǎo)電層121B的形成圖形實(shí)質(zhì)上一樣。在本實(shí)施方式中，第四導(dǎo)電層121D，如圖 14所示，具有從與彈性變形部130A相對應(yīng)的區(qū)域被引出至與固定框部110相對應(yīng)的區(qū)域上 的、用于與集成電路部20A側(cè)進(jìn)行布線連接的環(huán)狀的布線圖形131。由此，可動(dòng)電極部140， 經(jīng)由可動(dòng)錘部120A以及彈性變形部130A的導(dǎo)電層121A至121D和栓塞123A至123C連接 于布線圖形131，從而與集成電路部20A連接。圖15示出了保護(hù)層125的形成工序。通過CVD以5000至20000A的膜厚用PSiN、 SiN、Si02等進(jìn)行成膜，從而在整面形成保護(hù)層125。之后，通過實(shí)施在圖5(B)中所說明過 的蝕刻工序?qū)ΡＷo(hù)層125進(jìn)行圖形蝕刻，而且同時(shí)形成了空腔部111、空腔部113以及貫通 孔 126。2、第二實(shí)施方式接下來，參照圖16至圖18，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在下面的說 明中，僅對第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式不同之處進(jìn)行說明。第二實(shí)施方式所涉及的加速 度傳感器模塊10B，與第一實(shí)施方式的具有可動(dòng)錘部120A的加速度傳感器100A不同，本實(shí) 施方式的加速度傳感器100B具有可動(dòng)錘部120B。加速度傳感器100B，具有配置在可動(dòng)錘部120B而連接于可動(dòng)電極部140的環(huán)狀的 第一栓塞123-X、123-Y，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式相同，但柵格狀圖形的第二栓塞200處于電 浮置狀態(tài)，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。柵格狀圖形的第二栓塞200，其形成于各層的栓塞 200A至200C(參照圖17以及圖18)包括沿著作為較長方向的X方向的按壁狀延伸的栓塞 200_X(參照圖16)和沿著作為較長方向的Y方向的按壁狀延伸的栓塞200-Y(參照圖16)。 另外，通過第二栓塞200 (200Α至200C)相互連接的各層的導(dǎo)電層210Α至210D(參照圖17 以及圖18)也處于電浮置狀態(tài)，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。在第一實(shí)施方式中，可動(dòng)錘部120A的布線層(導(dǎo)電層121A至121D以及栓塞123A 至123C)全部處于同一電位。另一方面，在第二實(shí)施方式中，分離可動(dòng)錘部120B內(nèi)的布線層的電位。即，第一栓塞123A至123C和通過其連接的導(dǎo)電層121A至121D，作為可動(dòng)電極部 140的布線而使用。另一方面，第二栓塞200(200A至200C)和通過其相互連接的各層的導(dǎo) 電層210A至210D電絕緣而處于浮置狀態(tài)，僅作為錘發(fā)揮作用。這樣一來，可動(dòng)錘部120B， 能夠既保持錘質(zhì)量又降低在其與硅基板101等之間形成的寄生電容。圖19至圖25示出與第一實(shí)施方式的圖6、圖7、圖10至圖14相對應(yīng)的各層栓塞 或?qū)щ妼?。在表示各層的?dǎo)電層的圖19 (第一層最下層多晶硅)、圖21 (第二層第一金 屬布線層)、圖23 (第三層第二金屬布線層)以及圖25 (第四層第三金屬布線層)中，可 動(dòng)錘部120B，不同于與可動(dòng)電極部140相連接的第一導(dǎo)電層121A至121D地，形成有電孤立 的第二導(dǎo)電層210A至210D。在表示各層的栓塞的圖20(第一至第二層間)、圖22(第二至第三層間)以及圖 24 (第三至第四層間)中，可動(dòng)錘部120B，不同于與可動(dòng)電極部140相連接的第一栓塞123A 至123C，形成了電孤立的第二栓塞200A至200C。3、第三實(shí)施方式
接下來，參照圖26至圖33，對將本發(fā)明應(yīng)用于雙軸靜電電容型加速度傳感器的實(shí) 施方式進(jìn)行說明。另外，在下面的說明中，僅對第三實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同之處進(jìn) 行說明。如圖26所示，在加速度傳感器模塊IOC的加速度傳感器100C，為了檢測雙軸方向 的加速度，設(shè)置有比具有四角形的輪廓的可動(dòng)錘部120C的四邊突出的合計(jì)4個(gè)的可動(dòng)電 極部140 ；和與這四個(gè)可動(dòng)電極部140成對的合計(jì)4個(gè)的固定電極部150。對于連接于該加速度傳感器100C的集成電路部20B，輸入連接于用于X軸檢測的 2個(gè)可動(dòng)電極部140A和用于Y軸檢測的2個(gè)可動(dòng)電極部140B的共用的錘電位，而且從用于 X軸檢測的2個(gè)固定電極部150A和用于Y軸檢測的2個(gè)固定電極部150B分別獨(dú)立地輸入 4個(gè)固定電極電位1至4。集成電路部20B，與X軸和Y軸相對應(yīng)地具有2組圖4所示的檢 測電路，從而能夠按X、Y軸分別獨(dú)立地檢測加速度。在可動(dòng)錘部120C的四邊分別突出形成有可動(dòng)電極部140A、140B，因此彈性變形部 130B，從具有四邊形輪廓的可動(dòng)錘部120C的角部沿著對角線的延長線上延伸。在形成這樣 的彈性變形部130B時(shí)，不再需要形成圖1所示的空腔部113。圖27至圖33，表示與第一實(shí)施方式的圖6、圖7、圖10至圖14相對應(yīng)的各層的栓 塞或?qū)щ妼?。在表示各層的?dǎo)電層的圖27(第一層最下層多晶硅)、圖29(第二層第一 金屬布線層)、圖31 (第三層第二金屬布線層)以及圖33 (第四層第三金屬布線層)中， 可動(dòng)錘部120C，形成有與可動(dòng)電極部140A以及可動(dòng)電極部140B相連接的柵格圖形狀的導(dǎo) 電層310A至310D。另外，在表示各層的栓塞的圖28 (第一至第二層間)、圖30 (第二至第 三層間)和圖32(第三至第四層間)，可動(dòng)錘部120B具有連接于可動(dòng)電極部140A、140B的 柵格狀圖形的栓塞300A至300C。這里，在可動(dòng)錘部120C、可動(dòng)電極部140A、140B和固定電極部150A、150B，存在多 個(gè)導(dǎo)電層和連接它們的栓塞，這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式相同。但是，為了從用于X軸檢測的2 個(gè)固定電極部150A和用于Y軸檢測的2個(gè)固定電極部150B分別獨(dú)立地將4個(gè)固定電極電 位1至4輸入集成電路部20B，將向集成電路部20B側(cè)引出的布線，分別形成在不同的層。 來自用于X軸檢測的2個(gè)固定電極部150A的引出布線152A，如圖33所示與導(dǎo)電層310D形 成于同層。來自用于Y軸檢測的2個(gè)固定電極部150B的引出布線152B，如圖31所示與導(dǎo)電層310C形成于同層。而且，在彈性變形部130B，僅在與圖29所示的導(dǎo)電層310B同層存在用于布線的導(dǎo)電層，在其他的層既沒有配置導(dǎo)電層也沒有配置栓塞。其原因在于，如第三實(shí)施方式所示， 不具有空腔部113的形狀的彈性變形部130B，通過減少導(dǎo)電層和栓塞而提高彈性變形力。 彈性變形部130B，為了布線而必須在至少一層具有導(dǎo)電層，重要的是在少于形成于可動(dòng)錘 部120C的導(dǎo)電層310A至310D的層具有導(dǎo)電層，從而能夠提高彈性變形部130B的彈性變 形力。4、第四實(shí)施方式圖34表示了本發(fā)明的第四實(shí)施方式。該第四實(shí)施方式是將第二實(shí)施方式的技術(shù) (可動(dòng)錘部處的孤立圖形)應(yīng)用于第三實(shí)施方式的方式。另外，在下面的說明中，僅對第四 實(shí)施方式與第一、第三實(shí)施方式的不同之處進(jìn)行說明。如圖34所示，加速度傳感器模塊IOD的加速度傳感器100D，具有配置于可動(dòng)錘部 120D而連接于可動(dòng)電極部140A、140B的環(huán)狀的第一栓塞123-X、123-Y，這一點(diǎn)與第一實(shí)施 方式和第三實(shí)施方式相同，但柵格狀圖形的第二栓塞400處于電浮置狀態(tài)，這一點(diǎn)不同于 第一實(shí)施方式和第三實(shí)施方式。柵格狀圖形的第二栓塞400，其形成于各層的栓塞包括沿 著作為較長方向的X方向的按壁狀延伸的栓塞400-X和沿著作為較長方向的Y方向的按壁 狀延伸的栓塞400-Y。另外，通過第二栓塞400相互連接的各層的導(dǎo)電層(沒有圖示)也處 于電浮置狀態(tài)，這一點(diǎn)與第一、第三實(shí)施方式不同。在第一、第三實(shí)施方式中，可動(dòng)錘部120A的布線層(導(dǎo)電層121A至121D以及栓 塞123A至123C)全部處于同一電位。另一方面，在第四實(shí)施方式中，分離可動(dòng)錘部120D內(nèi) 的布線層的電位。特別是，第二栓塞400和通過其相互連接的各層的導(dǎo)電層(沒有圖示)， 與可動(dòng)錘部120D的其它的第一導(dǎo)電層(沒有圖示)以及第一栓塞123-X、123-Y電絕緣而 處于浮置狀態(tài)，僅作為錘發(fā)揮作用。這樣一來，可動(dòng)錘部120D，能夠既保持錘質(zhì)量又降低在 其與硅基板101等之間形成的寄生電容。5、第五實(shí)施方式圖35表示了本發(fā)明的第五實(shí)施方式。該第五實(shí)施方式是將第三實(shí)施方式的技術(shù) (彈性變形部中的布線層和栓塞的減少)應(yīng)用于第一實(shí)施方式的方式。另外，在下面的說明 中，僅對第五實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同之處進(jìn)行說明。圖35所示的加速度傳感器模塊10E，其加速度傳感器100E具有彈性變形部130C， 這一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同，但圖35與圖1實(shí)質(zhì)上沒有不同。圖35的A-A剖面圖即圖36， 與圖1的A-A剖面圖即圖2不同。圖2所示的彈性變形部130A，成具有4層的導(dǎo)電層和連 接其間的3個(gè)栓塞的縱剖面。另一方面，在圖36所示的彈性變形部130C中，僅在與可動(dòng)錘 部120A的導(dǎo)電層520B同層具有導(dǎo)電層520，在其他的層既不存在導(dǎo)電層也不存在栓塞。這樣，即使在形成有空腔部113的彈性變形部130C，通過在少于形成于可動(dòng)錘部 120A的多個(gè)導(dǎo)電層510A至510D的層具有導(dǎo)電層，從而能夠提高彈性變形部130C的彈性變 形力。圖37至圖43，示出了與第一實(shí)施方式的圖6、圖7、圖10至圖14相對應(yīng)的各層栓 塞或?qū)щ妼?。在表示各層的?dǎo)電層的圖37(第一層最下層多晶硅)、圖39(第二層第一 金屬布線層)、圖41 (第三層第二金屬布線層)以及圖43 (第四層第三金屬布線層)中，可動(dòng)錘部120A，形成有連接于可動(dòng)電極部140A以及可動(dòng)電極部140B的柵格圖形狀的導(dǎo)電 層510A至510D。另外，在表示各層的栓塞的圖38(第一至第二層間)、圖40(第二至第三 層間)和圖42(第三至第四層間)，可動(dòng)錘部120A具有連接于可動(dòng)電極部140的柵格狀圖 形的栓塞500A至500C。而且，從圖39可知，彈性變形部130C僅在與可動(dòng)錘部120A的導(dǎo)電 層520B同層具有導(dǎo)電層520。6、第六實(shí)施方式圖44表示了本發(fā)明的第六實(shí)施方式。該第六實(shí)施方式是將第三實(shí)施方式的技術(shù) (彈性變形部中的布線層和栓塞的減少)應(yīng)用于第二實(shí)施方式(可動(dòng)錘部中的孤立圖形) 的方式。另外，在下面的說明中，僅對第六實(shí)施方式與第二實(shí)施方式的不同之處進(jìn)行說明。圖44所示的加速度傳感器模塊10F，其加速度傳感器100F具有彈性變形部130C， 這一點(diǎn)與第二實(shí)施方式不同，但圖44與圖16實(shí)質(zhì)上沒有不同。圖44的A-A剖面圖即圖 45，與圖16的A-A剖面圖即圖17不同。圖17所示的彈性變形部130A，成具有4層的導(dǎo)電 層和連接其間的3個(gè)栓塞的縱剖面。另一方面，在圖45所示的彈性變形部130C中，僅在與 可動(dòng)錘部120B的導(dǎo)電層210B同層具有導(dǎo)電層620，在其他的層既不存在導(dǎo)電層也不存在栓
O這樣，在第六實(shí)施方式中，也與第五實(shí)施方式同樣地，即使在形成 有空腔部113的 彈性變形部130C，通過在少于形成于可動(dòng)錘部120B的多個(gè)導(dǎo)電層210A至210D的層具有導(dǎo) 電層，從而能夠提高彈性變形部130C的彈性變形力。7、第七實(shí)施方式圖46示出了本發(fā)明的第七實(shí)施方式。該第七實(shí)施方式，不同于將多個(gè)可動(dòng)電極部 設(shè)定為同一電位的第一至第六實(shí)施方式，而是將多個(gè)固定電極部設(shè)定為同一電位，在多個(gè) 可動(dòng)電極部中設(shè)定為不同的電位。因此，在彈性變形部設(shè)置有多條電位布線。圖46所示的加速度傳感器模塊10G，具有加速度傳感器100G和與其連接的集成電 路部20C。對集成電路部20C，輸入一個(gè)固定電極電位和兩個(gè)可動(dòng)電極電位。加速度傳感器100G，具有經(jīng)由例如4個(gè)彈性變形部130D、130E而連接于固定框部 110的在周圍形成有空腔部111的可動(dòng)錘部120E。形成有從固定框部110向空腔部111側(cè) 突出的2個(gè)固定電極部150C。在可動(dòng)錘部120E，設(shè)置有以與2個(gè)固定電極部150C的各自 的兩側(cè)相對向的方式朝向空腔部111突出的分別各2個(gè)可動(dòng)電極部140C、140D。由一個(gè)固 定電極部150C和兩個(gè)可動(dòng)電極部140C構(gòu)成了梳齒電極部。相對于錘可動(dòng)方向位于固定電極部150C的一方的兩個(gè)可動(dòng)電極部140C，通過配 置于可動(dòng)錘部120E、兩個(gè)彈性變形部130C、130C以及固定框部110的環(huán)狀布線700A被設(shè)定 為同一電位，被輸入到集成電路部20C。相對于錘可動(dòng)方向位于固定電極部150C的另一方 的兩個(gè)可動(dòng)電極部140D，通過配置于可動(dòng)錘部120E、兩個(gè)彈性變形部130D、130D以及固定 框部110的環(huán)狀布線700B被設(shè)定為同一電位，被輸入到集成電路部20C。兩個(gè)固定電極部 150、150C，通過設(shè)置在固定框部110的環(huán)狀布線700C被設(shè)定為同一電位，被輸入到集成電 路部20C。該集成電路部20C，能夠與圖4所示的電路同樣地構(gòu)成。圖47示出了第一層導(dǎo)電層(多晶硅層)。作為設(shè)置于可動(dòng)錘部120E的第一導(dǎo)電 層，在基底氧化膜701上形成有僅僅用于增大可動(dòng)錘部120E質(zhì)量的孤立的導(dǎo)電層702A、對 兩個(gè)可動(dòng)電極部140C彼此進(jìn)行布線的導(dǎo)電層702B、和對兩個(gè)可動(dòng)電極部140D彼此進(jìn)行布線的導(dǎo)電層702C。對于兩個(gè)固定電極部150C、150C，導(dǎo)電層702D形成在基底氧化膜上。圖48示出了接觸于第一層導(dǎo)電層的第一層的栓塞層。設(shè)置有分別接觸于第一層 導(dǎo)電層702A、702B、702C、702D的第一層栓塞704A、704B、704C、704D。形成于可動(dòng)錘部120E 的第一層栓塞704A、704B、704C，具有沿著二維平面的垂直的兩軸的較長方向形成為壁狀的 壁部，從而有助于可動(dòng)錘部120E的質(zhì)量增加。圖49示出了第二層導(dǎo)電層(第一層金屬層)。設(shè)置有分別連接于第一層栓塞704A、704B、704C、704D的第二層導(dǎo)電層706A、706B、706C、706D。作為第二層導(dǎo)電層，使兩 個(gè)可動(dòng)電極部140D、140D為同一電位而輸入到集成電路部20C的布線層700B，形成于兩個(gè) 彈性變形部130E、130E和固定框部110。為了獲得結(jié)構(gòu)上的平衡，在其余兩個(gè)彈性變形部 130D、130D設(shè)置有孤立的圖形的第二導(dǎo)電層706E、706E。圖50示出了接觸于第二層導(dǎo)電層的第二層的栓塞層。設(shè)置有分別接觸于第二層 導(dǎo)電層706A、706B、706C、706D的第二層栓塞708A、708B、708C、708D。形成于可動(dòng)錘部120E 的第二層栓塞708A、708B、708C，具有沿著二維平面的垂直的兩軸的較長方向形成為壁狀的 壁部，從而有助于可動(dòng)錘部120E的質(zhì)量增加。圖51示出了第三層導(dǎo)電層(第二層金屬層)。設(shè)置有分別連接于第二層栓塞 708A、708B、708C、708D的第三層導(dǎo)電層710A、710B、710C、710D。作為第三層導(dǎo)電層，使兩個(gè) 固定電極部150C為同一電位輸入到集成電路部20C的布線層700C，形成于固定框部110。圖52示出了接觸于第三層導(dǎo)電層的第三層的栓塞層。設(shè)置有分別連接于第三層 導(dǎo)電層710A、710B、710C、710D的第三層栓塞712A、712B、712C、712D。形成于可動(dòng)錘部120E 的第三層栓塞712A、712B、712C，具有沿著二維平面的垂直的兩軸的較長方向形成為壁狀的 壁部，從而有助于可動(dòng)錘部120E的質(zhì)量增加。圖53示出了第四層導(dǎo)電層(第三層金屬層)。設(shè)置有分別連接于第三層栓塞 712A、712B、712C、712D的第四層導(dǎo)電層714A、714B、714C、714D。作為第四層導(dǎo)電層，使兩個(gè) 可動(dòng)電極部140C、140C為同一電位輸入到集成電路部20C的布線層700A，形成于兩個(gè)彈性 變形部130D、130D和固定框部110。為了獲得結(jié)構(gòu)上的平衡，在其余兩個(gè)彈性變形部130E、 130E設(shè)置有孤立的圖形的第四導(dǎo)電層714E、714E。圖46所示的加速度傳感器模塊10G，作為一個(gè)例子形成為，基板尺寸為3mmX3mm、 空腔部111的輪廓為ImmX 1mm、彈性變形部130D、130E的長度為0. 2mm、電極間距離為 0. 002mm的梳齒電極的電極對的總數(shù)為100條左右且全部電容為1至2pF、可動(dòng)錘部120E 的質(zhì)量用微克來度量例如能夠形成為3 4X 10_6g左右。8、變形例另外，如上所述詳細(xì)說明了本實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯然能夠由上 述內(nèi)容得到本發(fā)明的新增特征以及實(shí)質(zhì)上不脫離其效果的多種變形。因此，這樣的變形例 全部都包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在說明書或附圖中，至少一次與更為廣義或意思相同 的不同用語一起記載的用語，在說明書或附圖中的任何位置都能夠置換為上述與其不同的用語。例如，本發(fā)明所涉及的微機(jī)電傳感器，并非限定于應(yīng)用于靜電電容型加速度傳感 器，也能夠應(yīng)用于壓電電阻型的加速度傳感器。另外，只要是檢測由可動(dòng)錘部的移動(dòng)所導(dǎo)致 的靜電電容的變化的物理傳感器就能夠使用。例如能夠用于陀螺傳感器、壓力傳感器等。
另外，例如從圖1與圖46的對比可知，在本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)所涉及的微機(jī)電傳感器中，通過形成距離可變的對向電極，至少能夠檢測出物理量的大小，但不能夠檢測出物理 量所作用的方向。因此，至少一個(gè)固定電極部和可動(dòng)錘部一體地在至少一軸方向上移動(dòng)，在 本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)所涉及的微機(jī)電傳感器中，只要具有與至少一個(gè)固定電極部之間的距離 發(fā)生增減的多個(gè)可動(dòng)電極部即可(例如圖46所示的梳齒電極的例子)。物理量檢測原理中，在對于至少一個(gè)固定電極部而言、與可動(dòng)錘部一起移動(dòng)多個(gè) 可動(dòng)電極部時(shí)，兩個(gè)電極間距離的一方增大而另一方減小，從而根據(jù)與電極間距離相關(guān)的 靜電電容的大小和增減的關(guān)系，能夠檢測物理量的大小和方向。另外，物理量的檢測軸不限 定于上述的一軸和/或二軸，也可以是三軸以上的多軸。此外，不限于上述實(shí)施例，本申請 中的微機(jī)電傳感器還能應(yīng)用于數(shù)字相機(jī)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、便攜電話機(jī)、便攜PC以及游戲控 制機(jī)等的電子設(shè)備。如果采用本申請的微機(jī)電傳感器則能提供具有優(yōu)異的檢測靈敏度的電 子設(shè)備。
權(quán)利要求
一種微機(jī)電傳感器，其具有經(jīng)由彈性變形部連接于固定框部的可動(dòng)錘部，其特征在于，所述可動(dòng)錘部是具有導(dǎo)電層和絕緣層的層疊結(jié)構(gòu)體，對所述絕緣層埋入有比重比所述絕緣層大的栓塞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于， 還包括從所述固定框部伸長的腕狀的固定電極部；和從所述可動(dòng)錘部伸長的、隔著間隙與所述固定電極部對向配置的腕狀的可動(dòng)電極部， 所述固定電極部和所述可動(dòng)電極部沿第一方向排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述可動(dòng)錘部具有包括所述第一方向和俯視與所述第一方向垂直的第二方向的面， 在所述可動(dòng)錘部，以相對于將所述可動(dòng)錘部的所述第二方向的寬度二等分的中心線線 對稱的方式形成有所述栓塞。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于， 所述導(dǎo)電層形成有多個(gè)，所述絕緣層形成于多個(gè)所述導(dǎo)電層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于， 所述栓塞是導(dǎo)電材料且貫通所述絕緣層而形成， 通過所述栓塞來連接所述導(dǎo)電層彼此。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于， 所述可動(dòng)錘部具有從最上層貫通到最下層的貫通孔，所述栓塞靠近所述貫通孔而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述栓塞還具有與所述可動(dòng)電極部電連接的第一栓塞部和與所述可動(dòng)電極部電絕緣 的第二栓塞部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電傳感器，其特征在于，與所述固定框部相鄰而形成有集成電路部，并且所述集成電路部采用所述層疊結(jié)構(gòu)體 來形成。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，搭載有權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電傳感器。
10.一種微機(jī)電傳感器的制造方法，所述微機(jī)電傳感器具有經(jīng)由彈性變形部連接于固 定框部的可動(dòng)錘部，該制造方法的特征在于，包括在基板上將導(dǎo)電層和絕緣層疊層而形成層疊結(jié)構(gòu)體的工序； 在所述絕緣層形成槽，對所述槽填充比重大于所述絕緣層的栓塞的工序； 通過各向異性蝕刻形成從所述層疊結(jié)構(gòu)體的最上層貫通到所述基板的表面的貫通孔 的工序；以及經(jīng)由所述貫通孔對所述基板實(shí)施各向同性蝕刻，在所述基板與所述層疊結(jié)構(gòu)體之間形 成空隙的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供能有效增大可動(dòng)錘部的質(zhì)量、高精度地檢測物理量、且利用使用了多層布線的CMOS工序能自如且容易地制造的微機(jī)電傳感器(例如靜電電容型加速度傳感器)。該微機(jī)電傳感器(100A)具有經(jīng)彈性變形部(130)連接于固定框部(110)的、在周圍形成有空腔部(111、112)的可動(dòng)錘部(120)，可動(dòng)錘部(120)具有層疊結(jié)構(gòu)體，該層疊結(jié)構(gòu)體包括多個(gè)導(dǎo)電層(121A至121D)、配置在多個(gè)導(dǎo)電層之間的多個(gè)層間絕緣層(122A至122C)和填充于貫通形成在多個(gè)層間絕緣層的各層的預(yù)定的埋入槽圖形的比重大于層間絕緣層的栓塞(123A至123C)，形成于各層的栓塞包括沿著一個(gè)或多個(gè)較長方向形成為壁狀的壁部。
文檔編號(hào)B81B7/02GK101830426SQ20101013401
公開日2010年9月15日 申請日期2010年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月12日
發(fā)明者佐藤彰, 高木成和 申請人:精工愛普生株式會(huì)社