本申請是有關半導體領域，詳細來說，是有關于一種制造集成電路裝置的方法。

背景技術：

1、傳統(tǒng)包括微機電系統(tǒng)結果的集成電路裝置的體積較大，導致芯片與基板之間的信號傳輸路徑較遠，因此信號傳遞的性能。因此，需要設計一種集成電路裝置的結構能夠包括微機電結構系統(tǒng)和芯片的同時，還能縮短芯片與基板之間的信號傳輸路徑。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請的目的之一在于提供一種制造集成電路裝置的方法來解決上述問題。

2、依據(jù)本申請的一實施例，提供一種制造集成電路裝置的方法。所述集成電路裝置包括位于不同高度的第一基板部和第二基板部，所述第一基板部和所述第二基板部之間形成容納區(qū)，所述容納區(qū)用于放置芯片和微機電系統(tǒng)結構，所述芯片電性連接至所述第一基板部，所述第二基板部包括與所述微機電系統(tǒng)結構相連的通孔。所述方法包括：提供第一層板，其包括第一內(nèi)層、第一金屬層和中間膜層，所述第一金屬層形成在所述第一內(nèi)層的第一側(cè)，所述中間膜層貼合于所述第一內(nèi)層的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)；圖案化所述第一層板以形成包括所述容納區(qū)的第一圖案化層板；提供第二層板，其包括第二內(nèi)層、第二金屬層及第三金屬層，所述第二金屬層及所述第三金屬層分別形成在所述第二內(nèi)層的第一側(cè)及第二側(cè)；圖案化所述第二層板以形成包括所述通孔的第二圖案化層板；在所述第一圖案化層板和所述第二圖案化層板沖孔以分別形成第一定位孔和第二定位孔；將所述第一定位孔及所述第二定位孔匹配對準后將所述第二圖案化層板和所述第一圖案化層板壓合，使得所述第二圖案化層板的所述第二金屬層通過所述中間膜層貼合于所述第一圖案化層板以形成組合板。

3、依據(jù)本申請的一實施例，所述方法還包括：圖案化所述組合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部。

4、依據(jù)本申請的一實施例，圖案化所述組合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部包括：在所述組合板的表面形成導電層；填充所述容納區(qū)和所述通孔；以及圖案化所述第一金屬層及所述第三金屬層。

5、依據(jù)本申請的一實施例，填充所述容納區(qū)和所述通孔包括：以第一光阻填入所述容納區(qū)和所述通孔；對所述第一光阻進行曝光和顯影；以及對所述第一光阻進行平坦化作業(yè)。

6、依據(jù)本申請的一實施例，圖案化所述第一金屬層及所述第三金屬層包括：在所述第一光阻上涂布第二光阻；對所述第二光阻進行曝光和顯影；對所述第一金屬層及所述第三金屬層進行刻蝕；以及去除所述第二光阻。

7、依據(jù)本申請的一實施例，圖案化所述組合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部還包括：以第一焊料掩膜填入所述容納區(qū)和所述通孔；對所述第一焊料掩膜進行烘烤；將第二焊料掩膜印刷在所述第一焊料掩膜上；對所述第二焊料掩膜進行曝光和顯影以在所述第一金屬層和所述第三金屬層形成部分焊料掩膜。

8、依據(jù)本申請的一實施例，提供所述第一層板包括：將形成于所述第一內(nèi)層兩側(cè)的金屬層薄化；對所述第一內(nèi)層進行鉆孔形成對位孔；將所述第一內(nèi)層一側(cè)的所述金屬層去除，另一側(cè)的所述金屬層形成所述第一金屬層；以及將所述中間膜層貼合于所述第一內(nèi)層。

9、依據(jù)本申請的一實施例，提供所述第二層板包括：將形成于所述第二內(nèi)層兩側(cè)的金屬層薄化；對所述第二內(nèi)層進行鉆孔形成對位孔；以及圖案化所述第二內(nèi)層兩側(cè)的所述金屬層以形成第二金屬層及第三金屬層。

10、依據(jù)本申請的一實施例，所述方法還包括：在所述組合板的表面鍍上鎳鈀金層。

11、通過本申請?zhí)岢龅牧鞒滩襟E制備集成電路裝置，具有組裝方便并有效提升良率的優(yōu)點，并且成本較低適合大規(guī)模生產(chǎn)。通過本申請?zhí)岢龅牧鞒滩襟E制備的集成電路裝置有效地降低整體高度，縮小裝置體積。另外，縮短芯片與其他部件之間的信號傳輸距離，避免過長的信號傳輸路徑影響性能。

技術特征：

1.一種制造集成電路裝置的方法，所述集成電路裝置包括位于不同高度的第一基板部和第二基板部，所述第一基板部和所述第二基板部之間形成容納區(qū)，所述容納區(qū)用于放置芯片和微機電系統(tǒng)結構，所述芯片電性連接至所述第一基板部，所述第二基板部包括與所述微機電系統(tǒng)結構相連的通孔，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，圖案化所述組合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部包括：

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，填充所述容納區(qū)和所述通孔包括：

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，圖案化所述第一金屬層及所述第三金屬層包括：

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，圖案化所述組合板以形成所述第一基板部和所述第二基板部還包括：

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述第一層板包括：

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述第二層板包括：

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

技術總結
一種制造集成電路裝置的方法，包括位于不同高度的第一基板部和第二基板部以及形成于兩者之間的用于放置芯片和微機電系統(tǒng)結構的容納區(qū)，芯片連接至第一基板部，第二基板部包括與微機電系統(tǒng)結構相連的通孔。該方法包括：提供第一層板，其包括第一內(nèi)層、第一金屬層和中間膜層；圖案化第一層板以形成包括容納區(qū)的第一圖案化層板；提供第二層板，其包括第二內(nèi)層、第二金屬層及第三金屬層；圖案化第二層板以形成包括通孔的第二圖案化層板；在第一圖案化層板和第二圖案化層板沖孔以分別形成第一定位孔和第二定位孔；將第一定位孔及第二定位孔匹配對準后將第二圖案化層板和第一圖案化層板壓合以形成組合板。

技術研發(fā)人員：程曉玲,沙沙,林佳德
受保護的技術使用者：日月光半導體（上海）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/26