【】本發(fā)明涉及mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))器件領域，尤其涉及一種具有兩個獨立空腔的mems裝置及其制造方法。

背景技術

0、
背景技術：

1、mems電容式加速度計以其尺寸小，低成本，性能優(yōu)良，廣泛應用于消費電子，物聯(lián)網，以及工業(yè)測量領域。消費電子競爭愈演愈烈，對成本、集成度提出了新的要求。為了達到這一目的，目前的6軸產品(3軸加速度計+3軸陀螺儀)由原來加速度計，陀螺儀分別位于兩顆獨立的芯片上向在同一顆芯片上加工出陀螺儀和加速度計的方式轉變，在這個過程中會遇到氣壓問題，即加速度計的空腔和陀螺儀的空腔需要的氣壓不同。加速度計需要其空腔具有較高的氣壓來增加空氣阻尼，通常400mbar左右，提高器件在沖擊環(huán)境中的可靠性。而陀螺儀則需要其空腔具有較低的氣壓，通常<5mbar，越小越好，最好是真空環(huán)境。在將加速度計和陀螺儀集成于同一顆芯片上時，由于加速度計的空腔和陀螺儀的空腔同時加工成型，內部壓力同增同減，如何控制兩個空腔的壓力為現在工藝中遇到的問題。

2、此外，在其他的mems應用中也會用到壓力不同的兩個獨立的空腔，此時也會遇到同樣的問題。

3、因此，亟需提出一種新的技術方案來解決上述問題。

技術實現思路

0、
技術實現要素：

1、本發(fā)明的目的之一在于提供一種兩個獨立空腔的mems裝置及其制造方法，可以更為方便的在同一顆芯片上形成壓力不同的兩個空腔。

2、為解決上述問題，根據本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出一種mems裝置，其包括：mems晶圓；與mems晶圓鍵合的蓋體晶圓，其中所述mems晶圓和蓋體晶圓之間形成有密封的第一空腔和第二空腔；形成于所述mems晶圓或/和所述蓋體晶圓上的氣體釋放材料層，所述氣體釋放材料層暴露于第一空腔，所述氣體釋放材料層在所述mems晶圓與所述蓋體晶圓鍵合過程中或在被加熱時釋放出氣體至第一空腔以改變第一空腔內的壓力。

3、根據本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提出一種mems裝置的制造方法，其包括：提供mems晶圓和蓋體晶圓，所述mems晶圓或蓋體晶圓上形成有的氣體釋放材料層；將mems晶圓與蓋體晶圓鍵合，其中所述mems晶圓和所述蓋體晶圓之間形成有密封的第一空腔和第二空腔，所述氣體釋放材料層暴露于第一空腔，所述氣體釋放材料層在mems晶圓與所述蓋體晶圓鍵合過程中或在被加熱時釋放出氣體至第一空腔以改變第一空腔內的壓力。

4、與現有技術相比，本發(fā)明在鍵合過程中或被加熱時，暴露于第一空腔的氣體釋放材料層釋放出氣體至第一空腔以改變第一空腔內的壓力。

技術特征：

1.一種mems裝置，其特征在于，其包括：

2.根據權利要求1所述的mems裝置，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的mems裝置，其特征在于，所述mems晶圓包括：

4.根據權利要求3所述的mems裝置，其特征在于，第一金屬層包括鋁層，第二金屬層包括鍺層，

5.根據權利要求1所述的mems裝置，其特征在于，

6.根據權利要求5所述的mems裝置，其特征在于，

7.根據權利要求6所述的mems裝置，其特征在于，

8.一種mems裝置的制造方法，其特征在于，其包括：

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，

10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述提供mems晶圓和蓋體晶圓包括：

技術總結
本發(fā)明提供一種具有兩個獨立空腔的MEMS裝置及其制造方法。所述MEMS裝置包括：MEMS晶圓；與MEMS晶圓鍵合的蓋體晶圓，其中所述MEMS晶圓和蓋體晶圓之間形成有密封的第一空腔和第二空腔；形成于所述MEMS晶圓或/和所述蓋體晶圓上的氣體釋放材料層，所述氣體釋放材料層暴露于第一空腔，所述氣體釋放材料層在所述MEMS晶圓與所述蓋體晶圓鍵合過程中或在被加熱時釋放出氣體至第一空腔以改變第一空腔內的壓力。這樣，可以更為方便的在同一顆芯片上形成壓力不同的兩個空腔。

技術研發(fā)人員：德沃·莫莉,威廉姆斯·凱特
受保護的技術使用者：美新半導體（天津）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/9/29