一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法
【專利摘要】一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，屬于電子工藝領(lǐng)域。包括如下步驟：（1）首先在硅片表面旋涂一層聚酰亞胺，在涂覆之前把電鍍號傳輸線結(jié)構(gòu)的硅片烘干；接著滴幾滴聚酰亞胺在硅片的中央；在涂完聚酰亞胺，把聚酰亞胺放在密封的盒子里使其自然流平；（2）將步驟（1）所得硅片在80℃的溫度下烘烤30min，然后在110℃的溫度下烘烤1h進(jìn)行預(yù)胺化；（3）預(yù)胺化后，涂覆一層正膠；（4）接著將硅片置于烘箱內(nèi)烘干，溫度為140℃，對正膠進(jìn)行固化；（5）用NaOH的溶液浸泡，再用去離子水沖凈，置于80℃的烘箱內(nèi)使其水分揮發(fā)，之后與O2進(jìn)行刻蝕處理。避免了單獨(dú)使用正膠或聚酰亞胺作為犧牲層的缺點(diǎn)，又充分利用了他們的長處，縮短了犧牲層去除的時間，去除的比較干凈并且所需時間短。
【專利說明】一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于電子工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在微機(jī)電系統(tǒng)器件中，微結(jié)構(gòu)通常采用體硅腐蝕工藝或表面微機(jī)械工藝加工而成。體硅工藝存在著諸多缺陷，如腐蝕時間慢，浪費(fèi)硅片面積，最主要的缺點(diǎn)是與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容性差，而常用的表面微機(jī)械加工技術(shù)與CMOS工藝相兼容，在微機(jī)電系統(tǒng)表面加工工藝中，犧牲腐蝕技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用。常用的犧牲層材料包括光刻膠和聚酰亞胺，光刻膠易溶于丙酮或堿性溶劑，比較容易去除，但是容易引起龜裂，加之光刻膠犧牲層中含有烘膠時未能完全除凈的殘余溶劑與氣體，內(nèi)部液體與氣體就會揮發(fā)出來從而聚集形成氣泡與缺陷，引發(fā)開裂。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明旨在解決上述問題，提供一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法。
[0004]一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，包括如下步驟:
(O首先在硅片表面旋涂一層聚酰亞胺，在涂覆之前把電鍍號傳輸線結(jié)構(gòu)的硅片烘干；接著滴幾滴聚酰亞胺在硅片的中央，使用勻膠機(jī)逐漸加速旋轉(zhuǎn)使聚酰亞胺散開，均勻的覆蓋在硅襯底上；在涂完聚酰亞胺，把聚酰亞胺放在密封的盒子里使其自然流平；
(2)將步驟(I)所得硅片在80°C的溫度下烘烤30min，然后在110°C的溫度下烘烤Ih進(jìn)行預(yù)胺化；
(3)預(yù)胺化后，涂覆一層正膠，將勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速確定為2500r/min，勻膠時間為5s，甩膠時間為20s得到厚度為2 μ m的正膠,之后在90°C溫度下進(jìn)行前烘,曝光45s,之后在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.6%Na0H溶液里顯影90s ；
(4)接著將硅片置于烘箱內(nèi)烘干，溫度為140°C，對正膠進(jìn)行固化；
(5)用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去離子水沖凈，置于80°C的烘箱內(nèi)使其水分揮發(fā)，之后與O2進(jìn)行刻蝕處理。
[0005]本發(fā)明所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，所述步驟(I)中勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為 1500r/min。
[0006]本發(fā)明所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，所述步驟(I)中自然流平的時間為4tT5h。
[0007]本發(fā)明所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，所述步驟(5)中硅片的刻蝕處理時間為2h。
[0008]本發(fā)明所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，犧牲層有聚酰亞胺和正膠兩種材料組成，避免了單獨(dú)使用正膠或聚酰亞胺作為犧牲層的缺點(diǎn)，又充分利用了他們的長處，縮短了犧牲層去除的時間，犧牲層去除的比較干凈并且所需時間短。
【具體實(shí)施方式】
[0009]本發(fā)明一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，包括如下步驟:
(O首先在硅片表面旋涂一層聚酰亞胺，在涂覆之前把電鍍號傳輸線結(jié)構(gòu)的硅片烘干；接著滴幾滴聚酰亞胺在硅片的中央，使用勻膠機(jī)逐漸加速旋轉(zhuǎn)使聚酰亞胺散開，均勻的覆蓋在硅襯底上；在涂完聚酰亞胺，把聚酰亞胺放在密封的盒子里使其自然流平；
(2)將步驟(I)所得硅片在80°C的溫度下烘烤30min，然后在110°C的溫度下烘烤Ih進(jìn)行預(yù)胺化；
(3)預(yù)胺化后，涂覆一層正膠，將勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速確定為2500r/min，勻膠時間為5s，甩膠時間為20s得到厚度為2 μ m的正膠,之后在90°C溫度下進(jìn)行前烘,曝光45s,之后在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.6%Na0H溶液里顯影90s ；
(4)接著將硅片置于烘箱內(nèi)烘干，溫度為140°C，對正膠進(jìn)行固化；
(5)用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去離子水沖凈，置于80°C的烘箱內(nèi)使其水分揮發(fā)，之后與O2進(jìn)行刻蝕處理。
[0010]本發(fā)明所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，所述步驟(I)中勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為1500r/min。所述步驟(I)中自然流平的時間為4tT5h。所述步驟(5)中硅片的刻蝕處理時間為2h。
【權(quán)利要求】
1.一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，其特征在于包括如下步驟: (1)首先在硅片表面旋涂一層聚酰亞胺，在涂覆之前把電鍍號傳輸線結(jié)構(gòu)的硅片烘干；接著滴幾滴聚酰亞胺在硅片的中央，使用勻膠機(jī)逐漸加速旋轉(zhuǎn)使聚酰亞胺散開，均勻的覆蓋在硅襯底上；在涂完聚酰亞胺，把聚酰亞胺放在密封的盒子里使其自然流平； (2)將步驟(I)所得硅片在80°C的溫度下烘烤30min，然后在110°C的溫度下烘烤Ih進(jìn)行預(yù)胺化； (3)預(yù)胺化后，涂覆一層正膠，將勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速確定為2500r/min，勻膠時間為5s，甩膠時間為20s得到厚度為2 μ m的正膠,之后在90°C溫度下進(jìn)行前烘,曝光45s,之后在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.6%NaOH溶液里顯影90s ； (4)接著將硅片置于烘箱內(nèi)烘干，溫度為140°C，對正膠進(jìn)行固化； (5)用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的NaOH的溶液浸泡，之后再用去離子水沖凈，置于80°C的烘箱內(nèi)使其水分揮發(fā)，之后與O2進(jìn)行刻蝕處理。
2.如權(quán)利要求1所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，其特征在于所述步驟Cl)中勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速為1500r/min。
3.如權(quán)利要求1所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，其特征在于所述步驟(I)中自然流平的時間為4h?5h。
4.如權(quán)利要求1所述的一種微機(jī)電系統(tǒng)復(fù)合犧牲層的處理方法，其特征在于所述步驟(5)中娃片的刻蝕處理時間為2h。
【文檔編號】B81C1/00GK104310303SQ201410544022
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】張俊 申請人:陜西易陽科技有限公司