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      電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置的制作方法

      文檔序號:5275692閱讀:230來源:國知局
      專利名稱:電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及電解水裝置,尤其是在電解水過程中對電解雜質(zhì)處理的自動(dòng)堆集裝置。
      背景技術(shù)
      利用電解水產(chǎn)生氫氧氣體作為火焰加工燃?xì)?,與傳統(tǒng)燃?xì)庀啾?,具有安全、方便、清潔、移?dòng)性好的特點(diǎn),且燃?xì)怆S產(chǎn)隨用,無儲存的費(fèi)用支出。電解水產(chǎn)氣設(shè)備通常主要由電解罐、散熱器、控制系統(tǒng)、氣體干燥和防回火裝置等組成,而電解罐是這種產(chǎn)氣設(shè)備的核心部件,電解罐設(shè)計(jì)合理與否是決定產(chǎn)氣設(shè)備的使用壽命長短和產(chǎn)氣效率的關(guān)鍵。中國專利97210535.2的“氫氧氣體發(fā)生器”披露了由數(shù)個(gè)筒體套裝組合而成的電解罐,筒與筒保持間距,筒體與電解電源相接作為電解極板,除最外層筒體外,每層內(nèi)筒上開有通液孔。由于電解工作時(shí)隨著產(chǎn)氣的同時(shí)還要產(chǎn)生電解雜質(zhì)并混合到電解液中,這些雜質(zhì)在兩電極之間隨著工作時(shí)間日積月累的沉積,堵塞內(nèi)筒極板上的通液孔,影響電解液的循環(huán),造成電解液循環(huán)性能下降或者完全失去循環(huán)功能,導(dǎo)致電極片腐蝕速率成倍提高,大大降低電解罐的使用壽命。而現(xiàn)有技術(shù)的缺陷是不僅電解液無法實(shí)現(xiàn)良好的自行循環(huán),同時(shí)電解雜質(zhì)無法定時(shí)處理,從而導(dǎo)致加快電極片腐蝕,降低電解罐的使用壽命和產(chǎn)氣效率。

      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題皆在克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷而提供一種結(jié)構(gòu)簡單、有效、實(shí)用的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,以便定時(shí)處理分離的電解雜質(zhì),改善電解液的自循環(huán)性能,提高電解罐的使用壽命和產(chǎn)氣效率。
      解決本實(shí)用新型的技術(shù)問題的實(shí)施方案是一種電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,由數(shù)個(gè)筒體同心組合套裝,筒體間保持間距而形成儲液區(qū)和電解區(qū),外筒呈封閉式,每層內(nèi)筒上開有溝通儲液區(qū)和電解區(qū)的通液孔,連接電解電源的電極柱、內(nèi)導(dǎo)電環(huán)、注液組件和輸氣管設(shè)在筒體上部,其特征在于所述的每層內(nèi)筒上、下兩端分別由上限位板和下限位板定位安裝,下限位板與筒底之間容積即為雜質(zhì)堆集區(qū),該雜質(zhì)堆集區(qū)同時(shí)與儲液區(qū)、電解區(qū)相貫通,并在外筒底部設(shè)有放液接頭。
      所述的同心組合套裝的筒體由圓筒形的外筒、中筒、內(nèi)筒組成。
      所述的貫通雜質(zhì)堆集區(qū)與電解區(qū)的下限位板為I號下限位板,其上設(shè)有貫通兩者的通孔。該I號下限位板上的通孔包括中部通孔和周邊的呈腰子形孔,腰子形孔沿徑向兩圈錯(cuò)位均布排列。
      所述的貫通雜質(zhì)堆集區(qū)與電解區(qū)的下限位板為II號下限位板,其上設(shè)有貫通兩者的斜坡。
      所述的定位安裝內(nèi)筒的上限位板均勻分布有3-5塊,上限位板上設(shè)有配插中筒的環(huán)形槽和相配安裝內(nèi)筒的環(huán)形內(nèi)肩。
      所述的定位安裝每層內(nèi)筒的I號下限位板上設(shè)有同心的環(huán)形槽,環(huán)形槽槽寬與中筒、內(nèi)筒的壁厚相配插。
      所述的定位安裝每層內(nèi)筒的II號下限位板上設(shè)有同心的環(huán)形槽和環(huán)形內(nèi)肩,環(huán)形槽槽寬與中筒的壁厚相配插,環(huán)形內(nèi)肩與內(nèi)筒相配安裝。
      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型改進(jìn)了內(nèi)筒的定位結(jié)構(gòu),使內(nèi)筒的下沿與外筒底之間形成雜質(zhì)堆集區(qū),定位內(nèi)筒的下限位板上的通孔和斜坡結(jié)構(gòu)使電解區(qū)的電解雜質(zhì)在自重作用下向堆集區(qū)沉積,提高了電解液自行循環(huán)性能,減輕電解雜質(zhì)堵塞通液孔現(xiàn)象,并通過放液接頭可定時(shí)處理分離的電解雜質(zhì),從而減輕了電解雜質(zhì)對內(nèi)筒的腐蝕,提高了電解罐的使用壽命和產(chǎn)氣效率,該結(jié)構(gòu)簡單、有效而實(shí)用。


      圖1為本實(shí)用新型方案1結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2為圖1的俯視圖。
      圖3為本實(shí)用新型方案2結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖4為圖3的俯視圖。
      圖5為上限位板剖視結(jié)構(gòu)圖。
      圖6為圖5的俯視圖。
      圖7為方案1中的下限位板結(jié)構(gòu)圖。
      圖8為圖7的A-A剖視圖。
      圖9為方案2中的下限位板結(jié)構(gòu)剖視圖。
      具體實(shí)施方式
      以下將結(jié)合附圖實(shí)施例對本實(shí)用新型再進(jìn)行詳細(xì)描述。
      如圖1-4所示,電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置是用于焊接、切割等火焰加工的電解水氫氧氣體發(fā)生器中的電解罐結(jié)構(gòu)的改進(jìn),由圓筒形的外筒10、中筒13、內(nèi)筒14組成同心組合套裝型式,其筒體數(shù)量根據(jù)整機(jī)產(chǎn)氣量而定,筒體間保持一定間距形成中部的儲液區(qū)16和筒與筒之間的電解區(qū)15,儲液區(qū)用于存放注入液體,不參加電解,在工作前后液位基本不發(fā)生變化。
      接陰極的外筒10呈封閉式,上蓋9與其密封可卸連接,底蓋21與其焊接固定,并在底蓋上開設(shè)放液口,上安裝有放液接頭22。連接電解電源的電極柱8通過螺母4、彈墊5、平墊6、尼龍凸墊7緊固在筒體頂部的上蓋9偏離中心位置上,由注液帽2、注液管3和密封墊1組成的注液組件連接在上蓋9偏離中心的另一位置上,輸氣管11呈水平方向焊固在外筒10上,接陽極的內(nèi)導(dǎo)電環(huán)12焊固在內(nèi)筒14頂部。
      中筒13和內(nèi)筒14上開有溝通儲液區(qū)16和電解區(qū)15的通液孔17,根據(jù)功能上的區(qū)別,實(shí)施例1的中筒和內(nèi)筒在其下部兩側(cè)開兩列孔,孔數(shù)可以3-4個(gè)。實(shí)施例2的中筒和內(nèi)筒在其下部圓周面上開多個(gè)孔。中筒內(nèi)壁接陰極,外壁接陽極。
      中筒13和內(nèi)筒14上、下兩端分別由上限位板23和下限位板定位安裝,下限位板分為I號下限位板18和II號下限位板25。上限位板23(見圖5-6)先按圓環(huán)形加工,在其上加工配插中筒的環(huán)形槽27和內(nèi)筒的環(huán)形內(nèi)肩26,然后按相同角度分割成若干塊,本實(shí)施例定位安裝中筒和內(nèi)筒上端時(shí)取4塊,按均勻分布卡在中筒和內(nèi)筒的頂部,使其上端得以定位。下限位板定位安裝中筒和內(nèi)筒的下端,實(shí)施例1(見圖7-8)的I號下限位板18上設(shè)有同心的環(huán)形槽27,槽寬與筒的壁厚相配插,下限位板擱置在外筒內(nèi)側(cè)壁焊點(diǎn)上(見圖1-2),它與外筒底之間的容積即為雜質(zhì)堆集區(qū)20,該雜質(zhì)堆集區(qū)同時(shí)與儲液區(qū)16、電解區(qū)15相貫通,為此,該方案的I號下限位板18上設(shè)有貫通兩者的通孔,該通孔包括中部通孔28和周邊的呈腰子形孔19,腰子形孔沿徑向兩圈錯(cuò)位均布排列。實(shí)施例2的II號下限位板25(見圖9)結(jié)構(gòu)類似于上限位板,其上加工有配插中筒的環(huán)形槽27和內(nèi)筒的環(huán)形內(nèi)肩26,它直接設(shè)置在底蓋21上(見圖3-4),中間與儲液區(qū)相通的孔即形成雜質(zhì)堆集區(qū)20,為使其同時(shí)與電解區(qū)相貫通,該方案的II號下限位板25的中部通孔上部呈倒角狀的斜坡24。
      本實(shí)用新型只是一個(gè)電解單元的結(jié)構(gòu)方案,可根據(jù)工作需要將上述數(shù)個(gè)電解單元用管路進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián),同時(shí)可在適宜位置設(shè)置液位指示裝置。工作時(shí),將電解液加到需要液位高度,筒體上的通液孔17使各層筒體中的電解液等液位。開始電解時(shí),電解區(qū)液位升高,電解液通過通液孔形成對流循環(huán),使電解區(qū)15溫度趨于一致,電解產(chǎn)生的氫氧氣體從電解液中溢出,經(jīng)筒體上部的輸氣管11輸入燃?xì)鉃V水干燥裝置。同時(shí)電解區(qū)內(nèi)的電解雜質(zhì)隨電解液翻騰上升并隨電解液通過中筒、內(nèi)筒電極壁上的通液孔流到儲液區(qū)16,而儲液區(qū)的電解液較平穩(wěn),進(jìn)入儲液區(qū)的雜質(zhì)由于比重較大,自動(dòng)分離逐漸沉到雜質(zhì)堆集區(qū)20,再通過底蓋21上的放液口定期打開放液接頭22將雜質(zhì)排除掉。由于改進(jìn)后的電解罐裝置能夠自動(dòng)堆積電解雜質(zhì),大大減少了作為電極的筒體附近的雜質(zhì)堆積,從而有效降低了電極受腐蝕的程度,提高了電解罐的使用壽命和產(chǎn)氣效率。
      權(quán)利要求1.一種電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,由數(shù)個(gè)筒體同心組合套裝,筒體間保持間距而形成儲液區(qū)(16)和電解區(qū)(15),外筒呈封閉式,每層內(nèi)筒上開有溝通儲液區(qū)和電解區(qū)的通液孔(17),連接電解電源的電極柱(8)、內(nèi)導(dǎo)電環(huán)(12)、注液組件和輸氣管(11)設(shè)在筒體上部,其特征在于所述的每層內(nèi)筒上、下兩端分別由上限位板(23)和下限位板定位安裝,下限位板與外筒底之間容積即為雜質(zhì)堆集區(qū)(20),該雜質(zhì)堆集區(qū)同時(shí)與儲液區(qū)、電解區(qū)相貫通,并在外筒底部設(shè)有放液接頭(22)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的同心組合套裝的筒體由圓筒形的外筒(10)、中筒(13)、內(nèi)筒(14)組成。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的貫通雜質(zhì)堆集區(qū)(20)與電解區(qū)(15)的下限位板是I號下限位板(18),其上設(shè)有貫通兩者的通孔。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的I號下限位板(18)上的通孔包括中部通孔(28)和周邊的呈腰子形孔(19),腰子形孔沿徑向兩圈錯(cuò)位均布排列。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的貫通雜質(zhì)堆集區(qū)(20)與電解區(qū)(15)的下限位板是II號下限位板(25),其上設(shè)有貫通兩者的斜坡(24)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的定位安裝內(nèi)筒的上限位板(23)均勻分布有3-5塊,上限位板上設(shè)有配插中筒的環(huán)形槽(27)和相配安裝內(nèi)筒的環(huán)形內(nèi)肩(26)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的定位安裝每層內(nèi)筒的I號下限位板(18)上設(shè)有同心的環(huán)形槽(27),環(huán)形槽槽寬與中筒、內(nèi)筒的壁厚相配插。
      8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,其特征在于所述的定位安裝每層內(nèi)筒的II號下限位板(25)上設(shè)有同心的環(huán)形槽(27)和環(huán)形內(nèi)肩(26),環(huán)形槽槽寬與中筒的壁厚相配插,環(huán)形內(nèi)肩(26)與內(nèi)筒相配安裝。
      專利摘要本實(shí)用新型公開的是一種電解雜質(zhì)自動(dòng)堆集裝置,包括同心組合套裝的數(shù)個(gè)筒體、筒體間保持間距而形成儲液區(qū)和電解區(qū),每層內(nèi)筒開有溝通儲液區(qū)和電解區(qū)的通液孔,連接電解電源的電極柱、注液組件、輸氣管設(shè)在筒體上部,每層內(nèi)筒兩端分別由上、下限位板定位安裝,并使下限位板與外筒底之間形成雜質(zhì)堆集區(qū),使在電解過程產(chǎn)生的雜質(zhì)因比重大而自動(dòng)分離沉到雜質(zhì)堆集區(qū),通過外筒底放液口作定期處理,減少筒體附近的雜質(zhì)堆積而引起的腐蝕,提高了筒體的使用壽命和產(chǎn)氣效率。
      文檔編號C25B1/00GK2707777SQ20042002155
      公開日2005年7月6日 申請日期2004年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月2日
      發(fā)明者李生平, 常學(xué)斌, 梁寶明, 沙蒙麗, 任寶輝, 董俊歧, 亢彪 申請人:中國兵器工業(yè)集團(tuán)第五二研究所
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