本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、在制備諸如頻響類(lèi)半導(dǎo)體器件例如mems麥克風(fēng)時(shí)，某些功能膜層需要進(jìn)行橫向鉆刻(undercut)，以使得該些功能膜層相對(duì)于其上方的膜層具有內(nèi)縮量，為了避免對(duì)器件性能產(chǎn)品負(fù)面影響，需要精準(zhǔn)控制該些功能膜層相對(duì)于其上方的功能膜層的內(nèi)縮量，相關(guān)技術(shù)中，通過(guò)控制過(guò)刻蝕(也即橫向鉆刻)的刻蝕時(shí)間來(lái)調(diào)控該內(nèi)縮量，然而，該調(diào)控方式精度低，使得晶圓面內(nèi)均一性差，并且容易有刻蝕材料殘留。另外由于需要進(jìn)行橫向鉆刻的功能膜層的上層材料往往透光性差，影響了對(duì)于內(nèi)縮量的測(cè)量，進(jìn)一步降低了對(duì)器件的監(jiān)控能力。

2、鑒于上述問(wèn)題的存在，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N新的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

2、針對(duì)目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法包括：

3、提供襯底，在所述襯底的表面上形成有第一功能材料層；

4、形成貫穿所述第一功能材料層的第一擋墻，所述第一擋墻將所述第一功能材料層分割為第一部分和第二部分，所述第一擋墻至少部分包圍預(yù)定用作第一功能層的所述第一部分，所述第二部分位于所述第一擋墻的外側(cè)；

5、形成第二功能層，以覆蓋于所述第一功能材料層和所述第一擋墻上；

6、形成掩膜層，覆蓋于所述第二功能層，并露出所述第一功能材料層的所述第二部分的至少部分側(cè)壁；

7、以所述掩膜層為掩膜，刻蝕去除所述第一功能材料層的第二部分，并停止于所述第一擋墻，以形成所述第一功能層；

8、去除所述掩膜層。

9、示例性地，在形成所述第一擋墻之后，形成所述第二功能層之前，所述方法還包括：

10、形成至少一層第三功能材料層，以覆蓋所述第一功能材料層和所述第一擋墻；

11、在每一所述第三功能材料層中形成貫穿所述第三功能材料層的第二擋墻，其中，所述第二擋墻將所述第三功能材料層分割為第三部分和第四部分，所述第二擋墻包圍所述第三部分，所述第四部分位于所述第二擋墻的外側(cè)；

12、在形成所述掩膜層之后，以所述掩膜層為掩膜，刻蝕去除所述第三功能材料層的第四部分，并停止于所述第二擋墻，剩余的所述第三功能材料層作為第三功能層。

13、示例性地，所述形成貫穿所述第一功能材料層的第一擋墻，包括：

14、刻蝕所述第一功能材料層，以形成貫穿所述第一功能材料層的凹槽，其中，所述凹槽將所述第一功能材料層分割為第一部分和第二部分，所述凹槽至少部分包圍所述第一部分，所述第二部分位于所述凹槽的外側(cè)；

15、形成擋墻材料層，以填充所述凹槽并覆蓋所述第一功能材料層的表面；

16、去除所述第一功能材料層的表面上的所述擋墻材料層，保留填充所述凹槽的所述擋墻材料層作為所述第一擋墻。

17、示例性地，在去除所述掩膜層之后，所述方法還包括：去除所述第一擋墻；和/或，去除所述第二擋墻。

18、示例性地，所述第二功能層包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，其中，在所述第一側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第一內(nèi)縮量，在所述第二側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第二內(nèi)縮量，所述第一內(nèi)縮量和所述第二內(nèi)縮量相同或不同。

19、示例性地，所述第三功能層相對(duì)于所述第二功能層的內(nèi)縮量和所述第一功能層相對(duì)于所述第二功能層的內(nèi)縮量不同或者相同；和/或

20、所述第二功能層包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，其中，在所述第一側(cè)，所述第三功能層相對(duì)所述第二功能層具有第三內(nèi)縮量，在所述第二側(cè)，所述第三功能層相對(duì)所述第二功能層具有第四內(nèi)縮量，所述第三內(nèi)縮量和所述第四內(nèi)縮量不同或相同；和/或

21、當(dāng)形成多層所述第三功能層時(shí)，不同層的所述第三功能層相對(duì)于所述第二功能層具有相同或不同的內(nèi)縮量。

22、示例性地，所述第一擋墻和所述第一功能層為不同的材料，其中，所述第一擋墻的材料包括以下材料中的至少一種：氧化硅、多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化鋁；和/或

23、所述第二擋墻和所述第三功能層為不同的材料，其中，所述第二擋墻的材料包括以下材料中的至少一種：氧化硅、多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化鋁；和/或

24、所述掩膜層包括光刻膠層和/或硬掩膜層。

25、本申請(qǐng)還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

26、襯底；

27、第一功能層，覆蓋所述襯底的部分表面，并且，所述第一功能層的側(cè)壁上設(shè)置有第一擋墻；

28、第二功能層，覆蓋所述第一功能層和所述第一擋墻，其中，所述第一功能層相對(duì)于所述第二功能層具有內(nèi)縮量。

29、示例性地，所述第二功能層包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，其中，在所述第一側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第一內(nèi)縮量，在所述第二側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第二內(nèi)縮量，所述第一內(nèi)縮量和所述第二內(nèi)縮量相同或不同。

30、示例性地，還包括：

31、至少一層第三功能層，所述第三功能層設(shè)置在所述第一功能層和所述第二功能層之間，所述第三功能層相對(duì)于所述第二功能層具有內(nèi)縮量，

32、第二擋墻，設(shè)置于至少一層所述第三功能層的至少一個(gè)側(cè)壁上；其中，

33、所述第三功能層相對(duì)于所述第二功能層的內(nèi)縮量和所述第一功能層相對(duì)于所述第二功能層的內(nèi)縮量不同或者相同；和/或

34、所述第二功能層包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，其中，在所述第一側(cè)，所述第三功能層相對(duì)所述第二功能層具有第三內(nèi)縮量，在所述第二側(cè)，所述第三功能層相對(duì)所述第二功能層具有第四內(nèi)縮量，所述第三內(nèi)縮量和所述第四內(nèi)縮量不同或相同；和/或

35、當(dāng)所述第三功能層的層數(shù)為多層時(shí)，不同層的所述第三功能層相對(duì)于所述第二功能層具有相同或不同的內(nèi)縮量。

36、本申請(qǐng)中，通過(guò)形成貫穿所述第一功能層的第一擋墻，該第一擋墻可以定義出第一功能層后續(xù)刻蝕時(shí)預(yù)定保留的部分和預(yù)定去除的部分(也即定義出橫向鉆刻的邊界)，那么在對(duì)第一功能層進(jìn)行刻蝕(也即橫向鉆刻)時(shí)，該擋墻還可以對(duì)于第一功能層預(yù)定保留的部分進(jìn)行保護(hù)，起到刻蝕阻擋層的作用，從而能夠穩(wěn)定精準(zhǔn)的使刻蝕停留在第一擋墻位置，進(jìn)而精確控制第一功能層相對(duì)于第二功能層的內(nèi)縮量，以及器件內(nèi)的均一性，提高了對(duì)器件的監(jiān)控能力，并且還可以通過(guò)增加過(guò)刻蝕，消除刻蝕材料殘留。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成所述第一擋墻之后，形成所述第二功能層之前，所述方法還包括：

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成貫穿所述第一功能材料層的第一擋墻，包括：

4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在去除所述掩膜層之后，所述方法還包括：去除所述第一擋墻；和/或，去除所述第二擋墻。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二功能層包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，其中，在所述第一側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第一內(nèi)縮量，在所述第二側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第二內(nèi)縮量，所述第一內(nèi)縮量和所述第二內(nèi)縮量相同或不同。

6.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第三功能層相對(duì)于所述第二功能層的內(nèi)縮量和所述第一功能層相對(duì)于所述第二功能層的內(nèi)縮量不同或者相同；和/或

7.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一擋墻和所述第一功能層為不同的材料，其中，所述第一擋墻的材料包括以下材料中的至少一種：氧化硅、多晶硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化鋁；和/或

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二功能層包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，其中，在所述第一側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第一內(nèi)縮量，在所述第二側(cè)，所述第一功能層相對(duì)所述第二功能層具有第二內(nèi)縮量，所述第一內(nèi)縮量和所述第二內(nèi)縮量相同或不同。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，該方法包括：提供襯底，在襯底的表面上形成有第一功能材料層；形成貫穿第一功能材料層的第一擋墻，第一擋墻將第一功能材料層分割為第一部分和第二部分，第一擋墻至少部分包圍預(yù)定用作第一功能層的第一部分，第二部分位于第一擋墻的外側(cè)；形成第二功能層，以覆蓋于第一功能材料層和第一擋墻上；形成掩膜層，覆蓋于第二功能層，并露出第一功能材料層的第二部分的至少部分側(cè)壁；以掩膜層為掩膜，刻蝕去除第一功能材料層的第二部分，并停止于第一擋墻，以形成第一功能層；去除掩膜層。該第一擋墻還可以起到刻蝕阻擋層的作用，進(jìn)而精確控制第一功能層相對(duì)第二功能層的內(nèi)縮量。

技術(shù)研發(fā)人員：徐希銳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14