帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0002]很多微機(jī)電系統(tǒng)MEMS(Micro_Electro Mechanical System)器件均有可動(dòng)部件，需要封裝提供腔體(Cavity)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)或腔體本身為功能實(shí)現(xiàn)的一部分。為了保持腔體內(nèi)的氣體環(huán)境，這樣就需要一個(gè)蓋子(Cap)和基片來形成鍵合(bonding)，常見的鍵合方式有直接鍵合(direct wafer bonding)、陽極鍵合(anodic bonding)、黏合劑鍵合(adhesivebonding)、金屬鍵合、玻璃焊料鍵合等。各種鍵合方式中，鍵合劑鍵合和金屬鍵合得以廣泛應(yīng)用，其它鍵合方式則由于工藝溫度過高、表面粗糙度要求、材料特性等原因限制了其適用范圍。
[0003]黏合劑鍵合適合于低工藝溫度要求的器件，但其鍵合本身的氣密能力有限，無法保證器件長(zhǎng)期壽命中的腔內(nèi)氣體壓力和純度。金屬鍵合雖然可以提供良好的氣密性，但其工藝溫度相對(duì)較高，在鍵合時(shí)會(huì)導(dǎo)致氣體逃逸后腔體內(nèi)壓力不足，影響器件的性能。
[0004]因?yàn)椋斜匾岢鲆环N改進(jìn)的方案來克服上述問題。
【【實(shí)用新型內(nèi)容】】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種帶腔體器件的氣密封裝，其可以在獲得較高的腔體氣體壓力的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)良好的氣密性能。
[0006]為了解決上述問題，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，本實(shí)用新型提供一種帶腔體的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其包括:鍵合層，其包括黏合劑密封結(jié)構(gòu)和金屬密封結(jié)構(gòu);第一基板，其包括第一表面、與第一表面相對(duì)的第二表面;第二基板，其包括第一表面、與第一表面相對(duì)的第二表面，第一基板的第一表面與第二基板的第一表面通過所述鍵合層鍵合在一起;和，腔體，其位于第一基板和第二基板之間且被所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)和所述金屬密封結(jié)構(gòu)分別圍繞密封。
[0007]進(jìn)一步的，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)包括一圈或多圈，所述金屬密封結(jié)構(gòu)包括一圈或多圈，每圈黏合劑密封結(jié)構(gòu)圍繞所述腔體，每圈金屬密封結(jié)構(gòu)密封圍繞所述腔體，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)的鍵合溫度低于所述金屬密封結(jié)構(gòu)的鍵合溫度。
[0008]進(jìn)一步的，所述第一基板的第一表面形成有凹槽，所述第二基板的第一表面形成有對(duì)應(yīng)的凹槽，第一基板的凹槽和第二基板對(duì)應(yīng)的凹槽扣合，以形成所述腔體;所述第一基板的第一表面形成有凹槽，第一基板的凹槽和第二基板的部分第一表面扣合，以形成所述腔體;或所述第二基板的第一表面形成有凹槽，第二基板的凹槽和第一基板的部分第一表面扣合，以形成所述腔體。
[0009]進(jìn)一步的，所述腔體包括沿第一表面間隔分布的多個(gè)腔體單元;所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)中有部分位于相鄰兩個(gè)腔體單元之間，以隔絕相鄰兩個(gè)腔體單元間的氣體流通。
[0010]進(jìn)一步的，所述腔體內(nèi)填充的氣體為六氟化硫、二氧化碳、氙氣、2，3，3，3_四氟丙烯、HFC-125、丙烷中的至少一種;所述腔體內(nèi)的壓力為lbar-lObar。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一基板和第二基板的本體材料包括Glass、S1、Ge、GaAs、InP、GaN、Al203、Cu、Al和KOVAR中的至少一種;所述金屬密封結(jié)構(gòu)的共晶鍵合材料包括金-錫、銅_錫、金-硅、金-銦、金-鍺、鋁-鍺、鉛-錫和錫-銀-銅中的至少一種；
[0012]所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)的材料包含環(huán)氧樹脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、阻焊膜、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚對(duì)二甲苯、聚萘、碳氟化合物和丙烯酸酯中的至少一種。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型中氣密封裝結(jié)構(gòu)的鍵合層包括密封圍繞所述腔體的黏合劑密封結(jié)構(gòu)和金屬密封結(jié)構(gòu)，在制造時(shí)，先完成黏合劑鍵合形成黏合劑密封結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)所述腔體內(nèi)氣體的臨時(shí)密封，獲得所需腔內(nèi)氣壓;接下來完成金屬鍵合形成金屬密封結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)提供良好的氣密性。
【【附圖說明】
】
[0014]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
[0015]圖1為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制造方法在一個(gè)實(shí)施例中的流程示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型在一個(gè)實(shí)施例中提供的第一基板和第二基板的部分縱剖面圖；
[0017]圖3為圖2提供的第一基板和第二基板的部分俯視圖；
[0018]圖4為圖2中的第一基板和第二基板對(duì)齊和鍵合后形成的氣密封裝結(jié)構(gòu)的部分縱剖面圖；
[0019]圖5為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第二個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖；
[0020]圖6為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第三個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖；
[0021]圖7為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第四個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖；
[0022]圖8為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第五個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0023]本實(shí)用新型的詳細(xì)描述主要通過程序、步驟、邏輯塊、過程或其他象征性的描述來直接或間接地模擬本實(shí)用新型技術(shù)方案的運(yùn)作。為透徹的理解本實(shí)用新型，在接下來的描述中陳述了很多特定細(xì)節(jié)。而在沒有這些特定細(xì)節(jié)時(shí)，本實(shí)用新型則可能仍可實(shí)現(xiàn)。所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員使用此處的這些描述和陳述向所屬領(lǐng)域內(nèi)的其他技術(shù)人員有效的介紹他們的工作本質(zhì)。換句話說，為避免混淆本實(shí)用新型的目的，由于熟知的方法和程序已經(jīng)容易理解，因此它們并未被詳細(xì)描述。
[0024]此處所稱的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本實(shí)用新型至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非均指同一個(gè)實(shí)施例，也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的是，本實(shí)用新型中的相連、連接或相接等表示直接或間接電性連接。
[0025]請(qǐng)參考圖1所示，其為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制造方法100在一個(gè)實(shí)施例中的流程示意圖。所述制造方法100包括如下步驟。
[0026]步驟110、如圖2和圖3所示，提供第一基板210和第二基板220(或稱為基板210和蓋板220)。其中，圖2為本實(shí)用新型在一個(gè)實(shí)施例中提供的第一基板和第二基板的部分縱剖面圖；圖3為本實(shí)用新型在一個(gè)實(shí)施例中，提供的第一基板和第二基板的部分俯視圖。
[0027]在圖2和圖3所示的實(shí)施例中，所述第一基板210包括第一表面212、與第一表面212對(duì)應(yīng)的第二表面214和位于第一基板212的第一表面的凹槽216，在第一基板210的第一表面上形成有鍵合部，所述鍵合部包括沿第一表面形成的黏合劑密封部231和金屬密封部241。金屬密封部241位于黏合劑密封部231外側(cè)，黏合劑密封部231位于凹槽216外側(cè)。所述第二基板220包括第一表面222、與第一表面222對(duì)應(yīng)的第二表面224和位于第二基板222的第一表面的凹槽226，在第二基板220的第一表面上形成有鍵合部，所述鍵合部包括沿第一表面形成的黏合劑密封部232和金屬密封部242。金屬密封部242位于黏合劑密封部232外側(cè)，所述黏合劑密封部232位于凹槽226外側(cè)。
[0028]步驟120、請(qǐng)參考圖3和4所示，對(duì)齊第一基板210和第二基板220，使第一基板210的第一表面上的黏合劑密封部231和金屬密封部241分別與第二基板220的第一表面上的對(duì)應(yīng)的黏合劑密封部232和金屬密封部242對(duì)齊。
[0029]在第一基板210的第一表面和第二基板220的第一表面之間形成腔體250。圖4為在一個(gè)實(shí)施例中對(duì)齊并鍵合第一基板210和第二基板220后的氣密封裝結(jié)構(gòu)的部分縱剖面圖，在圖4中，所述第一基板210上的黏合劑密封結(jié)構(gòu)231與第二基板220上的黏合劑密封結(jié)構(gòu)232對(duì)齊;所述第一基板210上的金屬密封部241與第二基板220上的金屬密封部242對(duì)齊，第一基板210的第一表面的凹槽216和第二基板220的第一表面的凹槽226扣合，以形成腔體250。
[0030]步驟130，填充加壓氣體。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)齊的第一基板210和第二基板220被放置于一個(gè)鍵合設(shè)備的鍵合腔體內(nèi)，在所述鍵合腔體內(nèi)填充加壓氣體，所述填充的氣體可以為六氟化硫、二氧化碳、氙氣、2，3，3，3_四氟丙烯和丙烷中的至少一種，這樣使得腔體250內(nèi)的氣體也為六氟化硫、二氧化碳、氙氣、2，3，3，3_四氟丙烯和丙烷中的至少一種;所述填充的氣體的壓力可以為lbar-10bar，這樣使得腔體250內(nèi)的壓力也為lbar-lObar。
[0031]步驟140，將溫度控制在金屬共晶點(diǎn)溫度以下進(jìn)行黏合劑鍵合，以使第一基板210第一表面的黏合劑密封部231和第二基板230第一表面的黏合劑密封部232結(jié)合在一起形成黏合劑密封結(jié)構(gòu)230，實(shí)現(xiàn)腔體250內(nèi)氣體的臨時(shí)密封，這樣腔體250內(nèi)的氣體尚未逃逸，從而可以獲得較高的充氣壓力。
[0032]步驟150、在完成黏合劑鍵合后，將溫度升高至金屬共晶點(diǎn)溫度以上，進(jìn)行金屬鍵合，以實(shí)現(xiàn)第一基板210上的金屬密封部241和第二基板230的金屬密封部242結(jié)合在一起形成金屬密封結(jié)構(gòu)240，以獲得更好的氣密封裝。這樣，所述空腔250被所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)230和所述金屬密封結(jié)構(gòu)240分別圍繞密封，提高了密封度，克服了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。
[0033]步驟140和150的鍵合步驟，可以在同一鍵合設(shè)備中完成，也可以在不同的鍵合設(shè)備中完成。
[0034]如圖4所示的，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)230較所述金屬密封240結(jié)構(gòu)更靠近所述腔體250。從上文可知，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)230的鍵合溫度低于所述金屬密封結(jié)構(gòu)240的鍵合溫度。
[0035]在一個(gè)實(shí)施例中，本實(shí)用新型中的第一基板210和第二基板220的本體材料包括Glass、S1、Ge、GaAs、InP、GaN、Al203、Cu、Al和KOVAR(鐵鎳鈷合金)中的至少一種;所述金屬密封結(jié)構(gòu)240的共晶鍵合材料包括金-錫、銅-錫、金-硅、金-銦、金-鍺、鋁-鍺、鉛-錫、錫-銀-銅中的至少一種;黏合劑密封結(jié)構(gòu)230的材料包括環(huán)氧樹脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、阻焊膜、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚對(duì)二甲苯、聚萘、碳氟化合物和丙烯酸酯中的至少一種；所述第一基板210和第二基板220均可包括至少一個(gè)MEMS電路或IC電路，所述腔體250可以對(duì)MEMS電路進(jìn)行保護(hù)或腔體本身為MEMS電路或IC電路的功能實(shí)現(xiàn)的一部分。
[0036]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，本實(shí)用新型提供一種氣密封裝結(jié)構(gòu)。
[0037]請(qǐng)參考圖4所示，本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)包括第一基板210、與第一基板210鍵合的第二基板220、鍵合層和腔體250。所述第一基板210包括第一表面212、與第一表面212相對(duì)的第二表面214;所述第二基板220包括第一表面222、與該第一表面222相對(duì)的第二表面224;所述腔體250形成于第一基板210的第一表面212和第二基板230的第一表面232之間；所述鍵合層夾于第一基板210的第一表面212和第二基板220的第一表面222之間，所述鍵合層包括位于密封圍繞所述腔體250的黏合劑密封結(jié)構(gòu)230和金屬密封結(jié)構(gòu)240，以密封所述腔體250。
[0038]首先、介紹本實(shí)用新型中鍵合層圖案中的黏合劑密封結(jié)構(gòu)230和金屬密封結(jié)構(gòu)240的排布規(guī)則。在圖4所述的實(shí)施例中，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)230包括有一圈，金屬密封結(jié)構(gòu)240包括有一圈，所述金屬密封結(jié)構(gòu)240位于黏合劑密封結(jié)構(gòu)230的外側(cè)。若所述金屬密封結(jié)構(gòu)240和黏合劑密封結(jié)構(gòu)230均為多圈，則多圈金屬密封結(jié)構(gòu)240和多圈黏合劑密封結(jié)構(gòu)230之間可以沿第一表面同類依次排列；或多圈金屬密封結(jié)構(gòu)240和多圈黏合劑密封結(jié)構(gòu)230之間可以沿第一表面異類交替排列。如圖5所示，其為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第二個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖，其與圖4的區(qū)別在于，在圖5中所述金屬密封結(jié)構(gòu)240為兩圈和所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)230為兩圈，金屬密封結(jié)構(gòu)240的兩圈和黏合劑密封結(jié)構(gòu)230的兩圈異類交替排列。
[0039 ]接著介紹本實(shí)用新型中的腔體250的結(jié)構(gòu)，其包括如下三種情況。
[0040]第一種情況，如圖4所示，所述第一基板210的第一表面上形成凹槽216，所述第二基板220的第一表面上形成有對(duì)應(yīng)的凹槽226，第一基板210和第二基板220對(duì)齊時(shí)，使第一凹槽216和第二凹槽226扣合在一起形成所述腔體250。對(duì)應(yīng)的，在本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，在所述提供第一基板210和第二基板220的步驟110中，所述第一基板210的第一表面形成有凹槽216，所述第二基板220的第一表面形成有對(duì)應(yīng)的凹槽226;在對(duì)齊第一基板210和第二基板220的步驟120中，第一基板210的凹槽216和第二基板220對(duì)應(yīng)的凹槽226扣合在一起形成所述腔體250。
[0041 ]第二種情況，如圖6所示，其為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第三個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖，圖6與圖4的區(qū)別在于，所述第一基板210的第一表面上形成凹槽216，所述第二基板220的第一表面未形成有對(duì)應(yīng)的凹槽226，第一基板210和第二基板對(duì)齊220時(shí)，使第二基板220的部分第一表面與所述第一基板210的第一凹槽216扣合，以形成所述腔體250。對(duì)應(yīng)的，在本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，在所述提供第一基板210和第二基板220的步驟110中，所述第一基板210的第一表面形成有凹槽216;在對(duì)齊第一基板210和第二基板220的步驟120中，第一基板210的凹槽216和第二基板220的部分第一表面扣合形成所述腔體250。
[0042]第三種情況，如圖7所示，其為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第四個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖，圖7與圖4的區(qū)別在于，所述第二基板220的第一表面上形成凹槽226，所述第一基板210的第一表面未形成有對(duì)應(yīng)的凹槽216，第一基板210和第二基板220對(duì)齊時(shí)，使第一基板210的部分第一表面與所述第二基板220的凹槽226扣合，以形成所述腔體250。對(duì)應(yīng)的，在本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)的制造方法與第二種情況的制造方法類似，在此不再贅述。
[0043]請(qǐng)參考圖8所示，其為本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)在第五個(gè)實(shí)施例中的部分縱向剖面圖，其與圖4的區(qū)別在于，所述腔體250包括沿第一表面間隔分別的多個(gè)腔體單元252、254;此實(shí)施例中，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)230中有部分位于相鄰兩個(gè)腔體單252和254元之間，以隔絕相鄰兩個(gè)腔體單元252和254間的氣體流通。
[0044]綜上所述，本實(shí)用新型中的氣密封裝結(jié)構(gòu)的鍵合層包括位于所述腔體250外側(cè)的黏合劑密封結(jié)構(gòu)230和金屬密封結(jié)構(gòu)240，在制造時(shí)，先完成黏合劑鍵合形成黏合劑密封結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)所述腔體內(nèi)氣體的臨時(shí)密封，獲得所需腔內(nèi)氣壓;接下來完成金屬鍵合形成金屬密封結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)提供良好的氣密性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型中的帶腔體MEMS器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法，在獲得較高的腔體氣體壓力的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)良好的氣密性能，且適用范圍廣。
[0045]上述說明已經(jīng)充分揭露了本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。需要指出的是，熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】所做的任何改動(dòng)均不脫離本實(shí)用新型的權(quán)利要求書的范圍。相應(yīng)地，本實(shí)用新型的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述【具體實(shí)施方式】。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括: 鍵合層，其包括黏合劑密封結(jié)構(gòu)和金屬密封結(jié)構(gòu)； 第一基板，其包括第一表面、與第一表面相對(duì)的第二表面； 第二基板，其包括第一表面、與第一表面相對(duì)的第二表面，第一基板的第一表面與第二基板的第一表面通過所述鍵合層鍵合在一起;和 腔體，其位于第一基板和第二基板之間且被所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)和所述金屬密封結(jié)構(gòu)分別圍繞密封。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)包括一圈或多圈，所述金屬密封結(jié)構(gòu)包括一圈或多圈，每圈黏合劑密封結(jié)構(gòu)圍繞所述腔體，每圈金屬密封結(jié)構(gòu)密封圍繞所述腔體，所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)的鍵合溫度低于所述金屬密封結(jié)構(gòu)的鍵合溫度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一基板的第一表面形成有凹槽，所述第二基板的第一表面形成有對(duì)應(yīng)的凹槽，第一基板的凹槽和第二基板對(duì)應(yīng)的凹槽扣合，以形成所述腔體； 所述第一基板的第一表面形成有凹槽，第一基板的凹槽和第二基板的部分第一表面扣合，以形成所述腔體;或 所述第二基板的第一表面形成有凹槽，第二基板的凹槽和第一基板的部分第一表面扣合，以形成所述腔體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體包括沿第一表面間隔分布的多個(gè)腔體單元;所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)中有部分位于相鄰兩個(gè)腔體單元之間，以隔絕相鄰兩個(gè)腔體單元間的氣體流通。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體內(nèi)填充的氣體為六氟化硫、二氧化碳、氙氣、2，3，3，3_四氟丙烯、HFC-125、丙烷中的至少一種;所述腔體內(nèi)的壓力為lbar-lObar。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 第一基板和第二基板均可包括至少一個(gè)MEMS電路或IC電路，所述腔體對(duì)MEMS電路進(jìn)行保護(hù)或所述腔體本身為MEMS電路或IC電路的功能實(shí)現(xiàn)的一部分。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)。所述氣密封裝結(jié)構(gòu)包括：鍵合層，其包括黏合劑密封結(jié)構(gòu)和金屬密封結(jié)構(gòu)；第一基板，其包括第一表面、與第一表面相對(duì)的第二表面；第二基板，其包括第一表面、與第一表面相對(duì)的第二表面，第一基板的第一表面與第二基板的第一表面通過所述鍵合層鍵合在一起；和腔體，其位于第一基板和第二基板之間且被所述黏合劑密封結(jié)構(gòu)和所述金屬密封結(jié)構(gòu)分別圍繞密封。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型中的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法，在獲得較高的腔體氣體壓力的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)良好的氣密性能，且適用范圍廣。
【IPC分類】B81C3/00, B81B3/00
【公開號(hào)】CN205387474
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620135912
【發(fā)明人】饒杰, 文彪
【申請(qǐng)人】美新半導(dǎo)體（無錫）有限公司
【公開日】2016年7月20日
【申請(qǐng)日】2016年2月23日