專利名稱：大功率三相交流開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種三相交流開關(guān)，尤其是一種微型封裝的大功率三相交流開關(guān)。
背景技術(shù)：
三相交流開關(guān)主要應(yīng)用于電機調(diào)節(jié)等場合。目前，市場上要實現(xiàn)同種功能的產(chǎn)品 都只能采用多個單相交流開關(guān)相互連接的方式，這種結(jié)構(gòu)一方面體積比較大，因此所需要 占用的空間也較大，安裝時也較為復雜，而且相互干擾容易產(chǎn)生較多次諧波，嚴重影響產(chǎn)品 的使用，可靠性也不高。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種性能穩(wěn)定、體積小巧的大功率三相交 流開關(guān)。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種大功率三相交流開關(guān)，包 括聚對苯二甲酸丁二醇酯封裝外殼和塑封在外殼內(nèi)底部的銅底板，所述的銅底板上、封裝 外殼內(nèi)焊接有DCB板，DCB板上焊接有7個單向可控硅，所述的7個單向可控硅作反并聯(lián)連 接，每個單向可控硅的門極通過門極控制端子引出到封裝外殼的外部，所述的7個單向可 控硅從DCB板的兩側(cè)引出6個外電極到封裝外殼的外部。進一步的說，為了增加美觀性和對稱性，并且節(jié)省安裝的空間，本實用新型所述的 6個外電極從DCB板的兩側(cè)以每側(cè)3個的引出，所述的外電極的引出端翻折設(shè)置在封裝外殼 的上部。更進一步的說，本實用新型所述的銅底板的近兩端設(shè)置有圓形安裝孔，這樣在安 裝本實用新型時可以根據(jù)位置的不同便捷安裝。本實用新型的有益效果是，解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，本實用新型所述的結(jié) 構(gòu)使得大功率的三相交流開關(guān)具有高集成度，并且將單向可控硅器件封裝在PBT外殼內(nèi)減 小了產(chǎn)品體積，相互干擾少，性能穩(wěn)定，非常適合在條件較高的中大功率場合使用。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型的主視圖；圖3是圖2的俯視圖；圖4是本實用新型單向可控硅的電路連接圖；圖中1、封裝外殼；2、銅底板；3、DBC板；4、單向可控硅；5、門極控制端子；6、外電
極；7、安裝孔。
具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡 化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān) 的構(gòu)成。如
圖1、2、3所示的一種大功率三相交流開關(guān)，包括聚對苯二甲酸丁二醇酯封裝外 殼1和塑封在外殼1內(nèi)底部的銅底板2，所述的銅底板2上、封裝外殼1內(nèi)焊接有DCB板3， DCB板3上焊接有7個單向可控硅4，所述的7個單向可控硅4作反并聯(lián)連接，單向可控硅4 的電路連接圖如圖4所示，每個單向可控硅4的門極通過門極控制端子5引出到封裝外殼1 的外部，所述的7個單向可控硅4從DCB板3的兩側(cè)引出6個外電極6到封裝外殼1的外 部。結(jié)合圖2、3可以看出，所述的6個外電極6從DCB板3的兩側(cè)以每側(cè)3個的引出， 所述的外電極6的引出端翻折設(shè)置在封裝外殼1的上部。并且本實用新型所述的銅底板2 的近兩端設(shè)置有圓形安裝孔7，這樣在安裝本實用新型時可以根據(jù)位置的不同便捷安裝。本實用新型在使用的過程中，通過銅底板2上設(shè)置的安裝孔7緊固在散熱器上，通 過螺母連接外電極6與其他相應(yīng)線路連接。當在門極控制端加上適當控制信號時，各相可 以輪流并按一定速度導通達到調(diào)節(jié)電機的目的。以上說明書中描述的只是本實用新型的具體實施方式
，各種舉例說明不對本實用 新型的實質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所 述的具體實施方式
做修改或變形，而不背離實用新型的實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求一種大功率三相交流開關(guān)，包括聚對苯二甲酸丁二醇酯封裝外殼(1)和塑封在外殼(1)內(nèi)底部的銅底板(2)，其特征在于所述的銅底板(2)上、封裝外殼(1)內(nèi)焊接有DCB板(3)，DCB板(3)上焊接有7個單向可控硅(4)，所述的7個單向可控硅(4)作反并聯(lián)連接，每個單向可控硅(4)的門極通過門極控制端子(5)引出到封裝外殼(1)的外部，所述的7個單向可控硅(4)從DCB板(3)的兩側(cè)引出6個外電極(6)到封裝外殼(1)的外部。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率三相交流開關(guān)，其特征在于所述的6個外電極(6)從 DCB板(3)的兩側(cè)以每側(cè)3個的引出，所述的外電極(6)的引出端翻折設(shè)置在封裝外殼⑴ 的上部。
3.如權(quán)利要求1所述的大功率三相交流開關(guān)，其特征在于所述的銅底板(2)的近兩 端設(shè)置有圓形安裝孔(7)。
專利摘要本實用新型涉及一種大功率三相交流開關(guān)，包括聚對苯二甲酸丁二醇酯封裝外殼和塑封在外殼內(nèi)底部的銅底板，所述的銅底板上、封裝外殼內(nèi)焊接有DCB板，DCB板上焊接有7個單向可控硅，所述的7個單向可控硅作反并聯(lián)連接，每個單向可控硅的門極通過門極控制端子引出到封裝外殼的外部，所述的7個單向可控硅從DCB板的兩側(cè)引出6個外電極到封裝外殼的外部。本實用新型所述的結(jié)構(gòu)使得大功率的三相交流開關(guān)具有高集成度，并且將單向可控硅器件封裝在PBT外殼內(nèi)減小了產(chǎn)品體積，相互干擾少，性能穩(wěn)定，非常適合在條件較高的中大功率場合使用。
文檔編號B81B3/00GK201733285SQ20102026963
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月22日
發(fā)明者沈富德 申請人:江蘇矽萊克電子科技有限公司