本發(fā)明涉及一種mems傳感器防腐工藝,屬于微機(jī)電傳感器。
背景技術(shù):
1、mems(micro?electro?mechanical?systems)是利用多種微納技術(shù)融合將傳感器和微機(jī)電系統(tǒng)集成在一起,可用于測(cè)量和檢測(cè)各種物理量,如壓力、溫度、流量、加速度、角速度、濕度等。其中壓力傳感器是應(yīng)用最為廣泛的一類mems傳感器壓力傳感器是應(yīng)用最廣泛的mems傳感器之一,它的應(yīng)用涵蓋了汽車、醫(yī)療、消費(fèi)、工業(yè)和國(guó)防等多個(gè)領(lǐng)域。壓力傳感器的一般應(yīng)用是非腐蝕性、非離子型流體介質(zhì)的干燥氣體應(yīng)用。
2、隨著科技不斷進(jìn)步,物聯(lián)網(wǎng)、ai、大數(shù)據(jù)的不斷發(fā)展,傳感器的應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越豐富,對(duì)傳感器的性能要求也不斷提高,要求傳感器小型化、智能化、低成本、可靠性高且能用于惡劣環(huán)境的應(yīng)用場(chǎng)景。如mems可能有用于需要防水、防腐蝕、生物兼容等應(yīng)用場(chǎng)景。因mems傳感器結(jié)構(gòu)及連接線路對(duì)環(huán)境介質(zhì)較為敏感,需要做特殊的防護(hù),保證傳感器的靈敏度、零點(diǎn)穩(wěn)定性、精度及可靠性等性能。
3、公告號(hào)為cn215677407u的中國(guó)實(shí)用新型專利公開了一種壓力傳感器。所述壓力傳感器包括:殼體、壓力感應(yīng)芯片以及至少兩層彈性防水膠。殼體內(nèi)設(shè)有容置空間,壓力感應(yīng)芯片設(shè)置于該容置空間內(nèi)。所述至少兩層彈性防水膠沿背離壓力感應(yīng)芯片的方向依次填充于前述容置空間內(nèi)。第一層彈性防水膠覆蓋包裹壓力感應(yīng)芯片。該實(shí)用新型提供的壓力傳感器具有較好的防水可靠性,能夠確保壓力傳感器在高壓環(huán)境下的防水性能良好,但是,現(xiàn)有技術(shù)仍存在以下不足:
4、1、mems傳感器采用多層疊封結(jié)構(gòu)時(shí),尺寸小,asic(調(diào)理電路,applicationspecific?integrated?circuit,也稱專用集成電路)、mems及基板的電連線間距可能小于25um,而且層與層之間可能存在特征尺寸小于25um的小間隙,凝膠的粘度比較大,很難完全包覆間距小與25um的電連線及多層之間的間隙,因此難以有效防護(hù)傳感器免于介質(zhì)的腐蝕,電連線可能出現(xiàn)短路或被腐蝕等風(fēng)險(xiǎn);
5、2、對(duì)于低于30kpa壓力傳感器,凝膠涂覆在傳感器表面,傳感器敏感薄膜上凝膠的重量以及凝膠中存在的氣泡對(duì)傳感器的靈敏度、零點(diǎn)、精度造成影響,其精度與傳感器敏感膜面積、凝膠密度及厚度有關(guān),精度影響超過(guò)1%。
6、因此,需要有一種mems傳感器防腐工藝,降低成本,實(shí)現(xiàn)有效防護(hù)并能滿足精度要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供實(shí)現(xiàn)有效防護(hù)并能滿足精度要求的一種mems傳感器防腐工藝。
2、本發(fā)明解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:一種mems傳感器防腐工藝,包括如下步驟:
3、步驟s1、將調(diào)理電路通過(guò)調(diào)理電路粘接膠固定黏貼在基板上;
4、步驟s2、將mems傳感器通過(guò)mems粘接膠固定黏貼在調(diào)理電路上;
5、步驟s3、鍵合電連線;
6、使用導(dǎo)線分別將調(diào)理電路和mems傳感器上的焊盤與基板的焊盤相連,實(shí)現(xiàn)電連接;
7、步驟s4、貼裝外殼;
8、步驟s5、基板背面設(shè)置可移除的保護(hù)膠層;
9、步驟s6、mems傳感器表面涂層;
10、在傳感器的表面采用cvd方式沉積含氟涂層;
11、步驟s7、去除基板背面的保護(hù)膠層;
12、步驟s8、切割基板形成單個(gè)傳感器封裝體。
13、作為優(yōu)選,所述步驟s1中,基板設(shè)計(jì)成拼板。
14、作為優(yōu)選,所述步驟s8中,按照拼板式結(jié)構(gòu)切割基板。
15、作為優(yōu)選,所述步驟s1具體包括如下步驟:
16、步驟s1.1、在基板上涂覆調(diào)理電路粘接膠;
17、步驟s1.2、將調(diào)理電路粘接在基板上;
18、步驟s1.3、固化調(diào)理電路粘接膠。
19、作為優(yōu)選,所述步驟s2具體包括如下步驟:
20、步驟s2.1、在調(diào)理電路上涂覆mems粘接膠;
21、步驟s2.2、將mems傳感器粘接在調(diào)理電路上;
22、步驟s2.3、固化mems粘接膠。
23、作為優(yōu)選,所述步驟s4中,所述外殼材質(zhì)為金屬或塑料。
24、作為優(yōu)選,所述外殼材料為金屬,采用回流的方式將外殼粘接在基板上。
25、作為優(yōu)選,所述外殼材料為塑料,通過(guò)膠粘接。
26、作為優(yōu)選,所述步驟s6中,所述涂層厚度為2um~3um。
27、作為優(yōu)選,所述基板材質(zhì)為fr4或陶瓷。
28、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
29、1、通過(guò)cvd涂層技術(shù)具有無(wú)孔不入的滲透性能和卓越的包覆特性,涂層致密無(wú)針孔,對(duì)于多層疊封結(jié)構(gòu)中的微小間隙、缺陷等都能有效填充并能實(shí)現(xiàn)均勻包覆,即實(shí)現(xiàn)有效防護(hù);
30、2、通過(guò)采用含氟cvd涂層,與微電子集成電路工藝兼容,可實(shí)現(xiàn)不同應(yīng)用中所需要幾十納米到幾十微米的厚度薄膜涂層,對(duì)于低于30kpa的低壓力涂層2um~3um可以實(shí)現(xiàn)有效防護(hù)并能滿足精度要求,且能在各種惡劣環(huán)境保持穩(wěn)定性能。
1.一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:包括如下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述步驟s1中,基板(3)設(shè)計(jì)成拼板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述步驟s8中,按照拼板式結(jié)構(gòu)切割基板(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述步驟s1具體包括如下步驟:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述步驟s2具體包括如下步驟:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述步驟s4中,所述外殼(7)材質(zhì)為金屬或塑料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述外殼(7)材料為金屬,采用回流的方式將外殼(7)粘接在基板(3)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述外殼(7)材料為塑料,通過(guò)膠粘接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述步驟s6中,所述涂層(9)厚度為2um~3um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種mems傳感器防腐工藝,其特征在于:所述基板(3)材質(zhì)為fr4或陶瓷。