本發(fā)明涉及半導體，具體而言涉及一種半導體器件及其制造方法、電子裝置。

背景技術：

1、在用于測量壓力的半導體器件中，在襯底中形成有空腔，在空腔上方形成有敏感膜層，并在敏感膜層兩側形成有電極，在受到壓力時，敏感膜層發(fā)生形變而產(chǎn)生極化現(xiàn)象，此時能夠通過電極來測量敏感膜層兩側電勢差，進而計算得到壓力的大小。

2、然而，相關技術中的用于測量壓力的半導體器件易發(fā)生性能下降甚至失效等問題，且同批次的半導體器件產(chǎn)品之間的均勻性和一致性較差。

技術實現(xiàn)思路

1、在
技術實現(xiàn)要素：
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

2、針對目前存在的問題，本發(fā)明一方面提供一種半導體器件的制造方法，包括：

3、提供第一襯底，所述第一襯底的第一表面上依次形成有第一絕緣層和敏感膜層，所述敏感膜層上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有與所述敏感膜層貼合的第一電極，所述介質(zhì)層上形成有第一鍵合金屬環(huán)結構；

4、提供第二襯底，所述第二襯底的第一表面上形成有第二絕緣層，所述第二絕緣層上形成有第二鍵合金屬環(huán)結構；

5、將所述第一鍵合金屬環(huán)結構和所述第二鍵合金屬環(huán)結構進行鍵合，以在所述介質(zhì)層和所述第二襯底之間形成空腔；

6、依次去除所述第一襯底和所述第一絕緣層，以露出所述敏感膜層；

7、在所述敏感膜層上形成第二電極，并刻蝕所述敏感膜層以形成露出所述第一電極的通孔，在所述通孔的底部和側壁形成第一電極引出結構，所述第一電極引出結構還延伸至所述敏感膜層的表面。

8、示例性地，在所述第二襯底中形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層和所述第二鍵合金屬環(huán)結構位于所述凹槽的外側，所述凹槽構成所述空腔的一部分。

9、示例性地，所述第一襯底還包括與所述第一襯底的第一表面相背的第二表面，所述第二襯底還包括與所述第二襯底的第一表面相背的第二表面，在所述第一襯底的第二表面上形成有第一對準標記，在所述第二襯底的第二表面上形成有第二對準標記，通過所述第一對準標記和所述第二對準標記進行對準以執(zhí)行所述鍵合步驟。

10、示例性地，所述第一鍵合金屬環(huán)結構和所述第二鍵合金屬環(huán)結構呈環(huán)狀。

11、示例性地，在形成所述第二電極后和所述第一電極引出結構之后，所述方法還包括：

12、在所述第一電極引出結構的表面上形成第一電極引線，并在所述第二電極的表面上形成第二電極引線。

13、本發(fā)明另一方面提供一種半導體器件，包括：

14、第二襯底，第二襯底的第一表面上形成有第二絕緣層；

15、相互鍵合的第一鍵合金屬環(huán)結構和第二鍵合金屬環(huán)結構，所述第一鍵合金屬環(huán)結構位于所述第二鍵合金屬環(huán)結構上，所述第二鍵合金屬環(huán)結構位于第二絕緣層上；

16、介質(zhì)層，位于所述第一鍵合金屬環(huán)結構上，所述介質(zhì)層中形成有第一電極；

17、敏感膜層，位于所述介質(zhì)層上并與所述第一電極貼合，所述敏感膜中形成有露出所述第一電極的通孔；

18、第二電極，位于所述敏感膜層上；

19、第一電極引出結構，覆蓋所述通孔的底部和側壁并延伸至所述敏感膜層的表面。

20、示例性地，還包括位于所述第一電極引出結構的表面上的第一電極引線以及位于所述第二電極的表面上的第二電極引線。

21、示例性地，所述第二襯底中還形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層和所述第二鍵合金屬環(huán)結構位于所述凹槽的外側，所述凹槽構成所述空腔的一部分。

22、示例性地，所述第一鍵合金屬環(huán)結構和所述第二鍵合金屬環(huán)結構呈環(huán)狀。

23、本發(fā)明再一方面提供一種電子裝置，所述電子裝置包括上述的半導體器件。

24、本發(fā)明實施例的半導體器件及其制造方法、電子裝置，通過將第一鍵合金屬環(huán)結構和第二鍵合金屬環(huán)結構進行鍵合以形成空腔，能夠精準地控制空腔的尺寸，同時不需要形成貫穿敏感膜層的釋放孔并通過釋放孔來形成空腔，能夠有效提高產(chǎn)品的均勻性和一致性，并能夠有效降低對敏感膜層的損傷，進而能夠提高器件性能和產(chǎn)品良率。

技術特征：

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二襯底中形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層和所述第二鍵合金屬環(huán)結構位于所述凹槽的外側，所述凹槽構成所述空腔的一部分。

3.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一襯底還包括與所述第一襯底的第一表面相背的第二表面，所述第二襯底還包括與所述第二襯底的第一表面相背的第二表面，在所述第一襯底的第二表面上形成有第一對準標記，在所述第二襯底的第二表面上形成有第二對準標記，通過所述第一對準標記和所述第二對準標記進行對準以執(zhí)行所述鍵合步驟。

4.根據(jù)權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一鍵合金屬環(huán)結構和所述第二鍵合金屬環(huán)結構呈環(huán)狀。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二電極后和所述第一電極引出結構之后，所述方法還包括：

6.一種半導體器件，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，還包括位于所述第一電極引出結構的表面上的第一電極引線以及位于所述第二電極的表面上的第二電極引線。

8.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第二襯底中還形成有自所述第二襯底的第一表面延伸至所述第二襯底中的凹槽，所述第二絕緣層和所述第二鍵合金屬環(huán)結構位于所述凹槽的外側，所述凹槽構成所述空腔的一部分。

9.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一鍵合金屬環(huán)結構和所述第二鍵合金屬環(huán)結構呈環(huán)狀。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求6至9之一所述的半導體器件。

技術總結
本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法、電子裝置，該方法包括：提供第一襯底，第一襯底的第一表面上依次形成有第一絕緣層和敏感膜層，敏感膜層上形成有介質(zhì)層，介質(zhì)層中形成有與敏感膜層貼合的第一電極，介質(zhì)層上形成有第一鍵合金屬環(huán)結構；提供第二襯底，第二襯底的第一表面上形成有第二絕緣層，第二絕緣層上形成有第二鍵合金屬環(huán)結構；將第一鍵合金屬環(huán)結構和第二鍵合金屬環(huán)結構進行鍵合，以在介質(zhì)層和第二襯底之間形成空腔；依次去除第一襯底和第一絕緣層，以露出敏感膜層；在敏感膜層上形成第二電極，并刻蝕敏感膜層以形成露出第一電極的通孔，在通孔的底部和側壁形成第一電極引出結構，第一電極引出結構還延伸至敏感膜層的表面。本發(fā)明的方案通過將第一鍵合金屬環(huán)結構和第二鍵合金屬環(huán)結構進行鍵合以形成空腔，能夠精準地控制空腔的尺寸，同時不需要形成貫穿敏感膜層的釋放孔并通過釋放孔來形成空腔，能夠有效提高產(chǎn)品的均勻性和一致性，并能夠有效降低對敏感膜層的損傷，進而能夠提高器件性能和產(chǎn)品良率。

技術研發(fā)人員：康曉旭,郭佳惠,高晉文,湯添皓,王晉,萬星星
受保護的技術使用者：潤芯感知科技（南昌）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/10