專利名稱：一種制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及弱光探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種可用于弱光成像探測(cè)的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的制備方法，該量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣是一種可以在微弱的光照條件下實(shí)現(xiàn)圖像捕獲的高增益弱光探測(cè)陣列。
背景技術(shù)：
弱光探測(cè)的應(yīng)用范圍十分廣泛，在高分辨光譜測(cè)量、非破壞性物質(zhì)分析、高速現(xiàn)象檢測(cè)、精密分析、大氣污染、生物發(fā)光、放射探測(cè)、高能物理、天文測(cè)光、光時(shí)域反射等領(lǐng)域都得到了應(yīng)用。而平面弱光探測(cè)陣列則因其能夠獲得圖像信息，得到了廣泛的關(guān)注。一般的光探測(cè)平面陣列采用電荷耦合器件(CCD)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)圖像的讀取和分析。光 照在深耗盡狀態(tài)的MOS器件上，光照轉(zhuǎn)換為電荷，存儲(chǔ)在勢(shì)阱中。對(duì)一個(gè)柵極施加高電壓，在這個(gè)柵極下面便產(chǎn)生能存儲(chǔ)電荷的勢(shì)阱；繼續(xù)對(duì)相鄰的柵極施加相同的高電壓時(shí)，兩個(gè)柵極下面的勢(shì)阱發(fā)生合并，電荷也平均分配在合并后的勢(shì)阱當(dāng)中；然后將第一個(gè)柵極的電壓減小，第二個(gè)柵極電壓不變，則第一個(gè)柵極的勢(shì)阱減小，當(dāng)電壓減小到一定程度后，勢(shì)阱完全消失，不再存儲(chǔ)電荷，此時(shí)電荷完全轉(zhuǎn)移到第二個(gè)柵極的勢(shì)阱中。重復(fù)進(jìn)行這一個(gè)過程即可實(shí)現(xiàn)電荷信號(hào)的有序輸出與檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)圖像的捕獲。但是CCD的光電轉(zhuǎn)換能力有限，在弱光條件下不能很好的將光轉(zhuǎn)換為電荷，同時(shí)電荷在轉(zhuǎn)移過程中還有損失，因此不適宜用于光線十分微弱的場(chǎng)合。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題 有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，以解決普通CCD無(wú)法有效進(jìn)行弱光探測(cè)的問題，達(dá)到低功耗、在微弱的光照條件下實(shí)現(xiàn)圖像捕獲的高增益弱光探測(cè)的目的。( 二 )技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，包括選擇外延片，在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，其中同一行的源極在光刻時(shí)連在一起；在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸；蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起；在表面蒸鍍絕緣層，并在外延片兩端露出各行的源柵電極焊臺(tái)；光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；以及涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化。上述方案中，所述外延片位于襯底之上，從下至上依次為緩沖層、第一勢(shì)壘層、重?fù)诫s層、第二勢(shì)壘層、吸收層、量子點(diǎn)層、第三勢(shì)壘層和帽層；其中，所述襯底為砷化鎵襯底；所述緩沖層是厚度為300nm的砷化鎵；所述第一勢(shì)壘層是厚度為500nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為0. 2 ;所述重?fù)诫s層是濃度為7. 5 X IO13的硅重?fù)诫s層；所述第二勢(shì)壘層包括兩層厚度均為15nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為0. 2 ;所述吸收層是厚度為120nm的砷化鎵；所述量子點(diǎn)層是砷化銦量子點(diǎn)層；所述第三勢(shì)壘層包括一層厚度為30nm的砷化鎵鋁和一層厚度為120nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為0. 2 ;所述帽層是厚度為IOnm的砷化鎵。上述方案中，所述在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，包括在外延片上涂S9912光刻膠，甩膠轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)每秒，時(shí)間為50秒，厚度為I y m ;在顯影液中顯影20秒，然后在110°C的環(huán)境中烘干20分鐘；腐蝕過程中，腐蝕液采用磷酸、雙氧水和水的比例為I : I : 38配制，腐蝕3分20秒，腐蝕深度應(yīng)達(dá)到第一勢(shì)壘層表面，即完全腐蝕重?fù)诫s層，腐蝕深度超過300nm。上述方案中，所述在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸，包括在源極和漏極蒸鍍AuGeNi電極，采用分次蒸鍍的方法，各層金屬的厚度分、別為Ni 25nm、Au 90nm、Ge 12nm、NilOnm、Au 350nm ;進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸，退火溫度為450°C，時(shí)間I分鐘。上述方案中，所述在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸之后，還包括源極金屬電極在外延片兩端引出，用作外加電壓用，形成電壓選擇通路。上述方案中，所述蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起，包括蒸鍍NiCr合金透明電極，厚度為10nm，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起。在蒸鍍NiCr合金透明電極時(shí)要保證臺(tái)面?zhèn)缺谝材苷翦兩辖饘伲瑬艞l在兩端引出焊臺(tái)，方便施加?xùn)烹妷?。上述方案中，所述在表面蒸鍍絕緣層，是在表面蒸鍍二氧化硅或SU-8膠，厚度為400nm。所述光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起，包括光刻并腐蝕二氧化硅或SU-8膠露出漏電極，然后蒸鍍TiAu或CrAu合金，采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；漏電極條在一端引出，形成電流信號(hào)輸出通路。上述方案中，所述涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化，是涂SU-8膠，厚度約400nm，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化，并預(yù)留出所有電極引線焊臺(tái)。(三)有益效果從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果I、本發(fā)明提供的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，解決了普通CCD無(wú)法有效進(jìn)行弱光探測(cè)的問題，達(dá)到了低功耗、在微弱的光照條件下實(shí)現(xiàn)圖像捕獲的高增益弱光探測(cè)的目的。2、本發(fā)明提供的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，制作過程包括光刻、腐蝕、蒸金屬等步驟，工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，具有較好的重復(fù)和批量化生產(chǎn)的能力。3、本發(fā)明提供的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣工作電壓小于5V，相比雪崩二極管光電探測(cè)器工作電壓非常低，故能耗很小。4、本發(fā)明提供的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣通過利用量子點(diǎn)捕獲光生載流子，改變柵源微分電導(dǎo)，從而相對(duì)顯著地改變?cè)绰┲g電流大小來(lái)進(jìn)行弱光探測(cè)。量子點(diǎn)對(duì)單個(gè)載流子的限制作用很強(qiáng)，故能夠有效探測(cè)到非常弱的光信號(hào)，并且探測(cè)效率高。5、本發(fā)明提供的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，探測(cè)陣列的基本單元是量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。量子點(diǎn)通過俘獲光生載流子，能夠有效地改變柵源微分電導(dǎo)，從而相對(duì)顯著地改變?cè)绰┲g電流大小。單元器件之間不存在電荷轉(zhuǎn)移過程，每個(gè)單元器件獨(dú)立完成光生電荷的柵控源漏電流放大，得到信號(hào)的高光電流增益。


圖I是依照本發(fā)明實(shí)施例的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法流程圖；圖2是依照本發(fā)明實(shí)施例的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3至圖7是依照本發(fā)明實(shí)施例在襯底上生長(zhǎng)量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的工藝流程圖；圖8是依照本發(fā)明實(shí)施例制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的表面連接圖；其中同一行的源極由金屬連接在一起，形成電壓選擇線；同一列的器件的漏極由金屬連接在一起，形成電流信號(hào)輸出線。源極和和漏極之間存在絕緣層以達(dá)到信號(hào)隔離的目的。圖9是依照本發(fā)明實(shí)施例制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣構(gòu)成的平板探測(cè)陣列的概要圖；圖中可以看出，橫向的較粗的線為電壓選擇線，點(diǎn)劃線為施加?xùn)艠O電壓的導(dǎo)線?？v向線為電流信號(hào)輸出線。右側(cè)的細(xì)節(jié)圖中的單個(gè)器件即為基于量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖10是依照本發(fā)明實(shí)施例制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣構(gòu)成的平面探測(cè)陣列的外圍電路框圖，包括光收集、電壓的選擇和電信號(hào)的輸出與檢測(cè)。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖I所示，圖I是依照本發(fā)明實(shí)施例的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟I :選擇外延片，在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，其中同一行的源極在光刻時(shí)連在一起；步驟2 :在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸；步驟3 :蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起;步驟4 :在表面蒸鍍絕緣層，并在外延片兩端露出各行的源柵電極焊臺(tái)；步驟5 :光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；以及步驟6 :涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化。上述步驟I中所述外延片位于襯底之上，從下至上依次為緩沖層、第一勢(shì)壘層、重?fù)诫s層、第二勢(shì)壘層、吸收層、量子點(diǎn)層、第三勢(shì)壘層和帽層；其結(jié)構(gòu)如圖2所示。其中，所述襯底為砷化鎵襯底；所述緩沖層是厚度為300nm的砷化鎵；所述第一勢(shì)壘層是厚度為500nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為0. 2 ;所述重?fù)诫s層是濃度為7. 5X1013的硅重?fù)诫s層；所述第二勢(shì)壘層包括兩層厚度均為15nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為0. 2 ;所述吸收層是厚度為120nm的砷化鎵；所述量子點(diǎn)層是砷化銦量子點(diǎn)層；所述第三勢(shì)壘層包括一層厚度為30nm的砷化鎵鋁和一層厚度為120nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為0. 2 ;所述帽層是厚度為IOnm的砷化鎵。如圖3所示，在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，包括在外延片上涂S9912光刻膠，甩膠轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)每秒，時(shí)間為50秒，厚度為I y m ;在顯影液中顯影20秒，然后在110°C的環(huán)境中烘干20分鐘；腐蝕過程中，腐蝕液采用磷酸、雙氧水和水的比例為I : I : 38配制，腐蝕3分20秒，腐蝕深度應(yīng)達(dá)到第一勢(shì)壘層表面，即完全腐蝕重?fù)诫s層，腐蝕深度超過300nm。其中，圖3(a)是俯視圖，圖3(b)是沿圖3(a)中虛線的首1J視圖。如圖4所示，在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆 接觸，包括在源極和漏極蒸鍍AuGeNi電極，采用分次蒸鍍的方法，各層金屬的厚度分別為Ni 25nm> Au 90nm> Ge 12nm> Ni 10nm> Au 350nm ;進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸，退火溫度為450°C，時(shí)間I分鐘。所述在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸之后，還包括源極金屬電極在外延片兩端引出，用作外加電壓用，形成電壓選擇通路。其中，圖4(a)是俯視圖，圖4(b)是沿圖4(a)中虛線的剖視圖。如圖5所示，蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起，包括蒸鍍NiCr合金透明電極，厚度為10nm，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起。在蒸鍍NiCr合金透明電極時(shí)要保證臺(tái)面?zhèn)缺谝材苷翦兩辖饘?，柵條在兩端引出焊臺(tái)，方便施加?xùn)烹妷?。其中，圖5(a)是俯視圖，圖5(b)是沿圖5(a)中虛線的剖視圖。如圖6所示，在表面蒸鍍絕緣層，是在表面蒸鍍二氧化硅或SU-8膠，厚度為400nm。其中，圖6(a)是俯視圖，圖6(b)是沿圖6(a)中虛線的剖視圖。如圖7所示，光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起，包括光刻并腐蝕二氧化硅或SU-8膠露出漏電極，然后蒸鍍TiAu或CrAu合金，采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；漏電極條在一端引出，形成電流信號(hào)輸出通路。其中，圖7(a)是俯視圖，圖7(b)是沿圖7(a)中虛線的剖視圖。步驟6中所述涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化，是涂SU-8膠，厚度約400nm，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化，并預(yù)留出所有電極引線焊臺(tái)。圖8是依照本發(fā)明實(shí)施例制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的表面連接圖；其中同一行的源極由金屬連接在一起，形成電壓選擇線；同一列的器件的漏極由金屬連接在一起，形成電流信號(hào)輸出線。源極和和漏極之間存在絕緣層以達(dá)到信號(hào)隔離的目的。圖9是依照本發(fā)明實(shí)施例制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣構(gòu)成的平板探測(cè)陣列的概要圖；圖中可以看出，橫向的較粗的線為電壓選擇線，點(diǎn)劃線為施加?xùn)艠O電壓的導(dǎo)線?？v向線為電流信號(hào)輸出線。右側(cè)的細(xì)節(jié)圖中的單個(gè)器件即為基于量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖10是依照本發(fā)明實(shí)施例制備的量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣構(gòu)成的平面探測(cè)陣列的外圍電路框圖，包括光收集、電壓的選擇和電信號(hào)的輸出與檢測(cè)。本發(fā)明所制備得到的平面列陣可以使用逐行掃描的方法進(jìn)行弱光探測(cè)。在外界光照的作用下，加偏壓的探測(cè)器的電流會(huì)發(fā)生明顯的變化。通過數(shù)據(jù)選擇電路依次對(duì)各行探測(cè)器施加電壓，即可實(shí)現(xiàn)每一行電信號(hào)的單獨(dú)輸出。每一行電信號(hào)經(jīng)過電流電壓轉(zhuǎn)換、模數(shù)轉(zhuǎn)換等步驟之后，送入計(jì)算機(jī)中處理并存儲(chǔ)起來(lái)。在一個(gè)周期電壓施加完畢之后，即可得到一副完整的被測(cè)圖像。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，包括 選擇外延片，在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，其中同一行的源極在光刻時(shí)連在一起； 在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸； 蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起； 在表面蒸鍍絕緣層，并在外延片兩端露出各行的源柵電極焊臺(tái)； 光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；以及 涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化?！?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述外延片位于襯底之上，從下至上依次為緩沖層、第一勢(shì)壘層、重?fù)诫s層、第二勢(shì)壘層、吸收層、量子點(diǎn)層、第三勢(shì)壘層和帽層； 其中，所述襯底為砷化鎵襯底；所述緩沖層是厚度為300nm的砷化鎵；所述第一勢(shì)壘層是厚度為500nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為O. 2 ;所述重?fù)诫s層是濃度為7. 5 X IO13的硅重?fù)诫s層；所述第二勢(shì)壘層包括兩層厚度均為15nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為O. 2 ;所述吸收層是厚度為120nm的砷化鎵；所述量子點(diǎn)層是砷化銦量子點(diǎn)層；所述第三勢(shì)壘層包括一層厚度為30nm的砷化鎵鋁和一層厚度為120nm的砷化鎵鋁，其中鋁組分為O. 2 ;所述帽層是厚度為IOnm的砷化鎵。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，包括 在外延片上涂S9912光刻膠，甩膠轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)每秒，時(shí)間為50秒，厚度為I μ m ;在顯影液中顯影20秒，然后在110°C的環(huán)境中烘干20分鐘；腐蝕過程中，腐蝕液采用磷酸、雙氧水和水的比例為I : I : 38配制，腐蝕3分20秒，腐蝕深度應(yīng)達(dá)到第一勢(shì)壘層表面，SP完全腐蝕重?fù)诫s層，腐蝕深度超過300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸，包括 在源極和漏極蒸鍍AuGeNi電極，采用分次蒸鍍的方法，各層金屬的厚度分別為Ni25nm、Au 90nm、Ge 12nm、Ni 10nm、Au 350nm ； 進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸，退火溫度為450°C，時(shí)間I分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸之后，還包括 源極金屬電極在外延片兩端引出，用作外加電壓用，形成電壓選擇通路。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起，包括 蒸鍍NiCr合金透明電極，厚度為10nm，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于， 在蒸鍍NiCr合金透明電極時(shí)要保證臺(tái)面?zhèn)缺谝材苷翦兩辖饘?，柵條在兩端引出焊臺(tái)，方便施加?xùn)烹妷骸?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述在表面蒸鍍絕緣層，是在表面蒸鍍二氧化硅或SU-8膠，厚度為400nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起，包括 光刻并腐蝕二氧化硅或SU-8膠露出漏電極，然后蒸鍍TiAu或CrAu合金，采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；漏電極條在一端引出，形成電流信號(hào)輸出通路。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，其特征在于，所述涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化，是涂SU-8膠，厚度約400nm，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化，并預(yù)留出所有電極引線焊臺(tái)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制備量子點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管列陣的方法，包括選擇外延片，在外延片上涂光刻膠，對(duì)外延片腐蝕出臺(tái)面，形成源漏溝道，其中同一行的源極在光刻時(shí)連在一起；在源極和漏極蒸鍍電極，進(jìn)行電極退火形成源漏與導(dǎo)電溝道的歐姆接觸；蒸鍍透明電極，在源漏電極之間光刻出柵條，其中同一行的柵條連在一起；在表面蒸鍍絕緣層，并在外延片兩端露出各行的源柵電極焊臺(tái)；光刻并腐蝕絕緣層露出漏電極，然后蒸鍍合金，并采用剝離技術(shù)使得同一列的漏電極連在一起；以及涂光刻膠，實(shí)現(xiàn)保護(hù)和表面鈍化。利用本發(fā)明，解決了普通CCD無(wú)法有效進(jìn)行弱光探測(cè)的問題，達(dá)到了低功耗、在微弱的光照條件下實(shí)現(xiàn)圖像捕獲的高增益弱光探測(cè)的目的。
文檔編號(hào)B82Y10/00GK102738191SQ201210236350
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月9日
發(fā)明者劉少卿, 尹偉紅, 李彬, 楊懷偉, 楊曉紅, 王杰, 王秀平, 聶誠(chéng)磊, 韓勤 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所