專利名稱：一種摻銪的三硫化二銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于稀磁半導(dǎo)體納米材料制備的技術(shù)領(lǐng)域。涉及室溫下氣液相化學(xué)沉積摻銪三硫化ニ銦(In2S3 Eu3+)稀磁半導(dǎo)體納米顆粒材料的制備方法。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的超高速，超寬帶和超容量的發(fā)展，人們對于半導(dǎo)體的利用提出了更高的要求，即操作半導(dǎo)體中的電子自旋自由度或同時操作半導(dǎo)體中電子自旋和電子電荷兩個自由度，目的是實現(xiàn)電子學(xué)，光子學(xué)和磁學(xué)三者的融合，形成命三角。磁性半導(dǎo)體正好符合這ー要求，可以實現(xiàn)對半導(dǎo)體中電子自旋自由度的操作，因此對于磁性半導(dǎo)體材料的研究已成為研究熱點。稀磁半導(dǎo)體作為自旋和電荷的橋梁可以構(gòu)造磁、電集于一體的低功耗半導(dǎo)體器件。它是由非磁性半導(dǎo)體中的部分陽離子被過渡金屬元素或稀土元素取代后形成的稀磁半導(dǎo)體。稀磁半導(dǎo)體會由于摻雜離子和離子濃度的不同其禁帶寬度和晶格常數(shù)也會隨之變化，這就使稀磁半導(dǎo)體可以通過剪裁能帶后適用于各種器件。In2S3的禁帶寬度為2. 00 2. 20eV,具有優(yōu)良的光學(xué)，光電子，聲學(xué)性能等，使其在光電器件，光伏太陽能電池緩沖層等方面應(yīng)用。目前，報道的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體的制備方法有固溶處理方法，溶膠凝膠方法，化學(xué)輸運反應(yīng)方法，例如 Wei Chen 等人(2004) In2S3 Eu3+nanoparticles prepared bysolution techniques snow blue, green, and red emissioruA. Datta%=人(200 ノMrr dopedIn2S3 nanocomposites by sol-gel technique and study of their optical properties。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，用室溫下氣液相化學(xué)沉積方法制備摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米顆粒材料，使其具有較高的室溫飽和磁化強度。本發(fā)明所得材料是In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒。為實現(xiàn)本發(fā)明，采用的技術(shù)方案是一種摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法，在封閉的反應(yīng)室內(nèi)進行，反應(yīng)室上有進氣孔道和排氣孔道；首先配制待反應(yīng)液將こ酸銦、こ酸銪、巰基こ醇和去離子水混合均勻，用磁力攪拌機攪拌，配制成待反應(yīng)液；其中按摩爾比こ酸銦こ酸銪巰基こ醇為I : 0.01
0.04 1 1.5，待反應(yīng)液的濃度以こ酸銦摩爾量計為211111101/1;其次進行氣液相化學(xué)沉積反應(yīng)把配置好的待反應(yīng)液倒入反應(yīng)室內(nèi)，密封反應(yīng)室，通過進氣孔道向反應(yīng)室內(nèi)通入N2氣體，以排空反應(yīng)室內(nèi)的氧氣，再通過進氣孔道通入H2S氣體，實現(xiàn)氣液表面反應(yīng)；其中H2S氣體的總量與待反應(yīng)液中的こ酸銦的摩爾量之比為3 20 I ;隨著H2S不斷的充入反應(yīng)室，得到沉積溶液；最后提取反應(yīng)后所得沉積溶液分別用去離子水和こ醇對沉積溶液進行離心清洗，將得到的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料保存為固體或液體。為了使所得樣品進一步生長，反應(yīng)后所得沉積溶液，可以使用功率為800 1000瓦的微波加熱15 40min,使摻銪的三硫化ニ銦納米顆粒進一步生長,再進行離心清洗。在本發(fā)明的化學(xué)反應(yīng)中，在不加任何溫度條件下即可反應(yīng)制得摻銪的三硫化ニ銦納米顆粒；也可以在反應(yīng)室外加循環(huán)水浴控制反應(yīng)溫度穩(wěn)定在25 30°C。在反應(yīng)室循環(huán)水浴控制反應(yīng)溫度是為了使反應(yīng)外界條件更穩(wěn)定溫度更穩(wěn)定，使反應(yīng)的可控性更高。本發(fā)明實施例中反應(yīng)物H2S氣體為試驗中所制備，采用鹽酸溶液滴入硫化鈉溶液制取H2S氣體；其制備量標準如上所述H2S氣體的總量與待反應(yīng)液中的In3+的摩爾量之比為3 20 1，H2S氣體的總量可通過鹽酸溶液和硫化鈉溶液的用量計算得到。H2S氣體的制取速度由鹽酸溶液滴入硫化鈉溶液的速度控制，鹽酸溶液滴入硫化鈉溶液的速度可以為每分鐘10 20滴；滴落的太快毎分鐘多于20滴或過慢每分鐘低于10滴會使樣品沉積過快或者過慢，進而使磁性變?nèi)?；控制在每分?5滴為合適。H2S氣體也可由市場中購置，可以是H2S氣體，也可以是含N2的H2S氣體。本發(fā)明專利的方法不同于背景技術(shù)的方法，采用氣液相化學(xué)沉積的方法，由氣體帶入硫源H2S。在實驗室可以通過控制反應(yīng)氣體(硫源)H2S的流速來控制摻銪的三硫化ニ銦的沉積快慢，以使其具有大的飽和磁化強度。本發(fā)明在最后收集反應(yīng)產(chǎn)物中，提到的清洗為去離子水離心清洗2 3次，再用無水こ醇離心清洗2 3次。本發(fā)明中所述的保存為固體或液體，是將清洗干凈的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料放入烘箱中在50 70°C下烘干12 24小時；或在清洗干凈的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料中再加入無水こ醇。例如，固體保存可以將清洗干凈的樣品放入烘箱中在60攝氏度下烘干20小時；在實驗室液體保存只需要將清洗干凈的樣品直接放入離心管中再滴入3 5滴無水こ醇。本發(fā)明中待反應(yīng)液中巰基こ醇是作為表面活性剤，在溶液的表面定向排列，顯著降低溶液的表面張力，用量如上所述。本發(fā)明的效果和特點I)本發(fā)明用室溫下氣液相化學(xué)沉積的方法制備出具有較高飽和磁化強度的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體材料。當銪離子摻入后，銪離子部分替代銦離子，改變了 In2S3材料的結(jié)構(gòu)，加入了自旋，豐富了材料的物理信息使其成為ー種具有潛力的稀磁半導(dǎo)體納米材料，在自旋電子器件方面有潛在應(yīng)用。2)本發(fā)明實驗方法簡單易于操作，實驗條件易于滿足，重復(fù)性好，便于規(guī)?；a(chǎn)。3)本發(fā)明制備的In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體材料的飽和磁化強度隨著銪摻雜含量的不同其飽和磁化強度也不同。在實驗室通過控制制取反應(yīng)氣體H2S的鹽酸溶液的滴落速度來控制摻銪的三硫化ニ銦的沉積快慢，使其具有較大的飽和磁化強度，In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的較高飽和磁化強度對于研究稀磁半導(dǎo)體具有重要的價值。


圖I是本發(fā)明的實驗室用的制備In2S3 Eu3+的實驗裝置簡圖。
圖2是本發(fā)明按不同原料配比制備的In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的XRD3是實施例4制得的In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的形貌圖。圖4是實施例4制得的In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的透射電鏡與XRD的圖レ曰。圖5是本發(fā)明按不同原料配比制備的In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體材料的M-H圖。圖6是原料配比為3%吋，鹽酸溶液滴落速度為每分鐘10滴，15滴，20滴時樣品的磁性測試圖。
具體實施例方式實施例I結(jié)合圖I說明本發(fā)明實驗室制備In2S3 -Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒材料的裝置和制備過程。本發(fā)明在制備稀磁半導(dǎo)體納米材料時采用了一種簡單易行的裝置，如圖I所示。圖I中，上半部分裝置是制取反應(yīng)氣體H2S的裝置；下半部分是發(fā)生主體反應(yīng)的反應(yīng)室，反應(yīng)室是ー個具有外置循環(huán)水浴的雙層球型瓶，循環(huán)水浴控制反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)溫度，使反應(yīng)溫度穩(wěn)定，將配置好的反應(yīng)液倒入反應(yīng)室，密封反應(yīng)室，在沒通入H2S氣體之前先通入氮氣以排空反應(yīng)室中混入的氧氣并檢查裝置的氣密性，然后開始將鹽酸溶液通過滴定管滴入硫化鈉中，反應(yīng)緩慢開始在待反應(yīng)液的表面，H2S氣體與液面充分接觸反應(yīng)生成In2S3 Eu3+納米顆粒。利用實驗裝置的上半部分制備H2S氣體，本實驗是由硫化鈉溶液與鹽酸溶液反應(yīng)制取，溶液都是由去離子水配置。抽取配置好的硫化鈉溶液，注入錐形瓶中，再抽取配置好的鹽酸溶液將其滴落在硫化鈉溶液中，以制備H2S氣體，控制鹽酸滴落速度，緩慢制取硫化氫，再通過調(diào)節(jié)氮氣的流速將H2S氣體緩慢均勻的帶入反應(yīng)裝置。氮氣流速的調(diào)節(jié)通過控制連接氣體的錐形瓶里的氣泡，使其流速在2 3/S個氣泡；鹽酸和硫化鈉反應(yīng)制取的H2S氣體的總量與反應(yīng)液中銦離子的摩爾量之比為20 1，H2S氣體的制取速度由鹽酸溶液滴入硫化鈉溶液的速度控制，滴速優(yōu)選每分鐘15滴。以下實施例中所用的H2S氣體都是通過如上所述的方法制備并帶入反應(yīng)室中的。在制備In2S3 Eu3+時，相對In2S3而言使用的H2S氣體是過量的。實施例2In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的制備(I)首先配置待反應(yīng)液用醋酸銦和去離子水配置銦的離子濃度為20mmol/L的溶液；用醋酸銪和去離子水配置銪的離子溶度為0. 2mmol/L的溶液；用巰基こ醇和去離子水配置濃度為40mmol/L的溶液；抽取銦離子溶液10ml，銪離子溶液10ml，巰基こ醇溶液5ml，去離子水75ml注入燒杯中，將燒杯放在磁力攪拌機上攪拌20min，使溶液均勻混合，配置好待反應(yīng)液。打開循環(huán)水浴調(diào)好控制溫度25°C，將待反應(yīng)液注入反應(yīng)室中，密封整個反應(yīng)裝置；打開氮氣壓カ閥，制取硫化氫氣體，使鹽酸溶液的滴落速度為每分鐘15滴；在氮氣的攜帯下H2S氣體緩慢流入反應(yīng)室中，氣體與反應(yīng)液面充分接觸發(fā)生氣液表面反應(yīng)，反應(yīng)可以持續(xù)ー小吋。反應(yīng)結(jié)束后收集反應(yīng)后沉積溶液，倒入錐形瓶中放入功率900W微波爐加熱30min,然后將反應(yīng)產(chǎn)物進行清洗，分別為去離子水清洗2 3次和無水こ醇清洗2 3次。清洗后樣品可按實際需求保存 樣品為固體或液體。根據(jù)能譜測試，最后In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒產(chǎn)物中銪的摩爾百分含量為
0.7749% o制得的In2S3 -Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的XRD圖譜見圖2，M_H曲線見圖5，圖2和圖5中的原料配比1%是表示待反應(yīng)液中銪離子的摩爾量與銦離子的摩爾量之比I : 100。實施例3In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的制備(2)首先配置待反應(yīng)液用醋酸銦和去離子水配置銦的離子濃度為20mmol/L的溶液；用醋酸銪和去離子水配置銪的離子溶度為0. 2mmol/L的溶液；用巰基こ醇和去離子水配置濃度為40mmol/L的溶液；抽取銦離子溶液10ml，銪離子溶液20ml，巰基こ醇溶液5ml，去離子水65ml注入燒杯中，將燒杯放在磁力攪拌機在攪拌20min，使溶液均勻混合，配置好待反應(yīng)液。打開循環(huán)水浴調(diào)好控制溫度25°C，將待反應(yīng)液注入反應(yīng)室中，密封整個反應(yīng)裝置，打開氮氣壓カ閥并制取硫化氫氣體，使鹽酸溶液的滴落速度為每分鐘15滴；在氮氣的攜帯下H2S氣體緩慢流入反應(yīng)室中，氣體與反應(yīng)液面充分接觸發(fā)生氣液表面反應(yīng)，反應(yīng)可以持續(xù)ー小吋。反應(yīng)結(jié)束后收集沉積溶液，倒入錐形瓶中放入功率900W微波爐加熱30min，然后將反應(yīng)產(chǎn)物進行清洗，分別為去離子水清洗2 3次和無水こ醇清洗2 3次。清洗后樣品可保存樣品為固體或液體。根據(jù)能譜測試，最后In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒產(chǎn)物中銪的摩爾百分含量為
0.8374%。制得的In2S3 -Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的XRD圖譜見圖2，M_H曲線見圖5，圖2和圖5中的原料配比2%是表示反應(yīng)液中銪離子的摩爾量與銦離子的摩爾量之比為2 100。實施例4In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的制備(3)首先配置待反應(yīng)液用醋酸銦和去離子水配置銦的離子濃度為20mmol/L的溶液；用醋酸銪和去離子水配置銪的離子溶度為0. 2mmol/L的溶液；用巰基こ醇和去離子水配置濃度為40mmol/L的溶液；抽取銦離子溶液10ml，銪離子溶液30ml，巰基こ醇溶液5ml，去離子水55ml注入燒杯中，將燒杯放在磁力攪拌機在攪拌20min，使溶液均勻混合，配置好待反應(yīng)液。打開循環(huán)水浴調(diào)好控制溫度25°C，將待反應(yīng)液注入反應(yīng)室中，密封整個反應(yīng)裝置，打開氮氣壓カ閥并制取硫化氫氣體，使鹽酸溶液的滴落速度為每分鐘15滴；在氮氣的攜帯下H2S氣體緩慢流入反應(yīng)室中，氣體與反應(yīng)液面充分接觸發(fā)生氣液表面反應(yīng)，反應(yīng)可以持續(xù)ー小吋。反應(yīng)結(jié)束后收集沉積溶液，倒入錐形瓶中放入900W微波爐加熱30min，然后將反應(yīng)產(chǎn)物進行清洗，分別為去離子水清洗2 3次和無水こ醇清洗2 3次。清洗后樣品可按要求保存為固體或液體。根據(jù)能譜測試，最后In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒產(chǎn)物中銪的摩爾百分含量為
1.161%。制得的In2S3 -Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的XRD圖譜見圖2，M_H曲線見圖5，圖2和圖5中的原料配比3%是表示反應(yīng)液中銪離子的摩爾量與銦離子的摩爾量之比為3 100。實施例5In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的制備(4)首先配置待反應(yīng)液用醋酸銦和去離子水配置銦的離子濃度為20mmol/L的溶液；用醋酸銪和去離子水配置銪的離子溶度為0. 2mmol/L的溶液；用巰基こ醇和去離子水配置濃度為40mmol/L的溶液；抽取銦離子溶液10ml，銪離子溶液40ml，巰基こ醇溶液5ml，去離子水45ml注入燒杯中，將燒杯放在磁力攪拌機在攪拌20min，使溶液均勻混合，配置好待反應(yīng)液。打開循環(huán)水浴調(diào)好控制溫度25°C，將待反應(yīng)液注入反應(yīng)室中，密封整個反應(yīng)裝置，打開氮氣壓カ閥以及制取硫化氫氣體，使鹽酸溶液的滴落速度為每分鐘15滴；在氮氣的攜帯下H2S氣體緩慢流入反應(yīng)室中，氣體與反應(yīng)液面充分接觸發(fā)生氣液表面反應(yīng)，反應(yīng)可以持續(xù)一小吋。 反應(yīng)結(jié)束后收集反應(yīng)后溶液，倒入錐形瓶中放入微波加熱30min，然后將反應(yīng)物進行清洗，分別為去離子水清洗2 3次和無水こ醇清洗2 3次。清洗后樣品可按測試要求保存樣品為固體或液體。根據(jù)能譜測試，最后In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒產(chǎn)物中銪的摩爾百分含量為1.215%。制得的In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的XRD圖譜見圖2，M-H曲線見圖
5,圖2和圖5中的原料配比4%是表示反應(yīng)液中銪離子的摩爾量與銦離子的摩爾量之比為4 100。實施例6In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的制備(5)首先配置待反應(yīng)液用醋酸銦和去離子水配置銦的離子濃度為20mmol/L的溶液；用醋酸銪和去離子水配置銪的離子溶度為0. 2mmol/L的溶液；用巰基こ醇和去離子水配置濃度為40mmol/L的溶液；抽取銦離子溶液10ml，銪離子溶液30ml，巰基こ醇溶液5ml，去離子水55ml注入燒杯中,將燒杯放在磁力攪拌機在攪拌20min,使溶液均勻混合,配置好待反應(yīng)液。打開循環(huán)水浴調(diào)好控制溫度25°C，將待反應(yīng)液注入反應(yīng)室中，密封整個反應(yīng)裝置，打開氮氣壓カ閥并制取硫化氫氣體，使鹽酸溶液的滴落速度為每分鐘10滴；在氮氣的攜帯下H2S氣體緩慢流入反應(yīng)室中，氣體與反應(yīng)液面充分接觸發(fā)生氣液表面反應(yīng)，反應(yīng)持續(xù)一小時。反應(yīng)結(jié)束后收集沉積溶液，倒入錐形瓶中放入功率900W微波爐加熱30min，然后將產(chǎn)物進行清洗，分別為去離子水清洗2 3次和無水こ醇清洗2 3次。清洗后可按要求保存樣品為固體或液體。待反應(yīng)液中銪離子與銦離子的摩爾質(zhì)量之比為3 100，與實施例4中的摩爾質(zhì)量比相同，鹽酸溶液的滴落速度過慢為每分鐘10滴，導(dǎo)致樣品的飽和磁化強度與實施例4相比變?nèi)?。詳情參見圖6，原點型曲線表示鹽酸滴落速度為每分鐘10滴，星型曲線表示鹽酸溶液滴落速度為每分鐘15滴，可以看出鹽酸滴落過慢(相對15滴而言)導(dǎo)致樣品磁性變?nèi)?。實施?In2S3 Eu3+稀磁半導(dǎo)體納米顆粒的制備(6)首先配置待反應(yīng)液用醋酸銦和去離子水配置銦的離子濃度為20mmol/L的溶液；用醋酸銪和去離子水配置銪的離子溶度為0. 2mmol/L的溶液；用巰基こ醇和去離子水配置濃度為40mmol/L的溶液；抽取銦離子溶液10ml，銪離子溶液30ml，巰基こ醇溶液5ml，去離子水55ml注入燒杯中，將燒杯放在磁力攪拌機在攪拌20min，使反應(yīng)液均勻混合，配置好待反應(yīng)液。打開循環(huán)水浴調(diào)好控制溫度25°C，將待反應(yīng)液注入反應(yīng)室中，密封整個反應(yīng)裝置，打開氮氣壓カ閥并制取硫化氫氣體，使鹽酸溶液的滴落速度為每分鐘20滴；在氮氣的攜帯下H2S氣體緩慢流入反應(yīng)室中，氣體與反應(yīng)液面充分接觸發(fā)生氣液表面反應(yīng)，反應(yīng)持續(xù)一小時。反應(yīng)結(jié)束后收集反應(yīng)后溶液，倒入錐形瓶中放入微波加熱30min，然后將反應(yīng)物進行清洗，分別為去離子水清洗2 3次和無水こ醇清洗2 3次。清洗后樣品可按要求保存為固體或液體。反應(yīng)中銪離子與銦離子的摩爾質(zhì)量之比為3 100，與實施例4中的摩爾質(zhì)量比相同，鹽酸溶液的滴落速度過快(相對15滴而言)為每分鐘20滴，導(dǎo)致樣品的飽和磁化強度與實施例4相比變?nèi)酢?詳情參見圖6，方塊型曲線表示鹽酸滴落速度為每分鐘20滴，星型曲線表示鹽酸溶液滴落速度為每分鐘15滴，可以看出鹽酸滴落過快導(dǎo)致樣品磁性變?nèi)酢?br> 權(quán)利要求
1.一種摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法，在封閉的反應(yīng)室內(nèi)進行，反應(yīng)室上有進氣孔道和排氣孔道； 首先配制待反應(yīng)液將こ酸銦、こ酸銪、巰基こ醇和去離子水混合均勻，用磁力攪拌機攪拌，配制成待反應(yīng)液；其中按摩爾比こ酸銦こ酸銪巰基こ醇為I : 0.01 0.04 : I I. 5，待反應(yīng)液的濃度以こ酸銦摩爾量計為2mmol/L ； 其次進行氣液相化學(xué)沉積反應(yīng)把配置好的待反應(yīng)液倒入反應(yīng)室內(nèi)，密封反應(yīng)室，通過進氣孔道向反應(yīng)室內(nèi)通入N2氣體，以排空反應(yīng)室內(nèi)的氧氣，再通過進氣孔道通入H2S氣體，實現(xiàn)氣液表面反應(yīng)；其中H2S氣體的總量與待反應(yīng)液中的こ酸銦的摩爾量之比為3 20 I ;隨著H2S不斷的充入反應(yīng)室，得到沉積溶液； 最后提取反應(yīng)后所得沉積溶液分別用去離子水和こ醇對沉積溶液進行離心清洗，將得到的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料保存為固體或液體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，反應(yīng)后所得沉積溶液，使用功率為800 1000瓦的微波加熱15 40min，使摻銪的三硫化ニ銦納米顆粒進一步生長再進行離心清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，在反應(yīng)室外加循環(huán)水浴控制反應(yīng)溫度穩(wěn)定在25 30°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法，其特征在于，所述的保存為固體或液體，是將清洗干凈的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料放入烘箱中在50 70°C下烘干12 24小時；或在清洗干凈的摻銪的三硫化ニ銦稀磁半導(dǎo)體納米材料中再加入無水こ醇。
全文摘要
本發(fā)明的一種摻銪的三硫化二銦稀磁半導(dǎo)體納米材料的制備方法涉及室溫下氣液相化學(xué)沉積制備納米材料的技術(shù)領(lǐng)域。首先將乙酸銦、乙酸銪、巰基乙醇和去離子水配制成待反應(yīng)液；其次將待反應(yīng)液放入密封反應(yīng)室，緩慢通入過量H2S氣體得到沉積溶液；最后微波加熱沉積溶液再去離子水和乙醇離心清洗。本發(fā)明方法制得的In2S3:Eu3+納米顆粒具有較高的室溫飽和磁化強度，飽和磁化強度能由銪摻雜含量和充入H2S氣體快慢得到控制；實驗條件穩(wěn)定易于操作，重復(fù)性好，便于規(guī)?；a(chǎn)。
文檔編號B82Y40/00GK102616831SQ20121010526
公開日2012年8月1日 申請日期2012年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月11日
發(fā)明者盧思宇, 姚彬彬, 張明喆, 趙瑞 申請人:吉林大學(xué)