本揭露涉及一種mems(micro?electro?mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))元件及mems元件的制造方法。

背景技術(shù)：

1、已知有使用半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)而制造的mems(micro?electro?mechanicalsystem)傳感器。作為mems傳感器，在專利文獻(xiàn)1中公開了加速度傳感器。專利文獻(xiàn)1的加速度傳感器具備具有固定電極與可動(dòng)電極的電容器部，通過檢測電容器部的靜電電容的變化來檢測加速度，所述電容器部的靜電電容的變化對(duì)應(yīng)于與所作用的加速度相應(yīng)的可動(dòng)電極的移位。

2、[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

3、[專利文獻(xiàn)]

4、[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2015-217473號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、[發(fā)明要解決的問題]

2、專利文獻(xiàn)1的mems傳感器中，固定電極與可動(dòng)電極利用分別不同的錨定部連接于基底襯底。因此，當(dāng)在將該mems傳感器封裝化而成的mems封裝體中產(chǎn)生封裝應(yīng)力時(shí)，會(huì)經(jīng)由分別不同的錨定部向固定電極及可動(dòng)電極傳遞大小及/或方向等不同的封裝應(yīng)力。在該情況下，固定電極及可動(dòng)電極分別不同地變形，兩者之間的靜電電容可能會(huì)發(fā)生變化。結(jié)果，即使在未檢測加速度的零點(diǎn)，也會(huì)產(chǎn)生電容器部的靜電電容相對(duì)于規(guī)定的特定值而偏移的所謂零點(diǎn)偏移。

3、本揭露的課題在于提供一種能夠抑制零點(diǎn)偏移的mems元件及其制造方法。

4、[解決問題的技術(shù)手段]

5、本揭露的一形態(tài)提供一種mems元件，具備元件晶圓、覆蓋晶圓及接合層，

6、所述元件晶圓具有：元件襯底，具有第1主面及與所述第1主面為相反側(cè)的第2主面，且具有向從所述第1主面朝向第2主面的第1方向凹陷的空腔；傳感器部，位于所述空腔內(nèi)，利用單一的錨定部與所述元件襯底機(jī)械連接并且電絕緣；以及元件配線，電連接于所述傳感器部；

7、所述覆蓋晶圓具有從所述第1主面?zhèn)扰c所述元件晶圓對(duì)向的覆蓋襯底、及與所述元件配線電導(dǎo)通的覆蓋配線；

8、所述接合層將所述元件晶圓與所述覆蓋晶圓接合；且

9、所述元件配線直接接合于所述接合層，經(jīng)由所述接合層而與所述覆蓋配線電導(dǎo)通。

10、本揭露的另一形態(tài)提供一種mems元件的制造方法，包含以下步驟：

11、形成元件晶圓，該元件晶圓具有：元件襯底，具有第1主面及與所述第1主面為相反側(cè)的第2主面，且具有向從所述第1主面朝向第2主面的第1方向凹陷的空腔；傳感器部，位于所述空腔內(nèi)，利用單一的錨定部與所述元件襯底機(jī)械連接并且電絕緣；以及元件配線，電連接于所述傳感器部；

12、形成覆蓋晶圓，該覆蓋晶圓具有從所述第1主面?zhèn)扰c所述元件晶圓對(duì)向的覆蓋襯底、及與所述元件配線電導(dǎo)通的覆蓋配線；以及

13、經(jīng)由接合層將所述元件晶圓與所述覆蓋晶圓接合；

14、在所述接合中，使所述元件配線直接接合于所述接合層，經(jīng)由所述接合層而與所述覆蓋配線電導(dǎo)通。

15、[發(fā)明效果]

16、根據(jù)本揭露的mems元件及其制造方法，能夠抑制零點(diǎn)偏移。

技術(shù)特征：

1.一種mems元件，具備元件晶圓、覆蓋晶圓及接合層，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems元件，其中

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems元件，其中

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems元件，其中

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems元件，其中

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems元件，其中

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的mems元件，其中

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems元件，其中

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems元件，其中

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的mems元件，其中

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems元件，其中

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems元件，其中

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems元件，其中

14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems元件，其中

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的mems元件，其中

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的mems元件，其中

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的mems元件，其中

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的mems元件，其中

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的mems元件，其中

20.一種mems元件的制造方法，包含以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本揭露涉及一種MEMS元件及MEMS元件的制造方法。本揭露的課題在于提供一種能夠抑制零點(diǎn)偏移的MEMS元件。本揭露的MEMS元件具備元件晶圓、覆蓋晶圓及接合層，所述元件晶圓具有：元件襯底，具有第1主面及第2主面，且具有從第1主面朝向一側(cè)凹陷的空腔；傳感器部，位于空腔內(nèi)，利用單一的錨定部與元件襯底機(jī)械連接并且電絕緣；以及元件配線，電連接于傳感器部；所述覆蓋晶圓具有從第1主面?zhèn)扰c元件晶圓對(duì)向的覆蓋襯底、及與元件配線電導(dǎo)通的覆蓋配線；所述接合層將元件晶圓與覆蓋晶圓接合；且元件配線直接接合于接合層，經(jīng)由接合層而與覆蓋配線電導(dǎo)通。

技術(shù)研發(fā)人員：藤田有真,馬丁·懷爾弗瑞德·海勒,紙西大祐,泉直希
受保護(hù)的技術(shù)使用者：羅姆股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/19