包括設(shè)有至少一個(gè)微電子或納米電子系統(tǒng)的流體通道的設(shè)備以及用于實(shí)現(xiàn)此設(shè)備的方法
【專利摘要】一種設(shè)備包括基板，基板包括至少一個(gè)微電子和/或納米結(jié)構(gòu)(NEMS)，該結(jié)構(gòu)包括敏感部分與流體通道，流體通道包括兩個(gè)側(cè)壁以及連接兩個(gè)側(cè)壁的上壁以及通過基板形成的下壁以及至少兩個(gè)開口以便提供在流體通道中的循環(huán)，開口限定在兩個(gè)側(cè)壁之間，該結(jié)構(gòu)定位在流體通道內(nèi)部，電連接線在該結(jié)構(gòu)與流體通道的外部之間延伸，電連接線在基板上實(shí)現(xiàn)并且在側(cè)壁下方經(jīng)過，該設(shè)備還包括中間層，該中間層包括與所述側(cè)壁的基面接觸的平坦面，連接線至少部分地被所述中間層覆蓋至少直接地在側(cè)壁的基面上方，側(cè)壁通過密封在中間層上使得密封地集成在基板上。
【專利說明】包括設(shè)有至少一個(gè)微電子或納米電子系統(tǒng)的流體通道的設(shè)備以及用于實(shí)現(xiàn)此設(shè)備的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及包括設(shè)有至少一個(gè)微電子或納米電子系統(tǒng)的流體通道的設(shè)備以及用于實(shí)現(xiàn)此設(shè)備的方法。
現(xiàn)有技術(shù)
[0002]微電子或納米電子系統(tǒng)的概念集成微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)與納米電子機(jī)械系統(tǒng)(NEMS)。為了簡(jiǎn)化，在描述的其它部分中它們將被稱作為MEMS和NEMS。當(dāng)今這些系統(tǒng)通常地用于多種產(chǎn)品中。尤其由于NEMS的開發(fā)，借出尺寸降低提供了新的優(yōu)點(diǎn)，導(dǎo)致出現(xiàn)了新的應(yīng)用。特別地，由于在這種類型的系統(tǒng)對(duì)質(zhì)量的高敏感性，因此它們對(duì)于化學(xué)或生物傳感器來說具有很大的益處。
[0003]NEMS或MEMS包括固定部分與至少一個(gè)懸置部分(能夠移動(dòng))或者關(guān)于固定部分的敏感部分。
[0004]但是尤其對(duì)于這些應(yīng)用來說，有必要管理提供了特別的物理化學(xué)特性的MEMS或NEMS型的結(jié)構(gòu)對(duì)于通常是氣體或液體的周圍環(huán)境的暴露。為此，MEMS或NEMS敏感結(jié)構(gòu)布置在流體在其中流動(dòng)的流體通道中，并且允許將待分析的介質(zhì)放置成與NEMS或MEMS敏感結(jié)構(gòu)接觸。
[0005]這些敏感結(jié)構(gòu)連接到電子信號(hào)集合并且經(jīng)由電連接供給系統(tǒng)，后者將結(jié)構(gòu)連接到定位在流體通道外部的電子系統(tǒng)。
[0006]通過在包括敏感結(jié)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的基板上增加覆蓋件實(shí)現(xiàn)流體通道。覆蓋件緊密地密封在基板上并且包括至少兩個(gè)開口以便提供待分析的流體在通道中的循環(huán)。例如通過在具有幾微米到幾百微米深度的基板中實(shí)現(xiàn)的腔體形成覆蓋件。
[0007]文獻(xiàn)W02011/154363描述了用于分析例如氣相色譜微柱的設(shè)備，微柱中包括的MEMS和/或NEMS，以便形成傳感器。例如通過孔實(shí)現(xiàn)MEMS和/或NEMS的連接。
[0008]覆蓋件的密封可以是聚合物密封、分子密封、陽極密封、共晶密封、玻璃熔塊等類型。由于密封同時(shí)還允許這些電連接必須被密封，然后在定位在流體通道內(nèi)部的敏感結(jié)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)與流體通道外部之間實(shí)現(xiàn)電連接產(chǎn)生了問題。
[0009]一種技術(shù)包括在將覆蓋件密封在覆蓋件的厚度僅在金屬襯墊的區(qū)域上方的打開寬的腔體中以便允許通過對(duì)于這些襯墊的引線鍵合實(shí)現(xiàn)直接接觸以后，每個(gè)接觸襯墊都被例如由聚合物制成的密封珠子圍繞，以使腔體的此部分絕緣。但是此技術(shù)具有為流體通道內(nèi)部的這些電通道引入額外模式的弊端，這是不期望的因?yàn)樗鼈兛赡茉诹黧w循環(huán)的干擾源、產(chǎn)生死空間等。此外，此技術(shù)很差地適于NEMS或MEMS類型的敏感結(jié)構(gòu)的情形，因?yàn)檫@些結(jié)構(gòu)要求小尺寸的金屬或半導(dǎo)體材料接觸襯墊以便減小寄生電容并且能夠通過良好的信號(hào)到噪音比率提取可使用的電信號(hào)。最后，此技術(shù)不適于由網(wǎng)絡(luò)中的NEMS或MEMS形成的部件，因?yàn)楹笳咄ㄟ^大密度互連在一起，這包括實(shí)現(xiàn)非常小尺寸的襯墊，并且可能地利用幾個(gè)金屬層。
[0010]用于實(shí)現(xiàn)這些電連接的另一個(gè)技術(shù)同時(shí)還提供了密封，包括實(shí)現(xiàn)孔類型的連接，例如TSVs (通過硅孔)或者TGVs (通過玻璃孔)。文獻(xiàn)“三維MEMS高真空晶片包裝”——尼古拉斯和艾爾。電子元器件和技術(shù)會(huì)議(ECTC)，2012年IEEE62，會(huì)議日期:2012年5月29日一2012年6月I日，描述了此成就。例如，可以例如在覆蓋件的厚度中實(shí)現(xiàn)TSV類型的此連接并且可以打開到腔體中，然后通過腔體內(nèi)部的金屬襯墊/珠子提供電持續(xù)性。然而可以在很大厚度的半導(dǎo)體體材料中實(shí)現(xiàn)此孔，這可以是幾百微米的量級(jí)，這使得小尺寸的觸頭的制造非常困難。此外，例如通過干擾在循環(huán)中的混合物的傳送，通過基于TSVs的材料等干擾與循環(huán)中的介質(zhì)接觸的界面的化學(xué)特性，穿過覆蓋件并且打開到流體腔體中的TSVs的存在可能干擾流體通道的操作。此外，根據(jù)通道的尺寸，尤其是腔體的高，可能很難實(shí)現(xiàn)在覆蓋件中的TSV與敏感結(jié)構(gòu)之間的電連接。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]因此本發(fā)明的目的是提供包括至少一個(gè)流體通道的設(shè)備，包括定位在流體通道中的一個(gè)或幾個(gè)敏感結(jié)構(gòu)，以及定位在流體通道中的敏感結(jié)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)之間的電連接，并且流體通道的外部不具有上述弊端。
[0012]此外的目的是提供用于實(shí)現(xiàn)具有此流體通道的結(jié)構(gòu)的方法。
[0013]通過包括由基板形成的流體通道的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了上述目的，基板包括至少一個(gè)敏感結(jié)構(gòu)，在敏感結(jié)構(gòu)與流體通道外部區(qū)域之間的至少一個(gè)電連接，所述電連接形成在支撐敏感結(jié)構(gòu)的基板的表面上，中間層至少部分地覆蓋電連接，所述中間層具有能夠密封覆蓋件的自由面，以及緊密地密封在中間層的平坦自由面上的覆蓋件。
[0014]在此應(yīng)用中，“中間層的面能夠密封的面”表示具有允許例如通過干膜密封、分子或共晶密封或者通過熱壓緊密封覆蓋件的基面的表面狀態(tài)的面。能夠密封的面可以具有一定粗糙度或者一定離隙，這仍然允許密封。
[0015]由于在有利地平面中間層上實(shí)現(xiàn)密封，因此實(shí)現(xiàn)中間層使得能夠?qū)崿F(xiàn)側(cè)向連接線同時(shí)仍提供在覆蓋件與基板之間的密封的簡(jiǎn)化的實(shí)現(xiàn)。此外，由于在基板到的表面上實(shí)現(xiàn)電連接或者多個(gè)連接并且被中間層覆蓋，因此它們不擾亂與其它前述解決方案相反的流動(dòng)，例如在覆蓋件中實(shí)現(xiàn)的TSVs。
[0016]在其它方面，流體通道設(shè)備包括提供至少在具有覆蓋件的密封區(qū)域中的連接線的封裝的層，然后此層允許釋放NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)同時(shí)仍保持允許在連接線上方的密封的表面，通過此表面足夠地平坦以在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)覆蓋件的密封。
[0017]本發(fā)明由此使得能夠避免依賴通過覆蓋件執(zhí)行孔和/或在覆蓋件的厚度中的寬的腔體的開口以便允許實(shí)現(xiàn)接觸。因此大大地簡(jiǎn)化了用于實(shí)現(xiàn)的方法。
[0018]非常有利地，此中間層可以使得其封裝除了敏感部分的NEMS或MEMS結(jié)構(gòu)的材料，其通過使它們存在于流體通道中，可以與通道中循環(huán)的介質(zhì)相互作用，即，它使材料與除了流體通道內(nèi)部的敏感部分的NEMS或MEMS結(jié)構(gòu)絕緣。這是此種情形例如具有金屬或電介質(zhì)，如果機(jī)械結(jié)構(gòu)由密集NEMS網(wǎng)絡(luò)組成那么這在流體通道中實(shí)現(xiàn)。在這里的此種情形中，中間層僅是用于與周圍環(huán)境相互作用的打開的NEMS結(jié)構(gòu)。
[0019]此外非常有利的，中間層的存在允許在密封覆蓋件以前釋放機(jī)械結(jié)構(gòu)。這是尤其有利的，由于其能夠考慮除了通過流體裝置實(shí)現(xiàn)的不同的機(jī)械結(jié)構(gòu)功能化層。這些功能化層與釋放的機(jī)械結(jié)構(gòu)更多地兼容。可以例如通過蒸汽沉積或者通過蒸發(fā)，通過外延或者任何其它形成的方法，甚至通過增加層來實(shí)現(xiàn)它們。基于本發(fā)明，能夠?qū)⒐δ芑瘜映练e在NEMS或者M(jìn)EMS結(jié)構(gòu)上，并且由此在將覆蓋件密封在支撐機(jī)械結(jié)構(gòu)的基板上以前使它們功能化。在此情形中，功能化層可以完全地覆蓋機(jī)械結(jié)構(gòu)的懸置部分，由此在環(huán)境與功能化層之間提供了增加的相互作用表面。
[0020]優(yōu)選地樹脂的干膜被用于密封包括中間層與覆蓋件的NEMS部分。
[0021]此外，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與用于實(shí)現(xiàn)它的方法允許共同地實(shí)現(xiàn)設(shè)有流體通道的芯片，在通道與橫穿通道的預(yù)切割之間通過預(yù)切割分離芯片。
[0022]本發(fā)明的主題由此是一種設(shè)備，其包括含有至少一個(gè)微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的基板，微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)敏感部分與限定在所述基板與覆蓋件之間的流體通道，所述流體通道包括兩個(gè)側(cè)壁以及連接所述兩個(gè)側(cè)壁的上壁以及通過所述基板形成的下壁以及至少兩個(gè)開口以便提供在所述通道中的循環(huán)，所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)定位在流體通道內(nèi)部，至少一個(gè)電連接線在所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)與流體通道的外部延伸，所述連接線在基板上實(shí)現(xiàn)并且在側(cè)壁中的一個(gè)下方經(jīng)過，所述設(shè)備還包括中間層，包括與所述側(cè)壁的基面接觸的面，所述中間層的面具有用于與基面密封的能力，所述連接線至少部分地被所述中間層覆蓋至少直接地在所述側(cè)壁的基面上方，所述側(cè)壁通過密封在所述中間層上固定在所述基板上。
[0023]例如，此設(shè)備包括在微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的任一側(cè)上橫向地延伸的至少一對(duì)連接線并且每個(gè)都在側(cè)壁的下方經(jīng)過。
[0024]在實(shí)現(xiàn)方式中，在流體通道中中間層覆蓋除了其敏感部分以外的全部微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)。
[0025]中間層可以包括諸如氧化硅，或氮化硅的電絕緣材料。
[0026]在有利的方法中，該設(shè)備包括封裝微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的敏感部分的至少一個(gè)部分的功能化層。功能化層可以包括從有機(jī)或無機(jī)材料、聚合物、氧化物、半導(dǎo)體中選擇的一種或幾種材料?？梢酝ㄟ^化學(xué)蒸汽沉積、通過蒸發(fā)、外延、通過蝕刻化身、通過噴涂沉積、測(cè)點(diǎn)定位(液滴的沉積)等實(shí)現(xiàn)功能化層或多個(gè)層。尤其有利的是將多孔材料用作功能化層。
[0027]該設(shè)備可以包括連接線與接觸襯墊，所述接觸襯墊定位在流體通道的外部，所述連接線在微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)與接觸襯墊之間延伸。
[0028]在實(shí)現(xiàn)方式中，連接線包括至少在通道的內(nèi)部的幾層金屬粉。
[0029]可以有利地通過插入在所述中間層與覆蓋件的所述側(cè)壁的基面之間的用于密封的干膜來實(shí)現(xiàn)密封。干膜優(yōu)選地是具有例如環(huán)氧樹脂、苯酚、丙烯酸或硅基的樹脂。
[0030]該密封膜可以構(gòu)造成在中間層與側(cè)壁的基面之間的界面上的幾個(gè)珠子。有利地，珠子基本上平行流體通道。
[0031]該設(shè)備還可以包括插入在中間層與側(cè)壁的基面之間的至少一個(gè)材料層以通過熱壓緊或者通過絲網(wǎng)印刷形成共晶密封。
[0032]該密封還可以是分子密封，然后不需要將材料插入覆蓋件與中間層之間。
[0033]在實(shí)現(xiàn)方式中，中間層包括與所述連接線(8)接觸的由電絕緣材料制成的第一層以及沉積在第一層上的第二層，所述第二層是由使得對(duì)于釋放所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的步驟略微敏感或不敏感的材料制成的。有利地第一層具有其上沉積第二層的平坦面。第二層例如由硅、氮化硅、金屬(AlS1、AlCu等)或者氧化鉿(Hf02)等制成。第一層有利地是平面化的。
[0034]在非常有利的應(yīng)用中通道形成氣相色譜微柱。
[0035]另一個(gè)主題也是用于實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)設(shè)備的方法，包括步驟:
[0036]a)在基本上實(shí)現(xiàn)微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)以及至少一個(gè)連接線；
[0037]b)中間層以具有基本上平坦的自由面的此種方式形成，基本平坦的自由面在所述至少一個(gè)敏感部分上方具有開口；
[0038]c)實(shí)現(xiàn)包括流體通道的覆蓋件基板；
[0039]d)以流體通道面向微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)布置的此種方式在中間層上密封覆蓋件基板。
[0040]在步驟b)的過程中，根據(jù)有利模式該層沉積并且然后構(gòu)造為在MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)的敏感部分的全部或一部分上方去除。
[0041]可以在只要是其步驟d)以前的此方法的任何瞬間實(shí)現(xiàn)步驟c)。
[0042]該方法可以在步驟b)以后包括，釋放所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的步驟。
[0043]用于實(shí)現(xiàn)的方法還包括在微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)上和/或在覆蓋件的所述壁上和/或在中間層上在流體通道內(nèi)部實(shí)現(xiàn)功能化層的步驟，所述步驟在密封以前實(shí)現(xiàn)。
[0044]另選地，可以在敏感部分的釋放以前，并且甚至在敏感結(jié)構(gòu)的形成以前形成功能化層。
[0045]在流體通道的不同位置處的功能化層可以沉積，在此情形中，這些層可以具有相同或不同的性質(zhì)。
[0046]在有利的實(shí)例中，密封的布置利用干膜，此步驟可以包括子步驟:
[0047]在覆蓋件的壁的基面上滾動(dòng)干膜；
[0048]構(gòu)造干膜；
[0049]使覆蓋件與包括微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的基板更靠近在一起；
[0050]以擠壓干膜的此種方式施加壓力。
[0051]還可以在施加壓力的過程中施加加熱。
[0052]表面制備可以在密封以前通過干膜有利地施加在界面上以便進(jìn)一步提高粘附性，該制備可以是等離子體類型的處理。
[0053]中間層的實(shí)現(xiàn)可以通過沉積第一層電絕緣材料并且通過將第二層沉積在第一層上發(fā)生。
[0054]當(dāng)此方法包括釋放的步驟時(shí)，第二層的材料更優(yōu)選地選擇為對(duì)于釋放微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的步驟略微敏感或者不敏感。
[0055]根據(jù)另一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式，密封是共晶密封，或者通過熱壓緊，或者通過分子密封或者通過絲網(wǎng)印刷。
[0056]可以利用氫氟酸蒸汽通過蝕刻獲得此釋放。
[0057]當(dāng)同時(shí)地實(shí)現(xiàn)幾個(gè)設(shè)備時(shí)，所述基板可以包括幾個(gè)微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)并且覆蓋件基板包括幾個(gè)覆蓋件，使得覆蓋件以設(shè)備的流體通道可以或不可以與其它設(shè)備的流體通道聯(lián)通的此種方式同時(shí)地密封在包括微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述基板上。
[0058]當(dāng)幾個(gè)設(shè)備布置成矩陣時(shí)，成直線的設(shè)備的流體通道可以聯(lián)通在一起同時(shí)成列的設(shè)備的流體通道靠近彼此布置。
[0059]當(dāng)執(zhí)行幾個(gè)設(shè)備時(shí)，用于執(zhí)行的方法可以包括步驟:
[0060]在覆蓋件基板中以及在支撐微電子結(jié)構(gòu)沿著垂直于流體通道的方向?qū)崿F(xiàn)預(yù)切割和/或納米電子；
[0061]在支撐所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述基板中沿著平行于所述流體通道的方向?qū)崿F(xiàn)切割或預(yù)切割；
[0062]分離設(shè)備。
[0063]可以通過激光非晶化或切割獲得部分或全部切割。
[0064]例如通過晶體節(jié)理實(shí)現(xiàn)設(shè)備的分離。
[0065]覆蓋基板可以包括在通道之間預(yù)先形成的腔體，其中在密封以后定位接觸襯墊，該方法還可以包括切割覆蓋件基板的步驟以便打開腔體?？梢栽谇懈罨蝾A(yù)切割以前或以后實(shí)現(xiàn)此步驟以便分離此設(shè)備。
[0066]當(dāng)在密封以前功能化層已經(jīng)形成在微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)上以及在接觸襯墊上時(shí)，所述方法可以包括在密封與打開覆蓋件中的腔體以后通過在接觸襯墊上蝕刻功能化層移除功能化層的步驟，所述覆蓋件形成對(duì)于微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的蝕刻的掩膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0067]利用下面的描述與附圖可以更好地理解本發(fā)明，其中:
[0068]圖1A是根據(jù)第一實(shí)現(xiàn)方式的集成MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)與中間層的流體通道設(shè)備的俯視圖；
[0069]圖1B是圖1A的放大視圖；
[0070]圖2A、圖2B、圖2B’、圖2C、圖2C’是根據(jù)不同實(shí)現(xiàn)方式的平面A-A的圖1B的橫截面視圖其中通過干膜實(shí)現(xiàn)密封；
[0071]圖3A是根據(jù)另一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式的流體通道設(shè)備的俯視圖其中中間層部分地覆蓋通道內(nèi)部的MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)，劃界平行于流體通道的通道；
[0072]圖3B是流體通道設(shè)備的俯視圖其中中間層部分地覆蓋通道內(nèi)部的MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)，在敏感部分上劃界窗；
[0073]圖3C是根據(jù)平面B-B的圖3A或圖3B的橫截面視圖；
[0074]圖4A是圖3A的設(shè)備的另選物的俯視圖；
[0075]圖4B是根據(jù)平面C-C的圖4A的橫截面視圖；
[0076]圖5A-圖5C是根據(jù)第一實(shí)現(xiàn)方式流體通道設(shè)備的橫向橫截面視圖，具有其它類型的密封并且在MEMS/NEMS部分具有或不具有功能化層；
[0077]圖6A-圖6L是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)設(shè)有用于實(shí)現(xiàn)流體通道設(shè)備的至少一個(gè)MEMS或NEMS結(jié)構(gòu)的基板的方法的示意圖；
[0078]圖7A-圖7C是根據(jù)本發(fā)明的用于實(shí)現(xiàn)覆蓋件以實(shí)現(xiàn)流體通道設(shè)備的方法的示意圖；
[0079]圖8示意性示出了裝配圖7C的覆蓋件與圖6K的基板的步驟；
[0080]圖9A-圖9C示意性示出了在用于共同地實(shí)現(xiàn)設(shè)備的方法的情形中用于通過流體通道分離設(shè)備的多個(gè)步驟。

【具體實(shí)施方式】
[0081]在此應(yīng)用中，NEMS/MEMS表示包括固定結(jié)構(gòu)與至少一個(gè)敏感結(jié)構(gòu)的機(jī)械結(jié)構(gòu)以及致動(dòng)和/或轉(zhuǎn)導(dǎo)敏感結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)特性的裝置。
[0082]敏感結(jié)構(gòu)可以是機(jī)械懸置結(jié)構(gòu)并且包括致動(dòng)和/或轉(zhuǎn)導(dǎo)機(jī)械移動(dòng)的裝置。設(shè)置電連接件以使機(jī)械結(jié)構(gòu)連接到外部環(huán)境。此MEMS/NEMS部分可以包括NEMS和/或MEMS結(jié)構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)，可能具有多層噴涂金屬粉以便實(shí)現(xiàn)要求的互連。為了簡(jiǎn)單的目的，MEMS或NEMS將指定為NEMS。
[0083]表述“敏感部分”與“懸置部分”應(yīng)該無差別地使用，記住在電機(jī)械類型的應(yīng)用中此敏感部分是可移動(dòng)的。
[0084]應(yīng)該使用相同的附圖標(biāo)記來指示具有相同功能與基本上相同形狀的元件。
[0085]圖1A和圖1B不出了根據(jù)第一實(shí)施方式的流體通道設(shè)備的概略俯視圖，省略了覆蓋件的頂部。
[0086]此設(shè)備包括在示出的實(shí)例中是軸X的直線的流體通道2。流體通道2通過基板4與增加在基板4上的覆蓋件6劃界。例如，從流體通道2的一個(gè)縱向端2.1到流體通道2的另一個(gè)縱向端2.2實(shí)現(xiàn)流體通道中的流動(dòng)。
[0087]在示出的實(shí)例中，利用其中布置有腔體5的基板形成覆蓋件6。腔體5通過支撐NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的基板、提供氣體或液體混合物的循環(huán)與分布的流體通道2劃界。通道通過兩個(gè)側(cè)壁6.1、連接兩個(gè)側(cè)壁6.1的上底部6.2以及由基板4形成的下底部劃界。側(cè)壁6.1具有允許覆蓋件密封在基板上的基面。
[0088]應(yīng)該理解的是可以例如在通道的上底部6.2中或者在基板4中實(shí)現(xiàn)流體通道的入口端和/或出口端。
[0089]另選地，覆蓋件6可以具有更加復(fù)雜的形狀，例如后者可以包括例如螺旋的優(yōu)化形狀的長(zhǎng)的通道，使得能夠?qū)崿F(xiàn)提供將混合物的化合物與集成NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的柱分開的功能的層析柱。
[0090]基板包括定位在流體通道2內(nèi)部的NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)7。在示出的實(shí)例中，NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)包括沿著縱向軸X對(duì)準(zhǔn)的三個(gè)NEMS/MEMS。
[0091]此設(shè)備還包括電連接線8，電連接線8在定位在流體通道2中的NEMS與定位在流體通道的外部襯墊9之間橫向地延伸。例如在NEMS\MEMS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料中直接地實(shí)現(xiàn)襯墊9。它們可以有利地覆蓋以金屬以便提供良好的電接觸。連接線8可以由形成NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的類型的摻雜半導(dǎo)體制成。
[0092]連接線8以使得它們之間的連接線8電絕緣的這樣一種方式通過溝槽11分離。
[0093]可以通過由如將在下面描述的介電材料分離的一種或多種等級(jí)的金屬實(shí)現(xiàn)這些連接線8。
[0094]還可以在覆蓋有金屬的半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)這些線以便減小線的電阻。
[0095]另選地，連接線可以由金屬制成，觸頭在其中實(shí)現(xiàn)此結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體之間，并且然后金屬定位在流體通道中，或者此通道外部，或者可能地在將流體通道與外部分開的密封區(qū)域下方。有利地，連接線8包括僅由半導(dǎo)體材料制成的減小的部分以便限定能夠使NEMS部件的性能變差的電阻與寄生電容。
[0096]更優(yōu)選地，金屬軌道為了形成連接線優(yōu)選地在金屬鑲嵌構(gòu)造中實(shí)現(xiàn)以便防止在填充電介質(zhì)與中間層的材料中形成可能在釋放機(jī)械結(jié)構(gòu)的步驟期間導(dǎo)致不期望的滲透與蝕刻較低密度的間隙或空隙或區(qū)域，包括在基板與覆蓋件之間的密封區(qū)域側(cè)向地下方。此外，它們可能導(dǎo)致側(cè)面泄漏到流體通道的外部。
[0097]在示出的實(shí)例中，每個(gè)NEMS都設(shè)有在流體通道2的任一側(cè)上橫向地延伸的三對(duì)電連接線8。
[0098]包括相對(duì)于X軸從相同側(cè)面延伸的至少兩個(gè)側(cè)向連接線的設(shè)備不偏離本發(fā)明的范圍。
[0099]圖1B示出了圖1A的關(guān)于NEMS的放大圖。
[0100]在示出的實(shí)例中，通過嵌入在例如兩個(gè)量規(guī)12的其縱向端中的一個(gè)的梁10形成NEMS的例如用于探測(cè)梁10的移動(dòng)的壓縮電阻懸置結(jié)構(gòu)。可以到到連接到NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的連接線8的端部。
[0101]在圖2A中，可以看到沿著圖1B的平面A-A的橫向橫截面視圖。此視圖示出了覆蓋件6的頂部。
[0102]基板4包括一疊犧牲層14，所述犧牲層用于將層16的NEMS作為半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)，其中實(shí)現(xiàn)NEMS的固定部分與移動(dòng)部分。
[0103]在此實(shí)例中，連接線8形成在層16中以及形成在覆蓋層16的金屬線19中。
[0104]中間層20至少部分地覆蓋連接線8并且密封層22布置在中間層20與覆蓋件6之間。
[0105]中間層20至少存在于NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)7的之間的密封界面上并且不在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的區(qū)域以便離開與存在與流體通道中的介質(zhì)接觸的NEMS/MEMS懸置結(jié)構(gòu)的部分或多個(gè)部分。在圖1A、圖1B、圖2A至圖2C與圖5A至圖5C中示出的第一實(shí)施方式中，中間層20僅靠近NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)7與覆蓋件6之間的密封界面定位，并且更特別地在連接線8與覆蓋件6之間。
[0106]中間層20包括與連接線8接觸的第一面20.1，使得此面20.1沿著連接線8與基板4以及與覆蓋件6接觸的第二面20.2的拓?fù)?。中間層20使得第二面20.2能夠通過沿著流體通道與連接線8的通道提供密封實(shí)現(xiàn)包括NEMS部分的覆蓋件6的密封，并且這是簡(jiǎn)化的方式。中間層20的存在使得能夠偏離由NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)與連接線8的先前構(gòu)造產(chǎn)生的拓?fù)洹?br> [0107]如上文指出的，中間層20允許電連接件的至少一部分在流體通道2的內(nèi)部與流體通道2的外部之間通過，同時(shí)還提供助于獲得密封的相對(duì)平坦的密封界面。
[0108]在示出的實(shí)例中，中間層20具有電絕緣特性，以使得連接線8彼此電絕緣。此外，以這樣一種方式選擇其材料以允許獲得對(duì)于密封來說足夠平坦的面20.2。根據(jù)密封的類型，在中間層的沉積以后直接地獲得的面20.2的表面狀態(tài)可以是足夠的，或者在形成中間層以后實(shí)現(xiàn)例如化學(xué)機(jī)械打磨步驟的平面化步驟。
[0109]中間層的材料選擇為將被蝕刻例如各向異性蝕刻。
[0110]更優(yōu)選地，以這樣一種方式選擇中間層20的材料使得相對(duì)于釋放機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法對(duì)于蝕刻具有良好的選擇性，并且在此步驟期間不產(chǎn)生殘余物。
[0111]還以這樣一種方式選擇中間層的材料以便與用于支撐NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的基板與覆蓋件之間的設(shè)備的組件的材料兼容。
[0112]在其中實(shí)現(xiàn)功能化層的情形中，中間層的材料選擇為與功能性層的材料兼容，尤其以為后者提供良好粘附的這樣一種方式。
[0113]例如，中間層的材料是介電材料，例如氧化硅，諸如例如Si02或者由硅烷基形成的氧化物或者由正硅酸乙酯(TEOS)基形成的氧化物、由未摻雜或摻雜有磷(PSG:磷硅玻璃)的低壓化學(xué)蒸汽沉積(LPCVD)或者摻雜有硼、磷(BPSG:硼磷硅玻璃)形成的LTO(低溫氧化物)類型的氧化硅、經(jīng)由PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)沉積的氧化物。
[0114]非常有利地，中間層20包括多種材料，每種材料都具有介入此設(shè)備的實(shí)現(xiàn)的特性。例如，這些材料可以布置在連續(xù)的層中。例如，中間層包括兩個(gè)層，沉積在連接線上的指定為平面化層的第一層，這使得其能夠填充NEMS/MEMS的結(jié)構(gòu)與連接線的拓?fù)渫瑫r(shí)還提供電絕緣，以及沉積在第一層上旨在釋放機(jī)械結(jié)構(gòu)的步驟的過程中增加整體的保護(hù)的第二層。
[0115]平面化層的平坦性提供了層的平坦性。因此，用于平面化層的材料的選擇允許較大的自由度。通過實(shí)例，第一層的材料由氧化硅制成并且第二層的材料由非晶硅或可以在其中犧牲層由諸如金屬、硅化氮等的氧化硅制成的情形下阻抗經(jīng)由氫氟酸釋放的任何其它材料制成，這使得能夠在釋放過程中保護(hù)由氧化物制成的第一層的上表面。
[0116]具有至少一個(gè)平面化層與保護(hù)層的此實(shí)施方式是尤其感興趣的，由于形成平面化層的氧化硅的蝕刻速度比例如在移動(dòng)結(jié)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的釋放過程中實(shí)現(xiàn)的SOI基板的氧化層的蝕刻速度通常大很多，例如至少大10倍。在缺少此保護(hù)層的情況下，移動(dòng)結(jié)構(gòu)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的釋放蝕刻可能造成平面化層的大量消耗。此實(shí)施方式具有兩層由此有利地使得能夠減小平面化層的厚度。例如，其厚度可以是數(shù)十納米。
[0117]在實(shí)施方式中，其中中間層包括僅單種材料其厚度是確定的以便在釋放蝕刻過程中考慮材料的消耗。在此情形中，中間層的厚度例如具有數(shù)微米的量級(jí)。
[0118]在圖2A至圖2C的實(shí)例中，并且尤其有利地，通過干燥樹脂膜22或DFR (干膜抗蝕齊U)實(shí)現(xiàn)密封。
[0119]例如，通過在覆蓋件6的下面上滾動(dòng)的施加的薄的樹脂膜22旨在與中間層20接觸并且通過光刻構(gòu)造。覆蓋件與樹脂膜單元，增加并且密封在中間層20上。
[0120]在圖2A至圖2C中示出的實(shí)例中，膜22具有基本上具有相同密封表面的兩個(gè)平行珠子的形式。在干膜的絕緣與展開以后獲得這些珠子。
[0121]例如，干膜是具有例如環(huán)氧樹脂、苯酚、丙烯酸或硅基的樹脂。
[0122]干膜例如具有數(shù)微米到數(shù)十微米的厚度，并且甚至是具有多層干燥膜的數(shù)百微米，有利地僅數(shù)微米以便防止此密封珠的材料與流體通道中的擴(kuò)散介質(zhì)之間的相互作用。
[0123]通過干燥膜的密封具有下面的優(yōu)點(diǎn):
[0124]-此密封可以以通常地發(fā)生在低于250°C的相對(duì)較低溫度，并且甚至以與金屬軌道的存在兼容的周圍環(huán)境溫度。實(shí)際上，在鋁軌道的情形中，最大溫度約為400°C。
[0125]-此密封與大量材料是兼容的，
[0126]-由于已經(jīng)形成的流體通道的盡管強(qiáng)拓?fù)湟部梢栽诟采w件上實(shí)現(xiàn)干膜，這使得當(dāng)后者已經(jīng)含有釋放的機(jī)械結(jié)構(gòu)時(shí)能夠不在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)光刻類型的操作，
[0127]-通過干膜的密封在密封界面比分子或共晶類型的密封或者甚至通過熱壓緊的密封具有在要求的表面狀態(tài)(平坦性、粗糙度、顆粒的存在)方面不那么嚴(yán)格的優(yōu)點(diǎn)。因此，干膜的實(shí)現(xiàn)可以允許在不實(shí)現(xiàn)中間層的平坦面20.2的預(yù)先機(jī)械化學(xué)打磨，使得其表面狀態(tài)在沉淀以后立即能夠是充分的。
[0128]此特征使得在如圖2B中示出的NEMS/覆蓋件密封界面處存在功能化層的情況下能夠有利地實(shí)現(xiàn)此密封。
[0129]這樣一種類型的膜提供了一基本厚度工作的可能性，例如具有數(shù)百微米的量級(jí)，以及此外數(shù)十微米的厚度；以及甚至數(shù)微米。
[0130]此外，這種類型的膜具有良好的熱穩(wěn)定性。
[0131]經(jīng)由另一個(gè)技術(shù)的密封部偏離本發(fā)明的范圍，這可以是分子密封、共晶密封、密封或者通過熱壓緊、或者通過玻璃熔塊等。然而，實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)可能比通過干膜密封更加復(fù)雜。
[0132]實(shí)際上，優(yōu)選的是限制使用的溫度以使已經(jīng)存在的金屬軌道以及可能的功能化層不變差。此外，這些溫度應(yīng)該選擇為約少于400°C以便至少保存連接線的金屬層。它們將甚至?xí)僖员惚４胬缇酆衔镱愋偷囊恍┕δ芑瘜印?br> [0133]在要求層的沉積以用于密封的情形中，后者能夠可能地構(gòu)造在構(gòu)造在兩個(gè)部分的單個(gè)上，這對(duì)于共晶密封來說是這樣一種情形，更優(yōu)選地在覆蓋件上實(shí)現(xiàn)此沉積以及此可能的結(jié)構(gòu)。例如對(duì)于金-硅共晶來說，金的層更優(yōu)選地沉積在覆蓋件上。
[0134]在其中要求在兩個(gè)部分的每個(gè)上沉積層的情形中，例如用于密封或者通過熱壓緊，結(jié)構(gòu)的釋放以前實(shí)現(xiàn)在NEMS/MEMS上的沉積。然后此層的材料選擇為以就在密封以前介入的技術(shù)步驟期間不蝕刻的這樣一種方式與釋放在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的方法兼容。在氫氟酸處于氣相的NEMS釋放的情形中，然后例如將在覆蓋件上并且在用于金-金密封的中間層上使用金的層。
[0135]在圖2B中，該設(shè)備包括覆蓋中間層20與整個(gè)NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的功能化層24。此功能化層24稱作為非局部的。在圖2B’中，功能化層圍繞NEMS結(jié)構(gòu)。
[0136]“功能化層”表示存在與機(jī)械結(jié)構(gòu)的表面上的層以便提供其以特定的特性。例如，在氣體傳感器的情形中，功能化層使得能夠以可能地選擇性的方式增加氣體種類的吸附，或者在生物傳感器的情形中，功能化層使得能夠提供生物物種的嫁接。功能化層24例如由一種或由多種有機(jī)或無機(jī)材料、聚合物、氧化物、碳化合物、半導(dǎo)體或者其它多孔材料等形成。
[0137]本發(fā)明使得能夠非常有利地實(shí)現(xiàn)將功能化層沉積在已經(jīng)釋放的機(jī)械結(jié)構(gòu)上的步驟，這使得當(dāng)后者的沉積足夠順從時(shí)能夠通過功能化層(圖2B’)封裝多乎全部機(jī)械機(jī)構(gòu)。然后功能化具有與周圍環(huán)境相互作用的增加的表面，這進(jìn)一步增加了功能化層的益處。本發(fā)明允許在通過例如，通過CVD、LPCVD、PECVD、ALD、外延、外身等的非接觸式與集合技術(shù)釋放的NEMS上實(shí)現(xiàn)功能化層，并且然后繼續(xù)通過增加包括以用于形成流體通道的這樣一種方式的腔體的覆蓋件封閉部件。因此，避免了通過功能化層的沉積通過以液相粘結(jié)的風(fēng)險(xiǎn)。
[0138]更優(yōu)選地，通過如在上文中描述的干膜22實(shí)現(xiàn)密封，實(shí)際上此密封的溫度與在低溫下存在的例如由聚合物等制成的自身沉積或形成的功能化層相容。
[0139]如已經(jīng)在上文中描述的，通過干膜的密封在密封界面比分子或共晶類型的密封或者甚至通過熱壓緊的密封具有在要求的表面狀態(tài)(平坦性、粗糙度、顆粒的存在)方面不那么嚴(yán)格的優(yōu)點(diǎn)。因此，其允許即使在中間層與覆蓋件之間具有密封界面的的功能化層的情況下也允許密封。
[0140]此外，由于此密封與大量材料兼容，因此在關(guān)于可以實(shí)現(xiàn)的功能化層的選擇方面提供了很大自由度。然后可以考慮在NEMS與覆蓋件部分上實(shí)現(xiàn)具有不同性質(zhì)和/或厚度的功能化層。這在其中覆蓋件形成氣相色譜分析柱的情形中是尤其有利的。在此情形中覆蓋件可以接收能夠?qū)崿F(xiàn)將混合物的分析物分離的功能的功能化，同時(shí)NEMS可以接收能夠使其在探測(cè)方面的性能優(yōu)化的另一個(gè)功能化。
[0141]圖2C示出了其中僅在NEMS的懸置部分上實(shí)現(xiàn)功能化層224的另一個(gè)實(shí)施方式，然后功能化層被指定為局部層。在此實(shí)例中，功能化層不出現(xiàn)于密封區(qū)域上。在圖2C’中，功能化層224圍繞NEMS結(jié)構(gòu)。
[0142]圖5A至圖5C示出了在除了通過干膜之外的密封的情形中的根據(jù)第一實(shí)施方式的設(shè)備的不同實(shí)例。應(yīng)該理解的是這些密封的實(shí)例也適用于將在下文描述的其它實(shí)施方式。在此實(shí)例中,通過密封界面26象征密封的方式。
[0143]在分子密封或陽極密封的情形中，例如在其中覆蓋件由玻璃制成的情形中，通過覆蓋件的面與待密封的基板的面形成密封界面26。
[0144]不要求材料的增加。以本領(lǐng)域中技術(shù)人員公知的方式，例如，通過化學(xué)機(jī)械打磨(CMP)制備接觸的面，即中間層的面20.2與覆蓋件6的下面。
[0145]在界面上存在功能化層還可以考慮分子密封，在釋放以后沉積功能化層。
[0146]在其它密封方法中，密封界面由一種或多種材料的層形成，例如在共晶密封的情形中，這可以是Au-S1、AlGe或AuGe的層等，例如在密封的情形中，Au-Au, AuSn等，或者在通過絲網(wǎng)印刷密封的情形中通過熱壓緊或粘結(jié)劑。
[0147]在圖5A中，通過在中間層20與覆蓋件6之間的密封界面26實(shí)現(xiàn)密封，此設(shè)備不包括功能化層。在圖5B中，設(shè)備包括非局部功能化層，通過在功能化層24與覆蓋件6之間的密封界面26獲得密封。
[0148]在圖5C中，設(shè)備在懸置部分10上包括定位功能化層224，通過在中間層20與覆蓋件6之間的密封界面26獲得密封。
[0149]在圖3A和圖3B和圖3C中，示出了根據(jù)本發(fā)明的流體通道設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施方式，其中中間層120覆蓋密封區(qū)域上的連接線與流體通道的內(nèi)部，其封裝除了用于與周圍環(huán)境接觸的此結(jié)構(gòu)的部分的如此NEMS/NEMS結(jié)構(gòu)，即大體上懸置部分10。在圖3A的設(shè)備中，中間層120達(dá)到盡可能靠近MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)的敏感部分并且由此形成基本上與流體通道平行的通道。在圖3B的設(shè)備中，除了敏感部分以外中間層120完全地覆蓋MEMS/NEMS結(jié)構(gòu)并且由此在敏感部分上方簡(jiǎn)單地形成開口。中間層120封裝定位在流體通道2中的網(wǎng)絡(luò)的多個(gè)NEMS之間的連接線8。此封裝具有在NEMS部分上的間隙使材料絕緣的優(yōu)點(diǎn)，由于它們存在與流體通道2中，可能與在通道中循環(huán)的介質(zhì)相互作用。這是例如利用這樣一種金屬或電介質(zhì)的情況，其中，如果機(jī)械結(jié)構(gòu)由密集NEMS網(wǎng)絡(luò)組成那么金屬或電介質(zhì)通常在流體通道中實(shí)現(xiàn)。
[0150]其中中間層將不會(huì)完全地覆蓋不旨在與周圍環(huán)境接觸的NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的部分的流體通道設(shè)備不偏離本發(fā)明的范圍。
[0151]圖3C示出了沿著平面B-B’的圖3A或圖3B的設(shè)備的橫截面視圖。通過在中間層120上的干膜的媒介獲得了覆蓋件6在基板4上的密封。
[0152]在NEMS網(wǎng)絡(luò)通過具有可能幾層互連的金屬或半導(dǎo)體傳導(dǎo)路徑連接在一起，通過電介質(zhì)的層提供層之間的電絕緣，并且整體定位在流體通道中的情形，中實(shí)現(xiàn)經(jīng)由中間層的封裝是尤其感興趣的。在圖4A和圖4B中示出了此實(shí)施方式，具有用于定位在流體通道中的NEMS之間的互連的兩層金屬以及用于與流體通道的外部電連接的一層金屬。
[0153]此裝置包括橫向地布置在導(dǎo)管中的幾個(gè)NEMS。在圖4A的實(shí)例中，三對(duì)NEMS沿著X軸對(duì)準(zhǔn)。然后在幾層金屬上方實(shí)現(xiàn)互連線108.1，在示出的實(shí)例中兩個(gè)，以便在它們之間連接組成定位在流體通道內(nèi)部的NEMS的網(wǎng)絡(luò)的NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)。還實(shí)現(xiàn)互聯(lián)線108.2 (在示出的實(shí)例中通過單層)以便將NEMS的網(wǎng)絡(luò)與流體通道的外部連接在一起。在圖4A中未示出但是在圖4B中示出了這些線。在圖4B中，圖示了與圖4A中示出的結(jié)構(gòu)的部分CC‘相應(yīng)的兩個(gè)懸置部分。不同層的金屬風(fēng)部分地封裝在例如由氧化物制成的電絕緣層230中。優(yōu)選地，在NEMS之間的互連108.1包括兩層金屬并且互連108.2為了連接流體通道外部的NEMS的網(wǎng)絡(luò)包括一層金屬。
[0154]具有一層或多于兩層金屬的互聯(lián)108.1和108.2不偏離本發(fā)明的范圍。除了用于與周圍環(huán)境相互作用的部分10以外，此設(shè)備包括沉積在互連線108.1和108.2上的中間層220。
[0155]現(xiàn)在將要描述根據(jù)本發(fā)明的用于實(shí)現(xiàn)具有流體通道的設(shè)備的方法的實(shí)例。
[0156]將要描述的方法允許同時(shí)地集體實(shí)現(xiàn)幾個(gè)設(shè)備，然后在制造方法的終點(diǎn)后者被分離。但是應(yīng)該理解的是此方法適用于實(shí)現(xiàn)單個(gè)流體通道設(shè)備。
[0157]在第一階段，例如利用在絕緣體(SO1、或硅絕緣體上)上的硅基板實(shí)現(xiàn)設(shè)有NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的基板。另選地，可以使用包括其中可以實(shí)現(xiàn)NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的層的任何基板，此層形成在犧牲層上以允許經(jīng)由其蝕刻釋放NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)。其中實(shí)現(xiàn)NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的材料層可以是硅、鍺、鍺、碳化硅、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等的單晶或者多晶半導(dǎo)體。犧牲層可以存在于整個(gè)基板上方或者僅定位在其中將要實(shí)現(xiàn)NEMS的一定位置。
[0158]可以認(rèn)為NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)以這樣一種方式包括光學(xué)功能以包括MOEMS (微光機(jī)電系統(tǒng))和/或?qū)⒓呻娮硬糠帧MOS等集成。
[0159]基板SOI包括絕緣材料28，例如氧化硅與硅層30。
[0160]在第一步驟期間，摻雜硅層30。
[0161]在圖6A中示出了由此獲得的元件。
[0162]在下面的步驟過程中，實(shí)現(xiàn)NEMS結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體互連線。
[0163]以已知的方式實(shí)現(xiàn)硅層的光刻以及然后的各向異性蝕刻。
[0164]然后發(fā)生在硅上以及在氧化層28上剝掉光敏樹脂層的步驟以便移除光敏樹脂層。
[0165]在圖6B中示出了由此獲得的元件。在圖6B中是能夠看到單個(gè)NEMS的橫截面視圖但是更優(yōu)選地此結(jié)構(gòu)沿著方向X包括多個(gè)NEMS。該結(jié)構(gòu)還可以沿著方向Y包括幾個(gè)NEMS。
[0166]在下面的步驟期間，實(shí)現(xiàn)由金屬制成的連接線。為此，然后發(fā)生電介質(zhì)層32在構(gòu)造層30上的電介質(zhì)層32的沉積，這例如是由硅烷SiH4基形成的氧化物，其中厚度大于構(gòu)造的硅30的層的拓?fù)洹?br> [0167]在圖6C中示出了由此獲得的元件。
[0168]然后實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光或CMP的步驟以使層32的表面平坦。更優(yōu)選地，預(yù)先實(shí)現(xiàn)“反掩膜”類型的光刻以及待恢復(fù)的拓?fù)涞母叨鹊膶?0的局部蝕刻，這助于了拋光的凋并且使得能夠減小其持續(xù)時(shí)間。
[0169]在圖6D中示出了由此獲得的元件。
[0170]在下面的步驟過程中，通過光刻打開層32以便達(dá)到硅30的層并且準(zhǔn)備實(shí)現(xiàn)電接觸。
[0171]在圖6E中示出了由此獲得的元件。
[0172]在下面的步驟過程中，沉積例如AlSi的金屬層34，后者具有通過氫氟酸蒸氣為蝕刻提供良好阻抗的優(yōu)點(diǎn)，發(fā)生這個(gè)以便釋放機(jī)械結(jié)構(gòu)。
[0173]在下面的步驟過程中，金屬層34被蝕刻(圖6F)。
[0174]在下面的步驟過程中，發(fā)生化學(xué)機(jī)械拋光。
[0175]在圖6G中示出了由此獲得的元件。
[0176]下面的步驟描述了中間層20的實(shí)現(xiàn)。
[0177]在示出的實(shí)例中，中間層20包括兩個(gè)層。沉積形成平面化層的電介質(zhì)材料35的層。平面化層例如是通過硅烷SiH4基形成的氧化物，或者由正硅酸乙酯(TEOS)基形成的氧化物。例如由無定形硅、氮化硅、金屬(鋁硅，鋁銅等)、氧化鉿(Hf02)制成的保護(hù)性層36，然后沉積在層35上，后者通過氫氟酸蒸氣增加了對(duì)蝕刻的阻抗。
[0178]在單材料的中間層的情形中，在釋放機(jī)械結(jié)構(gòu)的最終步驟過程中其厚度以能夠由其保護(hù)連接線的這樣一種方式確定，即由于釋放蝕刻以足以考慮減小的這樣一種方式選擇它的厚度使得它仍覆蓋連接線。如在上文所述的，在此情形下中間層的厚度可以例如具有數(shù)微米的量級(jí)。
[0179]由于預(yù)先實(shí)現(xiàn)的CMPs并且尤其是在層34上預(yù)先實(shí)現(xiàn)的CMP，中間層的表面狀態(tài)允許在不依賴后者拋光的情況下通過干膜密封。尤其在分子密封的情形中可以實(shí)現(xiàn)拋光的步驟。
[0180]在圖6H中示出了由此獲得的元件。
[0181]在下面的步驟過程中，以達(dá)到待釋放的NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的這樣一種方式蝕刻中間層。例如對(duì)于非晶硅的層來說可以使用具有SF6基的蝕刻等離子體，并且對(duì)于形成中間層的氧化硅的蝕刻來說具有CHF3的蝕刻等離子體。
[0182]配置中間層20的蝕刻以便保持金屬互連與半導(dǎo)體材料的NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)。因此，例如以考慮在"NEMS"方法的端部介入的機(jī)械結(jié)構(gòu)的釋放的長(zhǎng)度的這樣一種方式經(jīng)由光刻法確定開口的形狀，由于此步驟可以引起中間層20的平面化層的不期望的側(cè)向蝕刻，這如果不控制，可能造成清除不期望區(qū)域如金屬互連、在具有覆蓋件的密封界面下方的區(qū)域。此夕卜，在中間層中的開口的蝕刻優(yōu)選地在達(dá)到半導(dǎo)體以前在半導(dǎo)體上方的金屬層上停止，以便不損壞構(gòu)成機(jī)械結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層。在圖61中，可以看到在結(jié)構(gòu)上方的蝕刻的停止。
[0183]在圖61中示出了由此獲得的元件。
[0184]在下面的步驟過程中，NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)，尤其是移動(dòng)部分或多個(gè)部分被釋放。例如通過各向異性蝕刻通過圍繞NEMS結(jié)構(gòu)，即層28、32的電介質(zhì)材料的氫氟酸蒸汽發(fā)生該釋放。可以全部地或者局部地蝕刻層28。由于存在保護(hù)性層36，因此層35被保護(hù)，其厚度不減小。在另一個(gè)方面，圖示了平面化層35的側(cè)面蝕刻，層36未被蝕刻。
[0185]在圖6J中示出了由此獲得的元件。
[0186]圖6K示出了包括在NEMS的懸置部分上的非定位的功能化層的圖6J的元件。這里這包括示出了圖2B中示出的類型的結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)。
[0187]圖6L示出了包括定位在NEMS的懸置部分上的功能化層的圖6J的元件。這里這包括示出了圖2C中示出的結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)。
[0188]可以通過氣相或液相沉積以不同的方式實(shí)現(xiàn)這些功能化層。優(yōu)選地，利用例如通過CVD (化學(xué)氣相沉積)>LPCVD法、通過PECVD、通過ALD (原子層沉積)等的氣體沉積技術(shù)。此外還可以實(shí)現(xiàn)材料的外延和/或化身技術(shù)和/或蒸汽類型。這些技術(shù)優(yōu)選的是通過液體裝置的技術(shù)，噴射或測(cè)點(diǎn)定位(液滴的沉積)類型，因?yàn)樗鼈兪沟媚軌虮苊庠诖嬖卺尫诺腘EMS結(jié)構(gòu)的情況下實(shí)現(xiàn)液相。然而，例如如果NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)足夠剛性的話還可以使用這些技術(shù)。
[0189]形成功能化層或多個(gè)層的沉積的材料可以例如是聚合物、電介質(zhì)、半導(dǎo)體類型或其它多孔材料、金屬等的材料。
[0190]在定位沉積的情形中，可以使用機(jī)械掩膜技術(shù)(模板)、在實(shí)現(xiàn)微系統(tǒng)的方法中已知的提升技術(shù)、或者甚至包括將液體溶液的液滴局部地沉積的測(cè)點(diǎn)定位技術(shù)等。
[0191]在圖6K中，功能化層僅示出在NEMS的表面上。優(yōu)選地，功能化層圍繞NEMS，功能化層的厚度在機(jī)械結(jié)構(gòu)的全部周圍不必是均勻的。通過實(shí)現(xiàn)兼容沉積技術(shù)例如通過CVD獲得此沉積。
[0192]現(xiàn)在將要描述利用在例如由硅、玻璃、石英等制成的其兩個(gè)面上拋光的指定為覆蓋基板38的基板38上實(shí)現(xiàn)覆蓋件6的步驟的實(shí)例。
[0193]首先，限定標(biāo)記(未示出)并且然后蝕刻在基板的后面38.1上以及前面38.2上，這些標(biāo)記用于在它們密封過程中在基板NEMS與覆蓋件之間對(duì)準(zhǔn)。
[0194]在下面步驟過程中，在基板38 (圖7A)的前面38.2上實(shí)現(xiàn)例如由幾微米厚的氧化硅的掩膜的硬掩膜的沉積。實(shí)現(xiàn)掩膜40的光刻與蝕刻以便限定腔體。
[0195]然后，例如通過深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)蝕刻覆蓋基板38，通過例如"Bosch"類型的方法包括通過等離子SF6蝕刻以及通過等離子C4F8鈍化的一系列步驟，由此形成將劃界流體通道的腔體。蝕刻的深度例如是幾百微米的量級(jí)。此蝕刻還有利地使得能夠?qū)崿F(xiàn)在與NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的基板裝配在一起后用于定位在電襯墊上方的腔體(未示出)，如將在下文描述的，這在其中共同地實(shí)現(xiàn)幾個(gè)設(shè)備的特別情形中，這些腔體允許設(shè)備的分離。
[0196]然后可以例如通過HF類型的濕法蝕刻移除硬的掩膜。
[0197]在圖7B中示出了由此獲得并且包括多個(gè)覆蓋件6的元件。
[0198]在下面步驟過程中，通過干膜制備用于在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)上密封的覆蓋基板38。
[0199]然后干膜42緊固在覆蓋基板38的前面38.2上，有利地通過滾動(dòng)獲得此緊固。由于在基板的此側(cè)面上存在流體通道，此滾動(dòng)使得即使強(qiáng)拓?fù)湟材軌蚬ぷ鳌?br> [0200]在下面步驟過程中，實(shí)現(xiàn)光刻與顯影以便構(gòu)造干膜，然后后者具有沿著在覆蓋件中蝕刻的腔體的珠子。這可以是諸如在圖7C中示出的寬珠子，或者更優(yōu)選地是在圖2A至圖2C中示出的彼此平行的幾個(gè)窄珠子。在此后面的情形中，例如珠子與珠子之間的空間可以是幾微米至幾十微米。
[0201]更優(yōu)選地，珠子具有通常結(jié)構(gòu)以及以如在密封步驟過程中提供干膜通過合理壓力的同種擠壓的這樣一種方式在待密封的結(jié)構(gòu)的全部的上方的封閉的密封表面。
[0202]在圖7C中示出了由此獲得的元件，然后覆蓋基板38準(zhǔn)備密封在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)4的基板上。
[0203]圖8示出了覆蓋基板38與包括NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的基板4的密封的步驟。在此圖上以及在共同制造的情形中關(guān)于兩個(gè)基板的裝配以及元件的分離的下面的圖上，未實(shí)現(xiàn)在(無論是否被局域化的)NEMS的表面上的功能化層，但是如果無論是否局域化都實(shí)現(xiàn)此功能化層，那么用于實(shí)現(xiàn)的方法將是相同的。
[0204]在一件密封裝置上實(shí)現(xiàn)密封，這使得能夠控制施加在覆蓋件與待密封基板之間的溫度與壓力。
[0205]能夠可能地實(shí)現(xiàn)在本【技術(shù)領(lǐng)域】中已知的表面處理以使粘結(jié)能量?jī)?yōu)化。
[0206]在此步驟過程中，在包括個(gè)NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)的基板上實(shí)現(xiàn)幾個(gè)覆蓋件6的密封。
[0207]首先，基板4與覆蓋基板38通過先前在基板上制成的掩膜對(duì)準(zhǔn)。
[0208]然后在基板4與覆蓋基板38之間施加壓力以及溫度。
[0209]例如，施加的壓力具有幾kN到幾十kN的量級(jí)，并且例如溫度在100°C與200°C之間。
[0210]然后裝配基板4與覆蓋基板38。然后流體通道密封在通道的側(cè)邊緣上。如此獲得并且在圖8中示出的元件包括多個(gè)流體通道設(shè)備。
[0211]通常地，利用在微電子中使用的圓形基板實(shí)現(xiàn)諸如圖8的組件。
[0212]現(xiàn)在將要描述分離這些通道的步驟。在其中可能已經(jīng)實(shí)現(xiàn)單個(gè)設(shè)備的情形中，可以實(shí)現(xiàn)流體通道設(shè)備。
[0213]分離的方法首先包括清除電接觸襯墊的步驟。根據(jù)上文中描述的制造方法并且如在圖8和圖9A中可以看到的，定位在通道6的一側(cè)上的設(shè)備的接觸襯墊鄰近定位在相鄰設(shè)備的通道的側(cè)面上的相鄰設(shè)備的這些。
[0214]因此這些襯墊定位在覆蓋基板38的相同的腔體44中。
[0215]清除襯墊的步驟于此旨在打開到接收襯墊的腔體44中。該步驟指定為STR(鋸切以顯示)。
[0216]此步驟包括以打開到腔體44中的這樣一種方式局部地切割在接觸襯墊上方的覆蓋件的基板。切割標(biāo)記45通過未間斷線象征，切口劃界被移除的切割部分46。
[0217]在平面XZ中實(shí)現(xiàn)此切割，由此鋸切殘余物不滲入到通道中。
[0218]在圖9B和圖9C中示出了由此獲得的元件。現(xiàn)在覆蓋件彼此分離。應(yīng)該指出的是為了理解在圖9C中未指出鄰近附圖中示出的芯片的芯片。
[0219]在其中功能化層可以已經(jīng)被以非定位方式沉積并且可能覆蓋定位在腔體44中的接觸襯墊的情形中，能夠在在移除基板部分46以后蝕刻覆蓋接觸襯墊的功能化層的部分。此蝕刻以特別有利的方式將覆蓋件用作掩膜，由此提供了限于到接觸襯墊的蝕刻；定位在NEMS/MEMS結(jié)構(gòu)上的功能化層的部分被覆蓋件保護(hù)。
[0220]根據(jù)垂直于流體通道的方向X的方向僅以如將設(shè)備縱向地與流體通道分離的這樣一種方式，然后預(yù)切割的步驟在平面YZ中實(shí)現(xiàn)每個(gè)覆蓋件與基板4。
[0221]通過圖9C中的箭頭48代表這些預(yù)切割區(qū)域。
[0222]在此外還在平行于流體通道的方向X的平面XZ中的基板4中以使該設(shè)備與流體通道橫向地分離的這樣一種方式實(shí)現(xiàn)切割或預(yù)切割線。
[0223]通過圖9B中的箭頭48代表這些切割或預(yù)切割區(qū)域。
[0224]然后，利用預(yù)切割模式48和49，例如通過裂縫，通過激光切割將設(shè)備與流體通道分開。更優(yōu)選地，避免了關(guān)于模式48的實(shí)現(xiàn)的鋸切，這可能具有污染流體通道的內(nèi)部的風(fēng)險(xiǎn)。
[0225]此分離技術(shù)是尤其有利的，因?yàn)槠涫沟媚軌蝻@露電接觸襯墊同時(shí)還在生產(chǎn)方法的終端消除了存在與這些襯墊的表面上的功能化層。此外，這使得通過保存流體通道的完整性能夠?qū)⑿酒舜朔蛛x。
[0226]可以考慮利用其它技術(shù)來顯露電接觸襯墊。例如,可以考慮蝕刻覆蓋基板38到襯墊或者到預(yù)先形成在接觸襯墊上方的腔體。在其中基板38蝕刻到接觸襯墊的情形中基板可以不包括腔體44。但是，更優(yōu)選地，在圖8中腔體44設(shè)置為，使得一旦這在腔體中打開就停止蝕刻，這使得能夠顯露觸頭?？梢栽诖蜷_到預(yù)先形成在接觸襯墊之上的腔體中以前發(fā)生覆蓋基板的拋光，指定為“打磨以顯露”的技術(shù)。在此情形中這里實(shí)現(xiàn)比流體通道的腔體更深的類型的腔體44是適合的，以便在不打開到流體通道的情形中打開到腔體44中以便保持它們的整體性。
[0227]基于本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)包括懸置在通道中的一個(gè)或幾個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)的流體通道設(shè)備，以及具有提供密封的一個(gè)或幾個(gè)側(cè)向電連接，由此防止在基板中形成TSV并且還防止了結(jié)構(gòu)存在于流體通道中，其提供了定位在通道內(nèi)部以及通道外部的機(jī)械結(jié)構(gòu)之間的電接觸，具有在覆蓋件中實(shí)現(xiàn)延伸TSVs的金屬柱類型或者具有由硅或玻璃制成的柱類型，腔體在內(nèi)部蝕刻以允許在與腔體絕緣的機(jī)械結(jié)構(gòu)的襯墊上的引線鍵合，如傳統(tǒng)地利用金屬或聚合物密封方法實(shí)現(xiàn)的。此外，本發(fā)明通過允許密集與復(fù)雜的電互連盡可能近地到具有可能地幾層金屬的機(jī)械結(jié)構(gòu)使得能夠容易地實(shí)現(xiàn)機(jī)械結(jié)構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明還使得能夠封裝除了敏感結(jié)構(gòu)以外的全部結(jié)構(gòu)與層。最終地，其允許在該方法的過程中在懸置機(jī)械結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)功能化。
【權(quán)利要求】
1.一種包括基板的設(shè)備，該基板包括至少一個(gè)微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)(NEMS)，該結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)懸置部分和限定在所述基板與覆蓋件(6)之間的流體通道(2)，所述流體通道(2)包括兩個(gè)側(cè)壁(6.1)以及由所述覆蓋件形成的連接所述兩個(gè)側(cè)壁(6.1)的上壁(6.2)以及由所述基板形成的下壁以及至少兩個(gè)開口以便提供在所述通道中的循環(huán)，所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)定位在所述流體通道內(nèi)部，至少一個(gè)電連接線(8)在所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)與所述流體通道(2)的外部之間延伸，所述電連接線(8)在所述基板(4)上實(shí)現(xiàn)并且在所述側(cè)壁(6.1)中的一個(gè)側(cè)壁下方經(jīng)過，所述設(shè)備還包括中間層(20)，所述中間層包括與所述側(cè)壁(6.1)的基面接觸的面，所述中間層的所述面具有用于與所述基面密封的能力，所述連接線(8)至少部分地被所述中間層(20)覆蓋至少直接地在所述側(cè)壁(6.1)的所述基面的上方，所述側(cè)壁(6.1)通過密封在所述中間層(20)上密封地固定在所述基板⑷上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其包括封裝微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的懸置部分的至少一部分的功能化層(24，224)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述功能化層(24，224)包括從有機(jī)或無機(jī)材料、聚合物、氧化物、半導(dǎo)體中選擇的一種或多種材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括在微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的任一側(cè)上橫向地延伸的至少一對(duì)電連接線(8)，并且每個(gè)電連接線都在側(cè)壁(6.1)的下方經(jīng)過。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述中間層(20)在所述流體通道(2)中覆蓋除了懸置部分的微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的全部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述中間層(20)包括諸如氧化硅或氮化硅的電絕緣材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括電連接線(8)與接觸襯墊(9)，所述接觸襯墊(9)定位在所述流體通道(2)的外部，所述電連接線(8)在所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)與所述接觸襯墊(9)之間延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述電連接線(8)至少在所述流體通道內(nèi)部包括多層金屬粉。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括插入在所述中間層(20)與所述覆蓋件的所述側(cè)壁(6.1)的所述基面之間的用于密封(22)的干膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中用于密封(22)的所述干膜構(gòu)造成在所述側(cè)壁的所述中間層與所述基面之間的界面上的多個(gè)珠子。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，包括插入在所述中間層(20)與所述側(cè)壁的所述基面之間的至少一個(gè)材料層，形成共晶密封或者通過熱壓緊，或者通過絲網(wǎng)印刷或者其中所述密封是分子密封或者其中所述密封由玻璃熔塊制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述中間層(20)包括與所述連接線(8)接觸的由電絕緣材料制成的第一層(35)以及沉積在所述第一層上的第二層(36)，所述第二層(36)是由使得其對(duì)于釋放所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的步驟略微敏感或不敏感的材料制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述第二層(36)由硅、氮化硅、金屬或者氧化鉿制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或3中的一項(xiàng)所述的裝置，其中所述通道形成氣相色譜微柱。
15.一種實(shí)現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1-14中的一項(xiàng)所述的至少一個(gè)設(shè)備的方法，包括步驟: a)在基板上實(shí)現(xiàn)微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)以及至少一個(gè)連接線； b)以這樣一種方式形成所述中間層，該方式使得中間層具有基本上平坦的自由面，所述基本平坦的自由面在所述至少一個(gè)懸置部分上方具有開口； c)實(shí)現(xiàn)包括流體通道的覆蓋件基板； d)以這樣一種方式在中間層上密封覆蓋件基板，該方式使得所述流體通道面向所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的實(shí)現(xiàn)方法，包括在密封之前實(shí)現(xiàn)用于在所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)上和/或在所述覆蓋件的所述壁上和/或在所述中間層上在所述流體通道內(nèi)部實(shí)現(xiàn)功能化層的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的實(shí)現(xiàn)方法，包括在所述步驟b)以后釋放所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中密封步驟使用干膜，該實(shí)現(xiàn)方法包括以下子步驟: 在所述覆蓋件的壁的基面上滾動(dòng)干膜； 構(gòu)造所述干膜； 使所述覆蓋件與包括所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述基板更靠近在一起； 以擠壓所述干膜的方式施加壓力。
19.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中所述密封是共晶密封，或者通過熱壓緊，或者通過分子密封或者通過絲網(wǎng)印刷。
20.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中通過沉積第一層電絕緣材料以及將第二層沉積在所述第一層發(fā)生所述中間層的實(shí)現(xiàn)。
21.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中同時(shí)地實(shí)現(xiàn)多個(gè)設(shè)備，所述基板包括多個(gè)微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)并且所述覆蓋件基板包括多個(gè)覆蓋件，所述覆蓋件同時(shí)地密封在包括所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述基板上，使得一個(gè)設(shè)備的流體通道能夠或不能夠與其它設(shè)備的所述流體通道聯(lián)通。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的實(shí)現(xiàn)方法，包括以下步驟: 在所述覆蓋件基板中以及在支撐所述微電子結(jié)構(gòu)的基板中，沿著垂直于所述流體通道的方向?qū)崿F(xiàn)預(yù)切割和/或； 在支撐所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述基板中沿著平行于所述流體通道的方向?qū)崿F(xiàn)切割或預(yù)切割； 分離設(shè)備。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中通過分裂實(shí)現(xiàn)所述設(shè)備的分離。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中所述覆蓋件基板包括在所述通道之間預(yù)先形成的腔體，其中在密封以后定位接觸襯墊，所述方法還包括切割所述覆蓋件基板的步驟以便打開所述腔體。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中所述覆蓋件基板包括在所述通道之間預(yù)先形成的腔體，其中在密封以后定位接觸襯墊，所述方法還包括切割所述覆蓋件基板的步驟以便打開所述腔體。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中在所述密封以前功能化層已經(jīng)形成在所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)上以及在所述接觸襯墊上，所述方法包括在密封與打開所述覆蓋件中的所述腔體以后通過在所述接觸襯墊上蝕刻來移除所述功能化層的步驟，所述覆蓋件形成對(duì)于所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述蝕刻的掩膜。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的實(shí)現(xiàn)方法，其中在所述密封以前功能化層已經(jīng)形成在所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)上以及在所述接觸襯墊上，所述方法包括在密封與打開所述覆蓋件中的所述腔體以后通過在所述接觸襯墊上蝕刻來移除所述功能化層的步驟，所述覆蓋件形成對(duì)于所述微電子和/或納米電子結(jié)構(gòu)的所述蝕刻的掩膜。
【文檔編號(hào)】B81B7/02GK104326437SQ201410347582
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月22日
【發(fā)明者】埃里克·奧利耶, 卡里納·馬爾庫 申請(qǐng)人:原子能與替代能源委員會(huì)