專利名稱：Mems圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微機電系統(tǒng)(MEMS)圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)和方法，更確切地說，本發(fā)明涉及一種MEMS的三維混合集成封裝的方法，即采用Chip to WafeH芯片到圓片)疊層方式將IC芯片與MEMS器件進行圓片級三維混合集成的方法，屬于微系統(tǒng)封裝領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
微機電系統(tǒng)(M EMS)包括微傳感器和驅(qū)動器，以及用于設(shè)備功能控制和信號傳導、 調(diào)節(jié)和處理的輔助集成電路和功能控制系統(tǒng)。MEMS的集成就是將微傳感器(或者驅(qū)動器) 與專用集成電路(ASIC)以及運放集成電路等CMOS芯片封裝在一起完成傳感(或驅(qū)動)功能。當前MEMS的集成制造主要有單片系統(tǒng)(SoC)集成和混合集成等兩種方式。由于MEMS 工藝和IC工藝的不兼容性，目前單片集成方式制造微系統(tǒng)未得到廣泛應用，混合集成仍是多數(shù)微系統(tǒng)實現(xiàn)集成的主要手段。通常微系統(tǒng)的混合集成是在印刷電路板(PCB)或陶瓷基板上對封裝后的器件進行貼裝后實現(xiàn)二次集成，或使用裸芯片在基板上組裝成多芯片模塊 (MCM)，但這種二維的封裝方式成本較高，封裝密度也不夠高，并且互連線較長，使電路噪聲增大，這一點對輸出微弱信號的MEMS器件尤其不利。三維封裝具有尺寸和體積小、組裝效率更高、延遲進一步縮短、噪聲進一步減小、 功耗減小、速度更快以及帶寬加大等優(yōu)點。圓片級封裝是微系統(tǒng)先進的封裝形式，具有密度高、成本低等優(yōu)勢，近年來發(fā)展迅速。如果能在圓片級封裝基礎(chǔ)上進一步實現(xiàn)氣密或真空封裝并與ASIC等CMOS芯片實現(xiàn)三維混合集成，充分利用Si基集成度高、熱膨脹系數(shù)匹配、導熱好、易于批量化生產(chǎn)、成本低等優(yōu)點，可望在目前微系統(tǒng)制造以混合集成技術(shù)為主的情況下進一步對系統(tǒng)性能、集成度、可靠性和成本等進行優(yōu)化。已報道的一些關(guān)于圓片級混合集成的工作大多是采用硅通孔(TSV)方法實現(xiàn)垂直互連的，如Hyung Suk Yang等通過在MEMS器件圓片上制備TSV的方式來實現(xiàn)與CMOS圓片的垂直互連(IEEE resource :3D integration of CMOS and MEMS using mechanically flexible interconnects (MFI) and through silicon vias (TSV), Proceedings of 2010 Electronic Components and Technology Conference (ECTC),1-4 June 2010, PP. 822-828)，但這種方式成本高，并非一種普適的集成方法。圓片級三維疊層封裝主要包括圓片到圓片(Wafer to Wafer, W2W)和芯片到圓片 (Chip to Wafer, C2W)。C2W具有以下優(yōu)點只組裝集成“確認好芯片”(KGD)，封裝成品率高；疊層對準公差較寬；能對不同大小的芯片進行互相連接，也能對不同大小的晶圓與芯片進行混和封裝?？梢?，C2W疊層方式吸取了 W2W “封裝密度高、效率高、成本低”的優(yōu)點，克服了 W2W疊層方式“測試困難，成品率低”的不足，并且具有很大的組裝柔性和變通性。高性能MEMS器件(如加速度計芯片)尺寸通常較大，因此圓片級氣密封裝完成后進一步進行Chip to Wafer (芯片到圓片)方式的三維混合集成就有著非常重要的意義。 目前國內(nèi)外公司大多采用外購ASIC以及運放等IC來搭建高靈敏度MEMS電路系統(tǒng)。由于ASIC和運放等CMOS芯片是分立購買的，因而不易實現(xiàn)器件直接從圓片級進行集成。而采用將分立芯片貼裝至已完成圓片級封裝的MEMS器件蓋板上進一步進行以硅蓋板為基板的三維集成，工藝過程簡單且實用。在圓片級封裝完成后，還需進一步用封裝外殼對器件進行保護，國際上許多著名廠商前期趨于使用陶瓷外殼和QFN(Quad Flat Non-Lead)引腳方式，但成本相對較高。這與目前需要盡可能降低MEMS封裝成本的要求仍存在差距。此外，由于封裝應力對高靈敏度MEMS的可靠性影響很大，要求MEMS封裝具有很小的殘余應力?；谏鲜龈鞣N需求和考慮，本發(fā)明擬針對高靈敏度MEMS傳感器提出一種采用 Chip to Wafer (C2W)疊層方式的圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)(簡稱WL-C2W)，以滿足高靈敏度MEMS低應力、高性能、易加工、低成本和高可靠性的集成封裝要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提出一種MEMS圓片級(WL)三維混合集成(簡稱WL-C2W)封裝結(jié)構(gòu)和方法，以滿足用ASIC以及運放等IC來搭建高靈敏度MEMS電路系統(tǒng)的現(xiàn)實需求。本發(fā)明提出的一種基于Chip to Wafer (C2W)疊層方式的MEMS圓片級三維混合集成(簡稱WL-C2W)封裝結(jié)構(gòu)是通過玻璃漿料低溫鍵合實現(xiàn)MEMS器件圓片和硅蓋板圓片的鍵合，實現(xiàn)圓片級氣密/真空封裝，解決了 MEMS器件可動部件的保護問題；在硅蓋板表面正面貼裝ASIC等CMOS芯片(Chip to Wafer)，并通過引線鍵合實現(xiàn)芯片間以及多層芯片I/ 0引出，從而實現(xiàn)ASIC等CMOS芯片與MEMS器件圓片的三維混合集成，提高封裝密度、有效縮短互連長度，降低信號竄擾和制造成本；對已完成氣密/真空圓片級封裝的器件采用圍壩(Dam)和灌注(Fill)低應力塑封料的方式，襯底采用成本相對較低的高密度基板，引腳采用球柵陣列(BGA)，從而降低封裝殘余應力，提高封裝效率。最終形成MEMS圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)，并達到兼顧MEMS低應力、高性能、低成本和高可靠性的目的。本發(fā)明采用chip to wafer方式的MEMS圓片級三維混合集成封裝的具體工藝步驟如下1.通過玻璃漿料低溫鍵合進行圓片級氣密/真空封裝a.在硅圓片上用MEMS工藝制作MEMS器件，Al金屬引線與焊盤和MEMS器件形成電連接；b.在硅蓋板上用精密絲網(wǎng)印刷機通過網(wǎng)板印刷方式印刷玻璃漿料密封環(huán)；對密封環(huán)在400-425°C范圍內(nèi)進行預燒，去除有機成分及揮發(fā)物；c.在鍵合機內(nèi)425-450°C溫度范圍內(nèi)和一定的壓力(200_400mBar)下將預先對準的硅蓋板和器件圓片進行燒結(jié)，形成氣密/真空腔體。在真空環(huán)境下(典型真空度 IXlO-5 lX10_4mBar)的燒結(jié)可實現(xiàn)真空封裝；若只是要求氣密封裝，則可以在氮氣或者惰性氣體中進行，燒結(jié)氣氛宜選擇負壓以利于進一步去除殘余氣體。2.采用Chip to Wafer疊層方式進行兩個IC芯片與MEMS圓片(已經(jīng)過氣密/真空封裝)的三維混合集成封裝a.完成步驟1后，用低溫固化膠將ASIC和運放IC兩個CMOS芯片正面貼裝于硅蓋板上，并低溫加熱固化(固化溫度150°C，固化時間60分鐘)；b.利用劃片工藝將疊裝CMOS芯片后的MEMS器件陣列圓片分割為單個的(即為分立的)集成微系統(tǒng)。
3.采用植球工藝在有機基板(采用多拼板)下表面制作周邊式球柵陣列(BGA)a.采用鋼網(wǎng)印刷工藝在BGA焊盤上印刷無鉛焊料焊膏；b.將無鉛焊球放置在印刷好焊膏的BGA焊盤上；c.將植球后的封裝基板進行按照高溫回流曲線進行回流固化。4.采用板上芯片(COB)工藝將分立的集成微系統(tǒng)組裝于有機基板a.完成步驟2和步驟3后，用低溫固化膠將分立的集成微系統(tǒng)用COB (Chip on Board)方式貼裝至基板(可采用多拼板，以便于后續(xù)的自動點膠機的批量塑封)，并低溫加熱固化(固化溫度150°C，固化時間60分鐘)；b.用引線鍵合工藝將ASIC、運放芯片、MEMS器件和有機基板上的焊盤進行多層鍵合，將ASIC與運放芯片互連，將CMOS芯片和MEMS器件的輸出端子與基板互連，從而實現(xiàn)上述四者之間的電氣互連；

5.采用“圍壩(Dam) +灌注(fill)，，包封方式進行集成微系統(tǒng)的保護封裝a.完成步驟4后，在有機基板上，利用自動點膠機在集成微系統(tǒng)四周用非流動性熱塑性塑封料圍成一個方形壩(壩高大于集成微系統(tǒng)的高度)，固化，形成高硬度的保護外殼；b.用自動點膠機將流動性好粘度低的塑封料灌注于方形壩內(nèi)(其厚度與壩高相等)，涂覆整個集成微系統(tǒng)。固化，形成低硬度的涂覆層；c.有機基板多拼板分割和分片，即成混合集成MEMS。本發(fā)明提供的封裝結(jié)構(gòu)的特征在于i)通過MEMS器件圓片和硅蓋板圓片的鍵合，實現(xiàn)圓片級氣密/真空封裝；采取芯片到圓片疊層方式在硅蓋板圓片表面貼裝互連ASIC和運放IC兩個CMOS芯片，實現(xiàn)CMOS 芯片與MEMS器件圓片的三維混合集成；將分立的集成微系統(tǒng)貼裝在有機基板上并進行塑封保護和引出；ASIC為專用集成電路英文縮寫；ii)MEMS器件圓片和蓋板圓片的鍵合是通過玻璃漿料低溫鍵合實現(xiàn)的，完成MEMS 器件可動部件的保護；iii)兩個CMOS芯片、MEMS器件以及有機基板之間均通過引線鍵合方式進行多層電氣互連，兩個CMOS芯片之間亦直接通過引線鍵合方式橋接互連；iv)引出時引腳的輸出方式為周邊式球柵陣列，球柵陣列是采用植球的方式制備的；ν)兩個CMOS芯片非限定為ASIC和運放芯片，可根據(jù)MEMS器件的種類和電路設(shè)計的不同而有變動，從封裝角度可以籠統(tǒng)地設(shè)定兩個CMOS芯片為C0M0S 1和CMOS 2 ；CMOS 芯片的數(shù)量為兩個，但不限于此，可以代之以一個高集成度的信號處理CMOS芯片，在這種情況下，多層電氣互連為CMOS芯片、MEMS器件和有機基板三者之間的多層電氣互連；vi)包封分立的集成微系統(tǒng)的特征在于低應力塑封保護。其低應力塑封的特征在于采用“圍壩(Dam)+灌注(fill)”塑封方式包封兩種不同作用的塑封料，即通過點膠機將非流動性觸變粘接劑在有機基板上的集成模塊四周圍壩，經(jīng)固化形成“高硬度保護”；通過點膠機將低應力注塑材料灌注壩內(nèi)，經(jīng)固化形成“低應力包封”；灌注材料的特征在于流動性好，凝固時收縮導致的應力小，能減小MEMS封裝的殘余應力；襯底基板的特征在于為成本低廉的有機基板，并且為了保證所述的圍壩塑封方式在自動點膠機上高效實現(xiàn)，將有機基板設(shè)計為多拼板，在塑封工藝完成后再進行分割和分片。本發(fā)明的技術(shù)優(yōu)勢有以下幾點1. ASIC、運放芯片、MEMS器件以及有機基板之間均通過引線鍵合方式進行多層電氣互連，尤其是ASIC和運放芯片之間直接通過引線鍵合方式橋接互連，替代了在MEMS圓片蓋板上進行重布線和焊盤制備，從而避免了布線工藝對MEMS器件氣密性能造成破壞，簡化了工藝。2. ASIC等CMOS芯片與MEMS器件圓片的三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)提高了封裝密度， 有效縮短了互連長度，減小了信號延遲，降低了信號竄擾。這一點對高靈敏度MEMS器件的微弱傳感信號的傳輸非常實用。3. “圍壩(Dam) +灌注(Fill)，，的包封方式對MEMS實現(xiàn)兩種保護通過圍壩方式實現(xiàn)高硬度的成型外殼，從而保護MEMS免受外界損壞，通過灌注方式實現(xiàn)低應力涂覆層， 從而減小MEMS封裝的殘余應力。

4.封裝結(jié)構(gòu)襯底采用成本相對較低的有機基板，引腳采用球柵陣列(BGA)，降低制造成本，提高封裝效率。有機基板采用多拼板，便于批量塑封，更可以在圍壩(Dam)和灌注(Fill)工藝中減少自動點膠機的調(diào)校次數(shù)，節(jié)省調(diào)校時間，從而提高塑封效率。5. BGA形式的I/O輸出方式適用于表面貼裝技術(shù)，具有很好的兼容性。


圖1是本發(fā)明提供的帶有MEMS器件陣列的硅圓片俯視示意圖。圖2是本發(fā)明提供的印刷玻璃漿料密封環(huán)陣列的硅蓋板圓片俯視示意圖。圖3是帶有MEMS器件陣列的硅圓片與印刷玻璃漿料密封環(huán)的硅蓋板圓片鍵合后的封裝單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是在硅蓋板圓片表面貼裝兩個CMOS芯片后形成的三維混合集成封裝單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是采用植球工藝制作球柵陣列(BGA)后的有機基板(多拼板)的單元截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是采用板上芯片(COB)工藝將分立的集成微系統(tǒng)組裝于有機基板(多拼板) 后的單元截面結(jié)構(gòu)示意圖。a)引線鍵合前；b)引線鍵合后。圖7是采用“圍壩(Dam) +灌注(Fill) ”包封方式的集成微系統(tǒng)的塑封工藝流程示意圖。a)非流動性塑封料圍壩(Dam) ；b)流動性塑封料灌注(Fill)。
具體實施例方式為了能使本發(fā)明的優(yōu)點和效果得到充分體現(xiàn)，下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明實質(zhì)性特點和顯著的進步作進一步說明，但絕非限制本發(fā)明。在圖1中，在硅圓片101上，102是用MEMS工藝制作的MEMS器件，Al金屬引線與焊盤103與MEMS器件形成電連接。在圖2中，硅蓋板圓片201上，通過網(wǎng)板印刷方式印刷玻璃漿料密封環(huán)202。密封環(huán)202與MEMS器件102是相互對應的。在圖3中，帶有MEMS器件的硅圓片101與硅蓋板圓片201對準鍵合。A1金屬引線與焊盤103穿過玻璃漿料鍵合層，實現(xiàn)了密封腔體內(nèi)的MEMS器件可動機構(gòu)104電連接。玻璃漿料密封環(huán)預燒溫度為400-425°C。鍵合溫度峰值為425-450°C，鍵合壓力為200-400mBar。 若要求真空封裝，真空度為1X10_5 lX10_4mBar ；若只是要求氣密封裝，則可以在氮氣或者惰性氣體中進行，燒結(jié)氣氛宜選擇負壓。圖4是在硅蓋板圓片表面貼裝兩個CMOS芯片后形成的三維混合集成封裝單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖。兩個CMOS芯片一個是ASIC芯片301，一個是運放芯片302，將二者的正面貼裝于硅蓋板圓片201上，粘接材料用低溫固化膠203并低溫加熱固化(固化溫度150°C， 固化時間60分鐘)。所謂三維封裝體現(xiàn)在兩個芯片以Chip to Wafer方式疊層在MEMS器件上；所謂混合集成體現(xiàn)在MEMS微系統(tǒng)是通過兩種不同工藝的芯片和器件集成的(兩個 IC芯片是通過CMOS工藝制作的，MEMS器件是通過MEMS加工工藝制作的)。圖5是采用植球工藝制作球柵陣列(BGA)后的有機基板(多拼板)的單元截面結(jié)構(gòu)示意圖。采用鋼網(wǎng)印刷工藝在有機基板401上表面制備有引線鍵合用焊盤402。采用絲網(wǎng)印刷工藝在下表面的BGA焊盤403上印刷無鉛焊料焊膏并植放無鉛焊球(錫球)404后按照高溫回流曲線進行回流固化(回流曲線峰值溫度為290°C )。圖6是采用板上芯片(COB)工藝將分立的集成微系統(tǒng)組裝于有機基板(多拼板) 后的單元截面結(jié)構(gòu)示意圖。用低溫固化膠405將分立的集成微系統(tǒng)用貼裝至基板401上表面相對應的標記位置上，并低溫固化(固化溫度150°C，固化時間60分鐘)，如圖6-a ；然后用引線鍵合工藝將CMOS芯片301和302、MEMS器件和有機基板上的焊盤103、402進行多層鍵合。所謂多層鍵合是指1)兩個CMOS芯片301和302之間通過引線鍵合進行橋連互連； 2)兩個CMOS芯片中的ASIC (301)與有機基板焊盤(402)引線鍵合；3)兩個CMOS芯片中的運放芯片302與MEMS器件焊盤103引線鍵合；4) MEMS器件102與有機基板上的焊盤402引線鍵合，如圖6-b。圖7是采用“圍壩(Dam) +灌注(Fill) ”包封方式的集成微系統(tǒng)的塑封工藝流程示意圖。a)利用自動點膠機在集成微系統(tǒng)四周用非流動性熱塑性塑封料(單組分)圍成一個方形壩501 (壩高大于集成微系統(tǒng)的高度)，固化(固化溫度150°C，固化時間30分鐘)， 形成成型外殼輪廓，如圖7-a ；b)用自動點膠機將流動性好粘度低的塑封料502 (雙組分， 1 1混合比)灌注于方形壩內(nèi)(其厚度與壩高相等)，涂覆整個集成微系統(tǒng)，固化(固化溫度150°c，固化時間35分鐘)。形成低硬度、低應力塑封，如圖7-b。注塑材料要求流動性好，凝固時收縮導致的應力小，能減小MEMS封裝的殘余應力。
權(quán)利要求
1.一種MEMS圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于通過MEMS器件圓片和硅蓋板圓片的鍵合，實現(xiàn)圓片級氣密/真空封裝；采取芯片到圓片疊層方式在硅蓋板圓片表面貼裝互連ASIC和運放IC兩個CMOS芯片，實現(xiàn)CMOS芯片與MEMS器件圓片的三維混合集成； 將分立的集成微系統(tǒng)貼裝在有機基板上并進行塑封保護和引出；ASIC為專用集成電路英文縮寫。
2.按權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于MEMS器件圓片和蓋板圓片的鍵合是通過玻璃漿料低溫鍵合實現(xiàn)的，完成MEMS器件可動部件的保護。
3.按權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于兩個CMOS芯片、MEMS器件以及有機基板之間均通過引線鍵合方式進行多層電氣互連，兩個CMOS芯片之間直接通過引線鍵合方式橋接互連。
4.按權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于引出時引腳的輸出方式為周邊式球柵陣列，球柵陣列是采用植球的方式制備的。
5.按權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于A)兩個CMOS芯片非限定為ASIC和運放芯片，根據(jù)MEMS器件的種類和電路設(shè)計的不同而有變動，從封裝角度可以籠統(tǒng)地設(shè)定兩個CMOS芯片為COMOS 1和CMOS 2 ；B)CMOS芯片的數(shù)量為兩個，但不限于此，取而代之以一個高集成度的信號處理CMOS芯片，在這種情況下，多層電氣互連為CMOS芯片、MEMS器件和有機基板三者之間的多層電氣互連。
6.制備如權(quán)利要求1-5中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于采用芯片到圓片疊層方式，具體工藝步驟是(1)通過玻璃漿料低溫鍵合進行圓片級氣密/真空封裝a.在硅圓片上用MEMS工藝制作MEMS器件，Al金屬引線與焊盤和MEMS器件形成電連接；b.在硅蓋板上用精密絲網(wǎng)印刷機通過網(wǎng)板印刷方式印刷玻璃漿料密封環(huán)；對密封環(huán)在400-425°C范圍內(nèi)進行預燒，去除有機成分及揮發(fā)物；c.在鍵合機內(nèi)在425-450°C溫度范圍內(nèi)和200-400mBar的壓力下將預先對準的硅蓋板和器件圓片進行燒結(jié)，形成氣密/真空腔體；(2)采用芯片到圓片疊層方式進行兩個IC芯片與MEMS圓片的三維混合集成封裝a.完成步驟1后，用低溫固化膠將ASIC和運放IC兩個CMOS芯片正面貼裝于硅蓋板上，并低溫加熱固化；b.利用劃片工藝將疊裝CMOS芯片后的MEMS器件陣列圓片分割為單個分立的集成微系統(tǒng)；(3)采用植球工藝在有機基板的下表面制作周邊式球柵陣列BGAa.采用鋼網(wǎng)印刷工藝在BGA焊盤上印刷無鉛焊料焊膏；b.將無鉛焊球放置在印刷好焊膏的BGA焊盤上；c.將植球后的封裝基板進行按照高溫回流曲線進行回流固化；(4)采用板上芯片工藝將分立的集成微系統(tǒng)組裝于有機基板a.完成步驟2和步驟3后，用低溫固化膠將分立的集成微系統(tǒng)用板上芯片方式貼裝至基板，并低溫加熱固化；b.用引線鍵合工藝將ASIC、運放芯片、MEMS器件和有機基板上的焊盤進行多層鍵合， 將ASIC與運放芯片互連，將CMOS芯片和MEMS器件的輸出端子與基板互連，從而實現(xiàn)上述四者之間的電氣互連；(5)采用“圍壩+灌注”包封方式進行集成微系統(tǒng)的保護封裝a.完成步驟4后，在有機基板上，利用自動點膠機在集成微系統(tǒng)四周用非流動性熱塑性塑封料圍成一個方形壩，固化，形成高硬度的保護外殼；b.用自動點膠機將流動性好粘度低的塑封料灌注于方形壩內(nèi)，涂覆整個集成微系統(tǒng)。 固化，形成低硬度的涂覆層；c.有機基板分割和分片，即成混合集成MEMS。
7.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于a)步驟1中c鍵合在真空環(huán)境下，真空度為1X 10_5 1 X 10_4mBar ；氣密封裝是在氮氣或惰性氣體中進行；b)步驟2中a的固化溫度為150°C，固化時間為60分鐘；c)步驟3所述的有機基板或為多拼板；d)步驟4中a的固化溫度為150°C，固化時間為60分鐘。
8.按權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于①步驟5中a所述的方形壩的壩高大于集成微系統(tǒng)的高度；②步驟5中b所述的方形壩的厚度與高度相等。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種基于Chip to Wafer疊層方式的MEMS圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)及方法，其特征在于通過玻璃漿料低溫鍵合實現(xiàn)MEMS器件圓片和硅蓋板圓片的鍵合，實現(xiàn)圓片級氣密/真空封裝，完成MEMS器件可動部件的保護；采用Chip to Wafer疊層方式在硅蓋板圓片表面貼裝互連ASIC等CMOS芯片，實現(xiàn)ASIC等CMOS芯片與MEMS器件圓片的三維混合集成；將分立的集成微系統(tǒng)貼裝在低成本的有機基板上，采用引線鍵合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多層互連，并采用圍壩(Dam)方式灌注(Fill)低應力塑封料以保護集成微系統(tǒng)，提高環(huán)境可靠性。從而形成高密度、易加工、低成本、低應力和高可靠性的MEMS圓片級三維混合集成封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號B81B7/00GK102241388SQ20111012933
公開日2011年11月16日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月18日
發(fā)明者宓斌瑋, 徐高衛(wèi), 焦繼偉, 羅樂, 陳驍 申請人:中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所