專利名稱：金屬模版的制造方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種金屬模版的制造方法，特別是一種利用鈍化方法來形成金屬模版的方法。
背景技術：
在制作光背投元件或光盤時，為了避免原本的模版損壞，一般會拿主要的金屬模基版以電鍍方式制作母版或子版。通常，金屬?；媾c所電鍍形成的母版兩者材質(zhì)相近，所以在進行脫模步驟時，容易破壞金屬?；姹砻嫔系膱A弧紋路的幾何形狀，造成脫模步驟失敗。目前，在進行金屬?；娴碾婂儾襟E前，于金屬?；姹砻嫔闲纬梢烩g化膜，利用該鈍化膜與金屬?；嬉约澳赴嬷g存在有電位差的原理，使脫模過程更加容易。該種方法是廣泛地被運用在光盤片模版的制作上，但因光盤片與光背投元件的模版面積以及其中的紋路有很大差異，所以光盤模版的制作方式并不能直接適用于大尺寸的光背投元件。
目前主要的大尺寸金屬模版其制造方法是將重量濃度為2％的重鉻酸鉀(K2Cr2O7)溶液淋漬在一金屬?；娴男纬捎袌A弧紋路的表面上，并覆蓋整個表面。經(jīng)過2分鐘之后，再以純水清洗金屬?；娴谋砻?，上述步驟組成一個循環(huán)，重復此循環(huán)5次，最后在金屬模基版上形成一鈍化膜。就整個制程而言，所須的鈍化時間為15分鐘，其花費的時間過長，鈍化完成后亦必須在10分鐘內(nèi)置入電鍍槽并通電電鍍，時間過久會影響其鈍化效果。又，從經(jīng)濟效益觀點而言，每次淋漬所需的費用約為電解方式的7倍，并不符合成本的考量。再，由于大尺寸金屬模基版的面積過大，清洗所用的純水需求量也大，在作業(yè)方面也過于復雜。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種成本低、易于脫模的金屬模版的制造方法。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種金屬模版的制造方法，將一表面上形成有圓弧紋路的金屬模基版浸漬于一鈍化液中；及借由電解方式，于一定時間內(nèi)通入一定電流，以在該金屬?；娴谋砻嫔闲纬梢烩g化膜。
與傳統(tǒng)技術相比，本發(fā)明的金屬模版的制造方法，是利用電解方式來形成一鈍化膜，其作業(yè)時間短、穩(wěn)定度佳、作業(yè)流程簡單以及花費費用少，在工業(yè)上的應用性極高。


圖1為一方塊圖，說明本發(fā)明的金屬模版的制造方法。
圖2A及2B為示意圖，說明本發(fā)明實施例的金屬模基版。
圖3為一示意圖，說明本發(fā)明的電解槽。
圖4A及4B為示意圖，說明本發(fā)明實施例的金屬基版。
圖5為一示意圖，說明本發(fā)明的金屬模版脫模過程。圖中符號說明1金屬模版11金屬?；?2圓弧紋路13鈍化液14電解槽141陽極142陰極143支架15鈍化膜21電鍍層
具體實施例方式
以下將參照相關附圖，說明依據(jù)本發(fā)明實施例的金屬模版的制造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
如圖1所示，依據(jù)本發(fā)明實施例的金屬模版的制造方法，是包含以下步驟將一表面上形成有圓弧紋路的金屬?；娼n于一鈍化液中(S01)；及借由電解方式，于一定時間內(nèi)通入一定電流，以在該金屬模基版的表面上形成一鈍化膜(S02)。
如圖2A所示，于步驟S01中所使用的金屬?；?1的表面上形成有呈同心圓的圓弧紋路12。此外，如圖2B所示，該金屬?；?1的表面上亦可形成有呈螺旋狀的圓弧紋路12′。另外，于本實施例中，該金屬?；?1為一大尺寸(30英寸(76.2cm)以上)的鎳?；鏁r，其厚度是可在0.5mm到2.5mm的范圍內(nèi)。
于步驟S02中，如圖3所示，是將該金屬模基版11浸漬于裝有一鈍化液13的一電解槽14內(nèi)，并在一定時間，通入一定電流，以借由電解方式在該金屬模基版11的表面上形成一鈍化膜15(如圖4A及圖4B所示)。如圖3所示，該電解槽14中設置有一陽極141、一陰極142以及一支架143，其中，陰極142可為一不銹鋼板、或一鈦金屬板。
又，如圖3所示，當將鎳金屬?；娼n于一電解槽14內(nèi)時，該電解槽14內(nèi)裝有一鈍化液13。其中，該鈍化液13為重鉻酸鹽溶液，在此，重鉻酸鹽溶液可為重鉻酸鉀溶液或是重鉻酸鈉溶液，其為一強氧化劑。于本實施例中，是在室溫(攝氏25度)以上進行電解反應，當重鉻酸鹽溶液的重量濃度為0.5％時，所需的通電密度為0.4安培/平方分米(Amp/dm2)以上；當重鉻酸鹽溶液的重量濃度為1％時，所需的通電密度為0.2安培/平方分米(Amp/dm2)以上。通入電流10秒后，在鎳金屬模基版的形成有圓弧紋路12的表面上形成一鈍化膜15。
此外，于本實施例中，鈍化液13亦可為一抗氧化劑溶液，其中，抗氧化劑溶液可為AT-2000溶液、AT-3000溶液以及Tolyltriazole溶液等等。當抗氧化劑溶液的重量濃度為2％時，所需的通電密度為0.1安培/平方分米(Amp/dm2)以上；當抗氧化劑溶液的重量濃度為5％，所需的通電密度為0.1安培/平方分米(Amp/dm2)以上。通入電流10秒后，在鎳金屬?；娴男纬捎袌A弧紋路12的表面上形成一鈍化膜15。
再者，于本實施例中，鈍化液13亦可為一脫脂劑，脫脂劑的主要成分為氫氧化鈉溶液、磷酸鈉溶液以及清潔劑，一般為電鍍前后清潔之用，亦具有脫脂的效果，其操作的濃度范圍為5％以上。在室溫以上進行電解反應時，所需的通電密度為1安培/平方分米(Amp/dm2)，通入電流120秒后，在鎳金屬?；娴男纬捎袌A弧紋路12的表面上形成一鈍化膜15。
又，于本實施例中，鈍化液13亦可為氫氧化納溶液，其中，氫氧化鈉溶液為一強堿溶液。氫氧化鈉溶液的濃度范圍為8％-10％，且所需的通電密度為1安培/平方分米(Amp/dm2)。當通入電流120秒后，在鎳金屬?；娴木哂袌A弧紋路12的表面上形成一鈍化膜15。
上述說明是金屬?；?1為鎳金屬?；鏁r的情況，以下是針對金屬?；?1為一銅合金?；鏁r的說明。
于此一實施例中，銅合金(如銅鋅合金)的硬度適中、導電好以及延展性佳，很適合當做金屬模基版。本實施例是在室溫以上進行電解反應，當鈍化液13為一重鉻酸鹽溶液時，所需的通電密度為1安培/平方分米(Amp/dm2)。當通入電流25秒至80秒后，在銅合金?；娴男纬捎袌A弧紋路12的表面上形成一鈍化膜15。
本實施例中，鈍化液13亦可為一抗氧化劑溶液，其中，抗氧化劑溶液可為AT-2000溶液、AT-3000溶液以及Tolyltriazole溶液等等。本實施例是在室溫以上進行電解反應，所需的通電密度為1安培/平方分米(Amp/dm2)。當通入電流25秒至80秒后，在銅合金?；?12的形成有圓弧紋路12的表面上形成一鈍化膜15。
值得一提的是，于本實施例中是利用電解方式來形成鈍化膜15，電解方式是指一電解電池(未顯示)利用外部所提供的電能來電解金屬?；?1，以便在該金屬?；?1上形成一鈍化膜15。電解方式形成鈍化膜15的所需時間，比其他鈍化方法(如傳統(tǒng)技術中的淋漬法)短，可增加制作的經(jīng)濟效益。
在本實施例中，是利用電解方式來形成一鈍化膜15，亦即，使金屬模基版11進行一氧化還原的反應。利用鈍化膜15與金屬模基版11以及電鍍層21之間存在一電位差的原理，于進行金屬模版1的翻制制作時，能輕易將金屬?；?1與電鍍層21分離，如圖5所示。
在使用電解法作為鈍化處理方式時，電解液需不時更換或是定時添加溶液濃度及更換濾心，以防止電解液受到污染，且電解液設有循環(huán)對流作用，可維持鈍化制程的穩(wěn)定性。
本發(fā)明所提供的金屬模版的制造方法是利用電解方式來形成一鈍化膜，與傳統(tǒng)技術的淋漬方式做比較，其作業(yè)時間短、穩(wěn)定度佳、作業(yè)流程簡單以及花費費用少，從經(jīng)濟效益的角度來看，本發(fā)明所提供的金屬模版的制造方法在工業(yè)上的應用性高。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于后附的權利要求中。
權利要求
1.一種金屬模版的制造方法，包含下列步驟將一表面上形成有圓弧紋路的金屬?；娼n于一鈍化液中；及借由電解方式，于一定時間內(nèi)通入一定電流，以在該金屬?；娴谋砻嫔闲纬梢烩g化膜。
2.如權利要求1所述的金屬模版的制造方法，其中該金屬?；鏋橐绘嚱饘倌；?。
3.如權利要求1所述的金屬模版的制造方法，其中該金屬?；鏋橐汇~合金?；?。
4.如權利要求1所述的金屬模版的制造方法，其中該金屬模基版的尺寸大小是大于30英寸(76.2cm)(2480cm2)。
5.如權利要求1所述的金屬模版的制造方法，其中該金屬模基版的厚度為約0.5mm到約2.5mm。
6.如權利要求2或3所述的金屬模版的制造方法，其中該鈍化液為重鉻酸鹽溶液。
7.如權利要求6所述的金屬模版的制造方法，其中該重鉻酸鹽溶液為重鉻酸鉀溶液。
8.如權利要求6所述的金屬模版的制造方法，其中該重鉻酸鹽溶液為重鉻酸鈉溶液。
9.如權利要求2或3所述的金屬模版的制造方法，其中該鈍化液為抗氧化劑溶液。
10.如權利要求2所述的金屬模版的制造方法，其中該鈍化液為脫脂劑，該脫脂劑的主要成分為堿性物質(zhì)與清潔劑所組成的溶液。
11.如權利要求2所述的金屬模版的制造方法，其中該鈍化液為氫氧化鈉溶液。
12.如權利要求2所述的金屬模版的制造方法，其中通電流的時間為10秒以上。
13.如權利要求3所述的金屬模版的制造方法，其中通電流的時間為25秒以上。
14.如權利要求3所述的金屬模版的制造方法，其中通電流的時間為80秒以下。
全文摘要
一種金屬模版的制造方法，是將一表面上形成有圓弧紋路的金屬?；娼n于一鈍化液中；及借由電解方式，于一定時間內(nèi)通入一定電流，以在該金屬?；娴谋砻嫔闲纬梢烩g化膜。
文檔編號C25D11/38GK1427095SQ0114373
公開日2003年7月2日 申請日期2001年12月19日 優(yōu)先權日2001年12月19日
發(fā)明者黃必達, 邱昌模, 蔡曜徽 申請人:精碟科技股份有限公司