本申請(qǐng)涉及微機(jī)電，具體涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、微機(jī)電系統(tǒng)(mems，micro-electro-mechanical?system)，也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統(tǒng)，可以包括振蕩器、陀螺儀、加速度計(jì)等類型。其電路部分設(shè)計(jì)于ic芯片上，微機(jī)械部分設(shè)計(jì)于mems芯片上，ic芯片與mems芯片耦合。

2、諧振頻率是mems諧振器的重要性能參數(shù)，mems諧振器的諧振頻率對(duì)封裝過程中的應(yīng)力非常敏感，封裝應(yīng)力會(huì)給mems諧振器施加一個(gè)額外的外界應(yīng)力，引起mems諧振器頻率輸出的偏移(簡稱頻偏)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N封裝結(jié)構(gòu)，可以減小現(xiàn)有的mems諧振器因封裝應(yīng)力導(dǎo)致的頻偏。

2、為解決上述技術(shù)問題，第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：由上至下依次居中堆疊設(shè)置的封裝體、芯片組件、第一引線框架以及第二引線框架；

3、所述第一引線框架包括多個(gè)第一引腳，所述多個(gè)第一引腳環(huán)繞所述芯片組件設(shè)置，并且在第一方向上相鄰兩個(gè)所述第一引腳之間具有第一間隙，在第二方向上相鄰兩個(gè)所述第一引腳之間具有第二間隙，其中，所述第一方向和所述第二方向正交；

4、所述第二引線框架包括與所述多個(gè)第一引腳一一對(duì)應(yīng)的第二引腳，所述第二引腳位于對(duì)應(yīng)的第一引腳的下方，并且在所述第一方向上相鄰兩個(gè)所述第二引腳之間具有第三間隙，在所述第二方向上相鄰兩個(gè)所述第二引腳之間具有第四間隙，且所述第三間隙不等于所述第一間隙，所述第四間隙不等于所述第二間隙。

5、可選的，所述芯片組件包括由上至下依次居中堆疊設(shè)置的mems裸片和ic裸片；

6、所述第一間隙為50um～450um；和/或，

7、所述第二間隙為50um～450um；和/或，

8、所述第三間隙為50um～450um；和/或，

9、所述第四間隙為50um～450um。

10、可選的，所述第一間隙大于所述第三間隙，所述第二間隙大于所述第四間隙；

11、所述mems裸片通過第一貼片膠堆疊于所述ic裸片上；

12、所述ic裸片通過第二貼片膠堆疊于所述第一引線框架上；

13、所述mems裸片與所述ic裸片之間、所述ic裸片與所述第一引線框架之間通過鍵合線電連接。

14、可選的，所述第一間隙小于所述第三間隙，所述第二間隙小于所述第四間隙；

15、所述mems裸片的功能面朝下并通過第一焊球與所述ic裸片連接；

16、所述ic裸片通過第二貼片膠堆疊于所述第一引線框架上，并且所述ic裸片與所述第一引線框架之間通過鍵合線電連接。

17、可選的，所述第二引腳在所述第一方向或者所述第二方向朝向所述封裝結(jié)構(gòu)中心的一側(cè)為弧形，并且所述第二引腳與所述ic裸片在厚度方向的投影部分重合。

18、可選的，所述芯片組件包括由上至下依次居中堆疊設(shè)置的ic裸片和mems裸片，并且所述mems裸片的功能面朝上并通過第一焊球與所述ic裸片連接；

19、所述第一間隙和所述第二間隙均大于所述ic裸片的長度和寬度。

20、可選的，所述第一間隙為50um～650um。

21、可選的，所述ic裸片通過第二貼片膠或第二焊球堆疊于所述第一引線框架上。

22、如上所述，本申請(qǐng)的封裝結(jié)構(gòu)，由于在第一方向上相鄰兩個(gè)第一引腳之間具有第一間隙，在第二方向上相鄰兩個(gè)第一引腳之間具有第二間隙，可以使得芯片組件的中心區(qū)域處于懸空狀態(tài)，以減少芯片組件與第一引線框架之間的接觸面積，可以減少封裝應(yīng)力；并且由于在第一方向上相鄰兩個(gè)第二引腳之間具有第三間隙，在第二方向上相鄰兩個(gè)第二引腳之間具有第四間隙，且第三間隙不等于第一間隙，第四間隙不等于第二間隙，從而使得第一引腳與對(duì)應(yīng)的第二引腳之間形成臺(tái)階，該臺(tái)階可以釋放封裝體封裝后的應(yīng)力。因此，本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)可以減小mems諧振器的頻偏。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：由上至下依次居中堆疊設(shè)置的封裝體、芯片組件、第一引線框架以及第二引線框架；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片組件包括由上至下依次居中堆疊設(shè)置的mems裸片和ic裸片；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一間隙大于所述第三間隙，所述第二間隙大于所述第四間隙；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一間隙小于所述第三間隙，所述第二間隙小于所述第四間隙；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二引腳在所述第一方向或者所述第二方向朝向所述封裝結(jié)構(gòu)中心的一側(cè)為弧形，并且所述第二引腳與所述ic裸片在厚度方向的投影部分重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片組件包括由上至下依次居中堆疊設(shè)置的ic裸片和mems裸片，并且所述mems裸片的功能面朝上并通過第一焊球與所述ic裸片連接；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一間隙為50um～650um。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述ic裸片通過第二貼片膠或第二焊球堆疊于所述第一引線框架上。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：由上至下依次居中堆疊設(shè)置的封裝體、芯片組件、第一引線框架以及第二引線框架；第一引線框架包括多個(gè)第一引腳，多個(gè)第一引腳環(huán)繞芯片組件設(shè)置，并且在第一方向上相鄰兩個(gè)第一引腳之間具有第一間隙，在第二方向上相鄰兩個(gè)第一引腳之間具有第二間隙，其中，第一方向和第二方向正交；第二引線框架包括與多個(gè)第一引腳一一對(duì)應(yīng)的第二引腳，第二引腳位于對(duì)應(yīng)的第一引腳的下方，并且在第一方向上相鄰兩個(gè)第二引腳之間具有第三間隙，在第二方向上相鄰兩個(gè)第二引腳之間具有第四間隙，且第三間隙不等于第一間隙，第四間隙不等于第二間隙。本申請(qǐng)可以減小MEMS諧振器的頻偏。

技術(shù)研發(fā)人員：朱懷遠(yuǎn),周莎莉,舒赟翌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：麥斯塔微電子（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240318
技術(shù)公布日：2024/10/10