納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 利用化學氣相沉積法（chemical vapor deposition,CVD)生長納米結(jié)構(gòu)取決于基 底的材料及形狀，例如，橫向單壁碳納米管（single-walled carbon nanotubes，SWCNTs)需 要在石英基底上生長，大面積的石墨烯需要在銅箔上生長。然而，利用所述納米結(jié)構(gòu)制作電 子設(shè)備時常常需要將該納米結(jié)構(gòu)設(shè)置于硅片或柔性基底上。因此，業(yè)界發(fā)展了納米結(jié)構(gòu)的 轉(zhuǎn)移技術(shù)，以便將所述納米結(jié)構(gòu)從生長基底上轉(zhuǎn)移到目標基底上。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中一般是利用一犧牲層對納米結(jié)構(gòu)進行轉(zhuǎn)移，所述犧牲層由有機物制 備，例如PMMA(poly (methyl methacrylate))。先在納米結(jié)構(gòu)上涂覆一有機物，該有機物干 燥后形成犧牲層，然后所述犧牲層連接著納米結(jié)構(gòu)從生長基底上剝離并粘在目標基底上， 最后利用丙酮將所述有機物溶解或者利用高溫將所述有機物分解。然而，上述方法不能完 全將有機物清除，納米結(jié)構(gòu)和目標基底上殘留一些有機物，影響了納米結(jié)構(gòu)的后續(xù)應(yīng)用。而 且，利用高溫清除有機物的方法需要目標基底耐高溫，否則目標基底在高溫下會遭到破壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，確有必要提供一種納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法，該方法不需要高溫且沒有殘 留物存在。
[0005] -種納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：提供一生長基底，該生長基底表面具有 一納米結(jié)構(gòu)層；提供一粘膠層覆蓋所述納米結(jié)構(gòu)層；通過移動所述粘膠層和所述生長基底 中至少一個，使所述粘膠層遠離所述生長基底，從而使所述納米結(jié)構(gòu)層與所述生長基底分 離，至少部分納米結(jié)構(gòu)層從所述粘膠層暴露出來；提供一目標基底，將該粘膠層與所述目標 基底層疊設(shè)置，使所述納米結(jié)構(gòu)層位于所述粘膠層與所述目標基底之間，并與所述目標基 底接觸設(shè)置；在所述粘膠層遠離目標基底的表面設(shè)置一金屬層；提供一有機溶劑，使該有 機溶劑從所述粘膠層與納米結(jié)構(gòu)層接觸的界面滲透使所述粘膠層分解；以及采用外力使所 述粘膠層連同所述金屬層與所述納米結(jié)構(gòu)層及目標基底分離。
[0006] -種納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：提供一第一基底，該第一基底的表面設(shè) 置有一納米結(jié)構(gòu)層；通過一粘膠層使所述納米結(jié)構(gòu)層與所述第一基底分離，分離后的所述 納米結(jié)構(gòu)層至少部分從所述粘膠層暴露出來；提供一第二基底，將所述第二基底和所述粘 膠層層疊設(shè)置，并使所述納米結(jié)構(gòu)層位于所述第二基底和所述粘膠層之間，所述至少部分 從所述粘膠層暴露出來的納米結(jié)構(gòu)層與所述第二基底的表面接觸；提供一有機溶劑和一外 力，使該有機溶劑從粘膠層與納米結(jié)構(gòu)層接觸的界面，以及粘膠層與所述第二基底接觸的 界面滲透，并利用所述外力使所述粘膠層與所述納米結(jié)構(gòu)層及第二基底分離。
[0007] -種納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：提供一第一基底，該第一基底的表面設(shè) 置有一納米結(jié)構(gòu)層；提供一第二基底，該第二基底的表面具有一粘膠層；將該第二基底表 面的粘膠層與所述第一基底表面的納米結(jié)構(gòu)層接觸；通過移動所述第一基底和所述第二基 底中至少一個，使所述納米結(jié)構(gòu)層與所述第一基底分離，分離后的納米結(jié)構(gòu)層至少部分從 所述粘膠層暴露出來；提供一第三基底，將所述第二基底和第三基底層疊設(shè)置，并使所述納 米結(jié)構(gòu)層位于所述第二基底和第三基底之間，所述至少部分從粘膠層暴露出來的納米結(jié)構(gòu) 層與所述第三基底的表面接觸；提供一有機溶劑和水，將上述第二基底和第三基底層疊設(shè) 置后的結(jié)構(gòu)先放入該有機溶劑中再放入水中，使所述第二基底連同所述粘膠層與所述納米 結(jié)構(gòu)層及第三基底分離，從而使所述納米結(jié)構(gòu)層被轉(zhuǎn)移到所述第三基底的表面。
[0008] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法中，利用粘膠層將所述納米 結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到目標基底上后，通過有機溶劑從粘膠層與納米結(jié)構(gòu)層的界面向內(nèi)滲透，能夠 使得納米結(jié)構(gòu)和目標基底上的粘膠層被完全清除，并且該方法在常溫下進行，不需要高溫。
【附圖說明】
[0009] 圖1為本發(fā)明第一實施例提供的納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法的工藝流程圖。
[0010] 圖2為本發(fā)明第一實施例提供的單壁碳納米管的掃描電鏡照片。
[0011] 圖3為本發(fā)明第一實施例提供的將目標基底、納米結(jié)構(gòu)、粘膠層和金屬層的整體 結(jié)構(gòu)浸入有機溶劑中30秒的光學照片。
[0012] 圖4為本發(fā)明第一實施例提供的將目標基底、納米結(jié)構(gòu)、粘膠層和金屬層的整體 結(jié)構(gòu)浸入有機溶劑中60秒的光學照片。
[0013] 圖5為本發(fā)明第一實施例提供的將目標基底、納米結(jié)構(gòu)、粘膠層和金屬層的整體 結(jié)構(gòu)浸入有機溶劑中90秒的光學照片。
[0014] 圖6為本發(fā)明第一實施例提供的將目標基底、納米結(jié)構(gòu)、粘膠層和金屬層的整體 結(jié)構(gòu)浸入有機溶劑中300秒的光學照片。
[0015] 圖7為本發(fā)明第一實施例提供的第二納米復合結(jié)構(gòu)的原子力顯微鏡（AFM)照片。
[0016] 圖8為本發(fā)明第一實施例提供的第二納米復合結(jié)構(gòu)的透射電鏡（TEM)照片。
[0017] 圖9為采用傳統(tǒng)方法轉(zhuǎn)移納米結(jié)構(gòu)至目標基底的透射電鏡（TEM)照片。
[0018] 圖10為本發(fā)明第三實施例提供的納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法的工藝流程圖。
[0019] 圖11為本發(fā)明第三實施例提供的第一納米復合結(jié)構(gòu)在空氣中的光學照片。
[0020] 圖12為本發(fā)明第三實施例提供的第一納米復合結(jié)構(gòu)在丙酮中的光學照片。
[0021] 圖13為本發(fā)明第三實施例提供的第一納米復合結(jié)構(gòu)從丙酮中撈出并放入水中的 光學照片。
[0022] 主要元件符號說明
【主權(quán)項】
1. 一種納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟： 提供一生長基底，該生長基底表面具有一納米結(jié)構(gòu)層； 提供一粘膠層覆蓋所述納米結(jié)構(gòu)層； 通過移動所述粘膠層和所述生長基底中至少一個，使所述粘膠層遠離所述生長基底， 從而使所述納米結(jié)構(gòu)層與所述生長基底分離，至少部分納米結(jié)構(gòu)層從所述粘膠層暴露出 來； 提供一目標基底，將該粘膠層與所述目標基底層疊設(shè)置，使所述納米結(jié)構(gòu)層位于所述 粘膠層與所