專利名稱：微型麥克風(fēng)的制作方法
微型麥克風(fēng)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種麥克風(fēng)，尤其涉及一種能適用于多數(shù)電子產(chǎn)品的便攜式微型麥克 風(fēng)。背景技術(shù)：
隨著無線通訊和電子技術(shù)的迅速發(fā)展，全球移動電話用戶越來越多，人們對移動 電話的要求不僅僅限于基本通話，還要求有高質(zhì)量的通話效果和小巧輕便的便攜式結(jié)構(gòu)， 而麥克風(fēng)作為移動電話的語音拾取裝置，其設(shè)計好壞直接影響移動電話的性能?，F(xiàn)如今，廣為人們使用的電容麥克風(fēng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)均設(shè)有振膜和背板兩個電極層， 通過改變振膜和背板之間的距離，來改變由振膜和背板二者形成的電場內(nèi)的電壓，從而形 成電信號。而這種電容麥克風(fēng)的輸出阻抗較高，抗干擾性差，為提高信噪比，通常在麥克風(fēng) 裝置內(nèi)需設(shè)阻抗變換器來匹配電信號。但太多的電路元件的配合又不利于產(chǎn)品的小型化和 高集成度。因此，有必要提供一種新型的微型麥克風(fēng)來解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需解決的技術(shù)問題在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、利于集成的微型麥克風(fēng)。本發(fā)明通過這樣的技術(shù)方案解決技術(shù)問題—種微型麥克風(fēng)，其中，該微型麥克風(fēng)包括構(gòu)成MOS管的半導(dǎo)體基底、設(shè)置在半導(dǎo) 體基底的中央處且設(shè)有容納空氣的絕緣槽及位于絕緣槽上并受空氣驅(qū)動而振動的金屬板。作為本發(fā)明的一種改進，所述半導(dǎo)體基底包括摻雜濃度較低的P型硅襯底及位于 P型硅襯底兩端的高摻雜濃度N區(qū)，所述N區(qū)上設(shè)有金屬電極。作為本發(fā)明的一種改進，所述半導(dǎo)體基底包括摻雜濃度較低的N型硅襯底及位 于N型硅襯底兩端的高摻雜濃度P區(qū)，所述P區(qū)上設(shè)有金屬電極。作為本發(fā)明的一種改進，所述絕緣槽是由二氧化硅制成的。作為本發(fā)明的一種改進，所述金屬板是由鋁制成的。本發(fā)明具有以下優(yōu)點將構(gòu)成MOS管的金屬層_絕緣層_半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)應(yīng)用在微 型麥克風(fēng)中，即半導(dǎo)體基底作為微型麥克風(fēng)的基底，并在其上設(shè)置容納空氣的絕緣槽和受 空氣驅(qū)動而振動的金屬板，使得該結(jié)構(gòu)的微型麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)更加簡單且輸出阻抗低，可以省 去阻抗變換器的設(shè)計，即可達到高信噪比的效果，為微型麥克風(fēng)的高集成度和小型化的發(fā) 展提供了有利條件。

圖1為本發(fā)明微型麥克風(fēng)的示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步說明。本發(fā)明中的微型麥克風(fēng)是將聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號，并且結(jié)構(gòu)簡單、易于集成。如圖1所示，該 微型麥克風(fēng)10包括構(gòu)成MOS管的半導(dǎo)體基底11、位于半導(dǎo)體基底 11的中央處的絕緣槽12和位于絕緣槽12上的金屬板13。半導(dǎo)體基底11包括一摻雜濃度較低的硅襯底110，在本實施方式中，硅襯底110可 以是摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底，當(dāng)然也可以是摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底。 硅襯底110上區(qū)別于中央位置處的兩端上設(shè)有高摻雜濃度區(qū)111，且其上沉積有金屬鋁作 為電極。若硅襯底110是摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體，則高摻雜濃度區(qū)111為N區(qū)，即形成 NPN型的半導(dǎo)體基底；若硅襯底110是摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體，則高摻雜濃度區(qū)111為 P區(qū)，即形成PNP型的半導(dǎo)體基底。無論是NPN型半導(dǎo)體基底還是PNP型半導(dǎo)體基底，設(shè)置 在高摻雜濃度P (或N)區(qū)的兩個電極在MOS管中即為漏極和源極。在硅襯底的中央處，即漏極和源極的之間位置設(shè)有絕緣槽12，在本實施方式中，絕 緣槽12是由二氧化硅制成的。絕緣槽12內(nèi)設(shè)有能和外界進行氣體交換的氣孔(未示出)。 絕緣槽12上設(shè)有受其支撐并與絕緣槽內(nèi)的氣體直接接觸的金屬板13。在本實施方式中金 屬板13是由很薄的鋁制成的，在MOS管中，可將其視為柵極。當(dāng)在柵極和源極之間加一正電壓時，在柵極和半導(dǎo)體基底之間的絕緣槽12中便 產(chǎn)生一個由柵極指向半導(dǎo)體基底的電場，由于絕緣槽12的存在，使之形成電容。當(dāng)聲音信 號通過絕緣槽12而促使金屬板13振動時，半導(dǎo)體基底和金屬板13之間的距離變化，進而 產(chǎn)生與聲音信號相對應(yīng)的電信號。且輸出電信號的阻抗低，可以很好地滿足高信噪比的要 求。綜上，由于將構(gòu)成MOS管的金屬層_絕緣層_半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)應(yīng)用在微型麥克風(fēng)中， 即半導(dǎo)體基底作為微型麥克風(fēng)的基底，并在其上設(shè)置容納空氣的絕緣槽和受空氣驅(qū)動而振 動的金屬板，使得該結(jié)構(gòu)的微型麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)更加簡單且輸出阻抗低，可以省去阻抗變換器 的設(shè)計，即可達到高信噪比的效果，為微型麥克風(fēng)的高集成度和小型化的發(fā)展提供了有利 條件。以上所述的僅是本發(fā)明的實施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進，但這些均屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
一種微型麥克風(fēng)，其特征在于該微型麥克風(fēng)包括構(gòu)成MOS管的半導(dǎo)體基底、設(shè)置在半導(dǎo)體基底的中央處且設(shè)有容納空氣的絕緣槽及位于絕緣槽上并受空氣的驅(qū)動而振動的金屬板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型麥克風(fēng)，其特征在于所述半導(dǎo)體基底包括摻雜濃度較 低的P型硅襯底及位于P型硅襯底兩端的高摻雜濃度N區(qū)，所述N區(qū)上設(shè)有金屬電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型麥克風(fēng)，其特征在于所述半導(dǎo)體基底包括摻雜濃度較 低的N型硅襯底及位于N型硅襯底兩端的高摻雜濃度P區(qū)，所述P區(qū)上設(shè)有金屬電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型麥克風(fēng)，其特征在于所述絕緣槽是由二氧化硅制成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型麥克風(fēng)，其特征在于所述金屬板是由鋁制成的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種微型麥克風(fēng)，其中，該微型麥克風(fēng)包括構(gòu)成MOS管的半導(dǎo)體基底、設(shè)置在半導(dǎo)體基底的中央處且設(shè)有容納空氣的絕緣槽及位于絕緣槽上并受空氣的驅(qū)動而振動的金屬板。本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單、易于集成，能廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品。
文檔編號B81B7/02GK101959108SQ201010167980
公開日2011年1月26日 申請日期2010年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月4日
發(fā)明者李海峰 申請人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司