本申請涉及微電子，尤其涉及一種電子器件的制備方法及電子器件。

背景技術：

1、目前，mems(微機電系統(tǒng))器件芯片生產工藝中，會涉及到多種空腔結構。例如：腔體濾波器就是采用諧振腔體結構的微波濾波器，一個腔體能夠等效成電感并聯(lián)電容，從而形成一個諧振級，實現(xiàn)微波濾波功能；電容式麥克風核心組成部件是振膜和背板構成的腔體，振膜和背板腔體構成了平行板電容器，振膜在聲波壓力的作用下會發(fā)生位移導致電容大小發(fā)生變化，從而將聲音信號轉化為電信號；還有氣體傳感器的體硅空腔結構等。

2、然而，現(xiàn)有的空腔結構的加工工藝中，腔體內殘留的液體容易導致腔體結構發(fā)生變形，導致電子器件失效，產品的良率低。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供一種電子器件的制備方法及電子器件，能夠提高電子器件產品的良率。

2、本申請實施例的第一方面，提供一種電子器件的制備方法，包括：

3、在硅片的一側依次設置第一介質層和第二介質層，其中，所述第二介質層包覆所述第一介質層；

4、在所述第二介質層遠離所述硅片的一側設置光刻膠，以及利用光刻工藝對所述光刻膠進行圖形化處理，以在所述光刻膠上形成多個第一過孔；

5、通過所述第一過孔對所述第二介質層進行刻蝕，以在所述第二介質層形成多個第二過孔，所述第一過孔與所述第二過孔連通；

6、通過所述第二過孔，去除所述第一介質層，以在所述第二介質層形成空腔結構，得到過渡基片，其中，所述第二過孔與所述空腔結構連通，所述第二過孔在所述硅片上的正投影落在所述空腔結構在所述硅片上的正投影內；

7、對所述空腔結構進行至少兩次干燥處理，其中，至少一次干燥處理是利用異丙醇進行的。

8、在一些實施方式中，對所述空腔結構進行至少兩次干燥處理，包括：

9、對所述空腔結構和第二過孔進行第一次通入異丙醇；

10、對所述空腔結構和第二過孔進行第二次通入異丙醇。

11、在一些實施方式中，在所述第一次通入異丙醇的步驟中，所述過渡基板在所述異丙醇中的浸泡時間為第一時間；

12、在所述第二次通入異丙醇的步驟中，所述過渡基板在所述異丙醇中的浸泡時間為第二時間；

13、所述第一時間與所述第二時間相同。

14、在一些實施方式中，對所述空腔結構進行至少兩次干燥處理，包括：

15、向所述空腔結構和第二過孔內通入異丙醇；

16、利用熱氮氣吹掃所述過渡基片表面以及所述空腔結構；和/或，

17、利用烘箱蒸烤所述過渡基片。

18、在一些實施方式中，對所述空腔結構進行至少兩次干燥處理之后，包括：

19、向所述空腔結構和第二過孔內通入液態(tài)二氧化碳，以去除所述空腔結構和第二過孔內的異丙醇。

20、在一些實施方式中，所述異丙醇單次浸泡所述空腔結構的時間范圍為5至10min；和/或，

21、所述熱氮氣的溫度范圍為40至60℃；和/或,

22、所述烘箱溫度范圍為40至60℃。

23、在一些實施方式中，在所述空腔結構通入異丙醇之前，還包括：

24、對所述過渡基片表面以及所述空腔結構進行至少一次去離子水清洗。

25、在一些實施方式中，所述空腔結構的深度與所述第二過孔的深度相同；和/或，

26、所述空腔結構的側壁與所述第二過孔的側壁平行；或，

27、所述第二過孔靠近所述空腔結構的一端口徑大于遠離所述空腔結構的一端的口徑。

28、在一些實施方式中，電子器件的制備方法，還包括：

29、所述空腔結構遠離所述硅片一側的口徑與所述空腔結構靠近所述硅片一側的口徑相同。

30、本申請實施例的第二方面，提供一種電子器件，是根據(jù)第一方面所述的電子器件的制備方法制備得到的。

31、本申請實施例，通過濕法刻蝕得到空腔結構，對空腔結構進行至少兩次干燥處理，利用異丙醇分別與空腔內的水、被水稀釋的刻蝕液發(fā)生化學反應，將空腔結構內的殘余水以及被水稀釋的刻蝕液分離至空腔結構的外部。同時異丙醇可以快速風干空腔內部的殘余水以及被水稀釋的刻蝕液。對對空腔結構進行至少一次異丙醇處理，可以避免空腔結構的腔體內殘留液滯留在空腔結構內，使得與空腔結構穩(wěn)定支撐覆蓋在空腔結構上層的膜層結構，提高產品的良率降。

技術特征：

1.一種電子器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

3.根據(jù)權利要求2所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

4.根據(jù)權利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

5.根據(jù)權利要求4所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

6.根據(jù)權利要求4所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

7.據(jù)權利要求1所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權利要求7所述的電子器件的制備方法，其特征在于，

9.根據(jù)權利要求8所述的電子器件的制備方法，其特征在于，還包括：

10.一種電子器件，其特征在于，是根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的電子器件的制備方法制備得到的。

技術總結
本申請公開一種電子器件的制備方法及電子器件，涉及微電子技術領域，能夠提高電子器件產品的良率。電子器件的制備方法包括：在硅片的一側依次設置第一介質層和第二介質層；在第二介質層遠離硅片的一側設置光刻膠，以及利用光刻工藝對光刻膠進行圖形化處理，以在光刻膠上形成多個第一過孔；通過第一過孔對第二介質層進行刻蝕，以在第二介質層形成多個第二過孔，第一過孔與第二過孔連通；通過第二過孔，去除第一介質層，以在第二介質層形成空腔結構，得到過渡基片；對空腔結構進行至少兩次干燥處理，其中，至少一次干燥處理是利用異丙醇進行的。

技術研發(fā)人員：郭大飛,卜德沖
受保護的技術使用者：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19