專利名稱：彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域，特別是涉及一種彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器及制備方法。
背景技術(shù)：
MEMS的定義是集多個微機(jī)構(gòu)、微傳感器、微執(zhí)行器、信號處理、控制電路、通信接口及電源于一體的微型電子機(jī)械系統(tǒng)。這項技術(shù)起源于微電子技術(shù)，并在機(jī)械領(lǐng)域或機(jī)電一體化領(lǐng)域拓寬和延伸。到目前為止，在MEMS器件中，主要包括具有高精度、高效率、高可靠性和低成本的微傳感器產(chǎn)品，該微傳感器產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于信息、汽車、醫(yī)學(xué)、宇航和國防等領(lǐng)域。在MEMS傳感器中，微加速度傳感器是一種重要的慣性傳感器，是用來將加速度這一物理信號轉(zhuǎn)變成便于測量的電信號的測試器件。依照檢測方法的不同，MEMS加速度傳感 器可以分成電容式、壓阻式、壓電式、聲表面波式、隧道式等等。其中電容式加速度傳感器具有檢測精度高，受溫度變化影響小等優(yōu)點(diǎn)，是應(yīng)用最廣泛的加速度傳感器之一。電容式加速度傳感器設(shè)有固定電極和位于質(zhì)量塊上的可動電極，當(dāng)質(zhì)量塊在加速度下發(fā)生位移時，可動電極和固定電極間的距離發(fā)生改變，從而使它們之間的電容發(fā)生改變。通過C/V轉(zhuǎn)換電路，就可以檢測到質(zhì)量塊的位移變化。其中，差分式力平衡加速度傳感器利用變間隙，從而使得微加速度傳感器具有結(jié)構(gòu)簡單，動態(tài)響應(yīng)好，能實(shí)現(xiàn)無接觸式測量，靈敏度好，分辨率強(qiáng)，能測量微小的位移。三明治式電容加速度傳感器可以得到更高的檢測精度，制作三明治結(jié)構(gòu)電容式加速度傳感器的方法主要是體硅微機(jī)械加工方法。為了提高微加速度傳感器的檢測靈敏度，各研究單位及公司已經(jīng)給出了各種方法。具體包括增加敏感質(zhì)量塊質(zhì)量、控制懸臂梁厚度以及采用全對稱差分結(jié)構(gòu)。例如，W.S. Henrion等人采用雙層鍵合硅梁方法，來形成雙面平行對稱梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)(具體參見文獻(xiàn)Sensors structure with L-shaped spring legs, US PatentNo. 5，652，384)，其工藝可以采用KOH腐蝕結(jié)合干法深刻蝕釋放的方法。即首先從背面用KOH將硅片腐蝕到剩余梁的厚度，然后用干法深刻蝕從正面釋放出梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)；為得到雙面結(jié)構(gòu)，再將兩個同樣的梁-質(zhì)量塊背靠背鍵合起來。這種方法的工藝復(fù)雜，成本相對較聞。又例如，高成臣等人采用雙器件層SOI硅片來制作中間片，并在上下電極極板制作防過載凸點(diǎn)，隨后再進(jìn)行鍵合工藝形成三明治結(jié)構(gòu)。這種方法的缺點(diǎn)是傳感器中L型梁比較占用傳感器面積，無法有效利用芯片尺寸；而且在上下極板制作防過載凸點(diǎn)導(dǎo)致鍵合工藝比較復(fù)雜。再例如，H. Seidel等人采用濃硼摻雜自停止的方法(具體參見文獻(xiàn)CapacitiveSilicon Accelerometer with Highly Symmetrical Design， Sensors and ActuatorsA:Physical, Vol. 21，pp. 312-315)，在制作雙面平行對稱梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)時，KOH腐蝕形成梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)的過程中，濃硼摻雜層起自停止決定梁厚度的作用，同時也作為輕摻雜區(qū)域KOH腐蝕的掩模。這種方法的缺點(diǎn)是摻雜濃度不均勻?qū)е铝汉穸炔痪鶆蛞约芭饟诫s工藝中產(chǎn)生的殘余應(yīng)力會影響加速度傳感器的性能，如靈敏度和線性度等等。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器。本發(fā)明的另一目的在于提供一種制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，以便靈活的制作出不同量程、不同靈敏度的電容式微加速度傳感器。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其至少包括I)基于各向異性腐蝕法在具有雙器件層的含氧硅基片的兩表面進(jìn)行刻蝕，使兩表 面分別成凹陷狀；2)基于光刻及各向異性腐蝕法在兩表面的凹陷處分別形成多個防過載凸點(diǎn)；3)基于光刻及各向異性腐蝕法在已形成防過載凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)兩表面再分別形成阻尼調(diào)節(jié)槽；4)基于光刻及干法刻蝕對已形成阻尼調(diào)節(jié)槽的結(jié)構(gòu)兩表面分別進(jìn)行刻蝕、且刻蝕自停止于埋氧化層，由此在兩表面分別形成與邊框及質(zhì)量塊分別連接的彎折形彈性梁的結(jié)構(gòu)，且使防過載凸點(diǎn)與阻尼調(diào)節(jié)槽處于相應(yīng)質(zhì)量塊上、使兩表面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊；5)基于光刻、干法刻蝕及各向異性腐蝕法來釋放彎折形彈性梁與質(zhì)量塊；6)基于鍵合工藝，將第一電極結(jié)構(gòu)層、包含已釋放的彎折形彈性梁與質(zhì)量塊的結(jié)構(gòu)及第二電極結(jié)構(gòu)層同時予以鍵合；7)基于紅外對準(zhǔn)在已鍵合的結(jié)構(gòu)的第一電極結(jié)構(gòu)層與第二電極結(jié)構(gòu)層形成電極引出通孔；8)在已形成通孔的結(jié)構(gòu)上制備電極。優(yōu)選地，所述干法刻蝕為感應(yīng)耦合等離子刻蝕或深反應(yīng)離子刻蝕。優(yōu)選地，光刻時對準(zhǔn)〈110〉晶向。優(yōu)選地，在步驟I)中所形成的凹陷的深度不超過3 μ m。優(yōu)選地，防過載凸點(diǎn)的高度不超過I μ m。優(yōu)選地，在質(zhì)量塊每一面的四側(cè)均連接有彎折形彈性梁。優(yōu)選地，阻尼調(diào)節(jié)槽的寬度B滿足以下條件/ < 42H，H為含氧硅基片中作為器件層的硅層的厚度。本發(fā)明還提供一種彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器，其至少包括第一電極結(jié)構(gòu)層、中間結(jié)構(gòu)層及第二電極結(jié)構(gòu)層；其中，第一電極結(jié)構(gòu)層與第二電極結(jié)構(gòu)層分別設(shè)置有電極引出通孔；所述中間結(jié)構(gòu)層包括基于具有雙器件層的含氧硅基片所形成的邊框、雙面對稱的質(zhì)量塊、及一邊連接邊框、另一邊連接質(zhì)量塊的彎折形彈性梁，其中，在兩質(zhì)量塊的兩面對稱地設(shè)有防過載凸點(diǎn)及阻尼調(diào)節(jié)槽，且處于不同平面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊。如上所述，本發(fā)明的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器及制備方法，具有以下有益效果I、通過可動質(zhì)量塊上下兩面的彎折形彈性梁交錯分布、且在空間上不重疊、并呈90°交叉，通過電感耦合等離子刻蝕或者深反應(yīng)離子刻蝕形成初始彎折彈性梁結(jié)構(gòu)，彈性梁的形狀的工藝兼容性更強(qiáng)，可以有效減小傳感器結(jié)構(gòu)尺寸。2、利用可動質(zhì)量塊的八個角處分布的梁結(jié)構(gòu)，無需采用凸角補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)構(gòu)就可保證最終的質(zhì)量塊為矩形結(jié)構(gòu)，使得預(yù)期的器件結(jié)構(gòu)在完成各向異性腐蝕后，能完整保留，不被破壞，簡化了結(jié)構(gòu)設(shè)計。3、防過載凸點(diǎn)直接制作在質(zhì)量塊表面，無需在極板上制作防過載凸點(diǎn)，可以簡化鍵合工藝。4、控制阻尼槽寬度尺寸，來形成腐蝕自停止的V型阻尼調(diào)節(jié)槽。 5、采用SOI埋層二氧化硅層作為釋放梁結(jié)構(gòu)的自停止層，使得彎折形彈性梁結(jié)構(gòu)厚度精確可控。6、三層硅片一次性鍵合的方法，無需先中間結(jié)構(gòu)層與第一電極結(jié)構(gòu)層鍵合，而后再和第二電極結(jié)構(gòu)層鍵合，工藝更加簡單。7、中間電極引線孔圖形在完成三層鍵合后進(jìn)行紅外光刻對準(zhǔn)，省去了鍵合預(yù)對準(zhǔn)的復(fù)雜工藝過程。8、雙器件層SOI硅片中間可動電極的引出是分別從SOI硅片的上下器件層引出，將SOI硅片中相互隔離的器件層通過外圍連接導(dǎo)通。


圖Ia-Il顯示為本發(fā)明的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法的流程圖。圖2a顯示為本發(fā)明的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的立體圖。圖2b顯示為本發(fā)明的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的中間結(jié)構(gòu)層的俯視圖。圖2c顯示為本發(fā)明的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的中間結(jié)構(gòu)層A-B向首1J視圖。圖3顯示為本發(fā)明的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的中間結(jié)構(gòu)層的另一種優(yōu)選俯視圖。元件標(biāo)號說明1第一電極結(jié)構(gòu)層
2中間結(jié)構(gòu)層
3第二電極結(jié)構(gòu)層
4質(zhì)量塊
5防過載凸點(diǎn)
6中間電極
I阻尼調(diào)節(jié)槽
8彎折形彈性梁
9電極引出通孔
10電容間隙
具體實(shí)施例方式以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式
加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。請參閱圖Ia至圖2d。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。本發(fā)明的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法包括以下步驟I、中間結(jié)構(gòu)層，即彎折形彈性梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)片的制作(I)以雙器件層SOI硅片為基片，如圖Ia所示。(2)硅基片經(jīng)過氧化工藝后，再通過光刻、BOE腐蝕液腐蝕開出KOH腐蝕窗口，然后在硅基片上、下表面利用氫氧化鉀各向異性腐蝕方法使兩表面分別成凹陷狀，以便后續(xù)與第一電極結(jié)構(gòu)層及第二電極結(jié)構(gòu)層鍵合時能具有電容間隙，其中，腐蝕深度Ιμπι，如圖Ib所示。(3)去除已呈凹陷狀的硅基片剩下區(qū)域的氧化層保護(hù)層，并再次進(jìn)行氧化形成氧化硅保護(hù)層，隨后通過光刻、BOE腐蝕液腐蝕開出KOH腐蝕窗口，在硅基片上、下表面通過各向異性腐蝕方法制作防過載凸點(diǎn)，其中，防過載凸點(diǎn)的高度為Ιμπι，如圖Ic所示。(4)去除已形成防過載凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)剩下區(qū)域的氧化層保護(hù)層，并再次氧化形成氧化硅，通過光刻、BOE腐蝕液腐蝕開出KOH腐蝕窗口，用氫氧化鉀各向異性腐蝕方法，在硅基片上、下表面腐蝕形成阻尼調(diào)節(jié)槽，腐蝕形成V形槽自停止，如圖Id所示。優(yōu)選地，采用BOE腐蝕液腐蝕來開出KOH腐蝕窗口時，該KOH腐蝕窗口的寬度基于含氧硅基片中用于器件層的硅層來確定，由此來使得所形成的阻尼調(diào)節(jié)槽的寬度B與硅層厚度H滿足B<yf2H ο
(5)去除已形成阻尼調(diào)節(jié)槽的結(jié)構(gòu)剩下區(qū)域的氧化層，并雙面光刻，以光刻膠作為掩蔽層，應(yīng)用ICP或者DRIE干法刻蝕形成邊框與質(zhì)量塊分別連接彎折形彈性梁的結(jié)構(gòu)，且使防過載凸點(diǎn)與阻尼調(diào)節(jié)槽處于相應(yīng)質(zhì)量塊上、使兩表面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊，如圖Ie所示，其中，所述邊框作為質(zhì)量塊的錨區(qū)。(6)去除光刻膠保護(hù)層，將硅基片再次進(jìn)行氧化，然后進(jìn)行雙面光刻，BOE腐蝕液腐蝕開出KOH腐蝕窗口，如圖If所示。(7)開出腐蝕窗口后，繼續(xù)用上步工藝中的光刻膠做保護(hù)層進(jìn)行ICP或者DRIE干法刻蝕，刻蝕SOI硅基片體硅層，刻蝕深度一定要保證最終全對稱彎折形彈性梁與質(zhì)量塊可以通過各向異性腐蝕釋放，如圖Ig所示。(8)用各向異性腐蝕方法進(jìn)行硅基片腐蝕，直至彎折形彈性梁與質(zhì)量塊被釋放。在腐蝕完成彎折形彈性梁結(jié)構(gòu)時，雙器件SOI硅片中的埋氧層作為腐蝕的停止層，實(shí)現(xiàn)了腐蝕梁工藝的自停止，如圖Ih所示。
(8)去除剩下區(qū)域的腐蝕掩蔽用氧化層，得到中間結(jié)構(gòu)層的彎折形彈性梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)，如圖Ii所示。2.第一電極結(jié)構(gòu)層與第二電極結(jié)構(gòu)層分別通過直接雙拋硅片的熱氧化制作二氧化娃絕緣層來形成。3.通過三層同時鍵合工藝，將第一電極結(jié)構(gòu)層、中間結(jié)構(gòu)層和第二電極結(jié)構(gòu)層鍵合在一起，如圖Ij所示。4.通過紅外對準(zhǔn)光刻在鍵合的結(jié)構(gòu)上下表面制作中間電極引線通孔腐蝕窗口，如圖4k所示。5.進(jìn)行硅的各向異性腐蝕，形成可動質(zhì)量塊中間電極的引出通孔，隨后進(jìn)行鍵合的結(jié)構(gòu)的電極引制作，即在鍵合的結(jié)構(gòu)的正反面采用濺射、蒸發(fā)等制作金屬層，其中，金屬層的材料包括但不限于A1, Au, Ni等,如(圖11所示。經(jīng)過上述步驟，制備形成的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器如圖2a至2c所示，該電容式加速度傳感器至少包括第一電極結(jié)構(gòu)層I、中間結(jié)構(gòu)層2及第二電極結(jié)構(gòu)層3。其中，第一電極結(jié)構(gòu)層I與第二電極結(jié)構(gòu)層2分別設(shè)置有電極引出通孔9，且第一電極結(jié)構(gòu)層I與中間結(jié)構(gòu)層2間、第二電極結(jié)構(gòu)層2與中間結(jié)構(gòu)層2間均具有電容間隙10，該電容間隙10因前述硅基片呈凹陷狀而形成。其中，所述中間結(jié)構(gòu)層2包括形成在具有雙器件層的含氧硅基片的邊框、雙面對稱的質(zhì)量塊4、及一邊連接邊框、另一邊連接質(zhì)量塊4的彎折形彈性梁8。其中，在所述邊框相對于電極引出通孔9處形成有中間電極6，在質(zhì)量塊的兩面對稱地設(shè)有防過載凸點(diǎn)5及阻尼調(diào)節(jié)槽7、其每一面的四邊側(cè)均連接有彎折形彈性梁8，且處于不同平面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊。此外，優(yōu)選地，由于彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器結(jié)構(gòu)微小(微米量級)，并采用硅的各向異性腐蝕來刻蝕，光刻時嚴(yán)格對準(zhǔn)〈110〉晶向，可有效保證矩形的質(zhì)量塊。再有，彎折形彈性梁的彎折次數(shù)、梁的總長度、總寬度可以根據(jù)靈敏度等來確定。例如，如圖3所示，該電容式加速度傳感器的彎折形彈性梁的彎折次數(shù)較圖2b所示的彎折形彈性梁的彎折次數(shù)更多。
綜上所述，本發(fā)明的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，相較于現(xiàn)有的制備方法，加工工藝簡單，能夠同時完成梁和質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)的制作；而且基于交錯分布的彎折形彈性梁來連接質(zhì)量塊，使得加速度傳感器的性能穩(wěn)定，并且可以根據(jù)需要，制備彎折次數(shù)、梁總長、總寬不同的彎折形彈性梁，由此來改變傳感器的靈敏度，故具有較大靈活性。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟 悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于，所述制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法至少包括 1)基于各向異性腐蝕法在具有雙器件層的含氧硅基片的兩表面進(jìn)行刻蝕，使兩表面分別成凹陷狀； 2)基于光刻及各向異性腐蝕法在兩表面的凹陷處分別形成多個防過載凸點(diǎn)； 3)基于光刻及各向異性腐蝕法在已形成防過載凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)兩表面再分別形成阻尼調(diào)節(jié)槽； 4)基于光刻及干法刻蝕對已形成阻尼調(diào)節(jié)槽的結(jié)構(gòu)兩表面分別進(jìn)行刻蝕、且刻蝕自停止于埋氧化層，由此在兩表面分別形成與邊框及質(zhì)量塊分別連接的彎折形彈性梁的結(jié)構(gòu)，且使防過載凸點(diǎn)與阻尼調(diào)節(jié)槽處于相應(yīng)質(zhì)量塊上、使兩表面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊； 5)基于光刻、干法刻蝕及各向異性腐蝕法來釋放彎折形彈性梁與質(zhì)量塊； 6)基于鍵合工藝，將第一電極結(jié)構(gòu)層、包含已釋放的彎折形彈性梁與質(zhì)量塊的結(jié)構(gòu)及第二電極結(jié)構(gòu)層同時予以鍵合； 7)基于紅外對準(zhǔn)在已鍵合的結(jié)構(gòu)的第一電極結(jié)構(gòu)層與第二電極結(jié)構(gòu)層形成電極引出通孔； 8)在已形成通孔的結(jié)構(gòu)上制備電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于所述干法刻蝕為感應(yīng)耦合等離子刻蝕或深反應(yīng)離子刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于光刻時對準(zhǔn)〈110〉晶向。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于在步驟I)中所形成的凹陷的深度不超過3 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于防過載凸點(diǎn)的高度不超過I μ In。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于在質(zhì)量塊每一面的四側(cè)均連接有彎折形彈性梁。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制備彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器的方法，其特征在于阻尼調(diào)節(jié)槽的寬度B滿足以下條件4<力//，H為含氧硅基片中作為器件層的硅層的厚度。
8.一種彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器，其特征在于，所述彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器至少包括 第一電極結(jié)構(gòu)層、中間結(jié)構(gòu)層及第二電極結(jié)構(gòu)層； 其中，第一電極結(jié)構(gòu)層與第二電極結(jié)構(gòu)層分別設(shè)置有電極引出通孔； 所述中間結(jié)構(gòu)層包括基于具有雙器件層的含氧硅基片所形成的邊框、雙面對稱的質(zhì)量塊、及一邊連接邊框、另一邊連接質(zhì)量塊的彎折形彈性梁，其中，在兩質(zhì)量塊的兩面對稱地設(shè)有防過載凸點(diǎn)及阻尼調(diào)節(jié)槽，且處于不同平面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器，其特征在于在質(zhì)量塊每一面的四側(cè)均連接有彎折形彈性梁。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器，其特征在于阻尼調(diào)節(jié)槽的寬度B滿足以下條件5<Λ/ Γ,Η為含氧硅基片中作為器件層的硅層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種彎折形彈性梁的電容式加速度傳感器及制備方法。該傳感器至少包括第一電極結(jié)構(gòu)層、中間結(jié)構(gòu)層及第二電極結(jié)構(gòu)層；其中，第一電極結(jié)構(gòu)層與第二電極結(jié)構(gòu)層分別設(shè)置有電極引出通孔；所述中間結(jié)構(gòu)層包括基于具有雙器件層的含氧硅基片所形成的邊框、雙面對稱的質(zhì)量塊、及一邊連接邊框、另一邊連接質(zhì)量塊的彎折形彈性梁，其中，在兩質(zhì)量塊的兩面對稱地設(shè)有防過載凸點(diǎn)及阻尼調(diào)節(jié)槽，且處于不同平面的彎折形彈性梁交錯分布、在空間上不重疊。由于彎折形彈性梁的彎折次數(shù)、梁總長、梁總寬可基于需要來確定，故本發(fā)明能制備不同靈敏度的電容式加速度傳感器，靈活性大。
文檔編號B81C1/00GK102879608SQ20121041883
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月26日
發(fā)明者車錄鋒, 周曉峰, 王躍林 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所