專利名稱：電鍍方法及電鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)非貫通孔和貫通孔內(nèi)進(jìn)行電鍍時(shí)，可以形成在孔內(nèi)形成均勻鍍膜和具有填滿性(filled performance)的通孔鍍層、導(dǎo)通孔鍍層的電鍍方法和電鍍裝置。
背景技術(shù)：
在日本特開H9-130050中，公開了有導(dǎo)通孔(via hole)的堆疊多層印刷電路板。
在日本特開2002-47594中，公開了用于制造多層印刷電路板的電鍍液和印刷電路板的制造方法，該多層印刷電路板是通過順次層疊樹脂絕緣層和導(dǎo)體電路，用導(dǎo)通孔連接導(dǎo)體電路之間而制得。將基板浸入在含有50～300g/l的硫酸銅、30～200g/l的硫酸、25～90mg/l的氯離子、以及至少由流平劑和光澤劑構(gòu)成的1～1000mg/l的添加劑的電解電鍍液中，進(jìn)行電解電鍍。從而得到導(dǎo)通孔上表面與導(dǎo)體電路的上表面大致對(duì)齊的導(dǎo)通孔(填孔(filled via))。
專利文獻(xiàn)1 日本特開平9-130050號(hào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2002-47594號(hào)發(fā)明內(nèi)容然而，根據(jù)日本特開2002-47594號(hào)的電鍍液和電鍍方法，因電鍍液濃度的控制不足、雜質(zhì)的蓄積而造成電鍍液劣化，則即使想要形成填孔，也有時(shí)會(huì)有如圖15(C)所示那樣在填孔60中央殘留深凹部的情況。其發(fā)生的比例為，有時(shí)會(huì)在全部的填孔上形成深凹部，但是在一部分填孔上形成深凹部的時(shí)候較多。對(duì)于有深凹部的填孔，由于不是在上層層疊通路的堆疊通路和上層的導(dǎo)體電路上的所期望的形狀、或發(fā)生了變形等，所以有時(shí)降低了電特性，或電路因斷線等損傷而使電連接性降低。
另外，在高溫高濕條件下和在熱循環(huán)條件下進(jìn)行可靠性試驗(yàn)時(shí)，在形成有深凹部的填孔的附近，絕緣層、導(dǎo)體層(包括堆疊通路)的斷線、裂紋等提前發(fā)生惡化，使基板自身的可靠性降低。
并且，在導(dǎo)通孔直徑形成為150μm以下的情況下、在相鄰的導(dǎo)通孔之間的距離為窄間距的情況下，形成填孔的深凹部的傾向顯著。
另外，通過在絕緣基材上在作為貫通孔的通孔內(nèi)也形成鍍膜，來進(jìn)行表里電連接。此時(shí)，通過電解電鍍形成鍍膜。
在該情況下，有時(shí)貫通孔內(nèi)的電鍍液變得不均勻，或鍍膜停止成長而存在非形成鍍膜的部分。因此，形成的鍍膜的形狀不是所期望的形狀，鍍膜的厚度不均使貫通孔內(nèi)的電路產(chǎn)生變形，所以造成電特性降低、或電路斷線等損傷，有時(shí)使電連接性降低。
另外，在高溫高濕條件下和在熱循環(huán)條件下進(jìn)行可靠性試驗(yàn)時(shí)，形成于貫通孔內(nèi)的鍍膜上的斷線和裂紋等提前發(fā)生惡化，使基板自身的可靠性下降。
特別地，在作為直徑不到300μm的貫通孔的通孔內(nèi)形成鍍膜的情況下，或在通過對(duì)貫通孔內(nèi)進(jìn)行電鍍而填充該貫通孔的情況下，上述鍍膜出現(xiàn)問題的傾向顯著。
本發(fā)明是為解決上述課題而作出的，其目的在于提供一種在形成填孔和通孔時(shí)可以容易形成實(shí)質(zhì)上平坦的填孔的電鍍裝置和電鍍方法。
在此所說的實(shí)質(zhì)上平坦的填孔是指對(duì)在通路上形成通路的堆疊通路構(gòu)造，在熱循環(huán)試驗(yàn)(進(jìn)行1000次的-55度×5分<＝>125度×5分)后的電連接可靠性達(dá)到?jīng)]有問題的水平(相對(duì)于熱循環(huán)試驗(yàn)前的電阻值的電阻變化率為±10％以內(nèi))。
另外，本申請(qǐng)還提出對(duì)于通孔等貫通孔也具有優(yōu)良的鍍膜均勻性和表層平坦性的電鍍裝置和電鍍方法。
另外，這些電鍍裝置和電鍍方法也可用作對(duì)于除了印刷電路板之外的被電鍍物，用于填充凹部、用于形成孔內(nèi)的膜的電鍍裝置和電鍍方法。
本發(fā)明是使絕緣體接觸或部分接觸被電鍍面、并一邊使該絕緣體相對(duì)于被電鍍面移動(dòng)一邊進(jìn)行電解電鍍的電鍍方法和電鍍裝置。
以往，僅使被電鍍體浸入在電鍍液中。因此，不能排除鍍膜形成中的液流不均、不規(guī)則地發(fā)生氣泡等問題。因此，不能保證鍍膜的均勻，特別是不能使導(dǎo)通孔周邊的鍍膜均勻地成長。另外，因電鍍液組成的變化和雜質(zhì)的蓄積而惡化了對(duì)于向凹部電鍍析出的促進(jìn)，故而形成了有深凹部的填孔。在導(dǎo)通孔直徑較小(150μm以下)時(shí)或在導(dǎo)通孔之間為窄間距時(shí)，有上述缺陷出現(xiàn)的頻度變高的傾向。
另外，在作為貫通孔的通孔中形成鍍膜時(shí)，也不能使該鍍膜均勻地成長。因此，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)通孔內(nèi)的膜不均勻、通孔表層部分的平坦性降低。在直徑不到300μm的作為貫通孔的通孔內(nèi)形成鍍膜時(shí)或在通過電鍍填充貫通孔內(nèi)時(shí)，有上述缺陷出現(xiàn)的頻度變高的傾向。
如本發(fā)明所示，通過使絕緣體接觸或部分接觸被電鍍面，在絕緣體接觸的部分，鍍膜的成長變慢或停止鍍膜的成長。與此相反，在絕緣體未接觸的部分，鍍膜成長。因此，導(dǎo)通孔、通孔等的開口的部分的鍍膜成長。但除了該導(dǎo)通孔之外的作為導(dǎo)體部分的導(dǎo)體電路不會(huì)變得過厚。即，可以確實(shí)形成導(dǎo)通孔、通孔內(nèi)的鍍膜。但是，在除此之外的導(dǎo)體電路部分，可以形成與導(dǎo)通孔的厚度相比相對(duì)較薄、而且與現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)體電路部分相比也相對(duì)較薄的鍍膜。由此，可以形成比以往高密度化的導(dǎo)體電路。
本來，導(dǎo)通孔或通孔的周邊不會(huì)接觸絕緣體，但當(dāng)形成該周邊部分的鍍膜時(shí)，其高度變得與其它的導(dǎo)體部分的高度相等。在達(dá)到相等的高度的時(shí)刻，該導(dǎo)通孔或通孔的周邊接觸絕緣體，從而抑制了鍍膜的成長或使鍍膜的成長停止。其結(jié)果，導(dǎo)通孔(或通孔)與導(dǎo)體電路的高度相等。
另外，通過使絕緣體接觸被電鍍面、使絕緣體移動(dòng)，可以使電鍍液的液流沿恒定方向流動(dòng)。特別是可以使繞導(dǎo)通孔的液流沿恒定方向流動(dòng)而使供給量穩(wěn)定。因此，可以消除導(dǎo)通孔周邊處的鍍膜的形成不均。因此，如果是形成導(dǎo)通孔內(nèi)時(shí)，則難以形成導(dǎo)通孔的凹部。如果是形成通孔的時(shí)，則作為表層的通孔的上端部分的變形少。
根據(jù)本發(fā)明的電鍍方法，根據(jù)絕緣體的種類、絕緣體的移動(dòng)條件、電鍍液的組成、電鍍條件，向形成中途的導(dǎo)通孔或通孔供給電鍍液。由此，由于向?qū)谆蛲讖?qiáng)制地供給電鍍液，增加了電鍍液與被電鍍面的接觸，故而不妨礙鍍膜的成長。
換言之，通過絕緣體等，不會(huì)在導(dǎo)通孔或通孔周邊形成不定期的液流。由此形成的鍍膜的內(nèi)部結(jié)晶結(jié)構(gòu)被排列。與以往相比，可以降低鍍膜內(nèi)部的內(nèi)阻。因此，提高了電連接性，即使進(jìn)行在高溫高濕下和熱循環(huán)條件下的可靠性試驗(yàn)，與以往相比，也容易確保長期可靠性。在這一方面，對(duì)于通孔也具有同樣的傾向。
優(yōu)選使這些絕緣體沿被電鍍面移動(dòng)。該情況下，對(duì)于被鍍膜面，可以使絕緣體沿基板的縱、橫方向移動(dòng)，也可以使絕緣體沿非縱、橫方向(例如，斜向等)移動(dòng)。反之，還可以通過使被電鍍面移動(dòng)，從而使絕緣體相對(duì)移動(dòng)。
除此之外，可以通過調(diào)整絕緣體的移動(dòng)速度、絕緣體的大小、絕緣體與被電鍍面的接觸比例等，得到所期望的結(jié)果。
絕緣體的移動(dòng)速度，優(yōu)選為1.0～8.0m/min。在該值不到1.0m/min時(shí)，因?yàn)椴荒芨淖円毫?，所以有時(shí)會(huì)發(fā)生與未使用絕緣體時(shí)相同的結(jié)果。而在該值超過8.0m/min時(shí)，由于絕緣體的移動(dòng)速度變快，所以有時(shí)不能改變液流。因此，比以優(yōu)選的移動(dòng)速度移動(dòng)而得到的結(jié)果差。最優(yōu)選的移動(dòng)速度為5.0～7.0m/min。如果移動(dòng)速度在該范圍內(nèi)，則不會(huì)有在局部不能改變液流的情況。當(dāng)制造印刷電路板時(shí)，在成為產(chǎn)品的領(lǐng)域(產(chǎn)品區(qū)域)的外周存在著不成為產(chǎn)品的領(lǐng)域。本發(fā)明提及的移動(dòng)速度為在產(chǎn)品區(qū)域內(nèi)的絕緣體的移動(dòng)速度。
如圖13所示，當(dāng)設(shè)定作為被電鍍體的基板30的寬度方向(X1)的長度為1時(shí)，優(yōu)選絕緣體20的寬度方向(X2)的大小為1∶0.9～1∶1.5。在該值不到0.9時(shí)，因?yàn)樵趦啥瞬糠植荒苓_(dá)到絕緣體的效果，所以有時(shí)會(huì)發(fā)生與未使用絕緣體的情況相同的結(jié)果。而在該值超過1.5m/min時(shí)，由于妨礙了向基板供給電鍍液，所以有時(shí)會(huì)誘發(fā)導(dǎo)通孔和通孔的鍍膜不均。最優(yōu)選的該比例為1.0∶1.2。這是因?yàn)檫@樣難以發(fā)生鍍膜不均。在此，當(dāng)設(shè)定作為被電鍍體的基板3 0的高度方向(Y1)的長度為1時(shí)，優(yōu)選絕緣體20的移動(dòng)方向(Y2)的大小為1∶0.2以上。這是因?yàn)橛捎谑且苿?dòng)方向(Y2)，所以絕緣體20的大小不會(huì)給電鍍的質(zhì)量帶來較大的影響。但在該值為不到0.2時(shí)，施加于基板一側(cè)的載荷變得過大，而使電鍍的質(zhì)量下降。
當(dāng)設(shè)定基板大小為1時(shí)，優(yōu)選絕緣體的接觸比例為1∶0.25～1∶1。在該接觸比例不到0.25時(shí)，因?yàn)樵趦啥瞬糠植荒苓_(dá)到絕緣體的效果，所以有時(shí)會(huì)發(fā)生與未使用絕緣體的情況相同的結(jié)果。最優(yōu)選該接觸比例為1∶0.5～1∶1。其理由是這樣難以發(fā)生鍍膜不均。所謂接觸比例，如圖14(A)所示，當(dāng)使用表面有凹凸的多孔質(zhì)樹脂(海綿)作為絕緣體時(shí)，該接觸比例是指在施加壓力按壓凸部的狀態(tài)下，凸部的接觸面積與全面積(凸部的接觸面積+凹部的接觸面積)的比例。同樣地，如圖14(B)所示，當(dāng)使用樹脂刷作為絕緣體時(shí)，該接觸比例是指在毛尖被按壓的狀態(tài)下，毛尖的接觸面積與全面積(毛尖的接觸面積+毛與毛之間的間隙面積)的比例。進(jìn)一步地，如圖14(C)所示，當(dāng)使用表面有凹凸或表面被粗化了的陶瓷、橡膠作為絕緣體時(shí)，該接觸比例是指在施加壓力按壓凸部的狀態(tài)下，凸部的接觸面積與全面積(凸部的接觸面積+凹部的非接觸面積)的比例。
絕緣體的接觸壓力，如圖14(A)所示，當(dāng)使用多孔質(zhì)樹脂(海綿)作為絕緣體時(shí)，或者，如圖14(B)所示，當(dāng)使用刷作為絕緣體時(shí)，相對(duì)于被電鍍面，優(yōu)選是壓入1.0～15.0mm(海綿的凸部凹陷、刷的毛尖彎曲)。當(dāng)壓入量不到1.0mm時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生與未使用絕緣體的情況相同的結(jié)果。而在壓入量超過15mm時(shí)，由于妨礙了供給電鍍液，所以有時(shí)會(huì)誘發(fā)導(dǎo)通孔和通孔的鍍膜不均。最優(yōu)選的壓入量為2～8mm。其理由是這樣難以發(fā)生鍍膜不均。另一方面，當(dāng)使用陶瓷作為絕緣體時(shí)，優(yōu)選是在該陶瓷上施加30g/cm2左右的壓力而使其壓入。
優(yōu)選是使絕緣體接觸或部分接觸被電鍍面，并使絕緣體相對(duì)于被鍍面一邊移動(dòng)一邊進(jìn)行電鍍。由此，在導(dǎo)通孔和通孔上所形成的鍍膜容易成為所期望的形狀，且表層部分具有優(yōu)良的平坦性。因?yàn)樗纬傻腻兡さ娜∠虼_實(shí)被排列，所以鍍膜自身也難于產(chǎn)生缺陷等。因此，不會(huì)降低電特性和電連接性。進(jìn)一步地，即使進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，也未發(fā)現(xiàn)可靠性早期降低。
該情況下的絕緣體，優(yōu)選將從長纖維物質(zhì)、多孔質(zhì)物質(zhì)、纖維狀物質(zhì)中選擇的任意一種物質(zhì)用作絕緣體。
可以在被電鍍面的整個(gè)表面上形成金屬。在該被電鍍面的整個(gè)表面上形成金屬膜后，再通過蝕刻等，可形成所期望的電路圖案(導(dǎo)體電路)。
可以通過電解電鍍形成導(dǎo)通孔或通孔。此時(shí)，可以通過使用抗蝕劑(resist)，在非形成抗蝕劑層部分形成所期望的電路圖案。
作為構(gòu)成絕緣體的長纖維可以使用樹脂刷。該情況下，使毛尖與被電鍍面抵接。作為樹脂刷，可以使用具有耐電鍍藥液性的PP、PVC(氯乙烯)、+PTFE(四氟乙烯)等。
另外，也可以使用樹脂、橡膠。
另外，作為構(gòu)成絕緣體的多孔質(zhì)可以使用SiC等多孔質(zhì)陶瓷、海綿、PE(聚乙烯)等的多孔質(zhì)樹脂。作為多孔質(zhì)樹脂，例如也可以使用在聚酰亞胺膜上施加張力而使其內(nèi)部形成了微小孔的物質(zhì)。
而且，作為構(gòu)成絕緣體的纖維狀還可以使用氯乙烯紡織布、無紡織布等的樹脂纖維。
使絕緣體相對(duì)于被電鍍面滑動(dòng)的方法也是優(yōu)選的。由此，可以使電鍍液比較均勻地在導(dǎo)通孔等的鍍膜形成部循環(huán)，可形成實(shí)質(zhì)上平坦的填孔。


圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施例1-1-1的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖2為表示實(shí)施例1-1-1的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖3為表示實(shí)施例1-1-1的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖4為表示實(shí)施例1-1-1的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖5為表示實(shí)施例1-1-1的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖6為實(shí)施例1-1-1的多層印刷電路板的剖視圖。
圖7為表示實(shí)施例1-1-2的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖8為表示實(shí)施例1-1-3的其它例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。
圖9為表示實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖10為表示實(shí)施例1-2-1的電鍍裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖11中的圖11(A)、圖11(B)、圖11(C)、圖11(D)為采用第1實(shí)施例的電鍍裝置制造導(dǎo)通孔的說明圖，圖11(E)為用圖11(D)中的圓D所標(biāo)示的部位的放大簡圖。
圖12為表示實(shí)施例和比較例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。
圖13為說明基板和絕緣體的大小的說明圖。
圖14中的圖14(A)為由多孔質(zhì)樹脂構(gòu)成的絕緣體的接觸比例的說明圖；圖14(B)為由刷構(gòu)成的絕緣體的接觸比例的說明圖；圖14(C)為由陶瓷構(gòu)成的絕緣體的接觸比例的說明圖。
圖15中的圖15(A)和圖15(C)為使用現(xiàn)有技術(shù)的電鍍裝置制造導(dǎo)通孔的說明圖；圖15(B)為用圖15(A)中的圓F所標(biāo)示的部位的擴(kuò)大簡圖。
具體實(shí)施例方式首先，參照?qǐng)D9，說明本發(fā)明的實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置的結(jié)構(gòu)。
電鍍裝置10由已裝滿電鍍液14的電鍍槽12、用于使電鍍液14循環(huán)的循環(huán)裝置16、由與印刷電路板30的表面?zhèn)鹊碾婂兠娴纸拥亩嗫踪|(zhì)樹脂(海綿)構(gòu)成的絕緣體20A、由與印刷電路板30的里面?zhèn)鹊碾婂兠娴纸拥暮＞d構(gòu)成的絕緣體20B、通過升降桿22使絕緣體20A、20B沿印刷電路板30上下動(dòng)的升降裝置24構(gòu)成。
參照?qǐng)D11，說明利用該電鍍裝置10形成填孔和導(dǎo)體電路。示出了如下狀態(tài)在層間絕緣層50上形成金屬層52，在該金屬層52上形成阻鍍層54(參照?qǐng)D11(A))后，利用圖9所示的電鍍裝置10，通過電解電鍍，進(jìn)行電解鍍膜56的加厚處理(參照?qǐng)D11(B)、(C))。
在實(shí)施例1-1-1中，當(dāng)電解鍍膜56逐漸變厚時(shí)，絕緣體20與被電鍍面接觸或部分接觸，從而在其接觸的部分，電解鍍膜56的成長變慢或停止鍍膜成長。與此相反，在絕緣體20未接觸的部分，電解鍍膜56成長，在與絕緣體接觸的時(shí)刻，停止或抑制了電鍍析出，因此，如圖11(C)所示，可以容易制造其表面實(shí)質(zhì)上平坦的填孔60。
另外，雖然導(dǎo)通孔的開口部分的鍍膜成長，但除了該導(dǎo)通孔之外的作為導(dǎo)體部分的導(dǎo)體電路58卻不會(huì)變得過厚。即，確實(shí)形成了導(dǎo)通孔內(nèi)的鍍膜，但在除此之外的導(dǎo)體電路58部分，可以形成比導(dǎo)通孔內(nèi)的鍍膜厚度相對(duì)較薄的、也比利用未使用絕緣體20的現(xiàn)有技術(shù)的電鍍方法和電鍍裝置所制造的導(dǎo)體電路的厚度相對(duì)較薄的鍍膜。由此，可以形成比以往高密度化的導(dǎo)體電路。特別是當(dāng)在一面形成導(dǎo)體電路，并通過蝕刻形成導(dǎo)體電路時(shí)，可以以微間距形成導(dǎo)體電路，有利于高密度化。
另外，由于由多孔質(zhì)樹脂(海綿)構(gòu)成的絕緣體20可以使電鍍液的液流、特別是繞導(dǎo)通孔的液流沿恒定方向流動(dòng)。因此，可以消除導(dǎo)通孔周邊的鍍膜形成不均。因此，如果是形成導(dǎo)通孔的情況下，則難以形成導(dǎo)通孔的凹部。
圖11(D)示出了如下狀態(tài)在形成電解鍍膜56后，剝離阻鍍層54，通過蝕刻除去金屬膜52，即形成了通過導(dǎo)通孔60與下層的導(dǎo)體電路34連接的導(dǎo)體電路58，圖11(E)為用圖11(D)中的圓D所標(biāo)示的電解鍍膜56部位的擴(kuò)大簡圖。
如圖11(E)所示，用實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置，可以對(duì)銅的結(jié)晶結(jié)構(gòu)進(jìn)行排列。認(rèn)為其原因在于通過由多孔質(zhì)樹脂(海綿)構(gòu)成的絕緣體20可以使繞導(dǎo)通孔的液流沿恒定方向流動(dòng)。
圖15(B)為表示未使用絕緣體20所形成的現(xiàn)有技術(shù)的填孔60(圖15(A))中用圓F所標(biāo)示的電解鍍膜56部位的放大簡圖。在現(xiàn)有技術(shù)中，與圖11(E)所示的實(shí)施例1-1-1的情況不同，銅的結(jié)晶構(gòu)造沒有被排列整齊。
接著，參照?qǐng)D1～圖6說明利用實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置制造多層印刷電路板。
圖6為表示多層印刷電路板的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在多層印刷電路板中，在芯基板30的表面和背面形成有導(dǎo)體電路34。并在該導(dǎo)體電路34上設(shè)置有形成有導(dǎo)通孔60以及導(dǎo)體電路58的層間樹脂絕緣層50、形成有導(dǎo)通孔160以及導(dǎo)體電路158的層間樹脂絕緣層150。在該導(dǎo)通孔160以及導(dǎo)體電路158的上層形成有阻焊劑層70，通過該阻焊劑層70的開口部71，在該導(dǎo)通孔160和導(dǎo)體電路158上形成了凸塊76U和76D。
以下，說明圖6所示的多層印刷電路板的制造工序。
A.層間樹脂絕緣層的樹脂膜的制作在20重量份二乙二醇乙醚醋酸酯(Ethyl DiglycolAcetate)和20重量份溶劑石腦油中，攪拌并加熱溶解30重量份雙酚A型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量469，油化シエルエポキシ社制造エピ コ一ト1001)、40重量份甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量215，大日本インキ化學(xué)工業(yè)社制造エピクロンN-673)和30重量份含有三嗪結(jié)構(gòu)的苯酚酚醛清漆型樹脂(酚羥基當(dāng)量120，大日本インキ化學(xué)工業(yè)社制造フエノライトKA-7052)，向其中添加15重量份末端環(huán)氧化的聚丁二烯橡膠(ナガセ化成工業(yè)社制造デナレツクスR-45EPT)和1.5重量份2-苯基-4，5-雙(羥甲基)咪唑粉碎品、2重量份精磨硅石和0.5重量份硅類消泡劑，調(diào)制出環(huán)氧樹脂組成物。
使用輥涂機(jī)將所得到的環(huán)氧樹脂組成物涂敷在厚度為38μm的PET莫上，然后在80～120℃干燥10分鐘，使其在干燥后厚度為50μm，由此，制造出層間樹脂絕緣層用樹脂膜。
B.樹脂填料的調(diào)制將100重量份雙酚F型環(huán)氧單體(油化シエル社制造，分子量310 YL983U)、170重量份表面涂敷了硅烷偶聯(lián)劑的平均粒徑為1.6μm、最大粒徑為15μm以下的SiO2球狀粒子(アドテツク社制造，CRS1101-CE)和1.5重量份流平劑(サンノプコ社制造，ペレノ-ルS4)裝入容器，進(jìn)行攪拌混合，從而調(diào)制出其粘度在23±1℃為44～49Pa·s的樹脂填料。
另外，使用6.5重量份咪唑固化劑(四國化成社制造，2E4MZ-CN)作為固化劑。
C.多層印刷電路板的制造(1)使用了在由厚度為0.8μm的玻璃環(huán)氧樹脂或BT(粘膠系馬來酰亞胺三嗪)樹脂構(gòu)成的絕緣性基板30的兩表面層壓了厚18μm的銅箔32而成的覆銅層壓板30A作為原始材料(圖1(A))。首先在該覆銅層壓板上鉆孔，實(shí)施無電解電鍍處理，蝕刻出圖案形狀，從而在基板30的兩表面形成了下層導(dǎo)體電路34和通孔36(圖1(B))。
(2)在對(duì)形成了通孔36和下層導(dǎo)體電路34的基板30進(jìn)行了水洗、干燥后，進(jìn)行黑化處理和還原處理。其中，黑化處理以含有NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)和Na3PO4(6g/l)的水溶液為黑化液(氧化液)；還原處理以含有NaOH(10g/l)、NaBH4(6g/l)的水溶液為還原液。從而，在包括其通孔36在內(nèi)的下層導(dǎo)體電路34的整個(gè)表面上形成了粗化面36α、34α(圖1(C))。
(3)在調(diào)制了如B所述的樹脂填料后，采用下述方法，在調(diào)制后的24小時(shí)以內(nèi)，在通孔36內(nèi)、以及基板單面的非形成下層導(dǎo)體電路34部分和下層導(dǎo)體電路的外緣部形成了樹脂填料40的層(圖1(D))。
即，在基板上載置具有已在相當(dāng)于通孔和非形成下層導(dǎo)體電路部分的部分開口的版的樹脂填充用掩模，使用刮板將樹脂填料40填充到通孔內(nèi)、成為凹部的非形成下層導(dǎo)體電路部分、以及下層導(dǎo)體電路的外緣部，在100℃/20分鐘的條件下，使其干燥。
(4)為不使樹脂填料殘留在下層導(dǎo)體電路34的外緣部和通孔36的連接盤的外緣部，采用使用#600帶研磨紙(三共理化學(xué)制)的帶式研磨機(jī)(belt sander)對(duì)完成上述(3)處理的基板單面進(jìn)行研磨，接著，為了除去因使用帶式研磨機(jī)研磨造成的劃傷，對(duì)下層導(dǎo)體電路的整個(gè)表面(包含通孔的連接盤表面)進(jìn)行拋光(圖2(A))。對(duì)基板的另一面也同樣進(jìn)行這樣一系列研磨。
接著，在100℃進(jìn)行1小時(shí)加熱處理、在150℃進(jìn)行1小時(shí)加熱處理，使樹脂填料40固化。
如此進(jìn)行上述處理，得到這樣的基板使形成在通孔36和非形成下層導(dǎo)體電路34部分的樹脂填料40的表層部和下層導(dǎo)體電路34的表面平坦，隔著粗化面而牢固地緊密接合樹脂填料和下層導(dǎo)體電路的側(cè)面，并隔著粗化面而牢固地緊密接合通孔36的內(nèi)壁面和樹脂填料40。即，通過該工序，樹脂填料40的表面和下層導(dǎo)體電路34的表面成為大致相同平面。
(5)對(duì)上述基板進(jìn)行水洗、酸性脫脂后，進(jìn)行軟蝕刻，接著用噴霧器將蝕刻液噴在基板的兩表面上，對(duì)下層導(dǎo)體電路34的表面和通孔36的連接盤表面進(jìn)行蝕刻，從而在下層導(dǎo)體電路34的整個(gè)表面形成了粗化面36β(圖2(B))。
作為蝕刻液，使用了由10重量份咪唑銅(II)絡(luò)合物、7重量份脲乙酸、5重量份氯化鉀構(gòu)成的蝕刻液(メツク社制造メツクエツチボンド)。
(6)在基板30的兩表面，將在A中制得的比基板稍大的層間樹脂絕緣層用樹脂膜載置在基板上，在壓力為0.4MPa、溫度為80℃、壓接時(shí)間為10秒的條件下，進(jìn)行臨時(shí)壓接并將其裁斷，然后，采用以下方法，使用真空層壓裝置進(jìn)行粘接，從而形成了層間樹脂絕緣層50(圖2(C))。即，在真空度為67Pa、壓力為0.4MPa、溫度為80℃、壓接時(shí)間為60秒的條件下，進(jìn)行正式壓接，然后，在170℃使其熱固化30分鐘。
(7)接著，在層間樹脂絕緣層50上設(shè)置厚度為1.2mm的形成有貫通孔的掩模，使用波長為10.4μm的CO2氣體激光器，在光束直徑為4.0mm、頂環(huán)模式(top hat mode)、脈沖寬度為8.0μ秒、掩模的貫通孔的孔徑為1.0mm、1～3次發(fā)射(shot)激光的條件下，在層間樹脂絕緣層上形成了直徑為80μm的導(dǎo)通孔用開口50a(圖2(D))。
(8)將形成了導(dǎo)通孔用開口50a的基板30浸入在含60g/l高錳酸的80℃溶液中10分鐘，溶解除去存在于層間樹脂絕緣層50的表面上的環(huán)氧樹脂粒子，由此使包括導(dǎo)通孔用開口50a的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層50的表面成為粗糙面50α(圖2(E))。
(9)接著，將結(jié)束上述處理的基板30在中和溶液(シプレイ社制造)中，然后再進(jìn)行水洗。
并且，在經(jīng)粗面化處理(粗化深度為3μm)后的該基板30的表面賦予鈀催化劑，由此，使催化劑核附著在層間樹脂絕緣層50的表面和導(dǎo)通孔用開口50a的內(nèi)壁面上(未圖示)。即，將上述基板浸滲在含有氯化鈀(PdCl2)和氯化亞錫(SnCl2)的催化劑溶液中，使金屬鈀析出，由此來賦予催化劑。
(10)接著，在以下組成的無電解鍍的水溶液中浸潰已賦予了催化劑的基板，在整個(gè)粗糙面上形成厚度為0.6～3.0μm的無電解鍍銅膜52，從而，得到在包括導(dǎo)通孔用開口50a的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層50的表面上形成有無電解鍍銅膜52的基板30(圖3(A))。
NiSO40.003mol/l酒石酸 0.200mol/l硫酸銅 0.030mol/lHCHO 0.050mol/lNaOH 0.100mol/lα，α′-聯(lián)吡啶100mg/l聚乙二醇(PEG) 0.10g/l 在34℃的溶液溫度下進(jìn)行40分鐘(11)在形成有無電解鍍銅膜52的基板30上，粘貼市場(chǎng)出售的感光性干膜，載置掩模，以100mJ/cm2進(jìn)行曝光，使用0.8％的碳酸鈉水溶液進(jìn)行顯影處理，從而設(shè)置了厚度為20μm的阻鍍層54(圖3(B))。
(12)其后，使用50℃的水洗凈基板30，使其脫脂。在使用25℃的水進(jìn)行水洗后，再使用硫酸進(jìn)行洗凈，然后，參照?qǐng)D9，利用上述電鍍裝置10，在以下的條件下實(shí)施電解電鍍，形成了電解鍍膜56(圖3(C))。
硫酸 2.24mol/l硫酸銅 0.26mol/l添加劑 19.5ml/l流平劑 50mg/l光澤劑 50mg/l[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時(shí)間 65分鐘溫度 22±2℃此時(shí)，參照?qǐng)D9，如上所述，使用多孔質(zhì)樹脂作為絕緣體20A、20B，一邊使絕緣體在被電鍍面上上下滑動(dòng)，一邊在非形成阻鍍層54部分上形成了厚度為20μm的電解鍍銅膜56。此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為7m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為(X2/X1參照?qǐng)D13)1.0，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為0.50，絕緣體的壓力用壓入量表示時(shí)為8mm。
(13)然后，在使用5％的KOH剝離除去阻鍍層54后，使用硫酸和過氧化氫的混合液，對(duì)該阻鍍層54下的無電解鍍膜52進(jìn)行蝕刻處理而溶解除去該無電解鍍膜52，制得獨(dú)立的上層導(dǎo)體電路58(包括填孔60)(圖3(D))。
(14)接著，進(jìn)行與上述(5)同樣的處理，在上層導(dǎo)體電路58和填孔60的表面形成了粗化面58α、60α(圖4(A))。
(15)重復(fù)進(jìn)行上述(6)～(14)的工序，并形成上層的層間絕緣層150、導(dǎo)體電路158、填孔160，制得了多層電路板(圖4(B))。
(16)其次，將46.6 7重量份賦予感光性的低聚物(分子量4000)、15.0重量份溶解于甲乙酮的8 0重量％的雙酚A型環(huán)氧樹脂(油化シエル社制造，商品名エピコ一ト1001)、1.6重量份咪唑固化劑(四國化成社制造，商品名2E 4MZ-CN)、4.5重量份作為感光性單體的雙官能丙烯酸單體(日本化薬社制造，商品名R604)、1.5重量份相同的多元丙烯酸單體(共榮化學(xué)社制造，商品名DPE6A)、0.71重量份分散類消泡劑(サンノプコ社制造，S-65)裝入容器內(nèi)，進(jìn)行攪拌混合，調(diào)制成混合組成物，對(duì)該混合組成物添加2.0重量份作為光聚合引發(fā)劑的二苯甲酮(關(guān)東化學(xué)社制造)和0.2重量份作為光增感劑的米希勒氏酮蚩(關(guān)東化學(xué)社制造)，從而，制得其粘度已調(diào)整為25℃時(shí)為2.0Pa·s的阻焊劑組成物。上述賦予感光性的低聚物是按照溶解后的濃度為60重量％的濃度溶解于二甘醇二甲醚(DMDG)、將甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(日本化薬社制造)的環(huán)氧基50％丙烯基化而成的。
另外，使用B型粘度計(jì)(東京計(jì)器社制造，DVL-B型)進(jìn)行粘度測(cè)定，在60min-1的情況下，使用No.4轉(zhuǎn)頭；而在6min-1的情況下，使用No.3轉(zhuǎn)頭。
(17)接著，在多層線路基板的兩表面以20μm厚度涂敷上述阻焊劑組成物70(圖4(C))，在70℃/20分鐘和70℃/30分鐘的條件下，進(jìn)行干燥處理然后，使已描畫出阻焊劑開口部的圖案的厚度為5mm的光掩模緊密貼合在該阻焊劑層上，用1000mJ/cm2的紫外線進(jìn)行曝光，使用DMTG溶液進(jìn)行顯影處理，形成了直徑為200μm的開口71(圖5(A))。
然后，再分別在80℃、1小時(shí)的條件下、100℃、1小時(shí)的條件下、120℃、1小時(shí)的條件下和150℃、3小時(shí)的條件下，進(jìn)行加熱處理，使阻焊劑層固化，形成了具有開口、其厚度為20μm的阻焊劑圖案層70。作為上述阻焊劑組成物，也可以使用市場(chǎng)出售的阻焊劑組成物。
(18)接著，將形成了阻焊劑層70的基板浸入在含有氯化鎳(2.3×10-1mol/l)、次磷酸鈉(2.8×10-1mol/l)和檸檬酸鈉(1.6×10-1mol/l)的pH＝4.5的無電解鍍鎳液中20分鐘，在開口部71形成了厚度為5μm的鎳鍍層72。并在80℃的條件下，將其基板浸入在含有氰化金鉀(7.6×10-3mol/l)、氯化銨(1.9×10-1mol/l)、檸檬酸鈉(1.2×10-1ml/l)和次磷酸鈉(1.7×10-1mol/l)的無電解鍍金液中7.5分鐘，在鎳鍍層72上形成了厚度為0.03μm的鍍金層74(圖5(B))。
(19)其后，在基板的載置IC芯片的面的阻焊劑層70的開口71印刷含有錫-鉛的焊錫膏，并在另一面的阻焊劑層70的開口印刷含有錫-銻的焊錫膏71，然后，在200℃進(jìn)行回流焊，從而形成了焊錫凸塊(焊錫體)76U、76D，制得具有焊錫凸出76U、76D的多層印刷電路板(圖6)。
接著，參照?qǐng)D7，說明實(shí)施例1-1-1的另一例的實(shí)施例1-1-2的制造工序。
參照?qǐng)D3，在上述工序中，在無電解鍍膜52上設(shè)置阻鍍層54，在非形成阻鍍層部分形成了電解鍍膜56。與此相反，在圖7的工序中，在無電解鍍膜52的整個(gè)表面上形成電解鍍膜56。
(10)制得在包括導(dǎo)通孔用開口50a的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層50的表面上形成有無電解鍍銅膜52的基板30(圖7(A))。
(11)接著，用50℃的水洗凈基板30，使其脫脂，在用25℃的水進(jìn)行水洗后，再使用硫酸進(jìn)行洗凈，然后，參照?qǐng)D9，利用上述電鍍裝置10，在以下的條件下實(shí)施電解電鍍，形成了電解鍍56(圖7(B))。
硫酸2.24mol/l硫酸銅 0.26mol/l添加劑 19.5ml/l流平劑 50mg/l光澤劑 50mg/l[電解電鍍條件]電流密度1A/dm2時(shí)間65分鐘溫度22±2℃此時(shí)，參照?qǐng)D9，如上所述，使用多孔質(zhì)樹脂作為絕緣體20A、20B，一邊使絕緣體在被電鍍面上上下滑動(dòng)，一邊在無電解鍍膜52的整個(gè)上表面上形成了厚度為20μm的電解鍍銅膜56。此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為7m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.1，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為0.50，絕緣體的壓力用壓入量表示時(shí)為8mm。
(12)在形成有電解鍍銅膜56的基板30上，設(shè)置抗蝕劑層54(圖7(C))。
(13)然后，通過蝕刻除去非形成抗蝕劑層54部分的電解鍍膜56和無電解鍍膜52，然后，溶解除去抗蝕劑層54，制得獨(dú)立的上層導(dǎo)體電路58(包括填孔60)(圖7(D))。
接著，參照?qǐng)D8，說明實(shí)施例1-1-1的再一例的實(shí)施例1-1-3的制造工序。
在參照?qǐng)D3所述的實(shí)施例中，使用電鍍裝置10制造了填孔60。與此相反，在本例中，形成了通孔。
(1)首先，在層疊了形成有導(dǎo)體電路34的芯基板30A、30B、30C而成的層疊基板130上，開設(shè)通孔用通孔136a(圖8(A))。
(2)接著，在整個(gè)層疊基板130和通孔用通孔136a內(nèi)形成無電解鍍膜52。
(3)利用參照?qǐng)D9所述的實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置10，在層疊基板130的表面上形成電解鍍膜56，并用電解鍍膜56填充通孔用通孔136a內(nèi)部。此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為8m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.2，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為1.0，絕緣體的壓力以壓入量表示為8mm。
(4)在形成了抗蝕劑層后，通過蝕刻除去非形成抗蝕劑層部分的電解鍍膜56和無電解鍍膜52，然后，溶解除去抗蝕劑層，制得獨(dú)立的導(dǎo)體電路134(包括通孔136a)(圖8(D))。
圖10表示實(shí)施例1-2-1的電鍍裝置10。在參照?qǐng)D9所述的實(shí)施例1-1-1中，是絕緣體20A、20B僅與印刷電路板30的一部分接觸的結(jié)構(gòu)。與此對(duì)反，在實(shí)施例1-2-1中，是絕緣體20A、20B一邊與印刷電路板30的整個(gè)表面接觸一邊上下滑動(dòng)的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為6m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.2，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為1.0，絕緣體的壓力以壓入量表示為8mm。
在參照?qǐng)D9所述的實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置中，用多孔性樹脂構(gòu)成絕緣體20A、20B。與此相反，在實(shí)施例2-1-1中，用多孔性陶瓷(SiC)構(gòu)成絕緣體20A、20B。此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為5m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為0.9，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為0.5，絕緣體的壓力為壓入壓力40g/cm2，從而形成了電解鍍膜。
實(shí)施例2-2-1，是在實(shí)施例2-1-1中，絕緣體的移動(dòng)速度為7m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.20，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為1.0，絕緣體的壓力為壓入壓力40g/cm2，如此形成電解鍍膜。
在參照?qǐng)D9所述的實(shí)施例1-1-1的電鍍裝置中，使用多孔性樹脂構(gòu)成絕緣體20A、20B。與此相反，在實(shí)施例3-1-1中，使用其毛頂端與印刷電路板一側(cè)抵接的PVC(氯乙烯)制的刷構(gòu)成絕緣體20A、20B。此時(shí)，以絕緣體的移動(dòng)速度為6m/min、絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為0.9、絕緣體與印刷電路板的接觸比例為0.75、絕緣體的壓力以壓入量表示為2mm，形成了電解鍍膜。
實(shí)施例3-2-1，是在實(shí)施例3-1-1中，電鍍裝置是使絕緣體的移動(dòng)速度為6m/min、絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.0、絕緣體與印刷電路板的接觸比例為0.75、絕緣體的壓力以壓入量表示為2mm，形成了電解鍍膜。

在參照?qǐng)D9所述的實(shí)施例1-1-1的裝置中，使用多孔性樹脂構(gòu)成絕緣體20A、20B。與此相反，在實(shí)施例4-1-1中，使用氯乙烯紡織布構(gòu)成絕緣體20A、20B。此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為7m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.0，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為1.0，絕緣體的壓力以壓入量表示為8mm，形成了電解鍍膜。
實(shí)施例4-2-1，是在實(shí)施例4-1-1中，電鍍裝置是使絕緣體的移動(dòng)速度為7m/min、絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.2、絕緣體與印刷電路板的接觸比例為1.0、絕緣體的壓力以壓入量表示為8mm，形成了電解鍍膜。
在參照?qǐng)D9所述的實(shí)施例1-1-1的裝置中，使用多孔性樹脂構(gòu)成絕緣體20A、20B。與此相對(duì)，在實(shí)施例5-1-1中，使用由橡膠作成的板狀體構(gòu)成絕緣體20A、20B，此時(shí)，絕緣體的移動(dòng)速度為5m/min，絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為0.90，絕緣體與印刷電路板的接觸比例為0.5，絕緣體的壓力以壓入量表示為1.0mm，形成了電解鍍膜。
實(shí)施例5-2-1，是在實(shí)施例5-1-1，電鍍裝置是使絕緣體的移動(dòng)速度為7m/min、絕緣體相對(duì)于印刷電路板的大小為1.1、絕緣體與印刷電路板的接觸比例為1.05、絕緣體的壓力以壓入量表示為1.0mm，形成了電解鍍膜。
在實(shí)施例1-1-1的電解鍍銅工序中，沒有使用絕緣體20A、20B。除此之外，其余均與實(shí)施例1-1-1相同。
<評(píng)價(jià)試驗(yàn)>
對(duì)實(shí)施例1-1-1～實(shí)施例5-2-1、以及使用現(xiàn)有技術(shù)的電鍍裝置形成填孔的例子(比較例)，進(jìn)行了評(píng)價(jià)，其結(jié)果示于圖12。
在此，作為評(píng)價(jià)，(1)孔的填充狀態(tài)(在此，將在填孔的表面沒有深凹部(從導(dǎo)體電路58的表面至填孔的凹部下端的深度(參照?qǐng)D15(C))為10μm以上的填孔)表示為○，將在填孔的表面有深凹部表示為×)；(2)物性值(將如圖11(E)所述那樣的銅結(jié)晶整齊排列的表示為○，將如圖15(B)所述那樣未整齊排列的表示為×)；(3)電阻值(測(cè)定包括在通路上再形成通路的堆疊通路在內(nèi)的特定電路的電阻值，其電阻值在容許值以內(nèi)的表示為○，其電阻值超過容許值的表示為×)；(4)熱循環(huán)試驗(yàn)(條件-55度×5分鐘<＝>125度×5分鐘；次數(shù)1000次；規(guī)格將(3)的特定電路的測(cè)試后的電阻變化率在±10％以內(nèi)的表示為○，除此之外的表示為×。*電阻變化率＝(試驗(yàn)后的特定電路的電阻值-試驗(yàn)前的特定電路的電阻值)/試驗(yàn)前的特定電路的電阻值×100)。
從評(píng)價(jià)試驗(yàn)的結(jié)果可以得知，根據(jù)本發(fā)明的電鍍裝置和電鍍方法，可以形成實(shí)質(zhì)上平坦的填孔。
另外，可以明確根據(jù)本發(fā)明的電鍍裝置和電鍍方法，使包括堆疊通路結(jié)構(gòu)(通路正上方再形成通路的結(jié)構(gòu))在內(nèi)的電路的電阻值在容許值之內(nèi)，對(duì)于熱循環(huán)試驗(yàn)也具有高可靠性。這是因?yàn)榧词闺婂円汉碗婂儣l件多少有些變化，但由于存在絕緣體，鍍膜只能成長至與該絕緣體接觸，所以形成實(shí)質(zhì)上平坦的填孔。在此提及的實(shí)質(zhì)上平坦的填孔，是指包括堆疊通路結(jié)構(gòu)在內(nèi)的電路的電阻值，即使是在1000次熱循環(huán)試驗(yàn)后，其電阻變化率(熱循環(huán)試驗(yàn)后的電阻值-初始值)/初始值×100)也在±10％以內(nèi)程度的填孔。從實(shí)施例的結(jié)果來看，考慮到余量，實(shí)質(zhì)上平坦的填孔是指其凹部的深度(圖15(C))例如為7μm以下的導(dǎo)通孔。
另外，在進(jìn)行該評(píng)價(jià)試驗(yàn)的同時(shí)，還測(cè)定了實(shí)施例和比較例的印刷電路板的導(dǎo)體電路的厚度。在實(shí)施例1-1-1～實(shí)施例5-1-1中，可以使導(dǎo)體電路58的厚度(在圖11(C)中，用h1表示)比抗蝕劑的厚度薄。
工業(yè)上的可利用性在上述實(shí)施例中，列舉了將本實(shí)施例的電鍍裝置用于制造導(dǎo)通孔、通孔的例子，然而，本實(shí)施例的電鍍裝置也可適用于制造印刷電路板的各種部位。
權(quán)利要求
1.一種電鍍方法，其特征在于，使絕緣體接觸或部分接觸被電鍍面，并一邊使該絕緣體相對(duì)于被電鍍面移動(dòng)，一邊進(jìn)行電解電鍍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，在上述被電鍍面的表面上形成金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，在被電鍍面上形成有非貫通孔或貫通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，通過上述電解電鍍?cè)趯?dǎo)通孔或通孔上形成鍍膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，將從長纖維物質(zhì)、多孔質(zhì)物質(zhì)、纖維狀的樹脂、橡膠中選擇的任意一種物質(zhì)用作上述絕緣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電鍍方法，其特征在于，將多孔質(zhì)陶瓷或多孔質(zhì)樹脂用作上述多孔質(zhì)物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電鍍方法，其特征在于，將樹脂刷用作上述長纖維物質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電鍍方法，其特征在于，將樹脂纖維用作上述纖維狀物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電鍍方法，其特征在于，使上述絕緣體相對(duì)于上述被電鍍面滑動(dòng)。
10.一種電鍍方法，其特征在于，包含以下A～CA使絕緣體的至少一部分接觸被電鍍面；B使上述絕緣體與被電鍍面相對(duì)移動(dòng)；C在被電鍍面上形成鍍膜。
11.一種電鍍裝置，其特征在于，使用權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的電鍍方法。
全文摘要
本發(fā)明提供在形成填孔時(shí)不形成凹部的電鍍裝置和電鍍方法。電鍍裝置(10)包括與印刷電路板(30)的由被電鍍面抵接的多孔質(zhì)樹脂(海綿)構(gòu)成的絕緣體(20A、20B)；使絕緣體(20A、20B)沿印刷電路板(30)上下動(dòng)作的升降裝置(24)。當(dāng)電解鍍膜(56)逐漸變厚時(shí)，使絕緣體(20)接觸被電鍍面，從而在其接觸的部分，電解鍍膜(56)的成長停止。由此，可以制造其表面平坦的填孔(60)。
文檔編號(hào)C25D5/06GK101027431SQ20058003220
公開日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2005年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月24日
發(fā)明者中井通, 川合悟, 丹羽洋, 巖田義幸 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社