用于制造具有電覆鍍通孔的構(gòu)件的方法
【專利摘要】描述一種用于制造具有電覆鍍通孔(110)的部件(300)的方法，其中所述方法包括以下步驟：提供具有前側(cè)(101)和與所述前側(cè)(101)相反對置的背側(cè)(102)的半導(dǎo)體襯底(100)，在所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)上產(chǎn)生環(huán)形包圍接觸區(qū)域(103)的絕緣溝槽(121)，在所述絕緣溝槽(121)中施加絕緣材料(122)，在所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)上通過去除所述接觸區(qū)域(103)中被所述絕緣溝槽(121)包圍的半導(dǎo)體材料(104)產(chǎn)生接觸孔(111)，以及在所述接觸孔(111)中沉積金屬材料(114)。
【專利說明】用于制造具有電覆鍍通孔的構(gòu)件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于制造構(gòu)件、尤其是具有覆鍍通孔的微機電構(gòu)件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微機電構(gòu)件(MEMS,micro-electro-mechanical system:微機電系統(tǒng))的越來越小封裝的發(fā)展其中要求各個元件——例如傳感器、傳感器罩和分析處理電路(ASIC)的堆疊和通孔敷鍍。元件的重疊設(shè)置在此稱為MEMS3D-集成。在硅襯底上構(gòu)造的微機電構(gòu)件中的覆鍍通孔的一種可能性形成所謂的Through-Silicon-Vias(TSV):娃過孔。這種TSV結(jié)構(gòu)在此必須在其電阻以及其機械穩(wěn)定性方面滿足一些邊緣條件。此外，在堆疊不同的微型部件一例如像傳感器和ASIC時，特別重要的是，從封裝的傳感器例如加速傳感器或轉(zhuǎn)速傳感器中，穿過傳感器罩引出傳感器信號。
[0003]在垂直接通的實現(xiàn)中，在同時盡可能小的體電阻(Durchgangswiderstand)的情況下，力求具有盡可能小的底面積的接觸結(jié)構(gòu)。為實現(xiàn)這點，通常在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生很窄的、具有幾乎垂直的壁的孔，這例如借助常用的開槽方法或激光實現(xiàn)。在隨后沉積絕緣層和打開孔底部處的絕緣層之后，完全或部分地借助金屬填充所述孔。
[0004]為使襯底中的電覆鍍通孔金屬化，此外使用化學氣相淀積方法——例如
銅-CVD (chemical vapour deposition:化學氣相淀積)，或電鍍方法-例如銅-電鍍-沉
積。但這些標準方法不適合用于已經(jīng)封裝的傳感器晶片罩中的覆鍍通孔的金屬化，因為所使用的電鍍?nèi)垡嚎赡芮治g和流經(jīng)鍵合層。與此相反，銅-CVD工藝僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)側(cè)壁的銅浸濕而不能夠?qū)崿F(xiàn)接觸孔的完全填充。此外，這些方法使用聚合物層或氧化物層作為絕緣層，聚合物層或氧化物層由于其小的厚度而有利于覆鍍通孔與環(huán)繞的半導(dǎo)體材料之間的寄生電容。由于這種寄生電容，經(jīng)常不滿足對MEMS-Via(過孔)的嚴格要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的任務(wù)在于，提供一種用于制造電覆鍍通孔的中過孔(Via-Middle)方法，其能夠與所屬的微機電傳感器的制造無關(guān)地實現(xiàn)罩晶片中覆鍍通孔的制造。所述任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法解決。其他有利的實施方式在從屬權(quán)利要求中說明。
[0006]在根據(jù)本發(fā)明的、用于制造具有覆鍍通孔的構(gòu)件的方法中，首先提供具有前側(cè)和與前側(cè)相反對置的背側(cè)的半導(dǎo)體襯底。然后在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上產(chǎn)生環(huán)形包圍接觸區(qū)域的絕緣溝槽。在此，通過在絕緣溝槽中施加絕緣材料來產(chǎn)生環(huán)形的絕緣結(jié)構(gòu)。此外，在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上通過去除接觸區(qū)域中被絕緣區(qū)域包圍的半導(dǎo)體材料產(chǎn)生接觸孔。最后在接觸孔中沉積金屬材料。電覆鍍通孔的制造在此與構(gòu)件的其他部分的制造完全無關(guān)地進行。因此Via-工藝步驟不必與構(gòu)件的其他部分兼容。因此，覆鍍通孔的制造也可以包括400°C以上的高溫工藝以及分配或電鍍工藝，利用它們特別是可以高效地制造具有小的底面積和高的縱橫比的通孔。通過環(huán)形絕緣溝槽的使用，在覆鍍通孔的金屬填充與環(huán)繞的半導(dǎo)體材料之間可以產(chǎn)生特別厚的絕緣層。由此也可以降低漏電流和電容式干擾的危險。[0007]根據(jù)一種實施方式，以盲孔的形式構(gòu)造絕緣溝槽并且在金屬材料沉積在接觸孔中之后從背側(cè)減薄半導(dǎo)體襯底，從而在此暴露絕緣材料和金屬材料。所述方法允許處理期間晶片的更大層厚度，由此一方面簡化晶片的操作并且另一方面減少晶片破裂的危險。
[0008]在借助金屬填充的半導(dǎo)體晶片的一種實施方式中，與公知的中過孔(Via-Middle)方法不同地降低氧化物絕緣面上的金屬涂抹的危險。
[0009]在另一種實施方式中規(guī)定，在絕緣溝槽中借助各向同性的蝕刻方法相對于絕緣材料選擇性地去除留在接觸區(qū)域中的半導(dǎo)體材料。由此實現(xiàn)接觸孔的自調(diào)準的打開。在此，可以可靠地蝕刻具有高縱橫比的深的接觸孔。
[0010]另一種實施方式規(guī)定，借助壓制方法在絕緣溝槽中施加的玻璃，尤其是硼硅玻璃用作絕緣材料。通過使用玻璃和尤其是硼硅玻璃作為絕緣材料的使用，可以產(chǎn)生相對較寬的絕緣溝槽，通過所述絕緣溝槽可以特別有效地降低可能的寄生電容和漏電流的危險。在此，所述壓制方法特別好地適用于填充相對較寬的溝槽。因為玻璃具有與硅相當?shù)臒崤蛎浵禂?shù)，所以可以因此避免襯底中熱感應(yīng)的機械應(yīng)力。
[0011]在另一種實施方式中規(guī)定，與在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上制造再布線一起進行金屬材料在接觸孔中的沉積。由此可以節(jié)省方法步驟，這又導(dǎo)致制造方法的簡化并且與此相關(guān)地又導(dǎo)致構(gòu)件的制造成本的降低。
[0012]在另一種實施方式中規(guī)定，借助磨削工藝、濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝或借助磨削工藝和濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝的組合來進行半導(dǎo)體襯底的減薄。借助磨削工藝可以有效地減薄特別厚的半導(dǎo)體層。與此相反，濕蝕刻工藝和干蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體材料的選擇性去除。
[0013]另一種實施方式規(guī)定，使用電鍍銅沉積方法、銅-CVD方法、金屬膏印刷方法和/或借助納米銀墨的噴射-印刷方法用于借助金屬材料填充接觸孔。借助銅-電鍍-金屬化可以很可靠地實現(xiàn)接觸孔的完全填充。與此相反，銅-CVD-金屬化方法允許在接觸孔的側(cè)壁和底部上構(gòu)造薄的金屬層。借助金屬膏印刷法方法和納米銀墨的噴射-印刷方法可以相對較迅速地實施接觸孔的金屬化。
[0014]在另一種實施方式中規(guī)定，在鍵合工藝沮疇內(nèi)在接觸孔中沉積金屬材料之后將半導(dǎo)體襯底與功能襯底連接。因為還在鍵合工藝之前進行接觸孔中的金屬沉積，所以金屬化工藝不必與功能襯底兼容。尤其可以使用400°C以上的高溫工藝以及分配或電鍍工藝用于制造覆鍍通孔，所述工藝可能導(dǎo)致功能襯底的功能結(jié)構(gòu)的損壞或粘連。
[0015]在另一種實施方式中規(guī)定，在半導(dǎo)體襯底與功能襯底連接之前，在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上產(chǎn)生一個空穴，用于容納設(shè)置在功能襯底上的功能結(jié)構(gòu)。借助這種空穴產(chǎn)生用于功能結(jié)構(gòu)的容納室，所述容納室能夠?qū)崿F(xiàn)功能結(jié)構(gòu)相對于外界氣密的包圍。
[0016]此外，根據(jù)本發(fā)明，提出一種構(gòu)件，其包括具有從前側(cè)至與前側(cè)相反對置的背側(cè)穿透半導(dǎo)體襯底的背側(cè)接觸部。覆鍍通孔在此包括由環(huán)形地包圍接觸區(qū)域的且借助絕緣材料填充的絕緣溝槽組成的絕緣結(jié)構(gòu)、設(shè)置在接觸區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上的電接觸結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在接觸區(qū)域中由絕緣結(jié)構(gòu)限界且將電接觸結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體襯底的前側(cè)電連接的金屬填充。由于制造具有任意厚度的絕緣溝槽的可能性，可以使覆鍍通孔匹配不同的技術(shù)應(yīng)用。尤其借助相對較寬的絕緣溝槽可以實現(xiàn)金屬填充與環(huán)繞的半導(dǎo)體襯底的良好電絕緣。同時還可以減小干擾電容。此外，可以任意構(gòu)造金屬填充的直徑，由此覆鍍通孔的轉(zhuǎn)移電阻可以相對簡單地匹配不同的應(yīng)用。
[0017]最后設(shè)置一實施形式，半導(dǎo)體襯底具有空穴并且如此與功能襯底連接，使得設(shè)置在功能襯底的表面上的功能結(jié)構(gòu)位于空穴內(nèi)。電接觸結(jié)構(gòu)在此與功能結(jié)構(gòu)的互補的接觸結(jié)構(gòu)電連接。在所述裝置中，半導(dǎo)體襯底用作用于功能襯底的功能結(jié)構(gòu)的罩。覆鍍通孔在此允許包圍在兩個襯底之間的功能結(jié)構(gòu)的電連接。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]下面根據(jù)附圖詳細描述本發(fā)明。示出:
[0019]圖1示出工藝開始時的半導(dǎo)體襯底；
[0020]圖2示出圖1中的、具有在前側(cè)上構(gòu)造的環(huán)形絕緣溝槽的半導(dǎo)體襯底；
[0021]圖3示出圖2中的、具有借助絕緣材料填充的絕緣溝槽的半導(dǎo)體襯底；
[0022]圖4示出圖3中的、具有打開的接觸孔的半導(dǎo)體襯底；
[0023]圖5示出圖4中的、具有完全借助金屬填充的接觸孔的半導(dǎo)體襯底；
[0024]圖6示出圖4中的、具有僅僅借助薄金屬層金屬化的接觸孔的半導(dǎo)體襯底；
[0025]圖7示出圖5中的、減薄后的半導(dǎo)體襯底，其中，去除半導(dǎo)體襯底背側(cè)上的半導(dǎo)體材料，直至暴露覆鍍通孔；
[0026]圖8示出圖7中的、在與功能襯底鍵合前的半導(dǎo)體襯底，其中，已在半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上產(chǎn)生空穴，用于容納功能襯底的功能結(jié)構(gòu)；
[0027]圖9示出通過半導(dǎo)體襯底與功能襯底的鍵合而形成的微機電構(gòu)件；
[0028]圖10示出圖9中的、具有在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上構(gòu)造的再布線的微機電構(gòu)件；
[0029]圖11示出具有接觸孔的僅借助薄金屬層實現(xiàn)的金屬化的微機電構(gòu)件的一種替代的實施方式；
[0030]圖12示出一種替代的變型方案，其中在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)上產(chǎn)生空穴；
[0031]圖13示出圖12中的、在與功能襯底鍵合之后的半導(dǎo)體襯底；
[0032]圖14示出圖9中的在減薄之后的已鍵合的半導(dǎo)體襯底，其中，已去除半導(dǎo)體襯底背側(cè)上的半導(dǎo)體材料，直至暴露覆鍍通孔；以及
[0033]圖15示出圖14中的、具有在半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上構(gòu)造的再布線的微機電構(gòu)件。【具體實施方式】
[0034]下面根據(jù)具有至少一個微機電功能結(jié)構(gòu)的微機電構(gòu)件——例如微機電運動或轉(zhuǎn)速傳感器的制造示例性地詳細解釋根據(jù)本發(fā)明的方法。在此，在用作用于設(shè)置在功能襯底上的微機電功能結(jié)構(gòu)的罩晶片的半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生至少一個覆鍍通孔。在此，出發(fā)點是例如以硅晶片的形式的半導(dǎo)體襯底100。圖1示出具有前側(cè)101和與前側(cè)相反對置的背側(cè)102的半導(dǎo)體襯底100。
[0035]首先，在半導(dǎo)體襯底100中產(chǎn)生環(huán)形包圍接觸區(qū)域103的絕緣溝槽121。這一點優(yōu)選借助常用的開槽方法實現(xiàn)，其中首先加載掩膜層(例如TEOS-氧化物或鋁)并且借助平版印刷術(shù)和蝕刻工藝結(jié)構(gòu)化。絕緣溝槽121隨后借助各向異性的蝕刻方法，例如活性的離子蝕刻(DRIE ；deep reactive ion etching:深反應(yīng)離子蝕刻)或借助開槽工藝蝕刻,其中，蝕刻工藝在體襯底(Bulksubstrat)的確定深度中停止,從而形成盲孔絕緣環(huán)。替代地，絕緣溝槽的制造也可以借助激光器支持的結(jié)構(gòu)化方法實現(xiàn)。圖2示出在半導(dǎo)體襯底100的前側(cè)101上以盲孔的形式構(gòu)造的絕緣溝槽121。替代地，也可以通過半導(dǎo)體襯底100的整個厚度實現(xiàn)溝槽結(jié)構(gòu)121。在這種情形中，取消用于暴露絕緣溝槽121的半導(dǎo)體襯底背側(cè)去除。
[0036]在另一步驟中，絕緣溝槽121現(xiàn)在借助絕緣材料122完全填充。為此基本上可以考慮任何合適的方法和絕緣材料。但優(yōu)選以玻璃——例如硼硅玻璃填充絕緣溝槽121。這優(yōu)選以壓制法實現(xiàn)。圖3示出具有通過以玻璃122作為絕緣材料填充絕緣溝槽121而形成的絕緣結(jié)構(gòu)120的半導(dǎo)體襯底100。
[0037]在隨后的方法步驟中，借助合適的方法去除被絕緣結(jié)構(gòu)120包圍的半導(dǎo)體柱(Halbleiterstempel) 104。為此,優(yōu)選外部圍繞絕緣結(jié)構(gòu)或玻璃絕緣環(huán)120重新加載例如由TEOS-氧化物制成的掩膜層。然后選擇性地蝕刻留在絕緣結(jié)構(gòu)120中的半導(dǎo)體柱104與絕緣材料122。在硅作為半導(dǎo)體材料的情形中，為此例如可以使用XeF2以及CIF3作為蝕刻氣體。圖4示出在通過去除接觸區(qū)域103中的半導(dǎo)體材料104來產(chǎn)生接觸孔111之后相應(yīng)的方法現(xiàn)狀。
[0038]在另一方法步驟中，現(xiàn)在將打開的接觸孔借助金屬填充。優(yōu)選使用借助銅的電鍍金屬化，用于完全填充接觸孔111。所述工藝變型方案為此可以實現(xiàn)接觸孔借助銅的可靠的填充。但替代地，也可以選擇使用其他的金屬化方法。為此，可以借助金屬、如銅借助化學氣相淀積方法(CVD, chemical vapour deposition:化學氣相淀積)實現(xiàn)金屬化。此外,還可能的是，使用噴射-印刷方法，其中使用具有可容易清除的有機物作為溶劑的例如納米銀墨，用于金屬化?；旧线€可考慮金屬骨印刷方法。
[0039]圖5示出具有借助金屬114完全填充的接觸孔111的半導(dǎo)體襯底100。
[0040]替代完全填充，可以僅僅通過在接觸孔111的側(cè)壁和底部上沉積薄金屬層來實現(xiàn)金屬化。相應(yīng)的工藝變型方案在圖6中示出。根據(jù)應(yīng)用，接觸孔111的側(cè)壁和底部的薄的浸濕就已經(jīng)足夠。
[0041]在半導(dǎo)體襯底100的前側(cè)101上完成施加電覆鍍通孔110之后，將半導(dǎo)體襯底100背側(cè)減薄，直至暴露絕緣結(jié)構(gòu)120和金屬填充114。在此，優(yōu)選借助磨削方法，從半導(dǎo)體襯底100的背側(cè)102去除半導(dǎo)體材料。替代地，對此也可以使用干式蝕刻法、濕式蝕刻法或不同方法一例如磨削和干式蝕刻或濕式蝕刻的組合。借助通過半導(dǎo)體晶片100的背側(cè)減薄而暴露的覆鍍通孔110的相應(yīng)方法現(xiàn)狀在圖7中示出。
[0042]隨后，在鍵合方法的范疇內(nèi)，將半導(dǎo)體襯底100與功能襯底200連接。半導(dǎo)體襯底100在此用作用于功能襯底200或用于設(shè)置在功能襯底200上的微機電功能結(jié)構(gòu)221的罩晶片。出于所述原因，在半導(dǎo)體襯底100中通過借助合適的方法去除半導(dǎo)體材料來產(chǎn)生用于容納功能結(jié)構(gòu)221的空穴105。在所述實施例中，在半導(dǎo)體襯底100的背側(cè)102上產(chǎn)生空穴。但對此替代地，還可能的是，在半導(dǎo)體襯底100的前側(cè)101上產(chǎn)生空穴。此外，在金屬覆鍍通孔上待鍵合的側(cè)上產(chǎn)生至少一個接觸焊盤130并且在半導(dǎo)體襯底100的表面上產(chǎn)生多個連接焊盤131、132。圖8示出直接在與功能襯底200鍵合工藝之前具有空穴105、接觸焊盤130以及連接焊盤131、132的半導(dǎo)體襯底100。功能襯底200具有相應(yīng)互補的接觸焊盤230以及相應(yīng)互補的連接焊盤231、232。例如可以使用低共熔點系，例如鋁/鍺用于鍵合。但基本上可能的是，使用其他任何的導(dǎo)電系，例如金/錫。[0043]圖9示出在功能襯底200上鍵合的半導(dǎo)體襯底100。半導(dǎo)體襯底100在此構(gòu)成覆蓋功能襯底200的功能結(jié)構(gòu)121的罩。同時通過覆鍍通孔120實現(xiàn)功能結(jié)構(gòu)121向外的電連接。通過兩個襯底100、200鍵合時的熱步驟，兩個接觸焊盤130、230熔化成一個共同的接觸結(jié)構(gòu)330并且兩個連接焊盤131和231以及兩個連接焊盤132和232分別一起熔化成一個共同的連接結(jié)構(gòu)331和332。
[0044]最后，在半導(dǎo)體襯底100的前側(cè)101上還產(chǎn)生金屬接觸部114的再布線。這例如可以借助結(jié)構(gòu)化的鋁印制導(dǎo)線實現(xiàn)。還能夠借助絲網(wǎng)印刷法印刷印制導(dǎo)線。在此，例如可以使用由銀或金制成的導(dǎo)電膏。圖10示出具有在半導(dǎo)體襯底的前側(cè)101上構(gòu)造的再布線結(jié)構(gòu)151、152、153、154的被構(gòu)造為鍵合的襯底堆疊的構(gòu)件300。
[0045]圖11示出具有覆鍍通孔110的構(gòu)件300的一種替代的構(gòu)型，其中金屬化114僅被
實現(xiàn)為薄金屬層。
[0046]替代圖7至10中所示的工藝變型方案，在鍵合工藝之后才實現(xiàn)半導(dǎo)體晶片110的減薄。從圖6中所示的方法現(xiàn)狀出發(fā)，在此，在半導(dǎo)體襯底100的前側(cè)101上產(chǎn)生空穴105、接觸焊盤130以及連接焊盤131、132。圖12示出具有設(shè)置在前側(cè)101上的空穴105的半導(dǎo)體襯底100。
[0047]半導(dǎo)體襯底100然后借助其前側(cè)101與功能襯底200連接。這種方法現(xiàn)狀在圖13
中示出。
[0048]然后進行半導(dǎo)體襯底的背側(cè)減薄，其中，完全暴露覆鍍通孔110。這種方法現(xiàn)狀在圖14中示出。
[0049]最后，在半導(dǎo)體襯底100的背側(cè)102上產(chǎn)生再布線結(jié)構(gòu)151、152、153、154。這種方法現(xiàn)狀在圖15中示出。
[0050]盡管已通過優(yōu)選的實施例詳細地說明和描述本發(fā)明的細節(jié)，但本發(fā)明不限于所公開的示例。而是可以由本領(lǐng)域人員從中導(dǎo)出其他變型方案，而不脫離本發(fā)明的保護范圍。除在此提到的材料——例如襯底材料、金屬化材料和絕緣材料，基本上還可以使用其他合適的材料。為此不同材料的任何有意義的組合基本上是適合的。
[0051]此外，這里制造的覆鍍通孔除了微機電構(gòu)件外，基本上還可以用在微電子構(gòu)件中。
[0052]基本上可能的是，借助以下方法來制造微機電構(gòu)件:借助所謂的晶片上晶片(ffafer-on-ffafer)方法——其中晶片彼此鍵合并且隨后分離已鍵合的晶片、借助所謂的晶片上晶粒(Die-on-Wafer)方法——其中將各個晶粒鍵合在晶片上并且隨后分離晶片，或者借助所謂的晶粒上晶粒(Die-on-Die)方法——其中彼此鍵合已經(jīng)分離的晶粒。
[0053]此外，基本上還可能的是，已經(jīng)在接觸孔的金屬化范疇內(nèi)產(chǎn)生再布線或再布線的至少一部分。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造具有電覆鍍通孔(110)的部件(300)的方法，包括以下步驟: -提供具有前側(cè)(101)和與所述前側(cè)(101)相反對置的背側(cè)(102)的半導(dǎo)體襯底(100)， -在所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)上產(chǎn)生環(huán)形包圍接觸區(qū)域(103)的絕緣溝槽(121)， -在所述絕緣溝槽(121)中施加絕緣材料(122), -在所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)上通過去除所述接觸區(qū)域(103)中被所述絕緣溝槽(121)包圍的半導(dǎo)體材料(104)產(chǎn)生接觸孔(111)，以及 -在所述接觸孔(111)中沉積金屬材料(114)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述絕緣溝槽(121)被構(gòu)造為盲孔，以及其中在所述金屬材料(114)沉積在所述接觸孔(111)中之后從所述背側(cè)(103)減薄所述半導(dǎo)體襯底(100)，從而在此暴露所述絕緣材料(122)和所述金屬材料(114)。
3.根據(jù)以上權(quán)利要求1或2中任一項所述的方法，其中，在所述絕緣溝槽(121)中借助各向同性的蝕刻方法相對于絕緣材料(122)選擇性地去除留在所述接觸區(qū)域(103)中的所述半導(dǎo)體材料(104)。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中，將借助壓制方法在所述絕緣溝槽(121)中施加的玻璃、尤其是硼硅玻璃用作絕緣材料(122)。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，與在所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)上制造再布線(150) —起進行所述金屬材料(114)在所述接觸孔(111)中的沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中借助磨削工藝、濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝或借助磨削工藝和濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝的組合來進行所述半導(dǎo)體襯底(100)的減薄。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，使用電鍍銅沉積方法、銅-CVD方法、金屬膏印刷方法和/或借助納米銀墨的噴射-印刷方法用于借助所述金屬材料(114)填充所述接觸孔(111)。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在鍵合工藝范疇在所述接觸孔(111)中沉積金屬材料(114)之后將所述半導(dǎo)體襯底(100)與功能襯底(200)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體襯底(100)與所述功能襯底(210)連接之前，在所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)上產(chǎn)生一個空穴(105)，用于容納設(shè)置在所述功能襯底(210)上的功能結(jié)構(gòu)(221)。
10.一種包括半導(dǎo)體襯底(100)的部件(300)，具有從前側(cè)(101)至與所述前側(cè)(101)相反對置的背側(cè)(102)穿透半導(dǎo)體襯底(100)的電覆鍍通孔(110)，其中，所述覆鍍通孔(110)包括由環(huán)形地包圍接觸區(qū)域(103)和借助絕緣材料(122)填充的絕緣溝槽(121)組成的絕緣結(jié)構(gòu)(120)、設(shè)置在所述接觸區(qū)域(103)中的所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述背側(cè)(102)上的電接觸結(jié)構(gòu)(330)以及設(shè)置在所述接觸區(qū)域(103)中由所述絕緣結(jié)構(gòu)(120)限界且將所述電接觸結(jié)構(gòu)(330)與所述半導(dǎo)體襯底(100)的所述前側(cè)(101)電連接的金屬填充(114)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件(300)，其中，所述半導(dǎo)體襯底(100)具有空穴(105)并且如此與功能襯底(210)連接，使得設(shè)置在所述功能襯底(210)的表面上的功能結(jié)構(gòu)(221)位于所述空穴(105)內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的部件(300)，其中，所述絕緣溝槽(121)具有玻璃、尤其是硼硅玻璃，作為絕緣材料(122)。
【文檔編號】B81B7/00GK103508413SQ201310414868
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月21日
【發(fā)明者】J·萊茵穆特, J·弗萊, Y·貝格曼 申請人:羅伯特·博世有限公司