技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及MEMS傳感器領(lǐng)域,公開了一種低成本高一致性壓力傳感器芯片制備方法，包括如下步驟：S1：選擇雙拋硅片作為底層硅片；S2：對(duì)所述底層硅片進(jìn)行熱氧化形成第一氧化層；S3：采用光刻工藝在所述底層硅片的上表面刻蝕出腔體；S4：對(duì)所述底層硅片的上表面重新進(jìn)行熱氧化以制作第一氧化層；S5：選擇雙拋硅片作為頂層硅片；S6：將所述頂層硅片和所述底層硅片鍵合成一體；S7：將所述頂層硅片減薄，減薄后拋光。解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中，制備MEMS壓力傳感器芯片的方法存在成本高和批量產(chǎn)品一致性低的缺陷。通過鍵合工藝、研磨拋光的工藝方法制作敏感膜，其厚度控制水平，成本低，一致性高。

技術(shù)研發(fā)人員：汪祖民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：龍微科技無錫有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2019.06.11
技術(shù)公布日：2019.08.23