專利名稱：封裝件互連結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于ー種封裝結(jié)構(gòu)，特別是，關(guān)于一種封裝件互連結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
已提供晶圓級封裝來將晶圓堆棧在一起以制造極度緊密的電子封裝件。硅穿孔信道(TSV, through silicon via)エ藝是為使用晶圓級封裝的ー種技術(shù)。其可實(shí)現(xiàn)小型裝置的生產(chǎn)以及晶圓的堆棧以提供整合。雖然TSV可提供較高的可靠度以及較少的寄生效應(yīng)，然而，其需要長的エ藝時(shí)間以蝕刻深孔，例如，大約150μπι的深度。此外，TSV是為相當(dāng)昂貴的技木，且亦產(chǎn)生可能影響良率的高應(yīng)力。此減少生產(chǎn)量以及導(dǎo)致裝置的制造成本増加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是揭露ー種用以形成裝置的方法。該方法包括提供支撐基板，其具有第一主要表面及第ニ主要表面。該方法還包括形成穿過于該支撐基板中的該第一主要表面及該第二主要表面的互連結(jié)構(gòu)。該互連結(jié)構(gòu)具有第一部分及第二部分。該第一部分自該第一主要表面或該第二主要表面中的一者延伸，該第二部分自該第一主要表面或第二主要表面中的另ー者延伸。該互連結(jié)構(gòu)包括部分的穿孔栓塞，該穿孔栓塞包含于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中的導(dǎo)電材料。該穿孔栓塞具有底部，底部是位于該第一部分及該第二部分的接ロ的附近。以第一極性類型的摻雜物重?fù)诫s該互連結(jié)構(gòu)的該第二部分。在一實(shí)施例中，是揭露ー種形成半導(dǎo)體封裝件的方法。該方法包含提供支撐基板，其具有第一及第ニ主要表面。該方法亦包括形成互連結(jié)構(gòu)，其穿過該支撐基板中的該第一及第ニ主要表面。該互連結(jié)構(gòu)具有第一及第二部分。該第一部分自該第一或第二主要表面中的一者延伸，該第二部分自該第一或第二主要表面中的另ー者延伸。該互連結(jié)構(gòu)包括部分的穿孔栓塞，該穿孔栓塞具有于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中的導(dǎo)電材料。該穿孔栓塞具有底部，底部是位于該第一部分及該第二部分的接ロ的附近。以第一極性類型的摻雜物重?fù)诫s該互連結(jié)構(gòu)的第二部分。該方法還包括在該支撐基板上設(shè)置半導(dǎo)體裝置。在另ー實(shí)施例中，是揭露ー種裝置。該裝置包括支撐基板，其具有第一及第ニ主要表面。該裝置亦包括互連結(jié)構(gòu)，其穿過該支撐基板中的該第一及第ニ主要表面。該互連結(jié)構(gòu)具有第一及第二部分。該第一部分自該第一或第二主要表面中的一者延伸，該第二部分自該第一或第二主要表面中的另ー者延伸。該互連結(jié)構(gòu)包括部分的穿孔栓塞，該穿孔栓塞包含于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中的導(dǎo)電材料。該穿孔栓塞具有底部，底部是位于該第一部分及該第二部分的接ロ的附近且以第一極性類型的摻雜物重?fù)诫s該互連結(jié)構(gòu)的第二部分。在此處所揭露的該些實(shí)施例與其它優(yōu)點(diǎn)及特征，將經(jīng)由參照下列敘述以及附加圖標(biāo)而變得顯而易見。此外，應(yīng)了解到，在此處所述的各種實(shí)施例的特征并不會互相排斥，且可以存在于各種組合及排列中。


圖式中，類似引用符號于不同圖式中是參照為相同組件。再者，圖式并非為實(shí)際比例，其強(qiáng)調(diào)本發(fā)明的原理并非放在圖式上。在下列敘述中，本發(fā)明的各種實(shí)施例是伴隨下列圖式敘述，其中圖Ia至Id顯示裝置各種實(shí)施例的剖面圖；圖2a及2b顯示互連結(jié)構(gòu)實(shí)施例的剖面圖及俯視圖；圖3顯示互連結(jié)構(gòu)實(shí)施例的電路模型；以及圖4a至4k顯示形成裝置的エ藝實(shí)施例的剖面圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例大體上是關(guān)于裝置。舉例而言，裝置可為半導(dǎo)體裝置。在其它實(shí)施例中，裝 置可為包括微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electromechanical system,MEMS)以及半導(dǎo)體或集成電路裝置的混合型裝置。MEMS裝置可為各種類型的MEMS裝置，例如射頻MEMS或生物MEMS。亦可使用其它類型的MEMS裝置。特別是，實(shí)施例是關(guān)于有助于裝置封裝的互連結(jié)構(gòu)。舉例而言，可在晶圓級封裝技術(shù)中運(yùn)用實(shí)施例。舉例而言，可將裝置整合至例如加速度計(jì)、陀螺儀或共鳴器的產(chǎn)品內(nèi)。亦可使用其它類型的產(chǎn)品。圖Ia至Id顯示裝置100的各種實(shí)施例的部分的剖面圖。舉例而言，此部分可為裝置的一半。參閱圖la，是提供支撐基板120。支撐基板可作為處理基板(handlersubstrate)或處理晶圓。例如，處理基板可為裝置的封裝件或部分封裝件。至于處理晶圓，其可用作晶圓級封裝。在一些實(shí)施例中，支撐基板可為MEMS裝置。支撐基板包括第一主要基板表面122以及第二主要基板表面124。舉例而言，第一主要表面是為頂面，而第二主要表面是為底面。例如，頂面可提供半導(dǎo)體或集成電路裝置安裝于其上的表面。在一實(shí)施例中，支撐基板包含半導(dǎo)體材料，例如結(jié)晶材料。例如，支撐基板包含硅。其它類型的半導(dǎo)體材料，例如鍺化硅、鍺、神化鎵或任何其它適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料，包括后來發(fā)展出的材料，亦可使用作為支撐基板。舉例而言，對于200mm的晶圓，處理基板的厚度可在大約150至725 μ m的范圍。提供具有其它厚度的處理基板亦是有用的。支撐基板可摻雜具有極性的摻雜物。例如，基板可摻雜P型或η型摻雜物。P型摻雜物可包括硼、鋁、銦或其組合，而η型摻雜物可包括磷、神、銻或其組合。在其它實(shí)施例中，基板可為本質(zhì)基板。在一實(shí)施例中，處理基板可為重?fù)诫s基板。在一實(shí)施例中，基板包含重?fù)诫sη型(η+)基板。亦可使用提供的重?fù)诫sP型(Ρ+)基板?；宓膿诫s物濃度應(yīng)足以提供低薄膜電阻(sheet resistance)。在一實(shí)施例中，摻雜物濃度應(yīng)足以提供大約O. 05 Ω cm或更低的薄膜電阻。亦可使用提供具有其它薄膜電阻值的基板。第一主要基板表面及第ニ主要基板表面是具有第一表面介電層132以及第二表面介電層134。舉例而言，介電層可為硅氧化物。亦可使用例如氮化硅的其它形式介電材料作為介電層。應(yīng)了解到第一介電層以及第ニ介電層不需要以相同材料形成。第一基板表面包括形成于第一導(dǎo)電軌跡140 (conductive traces)上的第一接觸襯墊146。舉例而言，第一接觸襯墊的排列及布局有助于電性耦合接觸安裝于第一基板表面上的半導(dǎo)體裝置。例如，第一接觸襯墊布局有助于連接接觸覆晶芯片(flip chip)。亦可使用第一接觸襯墊布局透過打線連接技術(shù)以有助于連接其它形式的芯片。第二基板表面包括形成于第二導(dǎo)電軌跡150上的第二接觸襯墊156。封裝接觸160，例如傳導(dǎo)接觸球，是形成于第二接觸襯墊上。舉例而言，封裝接觸可包含焊錫球。亦可使用其它形式的封裝接觸。第二接觸襯墊的排列或布局可形成球格數(shù)組(ball grid array,BGA)格式。亦可使用提供的第二接觸襯墊布局的其它形式以提供其它封裝接觸組態(tài)。接觸襯墊以及導(dǎo)電軌跡可由導(dǎo)電材料形成，例如銅或銅合金。使用其它形式的導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電軌跡以及接觸襯墊亦可使用。導(dǎo)電軌跡以及接觸襯墊亦通過表面介電層與支撐基板隔離?；ミB結(jié)構(gòu)170是設(shè)置于基板上，以提供第一主要表面及第ニ主要表面上第一及第ニ導(dǎo)電軌跡之間的電性連接。此允許第一接觸襯墊電性耦合至第二接觸襯墊以及封裝接觸。電性軌跡可作為重新分配層(redistribution layers)以有助于第一及第ニ表面上所需的第一及第ニ接觸襯墊布局。互連結(jié)構(gòu)通常在各自的第一及第ニ接觸襯墊之間提供電性連接。舉例而言，互連 結(jié)構(gòu)提供電性連接至基板的ニ個(gè)表面。在一些例子中，互連結(jié)構(gòu)可提供互相連接至表面上超過ー個(gè)的接觸襯墊。例如，ー些接觸襯墊可為表面上共同的接觸。在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)是通過互連結(jié)構(gòu)介電層166而與支撐基板的其它組件隔離。舉例而言，互連結(jié)構(gòu)介電層可為硅氧化物。亦可使用其它形式的介電材料作為互連結(jié)構(gòu)介電層。在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)介電層圍繞互連結(jié)構(gòu)以及從基板的第一主要表面延伸至第二主要表面?；ミB結(jié)構(gòu)可具有矩形剖面形狀。舉例而言，剖面的直徑可為大約40 μ m。亦可使用提供具有其它剖面形狀或尺寸的互連結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)包含基板的摻雜區(qū)域。在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)是為重?fù)诫s的互連結(jié)構(gòu)區(qū)域。例如，互連結(jié)構(gòu)是為具有第一極性摻雜物的重?fù)诫s互連結(jié)構(gòu)區(qū)域。第ー極性可為η型，形成重?fù)诫sη型(η+)互連結(jié)構(gòu)區(qū)域。亦可使用提供的重?fù)诫sP型(P+)互連結(jié)構(gòu)區(qū)域。重?fù)诫s區(qū)域的摻雜物濃度應(yīng)足以提供低薄膜電阻。在一實(shí)施例中，摻雜物濃度應(yīng)足以提供大約O. 05 Ω cm或更低的薄膜電阻。亦可使用提供具有其它薄膜電阻值的基板。在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)可具有與支撐基板相同的摻雜物形式以及濃度。例如，基板包含具有第一極性類型摻雜物的重?fù)诫s基板。在一實(shí)施例中，基板可為用于η—互連結(jié)構(gòu)的η—摻雜基板。在其它實(shí)施例中，支撐基板可具有相較于互連結(jié)構(gòu)區(qū)域，不同摻雜物濃度的不同極性類型摻雜物。例如，基板相較于互連結(jié)構(gòu)可為本質(zhì)或具有不同摻雜物或不同摻雜濃度的摻雜。此例中，互連結(jié)構(gòu)可通過例如使用植入物掩模(implant mask)的離子布值分別地?fù)诫s?；ミB結(jié)構(gòu)包括第一部分171及第二部分172。第一部分是來自于基板的主要表面中的一者，第二部分是來自于基板的主要表面中的另ー者?；ミB結(jié)構(gòu)的第一及第ニ部分的接ロ 173是設(shè)置于基板內(nèi)?；ミB結(jié)構(gòu)的第一部分包括至少ー個(gè)部分導(dǎo)電穿孔栓塞176。部分導(dǎo)電穿孔栓塞具有自基板的主要表面中的一者延伸的表面末端。部分導(dǎo)電穿孔栓塞具有表面末端以及內(nèi)部末端。舉例而言，部分穿孔的表面末端是大約與支撐基板的表面共平面。在一實(shí)施例中，表面末端是耦合至基板表面上的導(dǎo)電軌跡。部分導(dǎo)電穿孔栓塞的內(nèi)部末端是大約設(shè)置于互連結(jié)構(gòu)的第一及第ニ部分的接ロ 173附近。就其本身而論，部分導(dǎo)電穿孔栓塞并未自ー個(gè)主要表面延伸至其它主要表面。如圖所示，第一部分是為互連結(jié)構(gòu)的上面部分。例如，第一部分是由基板的上(或第一)表面形成。在其它實(shí)施例中，第一部分可為互連結(jié)構(gòu)的下面部分。例如，第一部分是由基板的下(或第二)表面形成。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電穿孔栓塞或多個(gè)栓塞包含摻雜有與互連結(jié)構(gòu)區(qū)域相同的極性類型摻雜物的多晶硅。例如，多晶硅栓塞是摻雜第一極性類型摻雜物。第一極性類型可為η型(η)或ρ型(ρ)。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電穿孔栓塞包含重?fù)诫s有第一極性類型摻雜物的多晶硅。例如，導(dǎo)電穿孔栓塞可重?fù)诫s有η型(η+)或ρ型(ρ+)多晶硅穿孔栓塞。使用的多晶硅可實(shí)現(xiàn)穿孔第一方法以及在高溫エ藝中使用。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電穿孔栓塞可包含導(dǎo)電材料，例如，銅、鎢或鋁。亦可使用提供的其它形式導(dǎo)電材料。材料可根據(jù)使用于エ藝中的溫度選擇?；ミB結(jié)構(gòu)的第二部分包含重?fù)诫s有第一極性類型摻雜物的基板材料?；ミB結(jié)構(gòu)的重?fù)诫s部分在部分導(dǎo)電穿孔栓塞以及互連結(jié)構(gòu)區(qū)域的基板材料之間形成電性連接。此在第 一及第ニ基板表面上第一及第ニ電性軌跡之間建立電性連接，而不需通過自支撐基板的一個(gè)主要表面延伸至另ー個(gè)主要表面的接觸栓塞。圖Ib顯示裝置100的另ー實(shí)施例。裝置是類似于圖Ia所述的裝置。類似的參考編號是標(biāo)示為類似組件。類似組件不需詳細(xì)討論。如圖所示，是提供支撐基板120。例如，支撐基板包含半導(dǎo)體材料且作為處理基板。在一實(shí)施例中，支撐基板包含具有空腔128的空腔基板?？涨换蹇衫缬糜谛纬衫缟漕lMEMS或Inertial MEMS的MEMS裝置。亦可使用形成MEMS裝置的其它形式。例如，MEMS裝置是整合至例如麥克風(fēng)、壓カ傳感器或能量采集器的產(chǎn)品內(nèi)。MEMS裝置亦可使用于其它型式的產(chǎn)品。在一實(shí)施例中，空腔基板包括主要或主體基板121，其具有空腔128以及表面基板123。主體基板可選擇地通過埋藏介電層126分離。例如此種組態(tài)，建立例如絕緣體上硅(silicon on insulator, SOI)基板的絕緣體上結(jié)晶(crystalline on insulator, C0I)基板。亦可使用其它形式的COI基板。COI基板可包括形成MEMS裝置的特征及裝置層。支撐基板包括如圖Ia所示的第一主要表面122上的第一接觸襯墊146以及第ー導(dǎo)電軌跡140、第二主要表面124上具封裝接觸160的第二接觸襯墊156及第ニ導(dǎo)電軌跡150以及互連結(jié)構(gòu) 170。圖Ic至Id顯示裝置100的其它實(shí)施例。如圖所示，裝置包括支撐基板，類似于圖Ia-Ib所示。類似的參考編號是標(biāo)示為類似組件。類似組件不需詳細(xì)討論。參閱圖lc-ld，是提供支撐基板120。支撐基板包含例如半導(dǎo)體材料且作為處理基板。在一實(shí)施例中，支撐基板包含具有空腔128的空腔基板，如圖Id所示。支撐基板可為MEMS裝置。支撐基板包括第一主要表面122上的第一接觸襯墊146以及第ー導(dǎo)電軌跡140、第二主要表面124上具有封裝接觸160的第二接觸襯墊156及第ニ導(dǎo)電軌跡150以及互連結(jié)構(gòu)170。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置110是安裝于支撐基板的第一表面上。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置可固定至使用共晶結(jié)合182的支撐基板上。共晶結(jié)合可包含例如鋁、銅、金、銀、銦、錫、鍺、焊錫、硅或其中組合的材料。在一些實(shí)施例中，共晶結(jié)合可包含鋁鍺或硅鎳。共晶結(jié)合可作為支撐基板以及半導(dǎo)體裝置之間的互連結(jié)構(gòu)。此外，共晶結(jié)合可形成支撐基板以及半導(dǎo)體裝置之間的密封，作為密封連結(jié)。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置可固定至使用例如BCB、SU8或具有硅奈米粒子的SU8的粘著結(jié)合的支撐基板上。亦可根據(jù)エ藝需求使用提供的其它粘著劑或結(jié)合方法，例如玻璃粉末。舉例而言，半導(dǎo)體裝置是為覆晶。覆晶包括接觸表面上的芯片接觸。芯片接觸可以例如列的方式排列，例如単一或一對排成一直線的覆晶。在其它實(shí)施例中，芯片接觸可以BGA格式的方式排列。亦可使用其它組態(tài)排列芯片接觸。芯片接觸是與支撐基板上的第一接觸襯墊緊密配合。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置可為其它形式的半導(dǎo)體裝置。例如，半導(dǎo)體裝置可包括結(jié)合襯墊。結(jié)合襯墊可通過例如打線結(jié)合耦合至支撐基板的第一接觸襯墊。亦可使用耦合半導(dǎo)體裝置至支撐基板的其它技木。圖2a至2b顯示互連結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)的實(shí)施例的剖面圖及俯視圖?；ミB結(jié)構(gòu)自基板120的第一及第ニ主要表面122，124延伸?；ミB結(jié)構(gòu)提供例如組件之間的電性連接，例如第一及第ニ主要表面上的電性軌跡?；ミB結(jié)構(gòu)介電層166圍繞互連結(jié)構(gòu)以絕緣互連結(jié)構(gòu)與支撐 基板的其它組件。如圖所示，互連結(jié)構(gòu)包含矩形剖面形狀。亦可使用其它剖面形狀的的互連結(jié)構(gòu)。互連結(jié)構(gòu)剖面的直徑可為大約40 μ m。亦可使用其它尺寸的互連結(jié)構(gòu)。互連結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s有摻雜物。在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s有第一極性類型摻雜物。互連結(jié)構(gòu)包括第一部分171及第二部分172。如圖所示，第一部分是由基板的第一主要表面形成，第二部分是由基板的第二主要表面形成。互連結(jié)構(gòu)的第一及第ニ部分的接ロ 173是設(shè)置于基板內(nèi)?；ミB結(jié)構(gòu)的第一部分至少包括一部分導(dǎo)電穿孔栓塞176。在一實(shí)施例中，第一部分包括多個(gè)部分導(dǎo)電穿孔栓塞176^176”部分導(dǎo)電穿孔栓塞具有自主要表面延伸的表面末端以及大約于互連結(jié)構(gòu)第一及第二部分的接ロ附近的內(nèi)部末端。穿孔栓塞可具有例如圖2a圖所示的矩形剖面形狀。亦可使用提供的其它形狀或不同剖面形狀的組合。選擇的剖面形狀應(yīng)有助于形成無空隙穿孔栓塞(void free via plugs)。例如,剖面形狀有助于形成多晶硅穿孔栓塞或其它導(dǎo)電材料的穿孔栓塞。穿孔栓塞的剖面可具有例如大約Iym的尺寸。亦可使用其它尺寸的剖面。穿孔栓塞可以數(shù)組組態(tài)排列。例如，穿孔栓塞可以MXN矩陣排列。如圖2b所示，穿孔栓塞是以5X5(M = 5，N = 5)矩陣排列。應(yīng)了解到N不需要等于M。亦可使用穿孔栓塞的其它組態(tài)。例如，列不需要具有如其它列相同數(shù)量的穿孔栓塞，或者行不需要具有如其它列相同數(shù)量的穿孔栓塞。在一實(shí)施例中，部分穿孔栓塞包含多晶娃。多晶娃是重?fù)诫s有第一極性類型摻雜物。第一極性類型的摻雜物濃度是根據(jù)例如設(shè)備能力。使用的多晶硅有助于兼容于前端エ藝。例如，通過兼容前端エ藝，亦可實(shí)施高溫エ藝。在一實(shí)施例中，部分穿孔栓塞包含其它型式的導(dǎo)電材料，例如銅、銅合金、鋁、鎢及/或其中的組合。亦可根據(jù)エ藝以及溫度需求使用其它形式的導(dǎo)電材料。應(yīng)了解到不同互連結(jié)構(gòu)的穿孔栓塞不需要包含相同材料。例如，一些互連結(jié)構(gòu)可由摻雜多晶硅形成，而其它的互連結(jié)構(gòu)可由其它型式的導(dǎo)電材料形成。類似地，在一些例子中，互連結(jié)構(gòu)的穿孔栓塞不需全部包含相同材料。舉例而言，第一及第ニ部分的接ロ的位置是決定部分穿孔栓塞的深度。舉例而言，穿孔栓塞的深度可為大約2μπ 至200μπι的范圍。例如，穿孔栓塞的深度可為大約80 μ m。亦可使用穿孔栓塞的其它深度。穿孔栓塞的尺寸，例如剖面、尺寸以及深度可取決于設(shè)計(jì)需求，例如穿孔栓塞的阻抗。阻抗可取決于例如材料、摻雜物的濃度(若合適)、穿孔栓塞的剖面尺寸及深度。此外，互連結(jié)構(gòu)的整體阻抗是考慮到有關(guān)互連結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。包括例如穿孔栓塞的阻抗、穿孔栓塞的數(shù)量以及基板材料及摻雜濃度。如圖所示，包含穿孔栓塞或多個(gè)穿孔栓塞的第一部分是設(shè)置于互連結(jié)構(gòu)的上面部分。例如，第一部分是由基板的上(或第一)表面形成。在其它實(shí)施例中，第一部分可為互連結(jié)構(gòu)的下面部分。例如，第一部分是由基板的下(或第二)表面形成。此外，應(yīng)了解到支撐基板的所有互連結(jié)構(gòu)不需具有相同的穿孔栓塞布局。例如，不同的互連結(jié)構(gòu)可以根據(jù)例如設(shè)計(jì)需求提供不同的穿孔栓塞布局。圖3顯不互連結(jié)構(gòu)170實(shí)施例的電路模型。描繪介于互連結(jié)構(gòu)的第一末端141以及第ニ末端151之間的各種阻抗組件。第一末端是為互連結(jié)構(gòu)的部分第一部分171,第二末端是為互連結(jié)構(gòu)的部分第二部分172。
在一實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)的第一部分包括并聯(lián)耦合的多個(gè)第一阻抗組件R1-Ritl第ー阻抗組件是對應(yīng)于穿孔栓塞176^176,。包括單ー栓塞的第一部分的例子中，第一部分包括単一第一阻抗組件。第一阻抗組件或組件是與互連結(jié)構(gòu)第二部分的第二阻抗組件串聯(lián)耦合。第二阻抗組件對應(yīng)于基板材料Rsub的阻杭。例如，第二阻抗組件對應(yīng)于整個(gè)互連結(jié)構(gòu)第二或下面部分的阻杭?；ミB結(jié)構(gòu)第一及第ニ末端之間的總阻抗可通過如下的方程式I定義
R
權(quán)利要求
1.一種用以形成裝置的方法，包括 提供具有第一及第ニ主要表面的支撐基板；以及 形成穿過該支撐基板中的該第一及第ニ主要表面的互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)具有第一及第二部分，該第一部分自該第一或第二主要表面中的一者延伸，且該第二部分自該第一及第二主要表面中的另ー者延伸，其中，形成該互連結(jié)構(gòu)包含 于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中形成包括導(dǎo)電材料的部分穿孔栓塞，該穿孔栓塞具有大約位于該第一及第ニ部分的接ロ的底部；以及 于該互連結(jié)構(gòu)的第二部分設(shè)置具有第一極性類型的摻雜物的重?fù)诫s第二部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，該導(dǎo)電材料包括多晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中，該多晶娃摻雜有該第一極性類型的摻雜物。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，該第一極性類型為η型。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括形成圍繞該互連結(jié)構(gòu)的隔離溝槽，以將該互連結(jié)構(gòu)與該支撐基板的部分隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，包括以介電材料填充該隔離溝槽，其中，該介電材料填充該隔離溝槽且位于該支撐基板的該第一主要表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括移除在該支撐基板上的過量介電材料，以形成在該支撐基板的該第一主要表面上的平坦的第一表面介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，該部分穿孔栓塞是通過深度反應(yīng)離子蝕刻所形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，形成部分穿孔栓塞包括 圖案化該支撐基板以形成部分通孔； 將導(dǎo)電材料沉積于該支撐基板上并填充該部分通孔；以及 移除該支撐基板上的過量導(dǎo)電材料，以留下耦合至該部分穿孔栓塞的穿孔襯墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,包括在該第一表面介電層上形成介電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，包括在該介電層中形成接觸開ロ，以暴露該穿孔村墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，包括在該介電層上形成耦合至該穿孔襯墊的導(dǎo)電軌跡。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，包括于該支撐基板上附接半導(dǎo)體裝置。
14.ー種形成半導(dǎo)體封裝件的方法，包括 提供具有第一及第ニ主要表面的支撐基板； 形成穿過該支撐基板中的該第一及第ニ主要表面的互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)具有第一及第二部分，該第一部分自該第一或第二主要表面中的一者延伸，且該第二部分自該第一及第二主要表面中的另ー者延伸，其中，形成該互連結(jié)構(gòu)包含 于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中形成包括導(dǎo)電材料的部分穿孔栓塞，該穿孔栓塞具有大約位于該第一及第ニ部分的接ロ的底部；以及 于該互連結(jié)構(gòu)的第二部分設(shè)置具有第一極性類型的摻雜物的重?fù)诫s第二部分；以及 在該支撐基板上設(shè)置半導(dǎo)體裝置。
15.ー種裝置,包括支撐基板，具有第一及第ニ主要表面； 互連結(jié)構(gòu)，穿過該支撐基板中的該第一及第ニ主要表面，該互連結(jié)構(gòu)具有第一及第ニ部分，該第一部分自該第一或第二主要表面中的一者延伸，且該第二部分自該第一及第ニ主要表面中的另ー者延伸，其中，該互連結(jié)構(gòu)包含 部分穿孔栓塞，包括位于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中的導(dǎo)電材料，該穿孔栓塞具有大約位于該第一及第ニ部分的接ロ的底部，且 該互連結(jié)構(gòu)的第二部分重?fù)诫s有第一極性類型的摻雜物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，該導(dǎo)電材料包括多晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中，該多晶硅摻雜有該第一極性類型的摻雜物。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，該第一極性類型為η型。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，包括隔離溝槽，該隔離溝槽圍繞該互連結(jié)構(gòu)，以將該互連結(jié)構(gòu)與該支撐基板的部分隔離。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，該隔離溝槽包含介電材料。
全文摘要
一種封裝件互連結(jié)構(gòu)。是提供支撐基板，其具有第一主要表面及第二主要表面?；ミB結(jié)構(gòu)是形成穿過于該支撐基板中的該第一主要表面及該第二主要表面?；ミB結(jié)構(gòu)具有第一部分及第二部分。該第一部分自該第一主要表面或第二主要表面中的一者延伸，該第二部分自該第一主要表面及第二主要表面中的另一者延伸?；ミB結(jié)構(gòu)包括部分的穿孔栓塞，穿孔栓塞具有于該互連結(jié)構(gòu)的第一部分中的導(dǎo)電材料。穿孔栓塞具有底部，底部是位于該第一部分及該第二部分的接口的附近。以第一極性類型的摻雜物重?fù)诫s該互連結(jié)構(gòu)的第二部分。
文檔編號B81C1/00GK102693936SQ20111041948
公開日2012年9月26日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月21日
發(fā)明者P·R·耶勒漢卡, P·奇拉亞瑞卡帝維度?？ɡとR, R·K·科特蘭特, R·庫馬爾 申請人:新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司