本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體地說(shuō)就是一種mems器件制備方法。

背景技術(shù)：

1、mems，即微電子機(jī)械系統(tǒng)，是一種新興的技術(shù)領(lǐng)域，它將微電子技術(shù)和機(jī)械工程相結(jié)合，制造出可以在微米級(jí)別下操作的微小機(jī)械元件，通常由集成電路、傳感器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)、控制電路和封裝構(gòu)成。mems器件具有小型化、低功耗、集成化、智能化和適于大批量生產(chǎn)等特點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)、工控、醫(yī)療等領(lǐng)域具有巨大的市場(chǎng)前景。

2、mems器件主要由襯底結(jié)構(gòu)層、敏感結(jié)構(gòu)層和引線(xiàn)結(jié)構(gòu)層組成。傳統(tǒng)mems器件在制備過(guò)程中需要利用至少兩次晶圓鍵合技術(shù)，將襯底層、敏感結(jié)構(gòu)層和引線(xiàn)層相互結(jié)合在一起，而mems器件在加工過(guò)程中所需要使用的鍵合種類(lèi)或鍵合次數(shù)的增加將直接增加mems器件的工藝難度、加工成本和可靠性風(fēng)險(xiǎn)，甚至減小器件本身的適用范圍等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明就是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種mems器件制備方法。

2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮韵录夹g(shù)方案：

3、一種mems器件制備方法，其特征在于：它包括以下步驟

4、s1:取soi硅片，所述soi硅片其包括頂層硅、埋氧層和襯底層，在頂層硅上通過(guò)光刻、硅刻蝕、去膠步驟制作出貫通頂層硅a的敏感結(jié)構(gòu)層；

5、s2:利用vhf去除soi硅片除了支撐錨點(diǎn)區(qū)域以外的氧埋層，使得敏感結(jié)構(gòu)層懸空；

6、s3:取雙拋硅片，在雙拋硅片上通過(guò)光刻、硅刻蝕、去膠，制作tsv通孔；

7、s4:將雙拋硅片氧化，在雙拋硅片的上、下表面和tsv通孔的孔壁上均形成氧化層；

8、s5:在tsv通孔內(nèi)填充有poly硅；

9、s6:在雙拋硅片上表面的氧化層上設(shè)置有多晶硅層；

10、s7:在通過(guò)光刻、硅刻蝕、去膠，從而去除相鄰的tsv通孔之間的多晶硅層和其下方的氧化層，從而形成圖像化的引線(xiàn)結(jié)構(gòu)層。；s8:利用鍵合工藝將帶有soi硅片的頂層硅與多晶硅層結(jié)合在一起，使得引線(xiàn)結(jié)構(gòu)層與敏感結(jié)構(gòu)層相互連通；

11、s9:在雙拋硅片下表明的氧化層上制作金屬pad點(diǎn)，金屬pad的一面與poly硅貼合。

12、發(fā)明優(yōu)點(diǎn)：

13、本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)施方便，通過(guò)一次鍵合完成具有真空封裝性能的mems器件制備，降低器件的工藝難度、加工成本和可靠性風(fēng)險(xiǎn)，可以實(shí)現(xiàn)mems器件的批量生產(chǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種mems器件制備方法，其特征在于：它包括以下步驟

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種MEMS器件制備方法，它包括以下步驟：在SOI硅片（1）上設(shè)置敏感結(jié)構(gòu)層(2)，在雙拋硅片（4）上表面一側(cè)制作引線(xiàn)結(jié)構(gòu)層（9），在雙拋硅片（4）下表面一側(cè)制備一組金屬PAD點(diǎn)（10），將雙拋硅片（4）與SOI硅片（1）鍵合在一起。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)施方便，降低器件的工藝難度、加工成本和可靠性風(fēng)險(xiǎn)，可以實(shí)現(xiàn)MEMS器件的批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：何凱旋,周寧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華東光電集成器件研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/18