本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種集成化mems慣性傳感器。

背景技術(shù)：

1、mems慣性傳感器分為mems加速度計(jì)和mems陀螺儀慣性器件，mems加速度計(jì)傳感器用來測(cè)量空間加速度的傳感器，即測(cè)量物體在空間速度變化的快慢。mems陀螺儀利用角動(dòng)量守恒定律，通過測(cè)量物體在單軸、雙軸或多軸上的旋轉(zhuǎn)速度變化來確定其方向和角度。

2、目前高性能單軸mems慣性器件為減小應(yīng)力的影響，均采用mems表頭與asic電路層疊式封裝，asic電路在工作過程中會(huì)自熱，導(dǎo)致封裝腔內(nèi)溫度增加，導(dǎo)致mems慣性器件的性能下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種集成化mems慣性傳感器，能夠?qū)sic電路在工作過程中產(chǎn)生的自熱及時(shí)導(dǎo)出，降低封裝腔內(nèi)溫度，提高mems慣性器件的性能。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種集成化mems慣性傳感器，包括導(dǎo)熱件、多個(gè)mems表頭以及多個(gè)asic電路，所述導(dǎo)熱件與多個(gè)所述mems表頭平鋪布置，多個(gè)所述asic電路依次層疊設(shè)置于所述導(dǎo)熱件上，所述多個(gè)mems表頭與所述多個(gè)asic電路一一對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的所述mems表頭與所述asic電路電連接。

3、作為實(shí)施方式之一，上下相鄰的所述asic電路之間通過鍵合環(huán)鍵合。

4、作為實(shí)施方式之一，各所述asic電路上均設(shè)置有第一導(dǎo)電連接部，各所述mems表頭上均設(shè)置有第二導(dǎo)電連接部，各所述第一導(dǎo)電連接部與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電連接部電連接。

5、作為實(shí)施方式之一，上下相鄰的所述asic電路的所述第一導(dǎo)電連接部錯(cuò)開布置。

6、作為實(shí)施方式之一，多個(gè)所述mems表頭繞所述導(dǎo)熱件的周向間隔布置。

7、作為實(shí)施方式之一，所述第一導(dǎo)電連接部包括第一焊盤，所述第二導(dǎo)電連接部包括第二焊盤，且相對(duì)應(yīng)的所述第一焊盤與所述第二焊盤電連接。

8、作為實(shí)施方式之一，所述第一焊盤與所述第二焊盤通過金線連接。

9、作為實(shí)施方式之一，所述mems表頭為單軸mems表頭、雙軸mems表頭或者三軸mems表頭。

10、作為實(shí)施方式之一，所述導(dǎo)熱件為導(dǎo)熱凝膠層、陶瓷導(dǎo)熱基板或者金屬導(dǎo)熱基板。

11、作為實(shí)施方式之一，靠近所述導(dǎo)熱件的所述asic電路與所述導(dǎo)熱件貼合。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

13、本實(shí)用新型將多個(gè)asic電路層疊封裝于導(dǎo)熱件上，并分別與對(duì)應(yīng)的mems表頭連接，asic電路在工作過程中會(huì)自熱，疊封的asic電路通過導(dǎo)熱件將自熱熱量導(dǎo)走，減小封裝腔內(nèi)溫度，從而在一個(gè)管殼內(nèi)實(shí)現(xiàn)多種軸向檢測(cè)，減小了多軸檢測(cè)的體積，降低了mems慣性傳感器成本。

技術(shù)特征：

1.一種集成化mems慣性傳感器，其特征在于：包括導(dǎo)熱件、多個(gè)mems表頭以及多個(gè)asic電路，所述導(dǎo)熱件與多個(gè)所述mems表頭平鋪布置，多個(gè)所述asic電路依次層疊設(shè)置于所述導(dǎo)熱件上，所述多個(gè)mems表頭與所述多個(gè)asic電路一一對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的所述mems表頭與所述asic電路電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：上下相鄰的所述asic電路之間通過鍵合環(huán)鍵合。

3.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：各所述asic電路上均設(shè)置有第一導(dǎo)電連接部，各所述mems表頭上均設(shè)置有第二導(dǎo)電連接部，所述第一導(dǎo)電連接部與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電連接部電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：上下相鄰的所述asic電路的所述第一導(dǎo)電連接部錯(cuò)開布置。

5.如權(quán)利要求4所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：多個(gè)所述mems表頭繞所述導(dǎo)熱件的周向間隔布置。

6.如權(quán)利要求3所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：所述第一導(dǎo)電連接部包括第一焊盤，所述第二導(dǎo)電連接部包括第二焊盤，且相對(duì)應(yīng)的所述第一焊盤與所述第二焊盤電連接。

7.如權(quán)利要求6所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：所述第一焊盤與所述第二焊盤通過金線連接。

8.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：所述mems表頭為單軸mems表頭、雙軸mems表頭或者三軸mems表頭。

9.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：所述導(dǎo)熱件為導(dǎo)熱凝膠層、陶瓷導(dǎo)熱基板或者金屬導(dǎo)熱基板。

10.如權(quán)利要求1所述的集成化mems慣性傳感器，其特征在于：靠近所述導(dǎo)熱件的所述asic電路與所述導(dǎo)熱件貼合。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種集成化MEMS慣性傳感器，包括導(dǎo)熱件、多個(gè)MEMS表頭以及多個(gè)ASIC電路，所述導(dǎo)熱件與多個(gè)所述MEMS表頭平鋪布置，多個(gè)所述ASIC電路依次層疊設(shè)置于所述導(dǎo)熱件上，所述多個(gè)MEMS表頭與所述多個(gè)ASIC電路一一對(duì)應(yīng)，且相對(duì)應(yīng)的所述MEMS表頭與所述ASIC電路電連接。本技術(shù)將多個(gè)ASIC電路層疊封裝于導(dǎo)熱件上，并分別與對(duì)應(yīng)的MEMS表頭連接，ASIC電路在工作過程中會(huì)自熱，疊封的ASIC電路通過導(dǎo)熱件將自熱熱量導(dǎo)走，減小封裝腔內(nèi)溫度，從而在一個(gè)管殼內(nèi)實(shí)現(xiàn)多種軸向檢測(cè)，減小了多軸檢測(cè)的體積，降低了MEMS慣性傳感器成本。

技術(shù)研發(fā)人員：黃晟,蔡光艷,蔡喜元,魏曉莉,賈蔓谷,丁錚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢衡慣科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240125
技術(shù)公布日：2024/10/10