專利名稱：用于在襯底中制造斜面的方法和具有斜面的晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種尤其是借助用于半導(dǎo)體工藝的平面加工技術(shù)在襯底中制造斜面的方法，以及一種具有集成在襯底中、尤其是用于遮蓋微機(jī)械元件的斜面的晶片。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，可以通過層的沉積以及其隨后的結(jié)構(gòu)化或者通過體材料 (Bulk-Material)的蝕刻工藝，在襯底上或者在襯底中制造平面的結(jié)構(gòu)元件。所述技術(shù)稱作平面技術(shù)。平面技術(shù)中的一個方面涉及制造非平面的結(jié)構(gòu)，例如斜面或曲面。在現(xiàn)有技術(shù)中已知了用于解決這一問題的不同方法。在US 5，174，587中說明了一種傾斜蝕刻工藝，其中，在預(yù)給定的高溫下使光刻膠層流動，以便構(gòu)造傾斜的光刻膠邊，然后在隨后的蝕刻步驟中將其與位于其下方的襯底一起蝕刻成傾斜的平面。US 2005/0257709A1公開了一種方法,在所述方法中，襯底上的光學(xué)的或衍射的兀件由待結(jié)構(gòu)化的層遮蓋，以及通過掩膜層曝光光學(xué)元件上的待結(jié)構(gòu)化的層。光學(xué)元件反射曝光，并且將光以一角度投射到待結(jié)構(gòu)化的層的其他區(qū)域之中，從而構(gòu)造傾斜的曝光區(qū)域。US 2002/0135717A1公開了一些方法，借助于這些方法可以通過在待結(jié)構(gòu)化的襯底元件上沉積有機(jī)層來構(gòu)造斜面。此外還公開了一些光刻方法，例如灰色調(diào)或半色調(diào)光刻法，其可以用于在襯底中制造經(jīng)不同程度結(jié)構(gòu)化的區(qū)域。在此，掩膜層相對較薄，并且可以如此選擇掩膜材料，使得在蝕刻時僅僅出現(xiàn)很少的剝蝕量，例如通過掩膜材料相對于待蝕刻的襯底的高蝕刻選擇性。尤其是當(dāng)具有微鏡的微機(jī)電系統(tǒng)由窗口遮蓋時，往往需要斜面，以便使光源的散射光和不期望的反射遠(yuǎn)離微鏡或者投影圖像。迄今由文獻(xiàn)US 2006/1076539A1和US 2007/0024549A1公開了一種方法，在所述
方法中將具有斜面的、預(yù)成型的遮蓋物置于微鏡陣列上。DE 10 2008 012 384A1公開了一種用制造具有斜面的玻璃晶片的方法，所述玻璃晶片可以作為微鏡的遮蓋物。然而，對于在平面技術(shù)領(lǐng)域中實現(xiàn)適于斜面和/或曲面的大批量制造的方法，期望提供更加高效且成本低廉的方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在權(quán)利要求I中限定的本發(fā)明的基本構(gòu)思是說明一種用于在襯底中制造斜面的方法，借助所述方法可精確地并且在尺寸方面——例如傾斜度、高度或曲率方面可變地并且靈活地制造斜面或曲面。另一構(gòu)思涉及在權(quán)利要求7限定的晶片，其具有集成在襯底中的斜面，所述斜面可以按照根據(jù)本發(fā)明的方法制造，以便提供用于微機(jī)械元件的遮蓋曰Br 曰曰/T o根據(jù)一種實施方式，用于在襯底中制造斜面的方法包括在襯底的兩個主表面上構(gòu)造凹槽，分別直至其總和大于襯底的厚度的深度，即直至凹槽如此深以至于襯底被兩個凹槽穿透。在此，在第一面積區(qū)域中從第一主表面起制造一個凹槽，以及在第二面積區(qū)域中從第二主表面起制造另一個凹槽，使得第一面積和第二面積沿著襯底的主表面的面法線不重合，即兩個面在橫向上彼此相對偏移。通過所述方式有利地在凹槽的相互對置的側(cè)面上形成階梯狀(terrassenartig)的襯底凸起。然后在主表面上在凹槽上方分別施加柔性膜片。 如果隨后在凹槽內(nèi)相對于外部壓強(qiáng)建立低壓，則柔性膜片分別朝著凹槽的方向拱起，直至其朝向襯底的表面基本上在凹槽的中間彼此接觸。本方法的優(yōu)點在于，通過低壓使柔性膜片在凹槽的邊緣區(qū)域內(nèi)緊貼到襯底的外棱邊上，尤其是緊貼在襯底凸起上，這些襯底凸起對于彼此接觸的膜片表面的構(gòu)成的面在凹槽內(nèi)形成緊固點。由此可以有利地實現(xiàn)構(gòu)成的面相對于襯底的主表面傾斜。根據(jù)本發(fā)明的方法的另一優(yōu)點在于，可以簡單地通過確定在襯底中開設(shè)的凹槽的尺寸來調(diào)節(jié)凹槽內(nèi)的斜面的傾斜度、延伸和高度。此外可以有利地借助平面技術(shù)來制造凹槽，從而根據(jù)本發(fā)明的用于制造斜面的方法與平面技術(shù)工藝兼容。由此，本方法適于大批量制造、高效且成本低廉。在根據(jù)本發(fā)明的方法中，同樣有利的是，可以在基本上不改變制造工藝的情況下構(gòu)造多個傾斜的幾何結(jié)構(gòu)，對于斜面可以使用很多不同于襯底材料的材料，并且可以非常精確并且平整地構(gòu)造斜面。根據(jù)一種實施方式，在凹槽內(nèi)建立低壓，其方式是，在真空中將柔性膜片施加到襯底上，然后將具有嚴(yán)密地封閉的凹槽的襯底置于常壓環(huán)境中，從而已經(jīng)由制造決定地在凹槽內(nèi)形成低壓。由此可以有利地實現(xiàn)斜面自已布置和穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供具有襯底的晶片，所述襯底具有第一主表面、第二主表面和厚度，所述第二主表面與所述第一主表面相互對置，其中，所述襯底具有延伸穿過襯底厚度的空隙，所述空隙具有第一橫向限界邊和第二橫向限界邊，所述第二橫向限界邊與所述第一橫向限界邊相互對置。在此，所述晶片包括第一襯底凸起和第二襯底凸起，所述第一襯底凸起在第一主表面的高度上從第一橫向限界邊起伸到空隙中，所述第二襯底凸起在第二主表面的高度上從第二橫向限界邊起伸到空隙中。第一和第二襯底凸起構(gòu)成膜片元件的緊固點，所述膜片元件從第一襯底凸起延伸至第二襯底凸起并且在空隙區(qū)域內(nèi)定義一表面，所述表面與第一主表面成一角度，即相對于第一主表面傾斜。在此特別有利的是，襯底是硅襯底，并且膜片元件包括在光學(xué)范圍內(nèi)透明的硼硅酸鹽玻璃。由此可以實現(xiàn)晶片具有透光的、傾斜的窗口，所述窗口適于遮蓋微機(jī)械元件、尤其是微鏡，因為其可以有效地禁止干擾性的散射輻射和反射輻射。在從屬權(quán)利要求中說明了其他實施方式和改進(jìn)方案。只要合理，可以任意組合以上構(gòu)型和改進(jìn)方案。本發(fā)明的其他可能構(gòu)型、改進(jìn)方案和實現(xiàn)也包括沒有明確提到的、以上或以下參照實施例描述的本發(fā)明特征的組合。


以下借助在附圖中示出的實施例詳細(xì)地闡述本發(fā)明。
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圖Ia-If示出根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的方法過程的示意圖；圖2a示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的襯底的表面結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2b_2d示出在附圖2a中示出的襯底的表面結(jié)構(gòu)的截面圖；圖3以俯視圖示出借助于根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的方法制造的斜面的示意圖；圖3a以橫截面視圖示出借助本發(fā)明的另一實施方式的方法制造的斜面的示意圖；圖4示出借助于根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的方法制造的晶片的示圖。只要沒有另作說明，在附圖中相同的和功能相同的元件、特征和組件分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記?？梢岳斫?，出于簡明易懂的原因，在附圖中不一定按照比例反映組件和元件。
具體實施例方式在圖Ia-If中示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的方法過程。圖Ia示出襯底11，其具有第一主表面12和第二主表面13，所述第二主表面13與所述第一主表面12彼此對置地設(shè)置。襯底11具有厚度14。在襯底11中，在第一主表面12 一側(cè)開設(shè)第一凹槽102以及在第二主表面13 —側(cè)開設(shè)第二凹槽103。在此，凹槽102、103 可以(在此示例性示出地)具有矩形的橫截面，其中，其他任意橫截面形狀同樣是可能的。襯底11可以例如由硅制成或者含有硅。然而，對于襯底11也可以使用其他任意襯底材料。例如可以在平面技術(shù)中通過溝槽蝕刻或者借助氫氧化鉀(KOH)的蝕刻開設(shè)凹槽 102、103。在此得到方形的凹槽102、103。第二主表面13上的第二個凹槽103的區(qū)域在其橫截面的橫向延展方面相對于第一凹槽102的區(qū)域橫向錯開。換句話說，襯底11中的方形凹槽103中的側(cè)邊相對于襯底11 中的方形凹槽102的側(cè)邊橫向錯開。但在此也可以規(guī)定，第二凹槽103的區(qū)域具有與第一凹槽102的區(qū)域相同的形狀和尺寸，例如邊長分別相同的矩形形狀。附圖Ib示出在構(gòu)造凹槽102和103之后的襯底11。在此，已經(jīng)在襯底11中構(gòu)造了直至深度104的第一凹槽102以及在襯底11中構(gòu)造了直至深度105的第二凹槽103。在此，例如可以通過蝕刻工藝的持續(xù)時間來控制深度104和105。在此規(guī)定，深度104和105 的深度延伸(Tiefenerstreckung)的總和大于或等于襯底的厚度14,由此確保了凹槽102 和103的底部在襯底11的中間彼此相碰并且在此在凹槽102和103的區(qū)域中產(chǎn)生穿透襯底的穿孔。附圖Ic示出在繼續(xù)蝕刻凹槽102和103之后的襯底11。在襯底11中構(gòu)造穿孔之后，可以繼續(xù)蝕刻凹槽102和103，從而可以構(gòu)造襯底凸起107和108。通過構(gòu)造從襯底11 的第一主表面12直至小于襯底11的厚度14的深度104的第一凹槽102產(chǎn)生第一襯底凸起107。第一襯底凸起107的厚度等于厚度14減去深度104。通過構(gòu)造從襯底11的第二主表面12直至小于襯底11的厚度14的深度105的第二凹槽103產(chǎn)生第二襯底凸起108。 第二襯底凸起108的厚度等于厚度14減去深度105，并且第二襯底凸起108在對角線方向上越過穿孔的延伸和兩個凹槽102和103的橫截面的重疊區(qū)域的延伸與第一襯底凸起107 相互對置。
附圖Id示出在根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的另一方法步驟之后的襯底11。在第一凹槽102上方在第一主表面12上施加第一柔性膜片元件118以及在第二凹槽102上方在第二主表面12上施加第二柔性膜片元件117。柔性膜片元件117、118例如可以是塑料薄膜。但對于柔性膜片元件117、118也可以使用娃硼酸鹽玻璃,例如Pyrex或者Borof loat33。 當(dāng)然，原則上其他任意材料均適于構(gòu)造柔性膜片元件117、118。柔性膜片元件117、118的厚度優(yōu)選約為10 200 u m,尤其是例如在使用硅硼酸鹽玻璃MEMPAX時約為30 u m,或者在使用其他可商業(yè)獲得的硅硼酸鹽玻璃時為100 iim。柔性膜片元件117、118分別具有比凹槽102和103的第一和第二區(qū)域更大的表面。尤其是，柔性膜片元件117、118如此施加在襯底11的主表面12、13上，使得虛線表示的穿過襯底11的通孔區(qū)域完全覆蓋，并且使得襯底11的主表面12、13上在凹槽102、103的第一和第二區(qū)域之外的區(qū)域117a、118a同樣由柔性膜片元件117、118覆蓋。這些區(qū)域117a、 118a作為柔性膜片元件的支撐區(qū)域。通過在主表面12、13上施加柔性膜片元件117、118得到空隙109，所述空隙109在橫向上由凹槽102、103的側(cè)邊限界并且沿著襯底11的厚度14由柔性膜片元件117、118限界。所述空隙109相對于外部空間是封閉的，尤其在此可以規(guī)定，空隙109相對于外部空間是嚴(yán)密地封閉的。這可以通過在襯底11上例如通過粘接、釬焊、陽極鍵合等等相應(yīng)地施加柔性膜片元件117、118來確保?？梢杂欣匾?guī)定，柔性膜片元件117、118在區(qū)域117a、118a 中固定地安置在襯底11上。區(qū)域117a、118a尤其可以沿著主表面12、13與凹槽102、103 的側(cè)邊具有一間距，使得柔性膜片元件117、118具有位于凹槽102、103上方的面，所述面大于凹槽102、103的面并且沒有與襯底11剛性連接。這樣有利于膜片在隨后的方法步驟中的橫向延展，這在附圖Ie和If中進(jìn)一步進(jìn)行闡述。例如可以在真空環(huán)境下施加柔性膜片元件117、118，從而在空隙109內(nèi)通過嚴(yán)密地密封形成一個真空空間。但也可以在常壓下將柔性膜片元件117、118施加在襯底11上。如在圖Ie中示出的那樣，空隙109中的壓強(qiáng)為pi。如果現(xiàn)在在外部空間與空隙 109之間建立壓差，則柔性膜片元件117、118由于在區(qū)域110或111中產(chǎn)生的壓力開始變形。如果外部空間中的壓強(qiáng)例如是Pa而內(nèi)部空間中的壓強(qiáng)是pi且pa >pi，則產(chǎn)生在圖 Ie中通過箭頭表示的壓力。然后柔性膜片元件117、118的區(qū)域110和111被從相應(yīng)主表面12或13的一側(cè)壓入到空隙109中，從而形成膜片元件117、118的拱起(Ausw6lbung)。 拱起的形狀和尺寸根據(jù)膜片元件材料、膜片元件117、118的厚度和尺寸、空隙109的尺寸、 壓差pa-pi、環(huán)境溫度以及拱起過程的持續(xù)時間。在外部參數(shù)合適的情況下，柔性膜片元件 117、118如此程度地拱起，使得柔性膜片元件117、118在區(qū)域110或111中接觸。在此，柔性膜片元件117、118在區(qū)域110、111中經(jīng)歷橫向延展。通過將膜片元件117、118安置在沿著襯底11的主表面12、13與空隙109的側(cè)邊間隔開的區(qū)域117a、118a中，有利地在空隙的側(cè)邊的區(qū)域中形成柔性膜片元件117、118的一些沒有通過粘接、熔焊連接、釬焊連接或者類似連接與襯底11剛性連接的部分。這些部分可以有利于柔性元件117、118在區(qū)域110、 111中的橫向延展。如在圖If中進(jìn)一步示出的那樣，在圖Ie中的拱起過程結(jié)束之后，在空隙109內(nèi)在虛線內(nèi)得到一個區(qū)域113，在所述區(qū)域113內(nèi)柔性膜片元件117、118以其朝向襯底11的表CN 102530838 A面完全接觸。接觸區(qū)域113的構(gòu)造取決于空隙的幾何形狀。在當(dāng)前示例中，襯底凸起107、 108用作通過彼此接觸的柔性膜片元件117、118展開的面112的錨定點。在當(dāng)前示例中，面112的延伸方向115與第二(或第一)主表面13 (或12)的延伸方向114形成角116，所述角116相應(yīng)于斜面112的傾斜角。在此顯而易見的是，在圖If 中示出的構(gòu)型僅僅是空隙109內(nèi)的斜面112的構(gòu)型的示例?？梢酝ㄟ^凹槽102、103的第一和第二區(qū)域在襯底11的主表面12、13上的橫向錯位結(jié)合凹槽102、103的尺寸——即邊長、 蝕刻深度等等來可變地調(diào)節(jié)斜面的傾斜度。圖If中的斜面112由于柔性膜片元件117、118中的機(jī)械應(yīng)力是特別光滑和平整的。在使用玻璃元件作為膜片元件117或118來構(gòu)造面112的方法中，在此可以將襯底11 與柔性膜片元件117、118加熱到合適高的溫度上，以便能夠使玻璃流動。在此可以規(guī)定，柔性膜片元件117、118在冷卻時保持其形狀。但也可以規(guī)定，將柔性膜片元件117、118在其表面接觸的區(qū)域113中彼此粘接、熔焊或釬焊在一起，或者在空隙109的側(cè)邊的區(qū)域中與襯底11粘接、熔焊或釬焊在一起，尤其當(dāng)空隙109內(nèi)具有常壓并且為了構(gòu)造面112從外部施加了高壓的時候。當(dāng)外部壓強(qiáng)松弛(Relaxation)時外部壓強(qiáng)與空隙109中的內(nèi)部壓強(qiáng)之間的壓差重新下降，如果柔性膜片元件117、118沒有相應(yīng)地接合，則它們可能重新松弛回到其原來的位置中。圖2a以俯視圖示出襯底11，在所述襯底11中已從上主表面開設(shè)了凹槽202。凹槽202的形狀在此例如是矩形。從背向觀察平面的主表面起在襯底11中開設(shè)了凹槽203， 其形狀例如具有平行四邊形的形狀，如通過圖2a中的虛線示出的那樣。凹槽202在此可以相對于凹槽203如此錯開，使得沿著剖切線A-A'在X方向上出現(xiàn)大的錯位，沿著剖切線 B-B'在X方向上不出現(xiàn)錯位，并且沿著剖切線C-C'在負(fù)X方向上出現(xiàn)大的錯位。通過所述方式沿著凹槽202的側(cè)邊在y方向上產(chǎn)生在X方向上線性增大的錯位。因此在使用在圖 Ia-If中闡述的方法在凹槽202、203內(nèi)構(gòu)造斜面時沿著圖2a中的y方向產(chǎn)生波浪形的表面。這通過襯底凸起207和208沿著y方向的變化說明，如參考圖2b_2d詳細(xì)闡述的那樣。圖2b示出襯底11在剖切線A-A'處的橫截面視圖，圖2c示出襯底11在剖切線B-B' 處的橫截面視圖，圖2d示出襯底11在剖切線C-C'處的橫截面視圖。在圖2b中，襯底11 的底側(cè)上的第一個襯底凸起207在X方向上與襯底11頂側(cè)上的第二個襯底凸起208相互對置。這些襯底凸起207、208在X方向上的長度在朝著剖切線B-B'的方向上一直減小，直至如在圖2c中示出的那樣在剖切線B-B'處不再存在襯底凸起207至208。相反，襯底凸起207、208的長度在朝著剖切線C-C'的方向上重新增大，但是在襯底11的分別另一主表面上。如在圖2d中示出的那樣，在剖切線C-C'處襯底11的頂側(cè)上的第一個襯底凸起207 在X方向上與襯底11的底側(cè)上的第二個襯底凸起208相互對置。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見，除了在圖Ia-If 和2a中示出的構(gòu)型之外，襯底中的凹槽也可以具有多種幾何尺寸，以便實施根據(jù)本發(fā)明的方法，以及實現(xiàn)襯底中的凹槽內(nèi)的多個斜面和/或者曲面。在圖3中為此示出了可以施加在襯底11中的凹槽中的斜面的表面結(jié)構(gòu)的其他可能性。附圖標(biāo)記31表示如圖在圖If中示出的那樣的斜面。附圖標(biāo)記32表示圓形凹槽內(nèi)的傾斜度恒定的斜面。附圖標(biāo)記33表示三角形凹槽內(nèi)的傾斜度恒定的斜面。附圖標(biāo)記34表示半圓形凹槽內(nèi)的徑向彎曲面。附圖標(biāo)記35表示矩形凹槽內(nèi)的具有兩個傾斜度相反的斜面區(qū)域的曲面。附圖標(biāo)記36表示圓形凹槽內(nèi)的具有兩個傾斜度相反的斜面區(qū)域的曲面。附圖標(biāo)記37表示圓形凹槽內(nèi)的徑向彎曲面。附圖標(biāo)記38表示三角形凹槽內(nèi)的具有三個斜面區(qū)域的曲面。在圖3a中示例性地示出了一種裝置的構(gòu)型，所述裝置具有襯底11以及根據(jù)圖3 中具有附圖標(biāo)記35、36或37的實施方式中的一種實施方式的斜面112和312。襯底11在此可以相當(dāng)于圖Ia或者2a中的襯底11。在此可以按照根據(jù)圖Ia-If的方法制造第一和第二凹槽102、103。此外，也可以在襯底11中以鏡像方式并且相對于第一和第二凹槽102、 103橫向錯開地構(gòu)造第三和第四凹槽302和303。在此優(yōu)選地可以在相同的工序中與第一和第二凹槽102、103的制造類似地制造第三和第四凹槽302和303。此外設(shè)有柔性膜片元件307、308，其可以具有與圖Id-If中的柔性膜片元件117、 118類似的特性。在此，如此確定柔性膜片元件307、308的尺寸，使得其不僅完全覆蓋第一和第二凹槽102、103而且也完全覆蓋第三和第四凹槽302和303。通過在通過柔性膜片元件307、308嚴(yán)密地密封的第一和第二凹槽102、103和第三和第四凹槽302和303中建立低壓，可以與參考圖Ie-If描述的類似地構(gòu)造斜面112和312。圖4示出借助于本發(fā)明的另一實施方式的方法制造的晶片的示圖。具有斜面112 的襯底11以主表面13朝向第二個襯底411，所述斜面112可以是以上在圖la-lf、2a-2d、3 或3a中提到的斜面中的一個。襯底411在斜面112下方的空出的區(qū)域中可以具有微機(jī)電元件412，尤其是微鏡或者微執(zhí)行機(jī)構(gòu)。在襯底11和襯底411之間可以施加間距保持單元 420，尤其是間距保持晶片420，以便在兩個襯底11和411之間形成一個距離。在此可以如此選擇間距保持單元420的厚度，使得斜面112不妨礙微機(jī)械元件412的運動。斜面112在此尤其可以由硼硅酸鹽玻璃構(gòu)成，并且襯底11在此尤其可以包括硅。 斜面112在這種情形中可以用作微鏡412上方的光學(xué)窗口，用于使散射輻射和反射輻射遠(yuǎn)離微鏡或投影圖像。此外斜面112還可以用作微鏡412的保護(hù)遮蓋物。
權(quán)利要求
1.用于在襯底(11)中制造斜面(112)的方法，所述方法包括提供一襯底(11)，所述襯底具有第一主表面(12)、第二主表面(13)和厚度(14)，所述第二主表面與所述第一主表面(12)相互對置；在所述襯底(11)中在所述第一主表面(12)上在第一面積區(qū)域中構(gòu)造第一凹槽(102) 直至第一深度(104)；在所述襯底(11)中在所述第二主表面(13)的第二面積區(qū)域中構(gòu)造第二凹槽(103)直至第二深度(105)，其中，所述第二面積在橫向上相對于所述第一面積偏移，其中，所述第一深度(104)和所述第二深度(105)的總和大于所述襯底(11)的所述厚度(14)；在所述第一主表面(12)上在所述第一凹槽(102)的上方施加第一柔性膜片(117)； 在所述第二主表面(13)上在所述第二凹槽(103)的上方施加第二柔性膜片(118)； 在所述第一凹槽和所述第二凹槽(102;103)內(nèi)建立低壓，直至所述第一柔性膜片 (117)和所述第二柔性膜片(118)以其分別朝向所述襯底(11)的表面彼此接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，所述方法還包括在所述襯底(11)中在所述第一主表面(12)上在第三面積區(qū)域中構(gòu)造第三凹槽(302)直至第三深度；在所述襯底(11)中在所述第二主表面(13)的第四面積區(qū)域中構(gòu)造第四凹槽(303)直至第四深度，其中，所述第四面積在橫向上相對于所述第三面積偏移，其中，所述第三深度和所述第四深度的總和大于所述襯底(11)的所述厚度；在所述第一主表面(12)上在所述第一凹槽和所述第三凹槽(102 ；302)的上方施加第一柔性膜片(307)；在所述第二主表面(13)上在所述第二凹槽和所述第四凹槽(103 ；303)的上方施加第二柔性膜片(308)；在所述第三凹槽和所述第四凹槽(302;303)內(nèi)建立低壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2中任一項所述的方法，其中，所述柔性膜片(117；118)包括塑料薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2中任一項所述的方法，其中，所述柔性膜片(117；118)包括由玻璃、陶瓷、金屬或者半導(dǎo)體材料制成的晶片。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在真空中將所述柔性膜片(117; 118)施加到所述襯底(11)的主表面(12 ;13)上。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，將彼此接觸的膜片(117;118)在接觸區(qū)域(112)中粘接、熔焊或者釬焊在一起或者在所述凹槽(102，103)的側(cè)邊的區(qū)域中與所述襯底(11)粘接、熔焊或者釬焊在一起。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述主表面(12；13)上的所述第一柔性膜片和所述第二柔性膜片(117;118)在沿著所述主表面(12;13)與所述第一凹槽和所述第二凹槽(102 ；103)的側(cè)邊間隔開的連接區(qū)域(117a ；118a)中與所述襯底(11)粘接、 熔焊或者釬焊在一起。
8.用于遮蓋微機(jī)械元件的晶片，所述晶片包括襯底(11)，所述襯底具有第一主表面(12)、第二主表面(13)和厚度(14)，所述第二主表面與所述第一主表面(12)相互對置，其中，所述襯底具有延伸穿過所述襯底(11)的所述厚度(14)的空隙(109)，所述空隙具有第一橫向限界邊和第二橫向限界邊，所述第二橫向限界邊與所述第一橫向限界邊相互對置；第一襯底凸起(108)，所述第一襯底凸起在所述第一主表面(12)的高度從所述第一橫向限界邊起伸到所述空隙(109)中；第二襯底凸起(107)，所述第二襯底凸起在所述第二主表面(13)的高度從所述第二橫向限界邊起伸到所述空隙(109)中；以及膜片元件(117 ;118)，所述膜片元件從所述第一襯底凸起(108)延伸到所述第二襯底凸起(107)以及在所述空隙(109)的區(qū)域中定義一表面(112)，所述表面與所述第一主表面(12)成一角度(112)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片，其中，所述襯底(11)包括硅襯底，并且所述膜片元件 (117 ；118)包括光學(xué)透明的玻璃、陶瓷材料、金屬或者塑料材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在襯底中制造斜面的方法，包括在襯底的兩個主表面上構(gòu)造凹槽，分別直至其總和大于襯底的厚度的深度，即直至凹槽如此深以至于襯底被兩個凹槽穿透。在此，在第一面積區(qū)域中從第一主表面起制造一個凹槽，以及在第二面積區(qū)域中從第二主表面起制造另一個凹槽，使得第一面積和第二面積沿著襯底的主表面的面法線不重合。然后在主表面上在凹槽上方分別施加柔性膜片。如果隨后在凹槽內(nèi)相對于外部壓強(qiáng)建立低壓，則柔性膜片分別朝著凹槽的方向拱起，直至其朝向襯底的表面基本上在凹槽的中間彼此接觸。
文檔編號B81C1/00GK102530838SQ20111046216
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者S·平特 申請人:羅伯特·博世有限公司