1.一種III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，包括：
(a)在III-V族化合物半導(dǎo)體基板表面制作圖形化金屬網(wǎng)格；和
(b)在刻蝕液中通過對所述金屬網(wǎng)格施加偏壓濕法刻蝕GaAs基板。
2.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，將所述金屬網(wǎng)格作為陽極施加電壓或電流。
3.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格包括不被所述刻蝕液腐蝕的金屬，包括銀、金、鈀或鉑。
4.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格由具有兩種或多種元素的合金形成或由兩種或多種金屬多層沉積形成。
5.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，所述納米線的長度通過濕法刻蝕的時間控制或通過施加偏壓的大小控制。
6.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，所述刻蝕液包括氫氟酸、鹽酸或硝酸。
7.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，在所述濕法刻蝕的步驟中，將納米線的形狀制造為垂直于所述基板或制造為鋸形。
8.如權(quán)利要求1所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，在所述濕法刻蝕的步驟中，對所述基板施加偏壓以誘導(dǎo)納米線具有多孔性表面。
9.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，在所述濕法刻蝕的步驟中，納米線的縮短長度調(diào)整取決于所述金屬網(wǎng)格的孔尺寸的變化。
10.如權(quán)利要求1～8中任意一項所述的III-V族化合物半導(dǎo)體納米線陣列的制造方法，其特征在于，所述III-V族化合物半導(dǎo)體為GaAs。