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      一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法

      文檔序號(hào):5269108閱讀:359來源:國(guó)知局
      一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,包括以下步驟:步驟一,在室溫下將一定質(zhì)量比的聚四氟乙烯和硅粉加入到環(huán)己烷,混勻,干燥后置于密封的爆發(fā)器中;步驟二,引發(fā)爆燃反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后收集反應(yīng)產(chǎn)物,去除未反應(yīng)的聚四氟乙烯和硅粉,冷卻,將產(chǎn)物洗凈,干燥后得石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒;步驟三,將所得石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒剝離,即得到石墨烯量子點(diǎn)。本發(fā)明提出的石墨烯量子點(diǎn)的制備方法簡(jiǎn)便,所用設(shè)備簡(jiǎn)單,耗時(shí)短,可實(shí)現(xiàn)短時(shí)間內(nèi)的大量制備,便于工業(yè)化生產(chǎn)。
      【專利說明】一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種無機(jī)納米材料的合成,具體涉及一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法?!颈尘凹夹g(shù)】
      [0002]石墨烯量子點(diǎn)(graphene quantum dots, GQDs)由于其尺寸在IOnm以下,表現(xiàn)出較強(qiáng)的量子限域效應(yīng)和邊界效應(yīng),因此在許多領(lǐng)域如太陽能光電器件、生物醫(yī)藥、發(fā)光二極管和傳感器等有著十分誘人的應(yīng)用前景。至今為止,國(guó)內(nèi)外科研工作者已研究發(fā)展了很多制備石墨烯量子點(diǎn)的方法??偲饋碚f,可以分為兩大類:自上而下和自下而上的方法。自上而下的方法可以被視為碳材料的切割剝離過程,主要包括石墨烯的光刻技術(shù)[參見:Ponomarenko L.A.;Schedin F.;Katsnelson Μ.1.;Yang R.;HillE.W.;Novoselov K.S.;Geim A.K.Chaotic Dirac Billiard in Graphene Quantum Dots.Science2008,320,356-358.]、氧化石墨烯水熱法[參見:Pan D.Y.;Zhang J.C.;Li Z.;Wu Μ.H.Hydrothermal Route for Cutting Graphene Sheets into Blue-LuminescentGraphene Quantum Dots.Adv.Mater.2010,22,734-738.]、多次氧化法[參見:ShenJ.H.;Zhu Y.H.;Chen C.;Yang X.L.;Li C.Z.Facile preparation and upconversionluminescence of graphenequantum dots.Chem.Commun.2011,47,2580-2582.]、電化學(xué)法[參見:Li Y.;Hu Y.;Zhao Y.;Shi G.;Deng L ;Hou Y.;Qu L An Electrochemical Avenueto Green-Luminescent Graphene Quantum Dots as Potential Electron-Acceptors forPhotovoltaics.Adv.Mater.2011, 23, 776-780.]等。自上而下的方法具有原材料充足、產(chǎn)量大、易操作等優(yōu)點(diǎn),但受所需設(shè)備昂貴、耗時(shí)長(zhǎng)、產(chǎn)率低等因素局限。自下而上的方法則可以歸結(jié)為小分子碳組裝、生長(zhǎng)為石墨烯量子點(diǎn)的過程,主要包括有機(jī)碳前驅(qū)物的脫氫 環(huán)化[參見:Yan X.;Cui X.;Li B.;Li L S.Large, Solution-Processable GrapheneQuantum Dots as Light Absorbers for Photovoltaics.Nano Lett.2010,10,1869-1873.]、碳化[參見:DongY.Q.;Shao J.W.;Chen C.Q.;Li H.;Wang R.X.;Chi Y.W.;Lin X.M.;ChenG.N.Blue luminescent graphene quantum dots and graphene oxide prepared by tuningthe carbonization degree of citric acid.Carbon2012, 50,4738-4743.]以及 C60 分子催化開籠[參見:Lu J.;Yeo P.S.E.;Gan C.K.;Wu P.;Loh K.P.Transforming C60moleculesinto graphene quantum dots.Nat.Nanotechnol.2011,6,247-252.]等方法。該類方法可以較好的控制所制得石墨烯量子點(diǎn)的尺寸和形狀,但是具有原材料不易得、制備過程繁瑣、產(chǎn)率低等缺點(diǎn)。
      [0003]因此,發(fā)展一種更簡(jiǎn)單、高效、廉價(jià)的石墨烯量子點(diǎn)制備方法已迫在眉睫。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的是提供一種簡(jiǎn)單快速、高產(chǎn)率合成石墨烯量子點(diǎn)的方法。
      [0005]為了達(dá)到上述的技術(shù)效果,本發(fā)明釆用以下的技術(shù)方案:利用硅粉(Si粉)和聚四氟乙烯(PTFE)的爆燃反應(yīng)來制備石墨烯量子點(diǎn)。一旦爆燃反應(yīng)被激發(fā),Si將奪取PTFE中的F原子,生成大量的C原子以及高溫爆燃火焰,所產(chǎn)生的C原子從爆燃火焰的中心高溫區(qū)域在生成的SiF4氣體攜帶下,迅速逸散到低溫去最后達(dá)到器壁上(室溫區(qū)),在整個(gè)逸散過程中,C原子的生長(zhǎng)速率急劇下降,生長(zhǎng)時(shí)間極短,使其以Sp2雜化鍵合成,形成的石墨結(jié)構(gòu)來不及長(zhǎng)大,約為5~50nm,厚度約為I~15層石墨結(jié)構(gòu)。
      [0006]本發(fā)明采用的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,包括以下步驟:
      [0007]步驟一,在室溫下將一定質(zhì)量比的聚四氟乙烯和Si粉加入到環(huán)己烷,混勻,干燥后置于密封的爆發(fā)器中;
      [0008]步驟二,引發(fā)爆燃反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后收集反應(yīng)產(chǎn)物,去除未反應(yīng)的聚四氟乙烯和Si粉,冷卻,將產(chǎn)物洗凈,干燥后得石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒;
      [0009]步驟三,將所得石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒剝離,即得到石墨烯量子點(diǎn)。
      [0010]本發(fā)明步驟一中所述的聚四氟乙烯和Si粉質(zhì)量比為(50:10)~(50:43)。
      [0011]本發(fā)明步驟一中所述的聚四氟乙烯尺度范圍為300nm~2 μ m,Si粉的尺寸范圍為IOOnm~Ιμπι。反應(yīng)物聚四氟乙烯離子尺寸越小,反應(yīng)速率提高,造成了爆燃火焰溫度的升高和碳原子生長(zhǎng)過程的延長(zhǎng),從而使得所生長(zhǎng)的石墨烯量子點(diǎn)尺寸有所增加,反應(yīng)物聚四氟乙烯離子尺寸過高,反應(yīng)不完全;Si粉尺寸在該范圍內(nèi)尺寸越小,反應(yīng)爆燃力越大。
      [0012]本發(fā)明步驟一中所述的混合方式是磁力攪拌,攪拌I~3個(gè)小時(shí)。
      [0013]本發(fā)明步驟一中所述的干燥方式為真空干燥。 [0014]本發(fā)明步驟二中所述的引發(fā)爆燃反應(yīng)方式為電點(diǎn)火方式。
      [0015]本發(fā)明步驟二中所述的去除未反應(yīng)的聚四氟乙烯和Si粉的方法為首先將反應(yīng)產(chǎn)物置于馬弗爐中熱處理去除聚四氟乙烯,熱處理溫度為300°C,即聚四氟乙烯在熱處理溫度300°C下熔化;然后將熱處理的反應(yīng)產(chǎn)物用濃NaOH溶液處理去除Si粉,處理溫度為50°C,濃NaOH溶液即一定溫度下NaOH的飽和溶液。
      [0016]本發(fā)明步驟二中所述的洗凈方式為乙醇和水反復(fù)交替洗。
      [0017]本發(fā)明步驟二所述的干燥方式為真空干燥。
      [0018]本發(fā)明步驟二所述的納米顆粒是由I~15層石墨結(jié)構(gòu)、尺寸為5~50nm的石墨烯量子點(diǎn)構(gòu)成的。
      [0019]本發(fā)明步驟三采用的剝離方法選自Hummer法、超聲剝離法和機(jī)械剝離法,本申請(qǐng)實(shí)施例采用的剝離方法為Hummer法。
      [0020]本發(fā)明采用的Hrnnmer法剝離制備產(chǎn)生氧化石墨烯量子點(diǎn),產(chǎn)率高;SiC副產(chǎn)物通過離心去除。
      [0021]本發(fā)明采用的Hrnnmer法,具體步驟如下:稱取一定量的石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒,在冰浴條件下加入濃硫酸和高錳酸鉀,第一次攪拌后,將溫度提高至35°C第二次攪拌,而后加入去離子水第三次攪拌,最后加入的H2O2第四次攪拌,待冷卻后,離心去除灰色SiC副產(chǎn)物,而后將所得黃棕色氧化石墨烯量子點(diǎn)透析。
      [0022]本發(fā)明中采用的Hummer法稱取0.5g石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
      [0023]本發(fā)明中采用的Hummer法中第一次攪拌、第二次攪拌、第三次攪拌和第四次攪拌的時(shí)間均為30min。
      [0024]本發(fā)明中采用的Hummer法中濃硫酸加入12mL,高猛酸鉀加入1.5g。
      [0025]本發(fā)明中采用的Hummer法中去離子水加入25mL。[0026]本發(fā)明中采用的Hummer法中加入的H2O2為80mL,60°C,6wt%。
      [0027]本發(fā)明中得到的黃棕色氧化石墨烯量子點(diǎn)在1000D透析袋透析至透析液電導(dǎo)率小于 I U S/cm 1
      [0028]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下的有益效果:
      [0029]I)主要利用了爆燃反應(yīng)產(chǎn)生石墨烯量子點(diǎn),爆燃反應(yīng)速率極快,耗時(shí)極短,因此本發(fā)明的制備方法相較于其他方法的制備過程快速。
      [0030]2)C原子在生長(zhǎng)過程中在SiF4載氣作用下快速的由高溫區(qū)逸散到低溫區(qū)最后至常溫,生長(zhǎng)速率迅速降低,生長(zhǎng)時(shí)間極短,使其以SP2雜化成鍵生成的石墨結(jié)構(gòu)尺度較小。
      [0031]3)由于爆燃火焰區(qū)域的溫度場(chǎng)分布和各反應(yīng)物原子濃度都相對(duì)穩(wěn)定,因此得到的石墨烯量子點(diǎn)在尺寸和厚度上也較為均一。
      [0032]4)采用的試劑溶劑簡(jiǎn)單廉價(jià)易得,大大降低了生產(chǎn)的難度。
      [0033]5)本制備方法條件簡(jiǎn)單,自持放熱,不需要復(fù)雜的設(shè)備,易于擴(kuò)大生產(chǎn)。
      [0034]綜上所述,由于本制備方法條件簡(jiǎn)單,自持放熱,不需要復(fù)雜設(shè)備,且爆燃反應(yīng)速率極快,耗時(shí)極短,因此大大降低了制備的成本,縮短了制備周期,可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單快速、高產(chǎn)率合成的工業(yè)規(guī)?;a(chǎn)。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0035]圖1為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡照片;
      [0036]圖2為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的透射電子顯微鏡照片;
      [0037]圖3圖為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的選區(qū)電子衍射照片;
      [0038]圖4為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的高分辨透射電子顯微鏡照片;
      [0039]圖5圖為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)經(jīng)Hrnnmer法剝離得到的氧化石墨烯量子點(diǎn)的高分辨透射電子顯微鏡照片;
      [0040]圖6為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)經(jīng)Hummer法剝離得到的氧化石墨烯量子點(diǎn)的原子力掃描照片,內(nèi)嵌圖為原子力掃描照片中虛線區(qū)域內(nèi)氧化石墨烯高度照片;
      [0041]圖7為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)經(jīng)Hummer法剝離得到的氧化石墨烯量子點(diǎn)的高度統(tǒng)計(jì)圖;
      [0042]圖8為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)經(jīng)Hrnnmer法剝離得到石墨烯量子點(diǎn)的紫外可見吸收光譜(Abs)和熒光光譜圖(PL,激發(fā)波長(zhǎng)為400nm);
      [0043]圖9為實(shí)施例1所合成的石墨烯量子點(diǎn)經(jīng)Hummer法剝離得到石墨烯量子點(diǎn)的不同激發(fā)波長(zhǎng)下熒光光譜圖;
      [0044]圖10為實(shí)施例2所合成的石墨烯量子點(diǎn)的高分辨透射電鏡照片;
      [0045]圖11為實(shí)施例3所合成的石墨烯量子點(diǎn)的高分辨透射電鏡照片。
      【具體實(shí)施方式】
      [0046]下面結(jié)合本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述和說明。
      [0047]實(shí)施例1:[0048]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,2ym)和14g Si粉(IOOnm)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;采用電點(diǎn)火方式引發(fā)爆燃反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后收集得到的碳產(chǎn)物,并將之先后置于馬弗爐中300°C下熱處理除去未反應(yīng)的PTFE和NaOH濃溶液50°C下除去未反應(yīng)的Si,冷卻后,將產(chǎn)物用乙醇和水反復(fù)交替洗凈,在真空干燥箱中干燥后即得到石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒。
      [0049]石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒經(jīng)Hrnnmer法剝離制備氧化石墨烯量子點(diǎn),具體步驟為:稱取0.5g石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒,在冰浴條件下加入12mL濃硫酸和1.5g高猛酸鉀,攪拌30min后,將溫度提高至35°C繼續(xù)攪拌30min,而后加入25mL去離子水繼續(xù)攪拌30min,最后加入80mL60°C 6wt %的H2O2攪拌30min,待冷卻后,離心去除灰色SiC副產(chǎn)物,而后將所得黃棕色氧化石墨烯量子點(diǎn)在1000D透析袋中透析至透析液電導(dǎo)率小于I μ S/cnT1。該剝離方法還可以采用超聲剝離法和機(jī)械剝離法。
      [0050]圖1為石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡照片,從照片中可以看到其尺寸分布均勻,約為IOOnm ;圖2為石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的透射電子顯微鏡照片,與掃描電鏡結(jié)果相一致,其尺寸分布均勻,約為lOOnm,從圖3為石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的選區(qū)電子衍射照片,可以看到,其為多晶結(jié)構(gòu),衍射環(huán)由內(nèi)而外分別對(duì)應(yīng)石墨的
      (002)和(101)晶面;圖4為高分辨透射電子顯微鏡照片,從照片中可以看到爆燃法所制備的碳材料是由石墨烯量子點(diǎn)構(gòu)成的,其尺寸約為5~25nm,厚度約為2~5層石墨結(jié)構(gòu),其晶面間距為0.35nm。
      [0051]圖5為經(jīng)Hummer法剝離后得到氧化石墨烯量子的高分辨透射電鏡照片,剝離后所得到氧化石墨烯量子點(diǎn)的尺寸約為IOnm ;從圖6為經(jīng)Hummer法剝離后得到氧化石墨烯量子的原子力掃描照片,可以看到,剝離后得到的石墨烯量子點(diǎn)尺寸分布較為均勻,約為IOnm,線性選區(qū)內(nèi)其厚度均低于2nm ;對(duì)原子力掃描照片中的氧化石墨烯量子點(diǎn)取300個(gè)樣品做厚度統(tǒng)計(jì),其結(jié)果見圖7,由于剝離過程中含氧官能團(tuán)(C-OH,C = 0,O = C-OH等)的引入使得石墨烯量子的厚度有所增加,一般認(rèn)為厚度低于Inm為單層氧化石墨烯量子點(diǎn),
      1.5nm為雙層,2nm約為3層,從圖7中我們可以看出經(jīng)剝離得到的單層氧化石墨烯量子點(diǎn)約占87%。
      [0052]圖8為剝離得到的氧化石墨烯量子點(diǎn)的紫外可見吸收光譜(Abs)和熒光光譜圖(PL,激發(fā)波長(zhǎng)為400nm),從紫外可見吸收光譜中可以看到我們所制備的氧化石墨烯量子點(diǎn)的吸收峰在220nm左右,這是由Sp2雜化碳原子的π — π *躍遷引起的;在400nm激發(fā)波長(zhǎng)下,其發(fā)射出570nm的熒光,斯托克位移約為0.92eV。從圖9不同激發(fā)波長(zhǎng)下熒光光譜圖中可以看出,隨著激發(fā)波長(zhǎng)從460nm增加到580nm,其發(fā)射波長(zhǎng)相應(yīng)的由570nm增加到650nm,并且伴隨著強(qiáng)度也逐漸降低。
      [0053]實(shí)施例2
      [0054]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,2ym)和42g Si粉(IOOnm)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;其他步驟同實(shí)施例1。
      [0055]圖10為所制備石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的高分辨透射電子顯微鏡照片,從照片中可以看到爆燃法所制備的碳材料是由石墨烯量子點(diǎn)構(gòu)成的,其尺寸約為20nm,厚度約為5層石墨結(jié)構(gòu)。
      [0056]實(shí)施例3[0057]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,300nm)和14g Si粉(IOOnm)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;其他步驟同實(shí)施例1。
      [0058]圖11為所制備石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒的高分辨透射電子顯微鏡照片,從照片中可以看到縮小反應(yīng)物的尺寸所制備的石墨烯量子點(diǎn),其尺寸略有長(zhǎng)大,約為50nm,厚度約為15層石墨結(jié)構(gòu),這可能是由于反應(yīng)物離子尺寸較小導(dǎo)致了反應(yīng)速率的提高,造成了爆燃火焰溫度的升高和碳原子生長(zhǎng)過程的延長(zhǎng),從而使得所生長(zhǎng)的石墨烯量子點(diǎn)尺寸有所增加。
      [0059]實(shí)施例4 [0060]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,300nm)和42g Si粉(IOOnm)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;其他步驟同實(shí)施例1。
      [0061]實(shí)施例5
      [0062]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,I μ m)和42g Si粉(IOOnm)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;其他步驟同實(shí)施例1。
      [0063]實(shí)施例6
      [0064]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,I μ m)和20g Si粉(IOOnm)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;其他步驟同實(shí)施例1。
      [0065]實(shí)施例7
      [0066]在室溫下將50g聚四氟乙烯(PTFE,lym)和14g Si粉(Ιμπι)加入到環(huán)己烷中,磁力攪拌I個(gè)小時(shí)使之混合均勻,待真空干燥后置于密閉爆發(fā)器中;其他步驟同實(shí)施例1。
      [0067]盡管這里參照本發(fā)明的解釋性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述,上述實(shí)施例僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式,本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制,應(yīng)該理解,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出很多其他的修改和實(shí)施方式,這些修改和實(shí)施方式將落在本申請(qǐng)公開的原則范圍和精神之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟一,在室溫下將一定質(zhì)量比的聚四氟乙烯和硅粉加入到環(huán)己烷,混勻,干燥后置于密封的爆發(fā)器中; 步驟二,引發(fā)爆燃反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束 后收集反應(yīng)產(chǎn)物,去除未反應(yīng)的聚四氟乙烯和硅粉,冷卻,將產(chǎn)物洗凈,干燥后得石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒; 步驟三,將所得石墨烯量子點(diǎn)聚合納米顆粒剝離,即得到石墨烯量子點(diǎn)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟一中所述的聚四氟乙烯和硅粉質(zhì)量比為(50:10)~(50:43)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟一中所述的聚四氟乙烯尺度范圍為300nm~2μπι,硅粉的尺寸范圍為IOOnm~I μ m。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟一中所述的混勻方式是磁力攪拌,攪拌I~3個(gè)小時(shí)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟一中所述的干燥方式為真空干燥。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟二中所述的引發(fā)爆燃反應(yīng)方式為電點(diǎn)火方式。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟二中所述的去除未反應(yīng)的聚四氟乙烯和硅粉的方法為首先將反應(yīng)產(chǎn)物置于馬弗爐中熱處理去除聚四氟乙烯,熱處理溫度為300°C ;然后將熱處理的反應(yīng)產(chǎn)物用濃NaOH溶液處理去除硅粉,處理溫度為50°C。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟二中所述的洗凈方式為乙醇和水反復(fù)交替洗。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯量子點(diǎn)的制備方法,其特征在于:步驟二所述的干燥方式為真空干燥。
      【文檔編號(hào)】B82Y30/00GK104003379SQ201410238551
      【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
      【發(fā)明者】楊光成, 劉有松, 沈金朋, 李 瑞, 楊云濤 申請(qǐng)人:中國(guó)工程物理研究院化工材料研究所, 四川省新材料研究中心
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